【課題】高縦横比のビアホールを埋め込むのに好適な銅めっき溶液および銅めっき方法を提供する。
【解決手段】シード層を有する基板を浸漬し、水、銅供給源、電解物質、塩素イオン、第１添加剤、第２添加剤、および第３添加剤を含み、前記第１添加剤は、化学式１に示す化合物である銅めっき溶液を用いて銅めっきを行う。


（式中、Ｒは、水素原子または炭素原子数１〜６のアルキル基であり、ｍは、平均重合度であり６〜１４の実数である。） （もっと読む）

【課題】高度に複雑化したプリント基板のめっきにおいてもヤケがなく、面内膜厚分布の均一性に優れ、かつスルーホールめっきの均一性にも優れるスズめっき液を提供する。
【解決手段】本発明のスズめっき液は、スズイオン源、少なくとも１種の非イオン性界面活性剤、イミダゾリンジカルボキシレート及び１，１０−フェナントロリンを含有する。 （もっと読む）

【解決手段】（Ａ）硫黄化合物、（Ｂ）エーテル結合を４個以上含有するポリアルキレングリコール化合物、（Ｃ）アゾ化合物、（Ｄ）硫酸銅五水和物、（Ｅ）硫酸、及び（Ｆ）塩化物イオンを含有することを特徴とする電気銅めっき浴。
【効果】本発明の電気銅めっき浴を用いれば、めっき時にボイドやシームが発生しにくく、小径のスルーホールに対しても電気銅めっき方法によって銅を充填することができる。また、従来法と比べて、工程数が減らせるため、コストダウンにも繋がり、逆電流を用いることがなく、直流電流でスルーホールへの銅の充填が可能となるため、工程の簡略化にも繋がる。更に、従来のペースト剤等の充填に比べ、めっきによって銅皮膜を充填した場合は、放熱性が優れる。 （もっと読む）

【課題】基板上に存在する、アスペクト比（深さ／開口径）が５以上の導電処理した非貫通穴に短時間で銅を良好に充填する方法を提供する。
【解決手段】基板上に存在する、アスペクト比（深さ／開口径）が5以上の導電処理した非貫通穴に銅を充填する方法であって、酸性銅めっき浴として、水溶性銅塩、硫酸、塩素イオン、ブライトナー及びジアリルアミン類と二酸化硫黄との共重合体を含む酸性銅めっき浴を用いて、周期的電流反転銅めっきして非貫通穴に銅を充填することを特徴とする銅充填方法。 （もっと読む）

本発明は、特に、装飾物品上への、プラチナとロジウムの合金を含むコーティングの堆積のための電気化学的プロセスに関する。本発明の方法は、電着層が、予想に反して、銀の外観に極めて近い高い白色度を有するという規定条件が利用されることを特徴とする。
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【課題】メッキ浴中で共通な他の成分と相溶性であり、スラッジ形成を妨げるために二価スズの酸化を防止し及び／又は第一スズを安定化させる酸化防止剤（還元剤）を提供する。
【解決手段】フルオロホウ酸、有機スルホン酸又はこれらの組み合わせからなる群から選択される酸、任意にこれらの塩を含む基準溶液；二価スズイオン；および酸化二価スズを還元するのに有効量のヒドロキシベンゼンスルホン酸又はこれらの塩を含む酸化防止化合物、を含むスズ及びスズ合金のメッキ溶液を使用して基体を電気メッキするメッキ方法。 （もっと読む）

本発明は、１ミクロンから８００ミクロンの厚さを有し銅を含む金合金の形態の電解析出物に関する。本発明によれば、析出物は、第３の主化合物としてインジウムを含む。
本発明は、電気メッキ法の分野に関する。 （もっと読む）

半導体集積回路デバイス基板のシリコン貫通ビアフィーチャー（through silicon via feature）を金属被膜する方法であって、ここで前記半導体集積回路デバイス基板を銅イオン源、有機スルホン酸あるいは無機酸、あるいは分極剤および／あるいは減極剤から選ばれる１つあるいはそれ以上の有機化合物、および塩素イオンからなる電解銅堆積組成物に浸漬することからなる。 （もっと読む）

【課題】 酸性銅めっき処理において、ブラインドビアホールやスルーホールの内部やコーナー部のめっき付き回り性およびめっき面のレベリング性などのめっき外観のいずれにおいても優れた特性を与え、かつ下地不良にも対応できる新規なめっき用レベリング剤を提供する。
【解決手段】 ジアリルジアルキルアンモニウムアルキルサルフェイト単位と、（メタ）アクリルアミド類単位と、二酸化イオウ単位とを含むジアリルジアルキルアンモニウムアルキルサルフェイトと（メタ）アクリルアミド類と二酸化イオウとの共重合体からなるめっき用レベリング剤である。 （もっと読む）

本発明は，表面張力を低下させ，したがってクロム析出プロセスを改良する，クロム電解質用のフッ素界面活性剤を含まない長期間安定な添加剤に関する。 （もっと読む）

金属、または金属の化合物、例は、金属塩を備える液晶相から金属の化合物を電気化学的な手段により堆積するとき、イオン性界(表)面活性剤を普通に用いられる非イオン性界面活性剤の代わりに用いることによって、塩の高濃度を採用しうる。 （もっと読む）

