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Fターム[4K023CB03]の内容

Fターム[4K023CB03]に分類される特許

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【課題】
硬質金めっきが可能であり、かつめっき液の安定性が良好な、シアン化合物を用いない電解合金めっき液およびそれを用いた電解合金めっき方法を提供する
【解決手段】
本発明の電解金合金めっき液は、金イオンと、ニッケルまたはコバルトを含む少なくとも1種の金以外の金属イオンと、金亜硫酸塩以外の亜硫酸塩と、チオ硫酸塩および/またはチオシアン酸塩とを含有し、浴組成物にシアン化合物を含有しない。 (もっと読む)


【課題】シアン化合物を使用することなく、目的組成を有する均一で光沢のあるめっき層を広い電流密度範囲で形成することができる銅‐亜鉛合金電気めっき浴およびこれを用いためっき方法を提供する。
【解決手段】銅塩と、亜鉛塩と、ピロりん酸アルカリ金属塩または酒石酸アルカリ金属塩と、硝酸イオンとを含む銅‐亜鉛合金電気めっき浴である。前記硝酸イオンの濃度は0.001〜0.050mol/Lであることが好ましく、また、前記銅‐亜鉛合金電気めっき浴のpHは8〜14の範囲であることが好ましく、さらに、銅塩と、亜鉛塩と、ピロりん酸アルカリ金属塩と、硝酸イオンに加え、アミノ酸またはその塩から選ばれた少なくとも一種を含むことが好ましく、前記アミノ酸としてはヒスチジンを好適に用いることができる。 (もっと読む)


本発明は、毒性成分、例えばシアニド又はチオ化合物不含の改良された銅−錫電解液に関する。さらに本発明は、消費財及び工業製品上の装飾用青銅層を、本発明の電解液を用いて析出させるための方法に関する。この電解液は、エピクロロヒドリン及びヘキサンメチレンテトラミンからなる添加剤を含み、かつ炭酸イオン又は炭酸水素イオンを含有する。 (もっと読む)


【課題】リフロー処理を行う必要がなく、摩擦係数が低く、嵌合部の挿入力の低下と半田付け部の半田濡れ性の向上の両立が可能な端子の材料として使用することができる、複合めっき材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】錫めっき液に炭素粒子を添加した複合めっき液116を使用して電気めっきを行うことにより、錫層中に炭素粒子を含有する複合材からなる皮膜を素材120上に形成する複合めっき材の製造方法において、複合めっき液116を攪拌翼114の回転により攪拌するか、あるいは、複合めっき液116をポンプで圧送して攪拌することにより、複合めっき液116の流れの状態を示すレイノルズ数を18000以上にした状態で電気めっきを行う。 (もっと読む)


【課題】6価クロム化合物を用いることなく、3価クロムめっき皮膜の耐食性を大きく向上させることが可能な、3価クロムめっき皮膜用の処理液及び処理方法を提供する。
【解決手段】水溶性3価クロム化合物を含有する水溶液からなる3価クロムめっき皮膜用電解処理液、及び該電解処理液中において3価クロムめっき皮膜を有する物品を陰極電解することを特徴とする3価クロムめっき皮膜の電解処理方法。 (もっと読む)


【課題】銅配線層を電解メッキ法で形成する際に電極となるシード層の溶解に起因する銅メッキ層の欠陥の発生を抑制する電解メッキ液及び該メッキ液を用いた電解メッキ方法を提供する。
【解決手段】電解メッキ液として、極性溶媒と、前記極性溶媒中に溶解した硫酸銅を含み、さらに添加剤として、硫黄化合物よりなるアクセラレータと、前記アクセラレータよりも小さい分子量を有する還元剤とを添加した電解メッキ液を使う。 (もっと読む)


【課題】スチール製品に対して銅‐亜鉛合金めっきをする方法において、シアン化合物を使用することなく、かつ、水素の発生を抑制することができる銅‐亜鉛合金電気めっき方法、それを用いたスチールワイヤ、該スチールワイヤを用いたスチールワイヤ‐ゴム接着複合体、および該スチールワイヤ‐ゴム接着複合体を用いたタイヤを提供する。
【解決手段】銅塩と亜鉛塩とを含む水溶液中にてスチール製品に対し銅‐亜鉛合金を電気めっきする方法において、パルス電流を通電し、前記パルス電流のデューティ比が0.05〜0.60、かつ、パルス時間が1msec〜50msecの範囲で電気めっきを行う。 (もっと読む)


