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Fターム[4K023CB16]の内容

Fターム[4K023CB16]に分類される特許

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【課題】 プリント基板などの微細凹部に空隙や窪みを発生させないで良好に銅フィリングする。
【解決手段】 カルボン酸類、環状エステル類より選ばれた電着促進剤を含有せず、スルフィド類、メルカプタン類より選ばれた光沢剤を含有した予備処理液に被メッキ物を浸漬した後(予備吸着の後)、或いは、当該予備吸着に代えて予備メッキした後、電着促進剤及び光沢剤を含有する銅メッキ液で被メッキ物に電気銅メッキを施すことにより、プリント基板などの微細凹部に良好な銅フィリングを達成できる。 (もっと読む)


【課題】微細な構造であっても溝や穴に電解銅メッキによって銅を良好に埋め込むことができる銅メッキ光沢剤と銅メッキ抑制剤を必須の有効成分として含有する半導体用電解銅メッキ浴、及び該電解銅メッキ浴を用いた半導体用電解銅メッキ方法を提供する。
【解決手段】下記一般式(2)で表わされる銅メッキ光沢剤を0.1〜100質量PPMと、ポリエチレングリコールなどの抑制剤を含有してなることを特徴とする半導体用電解銅メッキ浴および該めっき浴を用いる半導体の電解銅めっき方法。


(式中、R及びRは、水素原子又はメチル基を示し、R及びRがともに水素原子となるものは除く。Mは、リチウム、ナトリウム及びカリウムから選ばれる原子又はアンモニウムもしくは1価の有機アンモニウム基を示す。) (もっと読む)


【課題】酸又は酸性めっき液への溶解性が極めて高く、大気中における保存安定性に優れ、しかもめっき液中においてSn2+イオンの酸化防止効果を高めることができる酸化第一錫粉末の製造方法及び該方法により製造された酸化第一錫粉末を提供する。
【解決手段】Sn2+イオンを含む酸性水溶液を調製する工程11と、酸性水溶液にアルカリ水溶液を添加して中和させ、水酸化第一錫のスラリーを調製する工程12と、調製したスラリーを脱水させ、酸化第一錫のスラリーを得る工程13と、酸化第一錫のスラリーを固液分離し、酸化第一錫を得る工程14と、得られた酸化第一錫を酸化防止剤水溶液で処理する工程15と、酸化防止剤水溶液で処理した酸化第一錫を真空乾燥する工程16とを含む。 (もっと読む)


【課題】めっきヤケを生じず、均一な銅−亜鉛合金めっき層の生産性を向上させることができる銅−亜鉛合金めっき方法およびそれに用いる銅−亜鉛合金めっき浴を提供する。
【解決手段】銅塩と、亜鉛塩と、ピロリン酸アルカリ金属塩と、アミノ酸またはその塩から選ばれた少なくとも一種と、を含有し、pHが8.5〜14である銅−亜鉛合金めっき浴を用いた銅−亜鉛合金めっき方法である。めっき処理の際に、10A/dmを超える陰極電流密度で銅−亜鉛合金めっき処理を行う。銅−亜鉛合金めっき浴は、下記式、
P比=Pの質量/(Cuの質量+Znの質量)
で表わされるP比が3.0〜7.0を満足することが好ましい。 (もっと読む)


【課題】各種製品基材の表面に耐摩耗性・高摺動性を有する電気めっき皮膜を形成できる電気めっき浴および電気めっき皮膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】元素組成(エネルギー分散型X線分光法;以下同じ。)がW:2〜70%、Mn:0.05〜1.0%、S:0.1〜8%、Fe:残部、であるFe−W系合金の電気めっき皮膜を形成可能な電気めっき浴。1)水溶性Fe(II、III)塩、2)水溶性W(VI)酸塩、及び3)水溶性Mn(II)塩とともに、水溶性S含有化合物を含有する。そして、下地めっき13を施した基材11上、電気めっき皮膜15を形成後、200〜1000℃の温度で加熱処理(後処理)を行って電気めっき皮膜15Aとする。 (もっと読む)


【課題】より均一性の高く三価クロム化成皮膜処理と相性のよい亜鉛−鉄合金めっきを提供すること。
【解決手段】8〜16g/Lの亜鉛イオン、0.08〜0.30g/Lの鉄イオン、40〜65g/Lの水酸化物イオン、10〜30g/Lのキレート剤を含有した水溶液に、さらに4級アンモニウムポリマーを0.2〜5g/L、2価以上の多価カルボン酸、オキシカルボン酸、アミノカルボン酸又はそれらの塩から選択される1種又は2種以上を0.1〜5g/L含有する亜鉛−鉄合金めっき液。 (もっと読む)