【解決手段】基体上に形成された錫めっき皮膜であって、該錫めっき皮膜が２層以上の多層で構成され、上記多層のうちの１層が、上記基体に接して設けられた厚さ０．１〜２０μｍのバリア層であり、かつ他の１層が、基体から離間する側の表面部に設けられた厚さ０．１〜２０μｍの表面層であり、上記バリア層と基体との界面に形成される金属間化合物の均一性の変動係数ＣＶ値が４０％以下である錫めっき皮膜。
【効果】本発明の錫めっき皮膜は、錫−鉛合金めっきの代替として有用であり、錫皮膜において問題となるウィスカの発生を効果的に抑制したものである。そして、本発明の錫めっき皮膜は、一般的な錫めっき皮膜の作製工程とほとんど差がない簡便な、効率的な錫電気めっきで形成することができる。 （もっと読む）

本発明は、ホスフィン酸および／またはホスホン酸ならびにそれらの塩の、好ましくは表面活性物質としての、酸化還元法における、特に電気めっき法における、特に好ましくは電気めっき浴における使用、およびまたこれらの化合物を含有する電気めっき浴に関する。 （もっと読む）

【課題】生成するアルミニウムめっき膜への水分の影響を抑制し、未析のないアルミニウムめっき膜を得ることのできるジメチルスルホンを溶媒とした電解アルミニウムめっき液を提供することである。また、Ｌ字型あるいは凹型断面形状のある試料へのアルミニウムめっき膜の付き回り性を改善することのできるジメチルスルホンを溶媒とした電解アルミニウムめっき液を提供することである。
【解決手段】ジメチルスルホンとアルミニウムハロゲン化物からなる非水溶媒系電解アルミニウムめっき液に、2,2’-ビピリジル構造を基本骨格に持つ有機化合物またはその誘導体を加えることで、めっき液中の水分の電気分解がアルミニウムめっき膜へ及ぼす影響を抑制し、さらにめっき膜の付き回り性を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】従来市場で使用されていた銅電解液ではなしえなかった光沢を有する電析銅皮膜の形成可能な硫酸系銅電解液を提供する。
【解決手段】上記課題を解決するために、、３−メルカプト−１−プロパンスルホン酸及び／又はビス（３−スルホプロピル）ジスルフィドと環状構造を持つ４級アンモニウム塩重合体と塩素とを添加して得られた硫酸系銅電解液を用いる。この銅電解液を用いて電析銅皮膜を形成することにより、その析出面側の表面粗さ（Ｒｚｊｉｓ）が１．０μｍ未満の低プロファイルであり、且つ、当該析出面の光沢度［Ｇｓ（６０°）］が４００以上であることを特徴とする電析銅皮膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】 めっき状態でも硬度が高く、優れた摺動性能を有するNi-P系電気めっき皮膜を提供する。
【解決手段】Niイオン、亜リン酸イオン、錯化剤及び0.15〜0.25wt％のサッカリンを含有するとともに、前記錯化剤が重量比率で乳酸：グリシン：酢酸＝ 0.5〜1.0： 1.0〜2.8： 0.5〜1.0からなる混合錯化剤であるめっき浴中にて電気めっきを行なう。
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【課題】電気メッキされたＣｏＰｔＰ材料は垂直磁気特性を高め、超小型電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスの使用において有益である。
【解決手段】９４−９８重量％のＣｏ，０−１重量％のＰｔ及び２−４重量％のＰの組成を有するコバルト（Ｃｏ），プラチナ（Ｐｔ）及びリン（Ｐ）から構成される材料。材料はセ氏１００乃至５００度の温度でアニーリングされる。材料は適当な電気化学浴中で基板を電気メッキすることにより形成される。電気メッキされたＣｏＰｔＰ材料は基板に層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 鉛フリーの酸性スズ−ビスマス系合金電気メッキ浴において、メッキ処理時のスズ又はスズ合金アノード表面へのビスマスの置換析出を防止する。
【解決手段】 ジエチレントリアミンペンタ酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミントリ酢酸、トリエチレンテトラミンヘキサ酢酸、Ｎ,Ｎ−ジカルボキシメチル−Ｌ−グルタミン酸、Ｎ,Ｎ−ジカルボキシメチル−Ｌ−アスパラギン酸、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸、ニトリロトリス（メチレンホスホン酸）、ホスホノブタントリカルボン酸、ヒドロキシエチルアミノジメチレンホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸、Ｎ,Ｎ−ジカルボキシメチル−Ｌ−アラニン、ヒドロキシエチルイミノジ酢酸、１,３−ジアミノ−２−ヒドロキシプロパンテトラ酢酸、メルカプトコハク酸、これらの塩から選ばれた錯化剤を添加した鉛フリーの酸性スズ−ビスマス系合金電気メッキ浴である。特定種のアミノカルボン酸類又はホスホン酸類などを選択添加する。 （もっと読む）

陰極ドラムを用いた電解銅箔製造における粗面側（光沢面の反対側）の表面粗さの小さいロープロファイル電解銅箔を得ること、特にファインパターン化が可能であり、さらに常温及び高温における伸びと抗張力に優れた電解銅箔を得る。 ジアルキルアミノ基を有するアクリル系化合物の窒素を四級化した化合物を単独重合又は他の不飽和結合を有する化合物と共重合することにより得られる四級アミン化合物重合体と有機硫黄化合物を添加剤として含む銅電解液及び該電解液を用いて製造される電解銅箔である。
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本発明は、銅ビス（ペルフルオロアルカンスルホニル）イミドまたは銅トリス（ペルフルオロアルカンスルホニル）メチドのいずれかを有するメッキ溶液、およびこれらのメッキ溶液を使用して、銅配線に電気化学的または化学的に沈着する方法を提供する。 （もっと読む）