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Fターム[4K023CA09]の内容

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【課題】2軸結晶配向したCu層上にNi又はNi合金を成膜する方法として、めっきによる方法が知られている。結晶配向性の高いNi層を生成するには、一般に低電流密度(1〜4A/dm)でめっきを行う必要があるが、低電流密度ではめっき処理に要する時間が長くなって生産性が低下し、特に、長尺の金属基板をリールtoリールで生産する場合には、積層材である金属基板の過熱が起こり得るという問題点があった。そのため、結晶配向性を保持しつつ、電流密度を上げて生産効率を向上させることができる作製条件の確立が望まれていた。
【解決手段】上記課題を解決するため、本発明のエピタキシャル成長用基板は、2軸結晶配向したCu層と、前記Cu層上に設けられた保護層とを有するエピタキシャル成長用基板であって、前記保護層のめっき歪εが15×10−6以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】電解銅めっき浴およびそのめっき方法を提供する。
【解決手段】1種以上の特定のピリジン化合物と1種以上のエポキシド含有化合物との反応生成物である平滑化剤を含む銅めっき浴。この浴は導電層の表面上に銅を堆積させる。このめっき浴は広範囲の電解質濃度にわたって基体表面上に実質的に平坦な銅層を堆積させる。 (もっと読む)


【課題】樹脂基材に貼り付け後の銅箔の変色を生じない耐熱性に優れた粗化箔及びその製造方法を提供する。
【解決手段】圧延銅箔10に粗化めっき層11を形成し、樹脂基材と貼り合わせる粗化めっき層11と反対側の圧延銅箔10の表面に、ニッケルめっき層又はニッケルとコバルトの合金めっき層14を有する防錆処理層13を施した粗化箔において、防錆処理層13のS含有量が1ppm以上50ppm以下としたものである。 (もっと読む)


【課題】高い白色度を有した電気亜鉛めっき鋼板の製造方法を提供する。
【解決手段】ベンゾチアゾール、2−メチルベンゾチアゾール、2−アミノベンゾチアゾール、2−ベンゾチアゾロンの1種又は2種以上を合計で0.01〜3mass ppm含有する電気亜鉛めっき浴中で、鋼板を陰極電解処理する。 (もっと読む)


【課題】銅堆積物において内部応力を軽減する銅電気めっき方法を提供する。
【解決手段】1種以上の銅イオン源、1種以上の抑制剤、および艶消し外観の銅堆積物を提供するのに充分な量の1種以上の促進剤を含む組成物と基体とを接触させめっきを行う。促進剤には3−メルカプトプロパン−1−スルホン酸、エチレンジチオジプロピルスルホン酸、ビス−(ω−スルホブチル)−ジスルフィド、メチル−(ω−スルホプロピル)−ジスルフィド、N,N−ジメチルジチオカルバミン酸(3−スルホプロピル)エステル、(O−エチルジチオカルボナト)−S−(3−スルホプロピル)−エステル、3−[(アミノ−イミノメチル)−チオール]−1−プロパンスルホン酸、3−(2−ベンジルチアゾリルチオ)−1−プロパンスルホン酸、ビス−(スルホプロピル)−ジスルフィドおよびこれらのアルカリ金属塩が挙げられる。 (もっと読む)


【課題】ビアランドパッドや回路配線の上部稜線部の丸みをなくし、上面を平坦に形成しながら、均一なめっき回路基板を作製することのできるめっき液を提供する。
【解決手段】少なくとも銅イオン、有機酸あるいは無機酸、塩素イオンを含有する酸性銅めっき基本組成に、銅めっき析出抑制剤および光沢化剤を添加した酸性電解銅めっき液に、更にホルマリンをその36質量%水溶液として0.5〜2ml/Lまたはカテコールをその11質量%水溶液として0.5〜5ml/L添加したことを特徴とする被めっき物上にレジストで形作られた配線回路部分への銅充填用酸性電解銅めっき液。 (もっと読む)