【課題】 ITO膜、太陽電池パネルの銅電極テンプレートのような比抵抗が大きい被メッキ物にも高い密着性で銅皮膜を良好に成膜する。
【解決手段】 比抵抗の大きい被メッキ物上にメッキ皮膜を形成する方法において、上記メッキ皮膜が電気銅メッキ浴を用いて形成した銅の電着皮膜であり、上記電気銅メッキ浴が、(a)可溶性銅塩と、(b)ポリアミン類、アミノカルボン酸類などより選ばれた錯化剤と、(c)アルカリ金属、アルカリ土類金属、アンモニウムのハロゲン化物、硫酸塩より選ばれた導電性塩とを含有し、且つ、浴のpHが3〜11である電気銅メッキ方法である。銅メッキ浴に特定の錯化剤と特定の導電性塩を複合添加するため、ITO膜などの比抵抗の大きな被メッキ物にも充分な密着性で銅皮膜を良好に成膜できる。 (もっと読む)


【課題】モリブデンを高濃度で含有する銅合金からなるめっき膜を形成できるめっき浴およびめっき方法を提供する。
【解決手段】被めっき体上にモリブデンを含有する銅合金からなるめっき膜を形成するために用いられるものであり、銅イオン供給源とモリブデンイオン供給源とを含み、めっき浴中の銅原子とモリブデン原子とのモル比が12.6:87.4〜0.5:99.5の範囲であることを特徴とするめっき浴とする。 (もっと読む)


【課題】金属材料、特に形状が複雑な金属構成体に対し、優れた耐食性及び塗膜外観を付与し得る皮膜を形成せしめることが可能な金属表面処理組成物を提供する。
【解決手段】水系樹脂を5〜30重量%、3価のBiイオンを100〜5000ppm及びBiイオンに対して0.1〜5倍モル濃度のアミノポリカルボン酸を含有し、水系樹脂の少なくとも一部が、下記式(1):


{ここで、R1及びR2は、相互に独立して、−(R)m−X(ここで、Rは、炭素数1〜6のアルキレン基であり、mは1か0であり、Xは、水素、カルボキシル、ヒドロキシル又はアシルである}で示される、Biイオンとキレートを形成可能な窒素含有基をポリマー骨格中に有するノニオン性及び/又はカチオン性樹脂であることを特徴とする金属表面処理用組成物。 (もっと読む)


【課題】シアン化合物を使用することなく、目的組成を有する均一で光沢のある銅−錫−亜鉛合金めっき被膜を、従来よりも高い電流密度であっても形成することができる生産性に優れた銅−錫−亜鉛合金電気めっき浴およびこれを用いた合金めっき被膜の製造方法を提供する。
【解決手段】銅塩、錫塩、亜鉛塩、ピロりん酸アルカリ金属塩、およびアミノ酸またはその塩から選ばれた少なくとも一種と、アルカリ金属水酸化物およびアルカリ土類金属水酸化物から選ばれた少なくとも一種と、を有する銅−錫−亜鉛合金電気めっき浴である。pHは10〜14であることが好ましく、また、銅イオン、錫イオンおよび亜鉛イオンの和は0.03〜0.3mol/Lであることが好ましく、さらに、アミノ酸またはその塩の濃度は0.08〜0.22mol/Lであることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】シアン化合物を使用しない、素地との密着性に優れた銅−亜鉛合金めっき被膜の製造方法および銅−亜鉛合金めっき被膜を提供する。
【解決手段】銅−亜鉛合金電気めっき浴を用いた銅−亜鉛合金めっき被膜の製造方法において、銅−亜鉛合金電気めっき浴が銅塩、亜鉛塩、ピロりん酸アルカリ金属塩、およびアミノ酸またはその塩から選ばれた少なくとも一種と、アルカリ金属水酸化物およびアルカリ土類金属水酸化物から選ばれた少なくとも一種と、を有し、かつ、陰極電流密度を0.5〜1.5A/dmとする。 (もっと読む)


【課題】従来と比較してより耐食性に優れた3価クロムめっき皮膜を形成できる新規な3価クロムめっき浴を提供する。
【解決手段】水溶性3価クロム化合物、伝導性塩、pH緩衝剤、硫黄含有化合物及びアミノカルボン酸類を含有する水溶液からなる3価クロムめっき浴、
該3価クロムめっき浴中において被めっき物を陰極として電解処理を行うことを特徴とするクロムめっき方法、及び
該3価クロムめっき浴を用いて形成されたクロムめっき皮膜を有する物品。 (もっと読む)


【課題】シアン化合物を含むことなく、耐腐食性の良好なめっき被膜の得られる銅−亜鉛合金電気めっき浴およびスチールコード用ワイヤを提供する。
【解決手段】銅塩と、亜鉛塩と、ピロりん酸アルカリ金属塩と、アミノ酸またはその塩から選ばれた少なくとも一種と、を含有する銅−亜鉛合金電気めっき浴において、浴中に含まれる銅イオンおよび亜鉛イオンの総容量モル濃度Mに対する、アミノ酸またはその塩の容量モル濃度Aの比(A/M)が、5%以下である銅−亜鉛合金電気めっき浴である。 (もっと読む)


