【課題】タリウム濃度低下による金メッキの不良発生を抑止できる信頼性の高い半導体集積回路装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体集積回路装置の製造方法において、非シアン系メッキ液を用いた電解金メッキ技術によって金バンプ電極を形成する工程中、メッキ液２１への印加電圧をモニターすることにより、メッキ液２１へのタリウムの添加量を検出して、タリウム添加濃度の減少による異常析出等のメッキ不良の発生を抑止する。 （もっと読む）

【課題】亜鉛金属の滑らかで光輝のあるめっきが得られかつ安定なアルカリ性亜鉛及び亜鉛合金めっき浴を提供すること。
【解決手段】１−エチル−ピリジニウム３−カルボキシレート、１−プロピル−ピリジニウム３−カルボキシレート、１−ブチル−ピリジニウム３−カルボキレート、１−エタノール−ピリジニウム３−カルボキシレート、１−プロパノール−ピリジニウム３−カルボキシレート、１−ブタノール−ピリジニウム３−カルボキシレート及び１−ジメチルエーテル−ピリジニウム３−カルボキシレートからなる群より選ばれた化合物、及びイミダゾールとエピハロヒドリンとの反応物、脂肪族アミンとエピヒドリンとの反応物、尿素とジアルキルアミノアルキルアミンとジクロルエチルエーテルまたはエピハロヒドリンとの反応物からなる群より選ばれた補助光沢成分を含有することを特徴とするアルカリ性ノーシアン亜鉛及び亜鉛合金めっき浴。 （もっと読む）

【解決手段】硫酸銅、硫酸及び塩化物イオンを含み、更に、有機添加剤として、硫黄含有有機化合物及び窒素含有有機化合物を含む電気銅めっき浴であって、上記窒素含有有機化合物として、モルホリン１モルに対し、エピクロロヒドリン２モルを酸性水溶液中で反応させて反応生成物を得、更に、該反応生成物に、上記モルホリン１モルに対して１〜２モルのイミダゾールを反応させる２段階反応により得た高分子化合物を含む電気銅めっき浴。
【効果】本発明の電気銅めっき浴は、有機添加剤として用いたレベラーとしての高分子化合物が、めっき温度を高温化しても変質せず、また、高温条件下でも、めっき浴に含まれる有機添加剤による促進剤効果と抑制剤効果のバランスを良好に保つことができることから、スルーホール及びビアホールのスローイングパワー、並びにめっき皮膜の物性を、めっき温度を高温化しても維持できる。 （もっと読む）

【課題】被めっき物の量の多少に関わらず、めっき未着やフクレや剥離などの密着不良が発生しにくく、めっき皮膜にこげや光沢不良のない均一なめっき被膜を得ることができるバレル電気めっき方法を提供する。
【解決手段】本発明は、アルミニウム又はアルミニウム合金めっき浴を用いてバレル電気めっきを施す方法であって、被めっき物を収容したバレル(4)の内部に配置された陽極(6)を回転、揺動又は振動させると共に、陽極とバレルの内壁面に設けられた陰極との間に電圧を印加し、バレルを回転、揺動又は振動させることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】ゲル状態のめっき用組成物２Ａを用いたパターニングされた金属膜３の容易な作製方法を提供する。
【解決手段】 ゲル化剤と、電気化学反応を行うための導電性イオンと、溶媒と、を有し、ゾル状態で基板２０の上に吐出されゲル状態の所定のパターン形状となっためっき用組成物２Ａを用いてゲル化剤と、電気めっき反応を行うための金属イオンと、溶媒としての水と、を有するめっき組成物２をゾル状態とするゾル化工程と、ゾル状態のめっき組成物２を基板２０上で所定のパターン形状とするパターン形成工程と、所定のパターン形状のめっき組成物２Ａをゲル状態とするゲル化工程と、ゲル状態のめっき組成物２Ａを用いて電気めっき反応を行う電気めっき工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】高導電性と耐食性を両立し、燃料電池内で長期間安定して使用できる燃料電池用セパレータおよびその製造方法を提供することにある。
【解決手段】燃料電池用セパレータ１は、純アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる基板２と、基板２の上に形成されためっき層３とを備え、めっき層３が、基板２側に形成された銅層３ａと、銅層３ａの上に形成された錫層３ｂとを備え、錫層３ｂが最表層に形成されており、銅層３ａの厚さが０．１０μｍ以上であり、かつ、錫層３ｂの厚さを銅層３ａの厚さで除した値が０．１〜５０であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 非貫通孔内、貫通孔内へのめっき充填と同時に被めっき面にめっき膜を薄く形成できる電解めっき方法を提供する。
【解決手段】 絶縁体２０Ａ、２０Ｂが接触した部分では、電解めっき膜３６の成長が遅くなる。即ち、絶縁体２０Ａ、２０Ｂにより鉄イオンがめっき界面に強制的に供給され、３価の鉄イオンが２価の鉄イオンに成る還元反応が起こり、銅の析出を抑える。絶縁体２０Ａ、２０Ｂが接触しない貫通孔３１ａ内では、めっき界面に３価の鉄イオンが濃度勾配により拡散するのみで強制的には供給されず、３価の鉄イオンの還元反応が低く、電解めっき膜３６が成長し、スルーホール導体４２を充填しながら、コア基板表面の電解めっき膜３６を薄く形成することができる。 （もっと読む）

