【課題】ビアランドパッドや回路配線の上部稜線部の丸みをなくし、上面を平坦に形成しながら、均一なめっき回路基板を作製することのできるめっき液を提供する。
【解決手段】少なくとも銅イオン、有機酸あるいは無機酸、塩素イオンを含有する酸性銅めっき基本組成に、銅めっき析出抑制剤および光沢化剤を添加した酸性電解銅めっき液に、更にホルマリンをその３６質量％水溶液として０.５〜２ｍｌ／Ｌまたはカテコールをその１１質量％水溶液として０.５〜５ｍｌ／Ｌ添加したことを特徴とする被めっき物上にレジストで形作られた配線回路部分への銅充填用酸性電解銅めっき液。 （もっと読む）

【課題】めっき工程を用いつつ、母型を用いないで微細構造体を製造する方法およびその方法により製造された微細構造体を提供する。
【解決手段】水溶性第一スズ含有物質、水溶性銅含有物質、硫酸イオンおよびスルホン酸イオンの少なくとも一方、有機錯化剤、ならびに非イオン性界面活性剤を備える酸性のスズ系めっき液を用いて、めっき温度を６０℃以下、電流密度を１０Ａ／ｄｍ^２以下、かつ積算電流量を５００Ａｓｅｃ／ｄｍ^２以上としてめっきを行い、ほぼ薄板状の皮膜部と当該皮膜部の表面から突出し錐形状を有する複数の突起部とを備え、当該突起部について、その底面の円換算直径に対する高さの比率であるアスペクト比が０．５以上、かつ皮膜部上の密度が前記皮膜部の投影面積１ｍｍ^２あたり１００個以上であるスズ系めっき構造体を、前記突起部についての母型を用いることなく得る。 （もっと読む）

【課題】酸又は酸性めっき液への溶解性が極めて高く、大気中における保存安定性に優れ、しかもめっき液中においてＳｎ²⁺イオンの酸化防止効果を高めることができる酸化第一錫粉末の製造方法及び該方法により製造された酸化第一錫粉末を提供する。
【解決手段】Ｓｎ²⁺イオンを含む酸性水溶液を調製する工程１１と、酸性水溶液にアルカリ水溶液を添加して中和させ、水酸化第一錫のスラリーを調製する工程１２と、調製したスラリーを脱水させ、酸化第一錫のスラリーを得る工程１３と、酸化第一錫のスラリーを固液分離し、酸化第一錫を得る工程１４と、得られた酸化第一錫を酸化防止剤水溶液で処理する工程１５と、酸化防止剤水溶液で処理した酸化第一錫を真空乾燥する工程１６とを含む。 （もっと読む）

【課題】車載用リチウムイオン電池用電極に要求される特性を満たす、すなわち、表面が平滑で、高抗張力および優れた伸び特性を有し、かつ常温アニールされ難く、抗張力の経時的変化が小さい電解銅箔を製造するための銅電解液を提供することを目的とする。
【解決手段】下記（Ａ）、（Ｂ）を添加剤として含有することを特徴とする銅電解液。
（Ａ）ポリエチレンイミン又は（ポリ）アルキレンポリアミン化合物と、下記式で表されるエポキシ化合物との反応により得られた化合物


（但し、Ａはヒドロキシ基、アルコキシ基、フェノキシ基、（メタ）アクリロキシ基、−ＯＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨ₂、又はハロゲンを表す。）
（Ｂ）有機硫黄化合物 （もっと読む）

【課題】３価クロムめっき浴を用いてバレルめっき法によってクロムめっき皮膜を形成する際に、良好な外観を有し、且つ耐食性にも優れたクロムめっき皮膜を形成できる新規なめっき方法を提供する。
【解決手段】バレルめっき法によって半光沢ニッケルめっき及び光沢ニッケルめっきを順次行った後、３価クロム化合物を含む３価クロムめっき浴を用いてバレルめっき法によってクロムめっきを行うことを特徴とするクロムめっき方法。 （もっと読む）