【課題】 電気銅メッキ浴において、ビアホールへの銅充填とスルホールへの均一電着性を共に良好に達成する。
【解決手段】 (A)可溶性銅塩と、(B)酸又はその塩と、(C)特定のフェナントロリンジオン化合物とを含有するスズ又はスズ合金メッキ浴である。上記フェナントロリンジオン化合物を含有するため、ビアホールへの銅充填とスルホールへの均一電着性を共に良好に達成でき、ビアホールとスルホールが混在する基板に本発明の電気銅メッキ浴を適用することで、生産性を向上できる。 (もっと読む)


【課題】コネクターなどの電子部品に対して所望の箇所にのみ硬質金めっき皮膜を形成し、不要な部分への金めっき皮膜の析出を抑制し、かつ、めっき浴の浴管理がし易い硬質金めっき液を提供する。
【解決手段】可溶性金塩または金錯体、伝導塩、錯化剤および結晶調整剤を含有する硬質金めっき液において、酸化作用を有する無機化合物、例えば、過酸化水素、過硫酸塩、ヨウ素酸塩の一群から選ばれる酸化作用を有する無機化合物を含有することを特徴とする。また、結晶調整剤としてコバルト塩、ニッケル塩、銀塩から選択される少なくとも1種の金属塩を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】アルキルスルホンの結露によってアルミニウム箔の厚みが不均一になることを防止した、電解アルミニウム箔製造装置を提供する。
【解決手段】アルキルスルホンに少なくともアルミニウムハロゲン化物を溶解した電解アルミニウムめっき液Lを介して陰極ドラム1Cと陽極板1Dを対向して配置し、両極間を電源に接続して通電し、該陰極ドラムを回転させながら該陰極ドラム表面に箔Fとなるアルミニウムを析出させる電解アルミニウム箔製造装置において、前記陰極ドラムおよび陽極板が浸漬された前記めっき液を貯留するめっき槽1Bと、前記めっき液の上方を覆うようにして前記めっき槽上に配設された蓋部1Aと、該蓋部の内側に備わる天井部1Kと、該天井部と前記めっき液とに挟まれた空間に加熱した不活性ガスGを供給可能に配設されたガス供給口1Gを有する。 (もっと読む)


【課題】電気的接続部位等に設けられるNi/Pd/Au被膜を形成する際に好適に用いることができ、被膜特性の向上及びコスト削減を図ることのできる電解パラジウム−リン合金めっき液、めっき被膜及びめっき製品を提供する。
【解決手段】被めっき物100の表面に、電解めっきにより電解パラジウム−リン合金めっき被膜12を形成する際に用いる電解パラジウム−リン合金めっき液であって、パラジウム化合物と、次亜リン酸ナトリウム又は亜リン酸と、エチレンジアミン又はジエチレントリアミンとを含むことを特徴とする電解パラジウム−リン合金めっき液、該めっき液によるめっき被膜及びめっき製品。 (もっと読む)


【課題】前面電流トラックを形成したドープ半導体ウェハの銅めっきに関する改善された銅めっき方法を提供する。
【解決手段】前面、裏面およびPN接合を含む半導体を提供し、下層を含む導電トラックのパターンを前記前面が含み、かつ前記裏面が金属接点を含んでおり;前記半導体を一価銅めっき組成物と接触させ;並びに導電トラックの下層上に銅をめっきする。 (もっと読む)


【課題】主成分として亜鉛もカドミウムも含まない、厚い、3Nの黄色に着色した18カラットの金合金層を析出させるための析出方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、金金属、有機金属化合物、湿潤剤、金属イオン封鎖剤および遊離シアン化物を含む浴に浸漬された電極上での金合金のガルバノプラスチック析出方法であって、合金金属は銅金属および銀金属であり、鏡のように輝く黄色の金合金は電極上に析出され、この浴は、21.53%の金、78.31%の銅および0.16%の銀の比率とすることを特徴とする方法に関する。本発明は、電気析出の分野に関する。 (もっと読む)