【課題】硬度が高く、しかも皮膜応力も緩和されためっき皮膜を形成し得るニッケルめっき液を提供する。
【解決手段】硫酸ニッケル水溶液からなるニッケルめっき液において、硫酸ニッケルに加えて、リンゴ酸もしくはその塩と、サッカリンもしくはその塩と、チオ尿素とを含有していることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】経時安定性が良好で、光沢範囲が広く、めっき外観が均一で、効率的に意図する皮膜組成を得ることができるシアン化物非含有の電気又は無電解めっき液及びそれを用いて形成された金属皮膜を有する電子部品を提供する。
【解決手段】


で表される化合物と、第4周期から第6周期の第VIII、IB、IIB、IIIA、IVA、VA族から選ばれた金属の水可溶性塩の1種以上とを含有するするめっき液。特にこの金属の水可溶性塩がスズ、銀、金、白金、パラジウム又は銅の水可溶性塩であるめっき液。 (もっと読む)


【課題】シアン化物を含有せず、均一でおよび光沢のある白色青銅堆積物が得られる電気めっき液を提供する。
【解決手段】電気めっき液は、1以上のスズイオン源と、1以上の銅イオン源と、メルカプトトリアゾールおよびメルカプトテトラゾールからなる群より選択される1以上のメルカプタンとを含む、組成物からなる。 (もっと読む)


【課題】 スズ又はスズ合金メッキ浴に添加する皮膜結晶の微細化剤において、良好な皮膜外観を経時安定的に付与する。
【解決手段】 (A)第一スズ塩と、第一スズ塩及び第4周期から第6周期の第VIII、IB、IIB、IIIA、IVA、VA属から選ばれた金属(例えば、銀、銅、ビスマスなど)の塩の混合物とのいずれかよりなる可溶性塩と、(B)酸又はその塩と、(C)ベンゾアゾール環の2位のメルカプト基にC3〜C6アルキレンが結合した特定の2−メルカプトベンゾアゾール誘導体を含有するスズ及びスズ合金メッキ浴である。上記C3〜C6アルキレンの結合により、酸化や開裂を起こし難くなるため、メッキ作業が進行しても微細化作用が減退することなく持続し、良好な皮膜外観を経時安定的に付与できる。 (もっと読む)


【課題】基体上に良好な物理−機械的特性を有する均一で光沢性の高い金属層を提供する。
【解決手段】以下の式を有する添加剤消費抑制有機化合物をめっき液に添加する:


式中、R、R1、R2およびR3は独立して、水素;ハロゲン;(C1−C20)直鎖、分枝、または環状アルキル;(C2−C20)直鎖、分枝、または環状アルケニル;(C2−C20)直鎖、または分枝アルキニル;−CN;SCN;−C=NS;−SH;−NO2;SO2H;−SO3M;−PO3M;(C1−C20)アルキル−O(C2−C3O)xR6,(C1−C12)アルキルフェニル−O(C2−C3O)xR6,−フェニル−O(C2−C3O)xR6,式中xは1から500の整数であり、R6は水素、(C1−C4)アルキルまたはフェニルである。 (もっと読む)


【課題】
ビアランドパッドや回路配線の上部稜線部の丸みをなくし、上面を平坦に形成しながら、均一なめっき回路基板を作製することのできる技術を開発すること。
【解決手段】
少なくとも銅イオン、有機酸あるいは無機酸、塩素イオンを含有する酸性銅めっき基本組成に、銅めっき析出抑制剤および光沢化剤を添加した酸性電解銅めっき液であって、更に還元剤を添加した酸性電解銅めっき液および当該酸性電解銅めっき液を用い、電気めっきにより被めっき物上のレジストで形作られた配線回路部分に銅を充填する微細配線回路の作製方法。 (もっと読む)


【課題】 良好な密着性を有する金めっきを形成することができる、金めっき構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】 金めっき構造体の製造方法は、チタン基材(10)の表面から酸化膜を除去する除去工程と、除去工程後に、不動態膜の形成を抑制する添加剤が添加された金めっき浴(30)にチタン基材(10)を浸漬する浸漬工程と、を含む。チタン基材(10)の表面における不動態膜の形成が抑制される。それにより、良好な密着性を有する金めっき(40)を形成することができる。 (もっと読む)