【課題】より均一性の高く三価クロム化成皮膜処理と相性のよい亜鉛−鉄合金めっきを提供すること。
【解決手段】８〜１６ｇ／Ｌの亜鉛イオン、０．０８〜０．３０ｇ／Ｌの鉄イオン、４０〜６５ｇ／Ｌの水酸化物イオン、１０〜３０ｇ／Ｌのキレート剤を含有した水溶液に、さらに４級アンモニウムポリマーを０．２〜５ｇ／Ｌ、２価以上の多価カルボン酸、オキシカルボン酸、アミノカルボン酸又はそれらの塩から選択される１種又は２種以上を０．１〜５ｇ／Ｌ含有する亜鉛−鉄合金めっき液。 （もっと読む）

【解決手段】（Ａ）硫黄化合物、（Ｂ）エーテル結合を４個以上含有するポリアルキレングリコール化合物、（Ｃ）アゾ化合物、（Ｄ）硫酸銅五水和物、（Ｅ）硫酸、及び（Ｆ）塩化物イオンを含有することを特徴とする電気銅めっき浴。
【効果】本発明の電気銅めっき浴を用いれば、めっき時にボイドやシームが発生しにくく、小径のスルーホールに対しても電気銅めっき方法によって銅を充填することができる。また、従来法と比べて、工程数が減らせるため、コストダウンにも繋がり、逆電流を用いることがなく、直流電流でスルーホールへの銅の充填が可能となるため、工程の簡略化にも繋がる。更に、従来のペースト剤等の充填に比べ、めっきによって銅皮膜を充填した場合は、放熱性が優れる。 （もっと読む）

【課題】良好な外観を有する光沢ニッケルめっき材、光沢ニッケルめっき材を用いた電子部品、及び、光沢ニッケルめっき材の製造方法を提供する。
【解決手段】光沢ニッケルめっき材は、圧延、スキンパス圧延、バフ研磨、ブラシ研磨によって表面に厚さが０．２μｍ以上で、結晶粒径が０．０１〜０．３μｍである加工変質層を形成した、ステンレス鋼、銅または銅合金等の金属基材と、該金属表面に形成したニッケルめっき層とを備える。 （もっと読む）

【課題】 ＩＴＯ膜、太陽電池パネルの銅電極テンプレートのような比抵抗が大きい被メッキ物にも高い密着性で銅皮膜を良好に成膜する。
【解決手段】 比抵抗の大きい被メッキ物上にメッキ皮膜を形成する方法において、上記メッキ皮膜が電気銅メッキ浴を用いて形成した銅の電着皮膜であり、上記電気銅メッキ浴が、(ａ)可溶性銅塩と、(ｂ)ポリアミン類、アミノカルボン酸類などより選ばれた錯化剤と、(ｃ)アルカリ金属、アルカリ土類金属、アンモニウムのハロゲン化物、硫酸塩より選ばれた導電性塩とを含有し、且つ、浴のｐＨが３〜１１である電気銅メッキ方法である。銅メッキ浴に特定の錯化剤と特定の導電性塩を複合添加するため、ＩＴＯ膜などの比抵抗の大きな被メッキ物にも充分な密着性で銅皮膜を良好に成膜できる。 （もっと読む）

【課題】鉛含有量が低いか又は鉛を含まない減摩コーティングを提供すること。
【解決手段】Ｚｎに加え、主要合金元素としてＳｂとＣｕの少なくとも１つと、所望によりＰｂ及び／又はＢｉを含有し、製造工程中にそれらの元素により生じる不可的不純物を含有するスズベースの合金から作製され、Ｓｂが最大２０重量％、Ｃｕが最大１０重量％、ＰｂとＢｉの合計が最大１．５重量％、ＣｕとＳｂの合計が２重量％〜２２重量％であり、スズが金属間相の形で且つβスズ結晶粒を有するスズ相として存在し、スズベースの合金中のβスズ結晶粒が少なくとも１つの優先配向を有し、少なくとも１組のネットワークレベルＭ｛ｈｋｌ｝の次式


による配向指数Ｍ｛ｈｋｌ｝が３．０以上であり、Ｉ｛ｈｋｌ｝は減摩コーティングの｛ｈｋｌ｝面のＸ線回折強度、Ｉ⁰｛ｈｋｌ｝は完全無配向スズ粉末サンプルのＸ線回折強度を表す、多層構造摩擦軸受用の減摩コーティング。 （もっと読む）

