本発明は、（１）水溶性三価クロム塩；（２）三価クロムイオン用の少なくとも１つの錯化剤；（３）ｐＨを２．８〜４．２にするのに十分な水素イオン源；（４）ｐＨ緩衝化合物；及び（５）硫黄含有有機化合物を含むクロム電解めっき溶液を含むクロム電解めっき溶液からなる。前記クロム電解めっき溶液は、装飾物品に接着性金属コーティングを施す方法で使用可能であり、前記コーティングは、塩化カルシウム含有環境における耐食性が強化されている。 （もっと読む）

【課題】素体の浸食や、絶縁不良の発生を抑制することができ、安定性および生産性の高い電気ニッケルめっき液およびセラミック電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係るめっき液は、セラミック電子部品用の電気ニッケルめっき液であって、ニッケルイオンと、０．００５ｍｏｌ／Ｌ以上０．１ｍｏｌ／Ｌ以下の濃度のアルカリ金属イオンとを含み、ｐＨが５よりも大きく７未満であり、アンモニウムまたはアンモニアを含むイオンのイオン濃度が０．２ｍｏｌ／Ｌ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【解決課題】 集積回路用のサブミクロン相互接続構造を製作する方法を提供する。
【解決手段】 添加剤を含み、平坦で光沢があり延性があり低応力のＣｕ金属を付着させるのに通常用いられる浴からＣｕを電気めっきすることによって、ボイドのないシームレスな導体が得られる。ボイドまたはシームを残すことなくフィーチャを超充填できるこの方法の能力は独特であり、他の付着方法より優れている。この方法で電気めっきされたＣｕを利用する構造のエレクトロマイグレーションの抵抗は、ＡｌＣｕ構造または電気めっき以外の方法で付着されたＣｕを用いて製作された構造のエレクトロマイグレーションの抵抗より優れている。 （もっと読む）

【課題】良好なめっき皮膜性能を実現するめっき浴及びそれを用いためっき方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るめっき浴は、実質的にシアン化合物を含有せず、
（Ａ）化学式（１）
Ｘ¹Ｘ²ＮＣ(＝Ｓ) ＮＸ³Ｘ⁴ （１）
［（１）におけるＸ¹、Ｘ²、Ｘ³及びＸ⁴は、水素、アルキル、アリル又は下記化学式（２）
−（ＣＨＺ¹−ＣＨ₂−Ｓ）_n−Ｙ （２）
のいずれかで表される基である。（２）におけるＺ¹は、水素又はメチル基であり、ｎは０〜１０の整数を表し、Ｙは、下記化学式（３）
−ＣＨＺ²−ＣＨ₂−Ｄ （３）
で表される基である。（３）におけるＺ²は、水素又はメチル基であり、Ｄは、ＳＨ、ＯＨ、ＮＸ⁵Ｘ⁶又はＣＯＯＨである。前記Ｘ⁵及びＸ⁶は、互いに同一又は異なっていてよい。また、前記Ｘ¹、Ｘ²、Ｘ³及びＸ⁴のうち、少なくとも一つは（２）で表される基である。］
で表されるチオ尿素系化合物、
（Ｂ）めっき金属として第４〜６周期の第８〜１１族、水銀を除く第１２族、第１３族、第１４族、及び、第１５族から選ばれた金属の水溶性塩又は水溶性錯体の一種又は二種以上、
を含有する。 （もっと読む）

シリコン基板内のビア内に高純度の銅を電着し、スルーシリコンビア（ＴＳＶ）を形成するプロセスである。本プロセスは、電解銅めっきシステム内の電解槽内にシリコン基板を浸漬するステップと、高純度の銅を電着してＴＳＶを形成するのに十分な時間の間、電圧を印加するステップとを含み、電解槽が酸、銅イオンの発生源、第一鉄イオン及び／又は第二鉄イオンの発生源、及び析出した銅の物理−機械的特性を制御するための少なくとも１つの添加剤とを含み、銅金属の発生源からの銅イオンを溶解することによって電着されることになる付加的な銅イオンを提供するために、前記槽内でＦｅ^２＋／Ｆｅ^３＋レドックス系が、確立される。 （もっと読む）

【課題】銅源としての酸化銅（II）を補給することによって発生した電解銅めっき液中の溶存酸素濃度の急増を抑制困難な従来の不溶性陽極を用いた電解銅めっき方法の課題を解消する。
【解決手段】
硫酸銅が添加された電解銅めっき液に浸漬しためっき対象に、不溶性陽極を用いて電解銅めっきを施す際に、前記電解銅めっき液に対して銅源として酸化銅を補給し、その際に、前記酸化銅の補給によって電解銅めっき液中に増加する溶存酸素濃度を抑制すべく、前記電解銅めっき液に硫酸鉄(II)を前記電解銅めっき液に添加する。 （もっと読む）

