本発明は、窒素含有有機添加物、可溶性亜鉛塩及び場合によりＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ及びＳｎ塩から選択される他の金属塩を含有する、酸性又はアルカリ性の亜鉛又は亜鉛合金浴の機能的層をメッキするために使用される方法に関し、その際、再生のための前記浴の組成物を、イオン交換樹脂を有する適切な装置を介して運搬して、シアニドイオンを除去する。
（もっと読む）

【課題】Ｐｄ−Ａｕ合金めっき液に関して、めっき液としての安定性に優れ、かつ、電流密度に対して安定した共析率のめっき皮膜を得ることが可能なパラジウム金合金（Ｐｄ−Ａｕ合金）めっき液を提供すること。
【解決手段】本発明によるパラジウム金合金めっき液は、可溶性パラジウム塩と、可溶性金塩と、メタ重亜硫酸カリウム、メタ重亜硫酸ナトリウムおよびメタ重亜硫酸アンモニウムからなる群より選択される１以上のものと、サッカリンおよびサッカリンナトリウムからなる群より選択される１以上のものとの組合せからなる結晶調整剤とを含んでなることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、特に、装飾物品上への、プラチナとロジウムの合金を含むコーティングの堆積のための電気化学的プロセスに関する。本発明の方法は、電着層が、予想に反して、銀の外観に極めて近い高い白色度を有するという規定条件が利用されることを特徴とする。
（もっと読む）

【課題】選択的な部分めっき処理が可能で、コネクターなどの電子部品に好適な硬質金系めっき液を提供する。
【解決手段】可溶性金塩または金錯体、伝導塩、キレート化剤を含む硬質金系めっき液において、１つ以上のニトロ基を有する芳香族化合物、例えば、ニトロ安息香酸、ジニトロ安息香酸、ニトロベンゼンスルホン酸の一群から選ばれる芳香族化合物を含有することを特徴とする。また、コバルト塩、ニッケル塩、銀塩の少なくとも１種の金属塩、或いはポリエチレンイミンの有機添加剤をさらに含むことを特徴する。 （もっと読む）

本発明は、めっき溶液にシアン化物を用いることなく、亜鉛ダイカスト物品にめっきを施す方法を含む。前記方法は、先ず前記亜鉛ダイカスト物品に亜鉛合金層のめっきを施し、次いで銅、ニッケル、クロム、スズ、又は黄銅でめっきを施すことを提唱する。好ましい亜鉛合金初期コーティングは、亜鉛−ニッケルである。 （もっと読む）

【課題】圧延銅箔と同等またはそれ以上の柔軟性・屈曲性を有する電解銅箔を提供する。
【解決手段】電解銅箔に式１に示すＬＭＰ値が９０００以上となる加熱処理を施した後の結晶構造がＥＢＳＰの分析で面に対する赤系・青系のいずれかの色調が８０％以上を占める電解銅箔。式１：ＬＭＰ＝（Ｔ＋２７３）＊（２０＋Ｌｏｇｔ）ここで、２０は銅の材料定数、Ｔは温度（℃）、ｔは時間（Ｈｒ）。また、該加熱処理を施した後のＸ線回析における（１１１）面の強度に対し、（３３１）面の相対強度が１５以上である電解銅箔。 （もっと読む）

【課題】アンモニアベースの浴からパラジウムおよびパラジウム合金をめっきするための高速方法を提供する。
【解決手段】パラジウム電気めっき浴として、パラジウム源の１種以上、アンモニウムイオン及び尿素から本質的になる組成物とし、少なくとも１０アンペア/ｄｍ２の電流密度を発生させてパラジウムを堆積させる方法。また、別の態様においては、パラジウム合金電気めっき浴として、パラジウム源の１種以上、合金形成金属源の１種以上、アンモニウムイオン及び尿素から本質的になる組成物とし、少なくとも１０アンペア/ｄｍ２の電流密度を発生させてパラジウム合金を堆積させる方法。 （もっと読む）

【解決手段】基板表面に銅層のガルバニック堆積のための無シアン化物電解質組成物およびこのような層の堆積のための方法である。電解質組成物は少なくとも銅（ＩＩ）イオン、ヒダントインおよび／あるいはヒダントイン誘導体、ジ−および／あるいはトリカルボン酸あるいはこれらの塩、およびモリブデン、タングステン、バナジウムおよび／あるいはセリウム化合物からなる群の元素の金属酸塩を含む。 （もっと読む）