【課題】ゲル状態のめっき用組成物２Ａを用いたパターニングされた金属膜３の容易な作製方法を提供する。
【解決手段】 ゲル化剤と、電気化学反応を行うための導電性イオンと、溶媒と、を有し、ゾル状態で基板２０の上に吐出されゲル状態の所定のパターン形状となっためっき用組成物２Ａを用いてゲル化剤と、電気めっき反応を行うための金属イオンと、溶媒としての水と、を有するめっき組成物２をゾル状態とするゾル化工程と、ゾル状態のめっき組成物２を基板２０上で所定のパターン形状とするパターン形成工程と、所定のパターン形状のめっき組成物２Ａをゲル状態とするゲル化工程と、ゲル状態のめっき組成物２Ａを用いて電気めっき反応を行う電気めっき工程と、を具備する。 （もっと読む）

亜鉛または亜鉛合金層の電着のための電解質浴のための添加物が記載されている。この添加物は末端にアミノ基を持つポリマーである。これらのポリマーは少なくとも１種のジアミノ化合物（２つの３級アミノ基を持つ）を、少なくとも１種の（疑似）ハロゲン化合物と反応させることによって得ることができる。その際、ジアミノ化合物は化学量論的に過剰で用いられる。この添加物は、特に亜鉛または亜鉛合金層の電着において層厚の均一な分布のみならず気泡形成能が殆どなく且つ燃焼もまれである、作用を示す。 （もっと読む）

本発明に従えば、少なくとも１種の金属イオンの供給源、及び少なくとも１種の添加剤を含む組成物であって、
前記少なくとも１種の添加剤は、
ａ）縮合により、式（Ｉ）
Ｘ（ＯＨ）_ｎ （Ｉ）
の少なくとも１種のポリアルコールから誘導される多価アルコール縮合化合物と、
ｂ）少なくとも１種のアルキレンオキシドと、
を反応させ、ポリオキシアルキレン側鎖を含む多価アルコール縮合物を形成することによって得ることができ、ここで、
ｎは、３〜６の整数であり、及びＸは、ｎ−価の直鎖状、又は枝分かれした、２〜１０個の炭素原子を有し、及び置換されていても良く、又は置換されていなくても良い脂肪族、又は脂環式の基であることを特徴とする組成物が提供される。 （もっと読む）

銅イオン源と、式Ｉの化合物から選ばれる少なくとも一種の抑制剤とを含む、空隙サイズが３０ナノメーター以下であるサブミクロンサイズの窪みを充填するための組成物。
【化１】


［式中、
−Ｒ¹基は、それぞれ独立して、エチレンオキシドと少なくとも一種の他のＣ３〜Ｃ４アルキレンオキシドのコポリマーであって、ランダムコポリマーであるものから選ばれ、−Ｒ²基は、それぞれ独立して、Ｒ¹またはアルキルから選ばれ、−ＸとＹは独立して、また各繰返単位のＸが独立して、Ｃ１〜Ｃ６アルキレン及びＺ−（Ｏ−Ｚ）_m（但し、Ｚ基はそれぞれ独立してＣ２〜Ｃ６アルキレンから選ばれる。）から選ばれるスペーサー基であり、−ｎは０以上の整数であり、−ｍは１以上の整数である。］ （もっと読む）

【課題】良好なめっき皮膜性能を実現するめっき浴及びそれを用いためっき方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るめっき浴は、実質的にシアン化合物を含有せず、
（Ａ）化学式（１）
Ｘ¹Ｘ²ＮＣ(＝Ｓ) ＮＸ³Ｘ⁴ （１）
［（１）におけるＸ¹、Ｘ²、Ｘ³及びＸ⁴は、水素、アルキル、アリル又は下記化学式（２）
−（ＣＨＺ¹−ＣＨ₂−Ｓ）_n−Ｙ （２）
のいずれかで表される基である。（２）におけるＺ¹は、水素又はメチル基であり、ｎは０〜１０の整数を表し、Ｙは、下記化学式（３）
−ＣＨＺ²−ＣＨ₂−Ｄ （３）
で表される基である。（３）におけるＺ²は、水素又はメチル基であり、Ｄは、ＳＨ、ＯＨ、ＮＸ⁵Ｘ⁶又はＣＯＯＨである。前記Ｘ⁵及びＸ⁶は、互いに同一又は異なっていてよい。また、前記Ｘ¹、Ｘ²、Ｘ³及びＸ⁴のうち、少なくとも一つは（２）で表される基である。］
で表されるチオ尿素系化合物、
（Ｂ）めっき金属として第４〜６周期の第８〜１１族、水銀を除く第１２族、第１３族、第１４族、及び、第１５族から選ばれた金属の水溶性塩又は水溶性錯体の一種又は二種以上、
を含有する。 （もっと読む）