亜鉛または亜鉛合金層の電着のための電解質浴のための添加物が記載されている。この添加物は末端にアミノ基を持つポリマーである。これらのポリマーは少なくとも１種のジアミノ化合物（２つの３級アミノ基を持つ）を、少なくとも１種の（疑似）ハロゲン化合物と反応させることによって得ることができる。その際、ジアミノ化合物は化学量論的に過剰で用いられる。この添加物は、特に亜鉛または亜鉛合金層の電着において層厚の均一な分布のみならず気泡形成能が殆どなく且つ燃焼もまれである、作用を示す。 （もっと読む）

【課題】
浴中に有害なシアン化合物を含まず、従来から用いられているピロリン酸浴を用いて中性〜弱アルカリ性領域の水溶液からレベリング性および平滑性に優れ、銀白色の優れた光沢外観の厚付け電気めっきを可能とする光沢厚付銅−スズ合金めっき浴を提供する。さらに、金属濃度および金属比を特定することにより光沢黒色外観を有するめっき皮膜が容易に得られる。
【解決手段】
ピロリン酸塩を主錯化剤として、これに２価の銅塩および２価のスズ塩を溶解した水溶液に、添加剤としてアルデヒド類とアミン類との反応物（以下、アルデヒドアミン系化合物）に、さらにグリシジルエーテル類を反応させて得られるアルデヒドアミン−グリシジルエーテル反応物を使用する。また、広い電流密度範囲に渡ってヤケやムラのない良好な外観の光沢めっき皮膜を得るために脂肪族ジカルボン酸またはその塩を更に含有する。 （もっと読む）

【課題】コネクター素材にＮｉバリア層を設けるための部分めっき処理において、Ｎｉバリア部に形成される金めっき皮膜を抑制することの出来る金めっき液を提供する。
【解決手段】シアン化金及び／又はその塩と、コバルト塩と、有機酸伝導塩と、ニトロ基含有化合物と、カルボン酸、オキシカルボン酸、及びそれらの塩、からなる群から選択される１又は２以上の化合物と、を含有する電解硬質金めっき液。 （もっと読む）

【課題】異方性導電接着剤や、相手金属と共晶を形成させる電極接合に適した硬度と形状を有する電極を形成させるために用いる電極形成用めっき浴及びそれを用いた電極形成方法を提供する。
【解決手段】（ａ）亜硫酸金アルカリ塩又は亜硫酸金アンモニウム塩が金濃度として１〜２０ｇ／Ｌと、
（ｂ）Ｔｌ化合物、Ｐｂ化合物又はＡｓ化合物からなる結晶調整剤が金属濃度として０．１〜１００ｍｇ／Ｌと、
（ｃ）亜硫酸ナトリウムが５〜１５０ｇ／Ｌと、
（ｄ）無機酸塩、カルボン酸塩又はヒドロキシカルボン酸塩が塩濃度として１〜６０ｇ／Ｌと、
（ｅ）所定の置換芳香族化合物が０．１〜２００ｍｍｏｌ／Ｌと、
を含有する電極形成用金めっき浴を用いて、めっきすることにより電極を形成させる。 （もっと読む）

【課題】超ファインピッチの配線としても幅方向の断面（横断面）の表面が平坦となる配線をセミアディティブ法で製造できるセミアディティブ用硫酸系銅めっき液及びこれを用いたプリント配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セミアディティブ用硫酸系銅めっき液であって、３−メルカプト−１−プロパンスルホン酸又はビス（３−スルホプロピル）ジスルフィドから選択された少なくとも一種と環状構造を持つ４級アンモニウム塩重合体と塩素とを含み、銅濃度が２３〜５５ｇ／Ｌであり、硫酸濃度が５０〜２５０ｇ／Ｌである。 （もっと読む）

センサー表面が金基板であり、制御された結晶面を有する金ナノ構造が基板に強く接着している水銀蒸気センサーである。このセンサー表面を用いることによって、水晶振動子微量天秤（ＱＣＭ）ベースの水銀蒸気センサーの応答規模および安定性における実質的な増加が達成される。金基板上に金ナノ構造を形成する方法は、金の作用電極上にテトラハロ金（III）酸またはテトラハロ金（III）酸アルカリ金属塩および添加剤（例えば酢酸鉛）の溶液から、２０〜４０℃の電着温度で、少なくとも１５秒間の電着時間金を電着する工程を含む。析出溶液の組成、温度、および電流密度によって成長は制御される。析出速度は析出回数と同様に様々であってよく、好ましくは約１５０秒であるが、１５分のように長くてもよい。好ましい析出溶液は、２．７１８ｇ／ｌのテトラクロロ金（III）酸水和物、および、０．１〜０．５ｇ／ｌの酢酸鉛を含む。 （もっと読む）