本発明は、電解セル、例えば塩素−アルカリセル又は塩素酸塩もしくは次亜塩素酸塩を製造するためのセルにおける水素発生のためのカソードに関する。当該カソードは、ニッケル又はその他の導電性材料の基材から出発し、アモルファス酸化モリブデンと共堆積されたニッケルで電気的に被覆されることによって得られる。 （もっと読む）

【課題】
実質的にクロムを含まず、材料へのポリマーの接着を向上させる被膜を基板若しくは材料上に生成する耐変色・接着促進性水性処理組成物により被覆された材料を提供する。
【解決手段】
亜鉛若しくは酸化亜鉛の原子；並びに
タングステン、モリブデン、コバルト、ニッケル、ジルコニウム、チタン、マンガン、バナジウム、鉄、スズ、インジウム、銀、及びこれらの組合せからなる群から選択される金属若しくは金属酸化物の原子；
を含み、
実質的にクロムを含まず、２５０℃にて少なくとも３０分間の耐変色性を付与し、材料へのポリマーの接着を向上させるノジュラー構造を含む耐変色・接着処理被膜により被覆された材料。 （もっと読む）

金属クロムを基板にめっきするめっき方法が開示される。方法は、硫酸塩及び／又はスルホン酸塩マトリクスを含む三価クロムめっき浴を使用する。方法は、また、不溶性陽極を利用する。マンガンイオンをめっき浴に添加することで、めっき浴を使用する際に有害な六価クロムイオンの形成を阻止する。 （もっと読む）

【課題】
長期耐食性、導電性、耐熱性に優れるクロメートフリー表面処理金属材料を提供する。
【解決手段】
金属材料の上に、質量％で、Ca：0.01〜1％、Si：0.01〜5％を含有し、残部が亜鉛および不可避不純物からなり、平均分子量が3000以上であるポリジアルキルアンモニウムクロライド界面活性剤をＣの質量％で0.0001〜0.1％含有し、片面あたりの皮膜量が1.0〜20.0g/m^２で、GDSによるめっき層全体中のSi積分強度Ｉ（全体厚みSi）とめっき層厚みの上半分中のSi積分強度Ｉ（1/2厚みSi）の比が0.75以上である電気めっき層を形成し、更にその上に、特定のシランカップリング剤２種類を配合して得られる、分子内に特定の官能基を２個以上と、特定の親水性官能基を１個以上含有する有機ケイ素化合物（W）と、フルオロ化合物（x）と、りん酸（Y）と、バナジウム化合物（Z）からなる水系金属表面処理剤を塗布し乾燥し、各成分を含有する複合皮膜を形成した。 （もっと読む）

【課題】Ｐｄ−Ａｕ合金めっき液に関して、めっき液としての安定性に優れ、かつ、電流密度に対して安定した共析率のめっき皮膜を得ることが可能なパラジウム金合金（Ｐｄ−Ａｕ合金）めっき液を提供すること。
【解決手段】本発明によるパラジウム金合金めっき液は、可溶性パラジウム塩と、可溶性金塩と、メタ重亜硫酸カリウム、メタ重亜硫酸ナトリウムおよびメタ重亜硫酸アンモニウムからなる群より選択される１以上のものと、サッカリンおよびサッカリンナトリウムからなる群より選択される１以上のものとの組合せからなる結晶調整剤とを含んでなることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、特に、装飾物品上への、プラチナとロジウムの合金を含むコーティングの堆積のための電気化学的プロセスに関する。本発明の方法は、電着層が、予想に反して、銀の外観に極めて近い高い白色度を有するという規定条件が利用されることを特徴とする。
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【課題】選択的な部分めっき処理が可能で、コネクターなどの電子部品に好適な硬質金系めっき液を提供する。
【解決手段】可溶性金塩または金錯体、伝導塩、キレート化剤を含む硬質金系めっき液において、１つ以上のニトロ基を有する芳香族化合物、例えば、ニトロ安息香酸、ジニトロ安息香酸、ニトロベンゼンスルホン酸の一群から選ばれる芳香族化合物を含有することを特徴とする。また、コバルト塩、ニッケル塩、銀塩の少なくとも１種の金属塩、或いはポリエチレンイミンの有機添加剤をさらに含むことを特徴する。 （もっと読む）