【課題】アンモニアベースの浴からパラジウムおよびパラジウム合金をめっきするための高速方法を提供する。
【解決手段】パラジウム電気めっき浴として、パラジウム源の1種以上、アンモニウムイオン及び尿素から本質的になる組成物とし、少なくとも10アンペア/dm2の電流密度を発生させてパラジウムを堆積させる方法。また、別の態様においては、パラジウム合金電気めっき浴として、パラジウム源の1種以上、合金形成金属源の1種以上、アンモニウムイオン及び尿素から本質的になる組成物とし、少なくとも10アンペア/dm2の電流密度を発生させてパラジウム合金を堆積させる方法。 (もっと読む)


【課題】シアン化合物を含むことなく、経時的に安定なめっき被膜の得られる銅−亜鉛合金電気めっき浴および銅−亜鉛合金めっき付きスチールコード用ワイヤを提供する。
【解決手段】銅塩、亜鉛塩およびソルビトールを含有する銅−亜鉛合金電気めっき浴である。さらに、アミノ酸またはその塩から選ばれた少なくとも一種を含有することが好ましく、浴中に含まれる銅イオンおよび亜鉛イオンの総容量モル濃度Mに対する、ソルビトールの容量モル濃度Sの比(S/M)が、2.0〜6.2%であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】
硬質金めっきが可能であり、かつめっき液の安定性が良好な、シアン化合物を用いない電解合金めっき液およびそれを用いた電解合金めっき方法を提供する
【解決手段】
本発明の電解金合金めっき液は、金イオンと、ニッケルまたはコバルトを含む少なくとも1種の金以外の金属イオンと、金亜硫酸塩以外の亜硫酸塩と、チオ硫酸塩および/またはチオシアン酸塩とを含有し、浴組成物にシアン化合物を含有しない。 (もっと読む)


【課題】シアン化合物を使用することなく、目的組成を有する均一で光沢のあるめっき層を広い電流密度範囲で形成することができる銅‐亜鉛合金電気めっき浴およびこれを用いためっき方法を提供する。
【解決手段】銅塩と、亜鉛塩と、ピロりん酸アルカリ金属塩または酒石酸アルカリ金属塩と、硝酸イオンとを含む銅‐亜鉛合金電気めっき浴である。前記硝酸イオンの濃度は0.001〜0.050mol/Lであることが好ましく、また、前記銅‐亜鉛合金電気めっき浴のpHは8〜14の範囲であることが好ましく、さらに、銅塩と、亜鉛塩と、ピロりん酸アルカリ金属塩と、硝酸イオンに加え、アミノ酸またはその塩から選ばれた少なくとも一種を含むことが好ましく、前記アミノ酸としてはヒスチジンを好適に用いることができる。 (もっと読む)


【課題】電子機器のコネクター等の部分めっきに適した、限られた狭い範囲に高い精度でめっきできる金含有部分めっき用めっき液を提供する。
【解決手段】シアン化金塩を金含有量として1.0〜15g/lと、脂肪族α−アミノ酸10〜100g/lと、伝導塩10〜100g/lと、を含有する金含有部分めっき用めっき液。本発明のめっき液は、脂肪族α−アミノ酸を含有するので、電気伝導度が50000μS以下である。本発明のめっき液は、めっきつきまわり性が低いので、フープめっき、リールツーリールめっきを用いた部分めっきに最適である。 (もっと読む)


特に、ブラインドマイクロビア(BMV)およびトレンチにおいて非常に均一な銅析出を生成させるために、銅を電解析出するための水性酸浴が提供され、前記浴は、少なくとも1種の銅イオン源、少なくとも1種の酸イオン源、少なくとも1種の光沢剤化合物および少なくとも1種のレベラー化合物を含み、少なくとも1種のレベラー化合物は、合成によって製造される非官能基化ペプチドおよび合成によって製造される官能基化ペプチドおよび合成によって製造される官能基化アミノ酸を含む群から選択される。
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【課題】シアン化合物を使用することなく、目的組成を有する均一で光沢のある合金層を、従来よりも高い電流密度であっても形成することができ、生産性に優れた銅−亜鉛合金電気めっき浴を提供する。
【解決手段】銅塩と、亜鉛塩と、ピロりん酸アルカリ金属塩と、アミノ酸またはその塩から選ばれた少なくとも一種とを含有し、pHが8.5〜14である銅−亜鉛合金電気めっき浴である。好適にはpHは10.5〜11.8であり、ピロりん酸アルカリ金属塩としてはピロりん酸カリウムおよびピロりん酸ナトリウムを好適に用いることができる。また、アミノ酸またはその塩としてはヒスチジンまたはその塩を好適に用いることができる。 (もっと読む)


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