【課題】鉛を含まないスズ合金電気めっき組成物および方法を提供する。
【解決手段】基体上にスズ合金を堆積するための電解質組成物が開示される。電解質組成物はスズイオン、一種以上の合金形成金属のイオン、フラボン化合物およびジヒドロキシビス−スルフィドを含む。電解質組成物は鉛およびシアン化物を含まない。基体上にスズ合金を堆積する方法および半導体素子上に相互接続バンプを形成する方法も開示される。 （もっと読む）

【課題】バルク実装のような被めっき物がぶつかり合う状況での錫の削れカスが少なく、チップ部品同士のくっつきが少なく、かつ他のめっき特性も良好な錫めっき皮膜を得られる錫めっき液及びチップ部品のめっき方法を提供する。
【解決手段】（１）第一錫イオン、（２）錯化剤、（３）ノニオン系界面活性剤及び（４）酸化防止剤を含有する電気錫めっき液において、ノニオン系界面活性剤として、下記一般式（Ａ）で示される化合物及び下記一般式（Ｂ）で示される化合物を含有することを特徴とする、チップ部品用電気錫めっき液。一般式（Ａ）：Ｒ−（Ｃ_６Ｈ_４）−ＲＯ（ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ）_ｎＨ一般式（Ｂ）：ＨＯ−（Ｃ_２Ｈ_４Ｏ）_ｌ−（Ｃ_３Ｈ_６Ｏ）_ｍ−（Ｃ_２Ｈ_４Ｏ）_ｎ−Ｈ （もっと読む）

【課題】圧延銅箔と同等またはそれ以上の柔軟性・屈曲性を有する電解銅箔を提供する。
【解決手段】電解銅箔に式１に示すＬＭＰ値が９０００以上となる加熱処理を施した後の結晶構造がＥＢＳＰの分析で面に対する赤系・青系のいずれかの色調が８０％以上を占める電解銅箔。式１：ＬＭＰ＝（Ｔ＋２７３）＊（２０＋Ｌｏｇｔ）ここで、２０は銅の材料定数、Ｔは温度（℃）、ｔは時間（Ｈｒ）。また、該加熱処理を施した後のＸ線回析における（１１１）面の強度に対し、（３３１）面の相対強度が１５以上である電解銅箔。 （もっと読む）

【課題】アンモニアベースの浴からパラジウムおよびパラジウム合金をめっきするための高速方法を提供する。
【解決手段】パラジウム電気めっき浴として、パラジウム源の１種以上、アンモニウムイオン及び尿素から本質的になる組成物とし、少なくとも１０アンペア/ｄｍ２の電流密度を発生させてパラジウムを堆積させる方法。また、別の態様においては、パラジウム合金電気めっき浴として、パラジウム源の１種以上、合金形成金属源の１種以上、アンモニウムイオン及び尿素から本質的になる組成物とし、少なくとも１０アンペア/ｄｍ２の電流密度を発生させてパラジウム合金を堆積させる方法。 （もっと読む）

【課題】配線板の製造工程における熱履歴、特にポリイミドフィルムと接着する際にかかる熱履歴と同程度の熱履歴が施された後に、圧延銅箔と同等またはそれ以上の柔軟性と屈曲性を発現する電解銅皮膜を提供すること。
【解決手段】電解析出で製造した電解銅皮膜において、式１に示すＬＭＰ値が９０００以上となる加熱処理を施すと、加熱処理後の結晶粒の最大長さが１０μｍ以上となる結晶粒子が７０％以上存在する結晶分布となる電解銅皮膜とその製造方法。
式１：ＬＭＰ＝（Ｔ＋２７３）＊（２０＋Ｌｏｇｔ）
ここで、２０は銅の材料定数、Ｔは温度（℃）、ｔは時間（hr）である。 （もっと読む）