【課題】 プリント基板などの微細凹部に空隙や窪みを発生させないで良好に銅フィリングする。
【解決手段】 カルボン酸類、環状エステル類より選ばれた電着促進剤を含有せず、スルフィド類、メルカプタン類より選ばれた光沢剤を含有した予備処理液に被メッキ物を浸漬した後（予備吸着の後）、或いは、当該予備吸着に代えて予備メッキした後、電着促進剤及び光沢剤を含有する銅メッキ液で被メッキ物に電気銅メッキを施すことにより、プリント基板などの微細凹部に良好な銅フィリングを達成できる。 （もっと読む）

【課題】 プリント基板などの微細凹部に空隙（ボイド）や窪みを発生させないで良好に銅フィリングする。
【解決手段】 アミド類、アミノ酸類より選ばれた電着促進剤を含有せず、スルフィド類、メルカプタン類より選ばれた光沢剤を含有した予備処理液に被メッキ物を浸漬した後（予備吸着の後）、或いは、当該予備吸着に代えて予備メッキした後、電着促進剤及び光沢剤を含有する銅メッキ液で被メッキ物に電気銅メッキを施すことにより、プリント基板などの微細凹部に良好な銅フィリングを達成できる。 （もっと読む）

【課題】微細な構造であっても溝や穴に電解銅メッキによって銅を良好に埋め込むことができる銅メッキ光沢剤と銅メッキ抑制剤を必須の有効成分として含有する半導体用電解銅メッキ浴、及び該電解銅メッキ浴を用いた半導体用電解銅メッキ方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（２）で表わされる銅メッキ光沢剤を０．１〜１００質量ＰＰＭと、ポリエチレングリコールなどの抑制剤を含有してなることを特徴とする半導体用電解銅メッキ浴および該めっき浴を用いる半導体の電解銅めっき方法。


（式中、Ｒ^１及びＲ^２は、水素原子又はメチル基を示し、Ｒ^１及びＲ^２がともに水素原子となるものは除く。Ｍは、リチウム、ナトリウム及びカリウムから選ばれる原子又はアンモニウムもしくは１価の有機アンモニウム基を示す。） （もっと読む）

【課題】アルキルスルホンの結露によってアルミニウム箔の厚みが不均一になることを防止した、電解アルミニウム箔製造装置を提供する。
【解決手段】アルキルスルホンに少なくともアルミニウムハロゲン化物を溶解した電解アルミニウムめっき液Ｌを介して陰極ドラム１Ｃと陽極板１Ｄを対向して配置し、両極間を電源に接続して通電し、該陰極ドラムを回転させながら該陰極ドラム表面に箔Ｆとなるアルミニウムを析出させる電解アルミニウム箔製造装置において、前記陰極ドラムおよび陽極板が浸漬された前記めっき液を貯留するめっき槽１Ｂと、前記めっき液の上方を覆うようにして前記めっき槽上に配設された蓋部１Ａと、該蓋部の内側に備わる天井部１Ｋと、該天井部と前記めっき液とに挟まれた空間に加熱した不活性ガスＧを供給可能に配設されたガス供給口１Ｇを有する。 （もっと読む）

【課題】 多孔質アルミニウム箔の簡易な製造方法を提供すること。
【解決手段】 （１）ジアルキルスルホン、（２）アルミニウムハロゲン化物、および、（３）ハロゲン化アンモニウム、第一アミンのハロゲン化水素塩、第二アミンのハロゲン化水素塩、第三アミンのハロゲン化水素塩、一般式：Ｒ^１Ｒ^２Ｒ^３Ｒ^４Ｎ・Ｘ（Ｒ^１〜Ｒ^４は同一または異なってアルキル基、Ｘは第四アンモニウムカチオンに対するカウンターアニオンを示す）で表される第四アンモニウム塩からなる群から選択される少なくとも１つの含窒素化合物を少なくとも含むめっき液を用いた電解法によって基材の表面にアルミニウム被膜を形成した後、当該被膜を基材から剥離してアルミニウム箔を得、得られたアルミニウム箔に対して３５０〜７００℃の温度範囲で熱処理を行うことで箔の内部に空孔を生成せしめることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】貫通シリコンビア形成時におけるビア内側壁の銅シード層のカバレッジが良好で均一な銅配線層を有するめっき物を提供することを目的とする。
【解決手段】基材上にバリア層として形成された、タングステン及びタングステンと合金化した際に銅に対するバリア性を有する金属（Ａ）との合金薄膜、その上に無電解置換銅めっきにより銅シード層、さらに前記無電解置換銅めっきを実施したのと同一のめっき液を用いた電気銅めっきにより銅配線層がこの順番で形成されてなる、貫通シリコンビアを有するめっき物。 （もっと読む）