シリカ粒子を内部に分散させた金属層を電気めっきするために、
ａ）第１の電位を有する第１のニッケル層を析出させる工程と、
ｂ）前記第１のニッケル層上に前記第１の電位より負である第２の電位を有する第２のニッケル層を析出させる工程と、
ｃ）基材上に金属を電着させるための溶液を用いて前記第２のニッケル層上に第３のニッケル層を析出させる工程と
を含む、基材上に金属を電着する方法、より詳しくは、基材上に耐腐食性ニッケル多層を形成する方法であって、
前記溶液が、析出させるべき金属のイオンおよびシリカ粒子を含有し、少なくとも１個のケイ素含有有機成分が前記シリカ粒子に提供され、前記ケイ素含有有機成分が、前記溶液に接触しつつ正電荷を前記シリカ粒子に付与する、アミノ、第四化アンモニウム、第四化ホスホニウムおよび第四化アルソニウムを含む群から選択される少なくとも１個の官能基を含む方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】素体の浸食や、絶縁不良の発生を抑制することができ、めっきされる部分にのみ効率よくニッケルめっきを施すことができるめっき液およびめっき方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係るめっき液は、セラミック電子部品用の電気ニッケルめっき液であって、ニッケルイオンと、０．３ｍｏｌ／Ｌ以下のアンモニウムイオンとを含み、ｐＨが５より高く７未満であり、アルカリ金属のイオン濃度が０．０３ｍｏｌ／Ｌ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体の誘電性欠陥においてバックグラウンドめっきを抑制する方法を提供する。
【解決手段】導電母線および集電ラインのための導電パターンと、半導体の前面上の導電パターンの間のスペースを覆う誘電層とを有し、当該誘電層が１以上の欠陥を含有する半導体において、少なくとも誘電層を１種以上の酸化剤と接触させ、並びに、導電パターン上に金属層を選択的に堆積させる。 （もっと読む）

【課題】シアン化合物を使用することなく、目的組成を有する均一で光沢のあるめっき層を広い電流密度範囲で形成することができる銅‐亜鉛合金電気めっき浴およびこれを用いためっき方法を提供する。
【解決手段】銅塩と、亜鉛塩と、ピロりん酸アルカリ金属塩または酒石酸アルカリ金属塩と、硝酸イオンとを含む銅‐亜鉛合金電気めっき浴である。前記硝酸イオンの濃度は０．００１〜０．０５０ｍｏｌ／Ｌであることが好ましく、また、前記銅‐亜鉛合金電気めっき浴のｐＨは８〜１４の範囲であることが好ましく、さらに、銅塩と、亜鉛塩と、ピロりん酸アルカリ金属塩と、硝酸イオンに加え、アミノ酸またはその塩から選ばれた少なくとも一種を含むことが好ましく、前記アミノ酸としてはヒスチジンを好適に用いることができる。 （もっと読む）

本発明は、毒性成分、例えばシアニド又はチオ化合物不含の改良された銅−錫電解液に関する。さらに本発明は、消費財及び工業製品上の装飾用青銅層を、本発明の電解液を用いて析出させるための方法に関する。この電解液は、エピクロロヒドリン及びヘキサンメチレンテトラミンからなる添加剤を含み、かつ炭酸イオン又は炭酸水素イオンを含有する。 （もっと読む）

【課題】耐久性に優れた長寿命の金属ベルト及び被覆ベルトを提供する。
【解決手段】金属ベルトは一次光沢剤及び二次光沢剤を含むニッケル電解浴を用いる電鋳プロセスにより無端状に形成され、結晶配向比Ｉ_{（２００）}／Ｉ_{（１１１）}が１１３以上２５０以下の結晶配向性を有する。また、該金属ベルトはニッケルを主成分とし、マンガンを含まない。前記一次光沢剤は＝Ｃ−ＳＯ_２−の構造を持つ有機化合物、二次光沢剤はＣ＝Ｏ、Ｃ＝Ｃ、Ｃ≡Ｎ、Ｃ＝Ｎ、Ｃ≡Ｃ、Ｎ−Ｃ＝Ｓ、Ｎ＝Ｎ、−ＣＨ_２−ＣＨ−Ｏ−のいずれかの構造をもつ有機化合物である。 （もっと読む）