【解決手段】コバルト、ニッケル及び鉄の1種以上の金属のイオン、緩衝剤、導電剤並びにハロゲン化物イオンを含む電気めっき浴により、建浴時の電気めっき浴中の導電剤の濃度を飽和濃度の70〜95%とし、減少した電気めっき浴中のめっき浴成分を、粉体状の金属塩、緩衝剤、導電剤若しくはハロゲン化物塩、又はそれらの1種以上の飽和液若しくは懸濁液として電気めっき浴に添加することにより補給し、補給後の電気めっき浴中の導電剤の濃度を飽和濃度の70〜95%に調整して電気めっきを繰り返す。
【効果】形成されるめっき皮膜に高い均一電着性と良好な外観が与えられるように、電気めっき浴を長期間良好な状態に維持して電気めっきを繰り返すことができ、結果、めっき浴中の金属イオン濃度を低下させるための電解処理等の再生処理を頻繁に行わずに、長期にわたって安定しためっき皮膜を得ることができ、極めて経済的である。 (もっと読む)


【課題】装飾3価クロムめっきを基本として、高い耐食性を有し、且つ6価クロムめっきと類似または同等の白銀色の意匠を呈することのできるクロムめっき部品を提供する。
【解決手段】素地2上に腐食電流分散を目的としたニッケルめっき層5aを形成するとともに、その表面に塩基性硫酸クロムを金属供給源とした膜厚0.05〜2.5μmの3価クロムの表面クロムめっき層6を形成し、さらにその上に陰極酸性電解クロメート処理により膜厚が7nm以上のクロム化合物皮膜7を形成する。腐食分散ニッケルめっき層5aは、表面クロムめっき層6に対しマイクロポーラス構造もしくはマイクロクラック構造、またはこれらの双方の構造を生じさせる機能を有する。 (もっと読む)


析出されたときにナノ粒状である電析された結晶質機能的クロム堆積物であり、そして堆積物がTEMおよびXRD結晶質の両方であり得るか、またはTEM結晶質でありそしてXRD非晶質であり得る。種々の実施態様において、堆積物は、クロム、炭素、窒素、酸素および硫黄の合金;{111}の優先方位;約500nm未満の平均結晶粒断面積;および2.8895±0.0025Åの格子定数の1または2以上の任意の組み合わせを含む。基材にナノ粒状の結晶質機能的クロム堆積物を電析させるための方法および電析浴であって、3価クロム、2価硫黄源、カルボン酸、窒素源を含み、そして実質的に6価クロムを含まない電析浴を提供する工程;浴に基材を浸漬する工程;および電流を付与して基材上に堆積物を電析させる工程を含む。
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【課題】錫めっき又は金めっきが施された基板電極との接合に適したバンプ硬度と形状を有する金バンプが得られるバンプ形成用非シアン系電解金めっき浴を提供する。
【解決手段】金源としての亜硫酸金アルカリ塩または亜硫酸金アンモニウムと、めっき浴の安定化剤としての水溶性アミンと、結晶調整剤と、亜硫酸ナトリウムからなる伝導塩5〜150g/Lと、緩衝剤と、分子量2000〜6000のポリアルキレングリコール0.01〜10mg/Lと、を含有するバンプ形成用非シアン系電解金めっき浴。結晶調整剤としてはTl化合物、Pb化合物、またはAs化合物が、水溶性アミンとしては炭素数2〜6のジアミン化合物が好ましい。 (もっと読む)


本発明は、1ミクロンから800ミクロンの厚さを有し銅を含む金合金の形態の電解析出物に関する。本発明によれば、析出物は、第3の主化合物としてインジウムを含む。
本発明は、電気メッキ法の分野に関する。 (もっと読む)


【課題】均一電着性に優れ、ホウ素を用いることが無く、めっきコストも低廉なニッケルめっき浴を提供する
【解決手段】本発明のニッケルめっき浴は、ニッケルイオン源としての塩化ニッケル及び/又は硫酸ニッケルをニッケルイオン濃度換算で1g/L〜20g/L含み、クエン酸をクエン酸・一水和物換算で50g/L〜300g/L含み、pHがアンモニアによって6.5〜10に調節されていることを特徴とする。 (もっと読む)


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