センサー表面が金基板であり、制御された結晶面を有する金ナノ構造が基板に強く接着している水銀蒸気センサーである。このセンサー表面を用いることによって、水晶振動子微量天秤（ＱＣＭ）ベースの水銀蒸気センサーの応答規模および安定性における実質的な増加が達成される。金基板上に金ナノ構造を形成する方法は、金の作用電極上にテトラハロ金（III）酸またはテトラハロ金（III）酸アルカリ金属塩および添加剤（例えば酢酸鉛）の溶液から、２０〜４０℃の電着温度で、少なくとも１５秒間の電着時間金を電着する工程を含む。析出溶液の組成、温度、および電流密度によって成長は制御される。析出速度は析出回数と同様に様々であってよく、好ましくは約１５０秒であるが、１５分のように長くてもよい。好ましい析出溶液は、２．７１８ｇ／ｌのテトラクロロ金（III）酸水和物、および、０．１〜０．５ｇ／ｌの酢酸鉛を含む。 （もっと読む）

【課題】基板上に存在する、アスペクト比（深さ／開口径）が５以上の導電処理した非貫通穴に短時間で銅を良好に充填する方法を提供する。
【解決手段】基板上に存在する、アスペクト比（深さ／開口径）が5以上の導電処理した非貫通穴に銅を充填する方法であって、酸性銅めっき浴として、水溶性銅塩、硫酸、塩素イオン、ブライトナー及びジアリルアミン類と二酸化硫黄との共重合体を含む酸性銅めっき浴を用いて、周期的電流反転銅めっきして非貫通穴に銅を充填することを特徴とする銅充填方法。 （もっと読む）

【課題】クラックの発生が極力抑制されたイリジウムめっき被膜を容易に形成できるイリジウムめっき液及びそのめっき方法を提案する。
【解決手段】本発明は、アニオン成分がハロゲンであるイリジウム（ＩＩＩ）錯塩に、飽和モノカルボン酸、飽和モノカルボン酸塩、飽和ジカルボン酸、飽和ジカルボン酸塩、飽和ヒドロキシカルボン酸、飽和ヒドロキシカルボン酸塩、アミド、尿素からなる群より選ばれた一種以上の化合物を加えて撹拌して得られるイリジウム化合物を用いるイリジウムめっき液において、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕの少なくとも一種以上を含有することを特徴とするものとした。 （もっと読む）

【課題】シアン化合物を含むことなく、経時的に安定なめっき被膜の得られる銅−亜鉛合金電気めっき浴および銅−亜鉛合金めっき付きスチールコード用ワイヤを提供する。
【解決手段】銅塩、亜鉛塩およびソルビトールを含有する銅−亜鉛合金電気めっき浴である。さらに、アミノ酸またはその塩から選ばれた少なくとも一種を含有することが好ましく、浴中に含まれる銅イオンおよび亜鉛イオンの総容量モル濃度Ｍに対する、ソルビトールの容量モル濃度Ｓの比（Ｓ／Ｍ）が、２．０〜６．２％であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】電着組成物、及び、該組成物を用いた半導体基板のコーティング方法の提供。
【解決手段】本発明は、電着組成物、特に、集積回路内の配線を形成するために、「貫通ビア」型構造の形成用の半導体基板を銅でコーティングするための電着組成物に関する。本発明によれば、該溶液は、１４〜１２０ｍＭの濃度の銅イオンと、エチレンジアミンとを含み、エチレンジアミンと銅とのモル比は１．８０〜２．０３であり、該電着溶液のｐＨは６．６〜７．５である。本発明はまた、銅シード層を堆積させるための上記電着溶液の使用、及び、本発明に係る電着溶液を用いた銅シード層の堆積方法に関する。 （もっと読む）

【課題】一定の通電量に達した時点だけでなく、任意の時点で薬剤を供給することができ、溶解しにくい薬剤も使用することができる３価クロムめっき液管理装置を提供する。
【解決手段】調整槽１と、水酸化クロム貯蔵タンク２、グリシン貯蔵タンク３及び水酸化アンモニウム貯蔵タンク４と、水酸化クロム供給ポンプ１４、グリシン供給ポンプ１５及び水酸化アンモニウム供給ポンプ１６とから構成し、論理制御部３０、電流積算部３２、水酸化クロム供給ポンプ駆動部３５、グリシン供給ポンプ駆動部３６及び水酸化アンモニウム供給ポンプ駆動部３７を備える制御装置を設け、記憶させた単位通電量当たりの供給量と電流積算部３２により計測された通電量とからその時点の通電量に対して必要な供給量を算出し、通電量が設定値に達したときあるいは操作部３１から操作信号が入力されたとき、算出された供給量の薬剤を供給するように各ポンプを駆動するようにした。 （もっと読む）

【課題】耐久性に優れた長寿命の金属ベルト及び被覆ベルトを提供する。
【解決手段】金属ベルトは一次光沢剤及び二次光沢剤を含むニッケル電解浴を用いる電鋳プロセスにより無端状に形成され、結晶配向比Ｉ_{（２００）}／Ｉ_{（１１１）}が１１３以上２５０以下の結晶配向性を有する。また、該金属ベルトはニッケルを主成分とし、マンガンを含まない。前記一次光沢剤は＝Ｃ−ＳＯ_２−の構造を持つ有機化合物、二次光沢剤はＣ＝Ｏ、Ｃ＝Ｃ、Ｃ≡Ｎ、Ｃ＝Ｎ、Ｃ≡Ｃ、Ｎ−Ｃ＝Ｓ、Ｎ＝Ｎ、−ＣＨ_２−ＣＨ−Ｏ−のいずれかの構造をもつ有機化合物である。 （もっと読む）