【課題】めっき中の素体の腐食を抑制し、セラミック電子部品の電気特性の劣化を防止することができる電気スズめっき液および当該電気スズめっき液を用いた電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係るめっき液は、セラミック電子部品用の電気スズめっき液であって、スズイオンを含み、ｐＨが５以上８以下であり、アンモニアおよびアンモニウムイオンの濃度が０．３ｍｏｌ／Ｌ以下であり、キレート剤のモル濃度／スズイオンのモル濃度が２．５以下である。 （もっと読む）

【課題】素体の腐食を抑制し、セラミック電子部品の電気特性の劣化を防止することができる電気スズめっき液および当該電気スズめっき液を用いた電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係るめっき液は、セラミック電子部品用の電気スズめっき液であって、スズイオンを含み、ｐＨが３以上８以下であり、水に対する水酸化物の溶解度が０．５ｍｏｌ／Ｌ以上であるカチオンの濃度が、０．５ｍｏｌ／Ｌ以下である。 （もっと読む）

【課題】合金化処理を必要とせず、かつ、伸線工程を経ずともゴムとの接着性に優れたゴム補強用線条体−ゴム複合体の製造方法、およびそれにより得られたゴム補強用線条体−ゴム複合体を提供する。
【解決手段】ゴム補強用線条体に対し、銅塩と、亜鉛塩と、ピロりん酸アルカリ金属塩と、アミノ酸またはその塩から選ばれた少なくとも一種とを含有し、ｐＨが１０〜１２である銅−亜鉛合金電気めっき浴を用いてめっき処理を施し、次いで、めっき処理が施されたゴム補強用線条体に直接ゴムを被覆する。 （もっと読む）

【課題】シアン化合物を使用することなく、目的組成を有する均一で光沢のある銅−錫−亜鉛合金めっき被膜を、従来よりも高い電流密度であっても形成することができる生産性に優れた銅−錫−亜鉛合金電気めっき浴およびこれを用いた合金めっき被膜の製造方法を提供する。
【解決手段】銅塩、錫塩、亜鉛塩、ピロりん酸アルカリ金属塩、およびアミノ酸またはその塩から選ばれた少なくとも一種と、アルカリ金属水酸化物およびアルカリ土類金属水酸化物から選ばれた少なくとも一種と、を有する銅−錫−亜鉛合金電気めっき浴である。ｐＨは１０〜１４であることが好ましく、また、銅イオン、錫イオンおよび亜鉛イオンの和は０．０３〜０．３ｍｏｌ／Ｌであることが好ましく、さらに、アミノ酸またはその塩の濃度は０．０８〜０．２２ｍｏｌ／Ｌであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】シアン化合物を使用しない、素地との密着性に優れた銅−亜鉛合金めっき被膜の製造方法および銅−亜鉛合金めっき被膜を提供する。
【解決手段】銅−亜鉛合金電気めっき浴を用いた銅−亜鉛合金めっき被膜の製造方法において、銅−亜鉛合金電気めっき浴が銅塩、亜鉛塩、ピロりん酸アルカリ金属塩、およびアミノ酸またはその塩から選ばれた少なくとも一種と、アルカリ金属水酸化物およびアルカリ土類金属水酸化物から選ばれた少なくとも一種と、を有し、かつ、陰極電流密度を０．５〜１．５Ａ／ｄｍ^２とする。 （もっと読む）

【課題】凹部の側面にメッキ層を形成する場合、凹部内に存在するメッキ液の入れ替えが困難であるため、いわゆるエッジ効果により、凹部側面のうち、凹部の底部に近い部分におけるメッキ層の厚みよりも、凹部の開口部に近い部分におけるメッキ層が小さくなってしまう。
【解決手段】主面上に凹部を有する絶縁性基体と、前記凹部の側面上に配設された配線導体と、前記配線導体上に配設され、前記凹部の側面から前記凹部の中心軸に向かって（１，１，０）方向に配向したＮｉを主成分とするメッキと、を備えた配線基板とする。 （もっと読む）

【課題】３００℃を超える温度が負荷されても、容易にキャリア箔の引き剥がしが可能なピーラブルタイプのキャリア箔付電解銅箔の供給を目的とする。
【解決手段】この目的達成のため、キャリア箔２／接合界面層３／耐熱金属層５／電解銅箔層４の層構成を備えるキャリア箔付電解銅箔において、ＧＤＳ分析装置を用いて、当該キャリア箔付電解銅箔の電解銅箔層側からキャリア箔側に向けて、当該耐熱金属成分の深さ方向プロファイルを測定したときの常態のピークの半価幅をＷ１、当該キャリア箔付電解銅箔を３００℃の大気雰囲気で１２０分間加熱した後の深さ方向プロファイルを測定したときの同ピークの半価幅をＷ２としたとき、（［Ｗ２］−［Ｗ１］）／［Ｗ１］≦０．３の関係を満たすことを特徴としたキャリア箔付電解銅箔を採用する。 （もっと読む）