【課題】孔又は溝を備えた基板を被めっき体として銅を電気めっきすることによって得られる新たな銅めっき体及びその製造方法の提供。
【解決手段】１価の銅イオンと錯体を形成し、１価の銅イオンとの錯化定数が１×１０³より高い値を示し、且つ使用環境下において１価の銅イオンと形成する錯体の溶解度が０．５ｇ／Ｌ以上の銅錯化剤、若しくは、１価の銅イオンと錯体を形成し、１価の銅イオンとの錯化定数が１×１０³より高い値を示し、且つ２価の銅イオンとの錯化定数が１×１０²⁰以下の値を示す銅錯化剤と、水と、銅成分とを含む電解液を用いて、孔又は溝を備えた基板を被めっき体として銅を電気めっきすることによって、孔又は溝の底部に空洞部を残しつつその空洞部の上側に銅を電着させることを特徴とする銅めっき体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】極めて微細な孔又は溝内に銅を埋め込むことができる、新たな銅配線の製造方法を提供する。
【解決手段】１価の銅イオンと錯体を形成し、１価の銅イオンとの錯化定数が１×１０³より高い値を示し、且つ使用環境下において１価の銅イオンと形成する錯体の溶解度が０．５ｇ／Ｌ以上の銅錯化剤、若しくは、１価の銅イオンと錯体を形成し、１価の銅イオンとの錯化定数が１×１０³より高い値を示し、且つ２価の銅イオンとの錯化定数が１×１０²⁰以下の値を示す銅錯化剤を１ｗｔ％以上と、水を１ｗｔ％以上と、銅成分とを含む電解液を強制攪拌しながら、被めっき体における配線接続孔又は配線溝内に銅を電気めっきする工程を備えた銅配線の製造方法によれば、攪拌の程度を調整することにより、微細孔への銅の埋め込み率を調整することができ、微細孔への銅の埋め込み率をより一層高めることができる。 （もっと読む）

【課題】シアン化合物を使用することなく、目的組成を有する均一で光沢のある合金層を、ヒスチジンを用いずに形成することができる銅−亜鉛合金電気めっき浴およびこれを用いためっき方法を提供する。
【解決手段】銅塩と、亜鉛塩と、ピロりん酸アルカリ金属塩と、ジアミンとを含有する銅−亜鉛合金電気めっき浴である。ジアミンの濃度は好適には０．６ｇ／Ｌ〜２４ｇ／Ｌである。ジアミンとして、エチレンジアミンを好適に用いることができる。 （もっと読む）

析出されたときにナノ粒状である電析された結晶質機能的クロム堆積物であり、そして堆積物がＴＥＭおよびＸＲＤ結晶質の両方であり得るか、またはＴＥＭ結晶質でありそしてＸＲＤ非晶質であり得る。種々の実施態様において、堆積物は、クロム、炭素、窒素、酸素および硫黄の合金；｛１１１｝の優先方位；約５００ｎｍ^２未満の平均結晶粒断面積；および２．８８９５±０．００２５Åの格子定数の１または２以上の任意の組み合わせを含む。基材にナノ粒状の結晶質機能的クロム堆積物を電析させるための方法および電析浴であって、３価クロム、２価硫黄源、カルボン酸、窒素源を含み、そして実質的に６価クロムを含まない電析浴を提供する工程；浴に基材を浸漬する工程；および電流を付与して基材上に堆積物を電析させる工程を含む。
（もっと読む）

【課題】装飾３価クロムめっきを基本として、高い耐食性を有し、且つ６価クロムめっきと類似または同等の白銀色の意匠を呈することのできるクロムめっき部品を提供する。
【解決手段】素地２上に腐食電流分散を目的としたニッケルめっき層５ａを形成するとともに、その表面に塩基性硫酸クロムを金属供給源とした膜厚０．０５〜２．５μｍの３価クロムの表面クロムめっき層６を形成し、さらにその上に陰極酸性電解クロメート処理により膜厚が７ｎｍ以上のクロム化合物皮膜７を形成する。腐食分散ニッケルめっき層５ａは、表面クロムめっき層６に対しマイクロポーラス構造もしくはマイクロクラック構造、またはこれらの双方の構造を生じさせる機能を有する。 （もっと読む）

【課題】錫めっき又は金めっきが施された基板電極との接合に適したバンプ硬度と形状を有する金バンプが得られるバンプ形成用非シアン系電解金めっき浴を提供する。
【解決手段】金源としての亜硫酸金アルカリ塩または亜硫酸金アンモニウムと、めっき浴の安定化剤としての水溶性アミンと、結晶調整剤と、亜硫酸ナトリウムからなる伝導塩５〜１５０ｇ／Ｌと、緩衝剤と、分子量２０００〜６０００のポリアルキレングリコール０．０１〜１０ｍｇ／Ｌと、を含有するバンプ形成用非シアン系電解金めっき浴。結晶調整剤としてはＴｌ化合物、Ｐｂ化合物、またはＡｓ化合物が、水溶性アミンとしては炭素数２〜６のジアミン化合物が好ましい。 （もっと読む）