【課題】半導体上のバックグラウンドめっきを抑制する方法を提供する。
【解決手段】方法は、高い光透過性を有する相変換レジストを誘電体上に選択的に堆積させてパターンを形成すること、そのレジストで覆われていない誘電体の部分をエッチング除去すること、並びにその誘電体のエッチングされた部分上に金属シード層を堆積させることを含む。次いで、光誘導めっきによって、その金属シード層上に金属層が堆積させられる。 （もっと読む）

【課題】シアン化合物を含むことなく、耐腐食性の良好なめっき被膜の得られる銅−亜鉛合金電気めっき浴およびスチールコード用ワイヤを提供する。
【解決手段】銅塩と、亜鉛塩と、ピロりん酸アルカリ金属塩と、アミノ酸またはその塩から選ばれた少なくとも一種と、を含有する銅−亜鉛合金電気めっき浴において、浴中に含まれる銅イオンおよび亜鉛イオンの総容量モル濃度Ｍに対する、アミノ酸またはその塩の容量モル濃度Ａの比（Ａ／Ｍ）が、５％以下である銅−亜鉛合金電気めっき浴である。 （もっと読む）

【課題】圧延銅箔と同等またはそれ以上の柔軟性・屈曲性を有する電解銅箔を提供する。
【解決手段】電解銅箔に式１に示すＬＭＰ値が９０００以上となる加熱処理を施した後の結晶構造がＥＢＳＰの分析で面に対する赤系・青系のいずれかの色調が８０％以上を占める電解銅箔。式１：ＬＭＰ＝（Ｔ＋２７３）＊（２０＋Ｌｏｇｔ）ここで、２０は銅の材料定数、Ｔは温度（℃）、ｔは時間（Ｈｒ）。また、該加熱処理を施した後のＸ線回析における（１１１）面の強度に対し、（３３１）面の相対強度が１５以上である電解銅箔。 （もっと読む）

【課題】アンモニアベースの浴からパラジウムおよびパラジウム合金をめっきするための高速方法を提供する。
【解決手段】パラジウム電気めっき浴として、パラジウム源の１種以上、アンモニウムイオン及び尿素から本質的になる組成物とし、少なくとも１０アンペア/ｄｍ２の電流密度を発生させてパラジウムを堆積させる方法。また、別の態様においては、パラジウム合金電気めっき浴として、パラジウム源の１種以上、合金形成金属源の１種以上、アンモニウムイオン及び尿素から本質的になる組成物とし、少なくとも１０アンペア/ｄｍ２の電流密度を発生させてパラジウム合金を堆積させる方法。 （もっと読む）

【課題】均一電着性に優れ、めっきコストの低廉なニッケルめっき浴を提供する。
【解決手段】本発明のニッケルめっき浴は、塩化ニッケル・六水和物を４ｇ／Ｌ〜１００ｇ／Ｌ含み、クエン酸ナトリウム・二水和物を５０ｇ／Ｌ〜３００ｇ／Ｌ含み、ホウ酸等のｐＨ緩衝剤を含まないか又は飽和濃度以下とされており、硫酸ニッケル・六水和物を含まないか又は３０ｇ／Ｌ以下とされており、ｐＨが６．５〜１０とされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 吸湿性が低く、優れた耐熱性を有する液晶ポリマーフィルムとラミネートして
、ピール強度が大きく、ファインパターン化が可能な基板用複合材とすることのできる表
面処理銅箔を提供すること。
【解決手段】 本発明は、銅箔に粗化粒子を付着して粗化面とした銅箔であって、その表
面粗さＲｚが１．５〜４．０μｍであり、明度値が３０以下である粗化処理面である表面
処理銅箔である。粗化粒子から形成される突起物は、その高さが１μｍ〜５μｍであり、
観察断面２５μｍの範囲に６〜３５個の個数で略均等に分布しているものが好ましい。ま
た、各突起物の最大幅が０．０１μｍ以上であり、２５μｍ範囲に存在する突起物の個数
で２５μｍを割った長さの２倍以下であるものが好ましい。 （もっと読む）

【解決手段】基板表面に銅層のガルバニック堆積のための無シアン化物電解質組成物およびこのような層の堆積のための方法である。電解質組成物は少なくとも銅（ＩＩ）イオン、ヒダントインおよび／あるいはヒダントイン誘導体、ジ−および／あるいはトリカルボン酸あるいはこれらの塩、およびモリブデン、タングステン、バナジウムおよび／あるいはセリウム化合物からなる群の元素の金属酸塩を含む。 （もっと読む）