【課題】 パルス銅めっきでありながら、光沢のある銅皮膜を得ることのできる技術を開発すること。
【解決手段】 ポリエーテルポリオールもしくはポリアルキレングリコールから選ばれるポリオールに、エピハロヒドリンを反応させてエポキシ化し、次いでアミンを反応させて得られる第３級アミン化合物またはこれを更に第４級化して得られる第４級アンモニウム化合物を有効成分として含有するパルス銅めっき浴用添加剤。 （もっと読む）

【課題】コネクター等の電気接点の形成に適した合金めっきであって、純金に近い接触抵抗値が得られ、良好なめっき皮膜が得られる合金めっきを提供する。
【解決手段】シアン化金カリウムを金含有量として1.0〜30ｇ/ｌ、シアン化銀カリウムを銀含有量として1.0〜200ｐｐｍ含有する電気接点用部品用金−銀合金めっき液。このめっき液には、ピロリン酸カリウムを30〜100ｇ/ｌ、ホウ酸を20〜50ｇ/ｌ、エチレンジアミン又はその誘導体を0.05〜150ｇ/ｌ添加することが好ましい。電気めっきは、液温２０〜７０℃、電流密度10〜110Ａ/ｄｍ^２の条件で行う。 （もっと読む）

基体表面上に亜鉛合金層を析出するための、シアン化物を含有しない水性アルカリ性浴について記載した。上記浴は、光沢剤としてカチオン性ピリジニウム化合物および錯化剤としてポリアミンを含有する。上記電解質浴は、光沢のある、均一な亜鉛合金被覆の電気めっきに適する。 （もっと読む）

【課題】 現行磁気メディアと同等或いはそれ以上の優れた磁気特性を備えたコバルト−白金合金磁性膜を製造する技術を提供する。
【解決手段】 本発明のコバルト−白金合金磁性膜の製造方法は、塩化コバルト六水和物を０．５〜２０ｇ／Ｌと、塩化白金酸（ＩＶ）を２〜６０ｇ／Ｌと、酒石酸アンモニウムを０．５〜５０ｇ／Ｌとを含有するコバルト−白金合金電析めっき浴を用いて、電析コバルト−白金合金膜を形成し、該電析コバルト−白金合金膜を２００℃〜８００℃において熱処理を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【解決手段】 微細結晶子を有さない均質なアモルファス相で形成されてなる金−コバルト系アモルファス合金めっき皮膜、シアン化金塩を金基準で０．０１〜０．１ｍｏｌ／ｄｍ³の濃度、コバルト塩をコバルト基準で０．０２〜０．２ｍｏｌ／ｄｍ³の濃度、及びタングステン酸塩をタングステン基準で０．１〜０．５ｍｏｌ／ｄｍ³の濃度で含有する電気めっき液、及びこの電気めっき液を用いて金−コバルト系アモルファス合金めっき皮膜を形成する電気めっき方法。
【効果】 本発明の金−コバルト系アモルファス合金めっき皮膜は、微細結晶を有さない均質なアモルファス相により形成されており、金本来の良好な接触抵抗値や化学的安定性を実用上問題にならない程度に維持しつつ、硬度が向上したものであることから、リレー等の電気・電子部品の接点材料として有用である。 （もっと読む）

【課題】 めっき液の劣化を抑制し安定して長期操業が可能な亜鉛−ニッケル合金めっき方法を提供する。
【解決手段】 亜鉛イオン、ニッケルイオン、好ましくはアミン類等のニッケル錯化剤及びアルカリ成分を含有する、ｐＨ１３以上の亜鉛−ニッケル系合金めっき液を使用する亜鉛−ニッケル合金の電気めっき方法であり、陰極槽と、アルカリ成分含有溶液である陽極液を収める陽極槽とをイオン交換膜等の隔膜によって分離し、陽極液にアルカリ成分を添加して陰極液のアルカリ成分濃度を制御するめっき方法を提供する。本発明では、電流量を指標として陽極液へ補給するアルカリ成分量を調節して上記めっき液をｐＨ１３以上に保持でき、陽極板はＣ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉ及びこれらの合金でもよく、上記めっき液は更に、光沢剤、平滑剤、還元剤及び界面活性剤の群から選ばれる少なくとも１種を含有できる。 （もっと読む）

【課題】 電池性能の向上を保持しつつ、電池性能の向上に伴うガス発生による漏液性を低減させることが可能な電池容器用めっき鋼板、その電池容器用めっき鋼板を用いた電池容器およびその電池容器を用いた電池を提供する。
【解決手段】 鋼板の電池容器内面となる側にニッケル−チタン合金めっきを施すなどして鋼板上にチタンを含む金属層を形成し、その上層にニッケルめっきまたはニッケル合金めっきを施すか、またはめっきを施した後に熱処理を施すことにより、鋼素地とその上のめっき層との境界部にチタンを存在させて電池容器用めっき鋼板とし、それを電池容器に成形加工して電池に適用する。 （もっと読む）