【課題】カーボンナノチューブを含む、高均一電着性複合めっき皮膜層を製造可能な、複合めっき液を提供する。
【解決手段】本発明の複合めっき液は、めっき金属塩と、アルカリ金属又はアルカリ土類金属から選択される少なくとも1つの硫酸塩と、ホウ酸と、カーボンナノチューブと、分散剤とを含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高縦横比のビアホールを埋め込むのに好適な銅めっき溶液および銅めっき方法を提供する。
【解決手段】シード層を有する基板を浸漬し、水、銅供給源、電解物質、塩素イオン、第1添加剤、第2添加剤、および第3添加剤を含み、前記第1添加剤は、化学式1に示す化合物である銅めっき溶液を用いて銅めっきを行う。


(式中、Rは、水素原子または炭素原子数1〜6のアルキル基であり、mは、平均重合度であり6〜14の実数である。) (もっと読む)


【課題】金属製材料によって形成され、その表面を過度に粗面化することなく樹脂との接着性を向上させ、かつ接着性の向上に伴う熱性能の低下を抑制した放熱装置を提供する。
【解決手段】通電されて発熱する電子部品6に熱伝達可能に接触してその熱を放熱あるいは拡散させるとともに、電子部品6が配設される基板5上に接着剤4を介して接合される接合面3を備えた放熱装置1において、接合面3は、凹凸が形成された下層と、その下層の上に直径が0.5〜1.0μmのニッケルの結晶粒子が形成された上層とを備えていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本件発明は、水質汚濁防止法の規制対象物質であるホウ酸を含まないホウ酸フリーの電気ニッケルめっき浴を提供するとともに、従来に比して、高速にニッケル被膜を形成することができる電気ニッケルめっき浴、電気ニッケルめっき方法及び電気ニッケルめっき製品を提供することを目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するため、電気めっきにより被めっき物にニッケル被膜を形成する際に用いる電気ニッケルめっき浴であって、当該電気ニッケルめっき浴のpHが1.0〜6.0であり、pH緩衝剤としてモノカルボン酸を含むことを特徴とする電気ニッケルめっき浴を提供する。また、当該電気ニッケルめっき浴を用いた電気ニッケルめっき方法及び、当該電気ニッケルめっき浴を用いてニッケル被膜を形成した電気ニッケルめっき製品を提供する。 (もっと読む)


【課題】 蓄電デバイスの正極集電体などとして用いることができる、粗面を有するアルミニウム箔を提供すること。
【解決手段】 アルミニウム箔を基材として用い、その表面の少なくとも一部に、含水量が10〜2000ppmの電解アルミニウムめっき液を用いた電解法によってアルミニウム被膜が形成されてなることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】めっきヤケを生じず、均一な銅−亜鉛合金めっき層の生産性を向上させることができる銅−亜鉛合金めっき方法およびそれに用いる銅−亜鉛合金めっき浴を提供する。
【解決手段】銅塩と、亜鉛塩と、ピロリン酸アルカリ金属塩と、アミノ酸またはその塩から選ばれた少なくとも一種と、を含有し、pHが8.5〜14である銅−亜鉛合金めっき浴を用いた銅−亜鉛合金めっき方法である。めっき処理の際に、10A/dmを超える陰極電流密度で銅−亜鉛合金めっき処理を行う。銅−亜鉛合金めっき浴は、下記式、
P比=Pの質量/(Cuの質量+Znの質量)
で表わされるP比が3.0〜7.0を満足することが好ましい。 (もっと読む)


【課題】基板電極との電極接合に適するバンプ硬度とバンプ形状とを備えた金バンプ形成用の非シアン系電解金めっき浴、及び該金めっき浴を用いた金バンプ形成方法を提供する。
【解決手段】亜硫酸金アルカリ塩又は亜硫酸金アンモニウムと、伝導塩と、結晶安定化剤と、結晶調整剤と、緩衝剤と、光沢化剤とを含有し、亜硫酸金アルカリ塩又は亜硫酸金アンモニウムの含有量は、金濃度として1〜20g/Lであり、伝導塩は亜硫酸ナトリウムであって、その含有量が5〜150g/Lであり、光沢化剤の含有量は、0.5〜100mmol/Lである、ことを特徴とする金バンプ形成用非シアン系電解金めっき浴。前記光沢化剤は、スルホキシド及び/又はスルホンから選択される1種又は2種以上の化合物が好ましい。 (もっと読む)


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