【課題】 ＩＴＯ膜、太陽電池パネルの銅電極テンプレートのような比抵抗が大きい被メッキ物にも高い密着性で銅皮膜を良好に成膜する。
【解決手段】 比抵抗の大きい被メッキ物上にメッキ皮膜を形成する方法において、上記メッキ皮膜が電気銅メッキ浴を用いて形成した銅の電着皮膜であり、上記電気銅メッキ浴が、(ａ)可溶性銅塩と、(ｂ)ポリアミン類、アミノカルボン酸類などより選ばれた錯化剤と、(ｃ)アルカリ金属、アルカリ土類金属、アンモニウムのハロゲン化物、硫酸塩より選ばれた導電性塩とを含有し、且つ、浴のｐＨが３〜１１である電気銅メッキ方法である。銅メッキ浴に特定の錯化剤と特定の導電性塩を複合添加するため、ＩＴＯ膜などの比抵抗の大きな被メッキ物にも充分な密着性で銅皮膜を良好に成膜できる。 （もっと読む）

【課題】長期間にわたり保存しても六価のクロムの生成が抑制された水酸化クロムスラリーを提供すること。
【解決手段】本発明の水酸化クロムスラリーは、ポリフェノール類を含有することを特徴とする。ポリフェノール類は０．０５〜０．５重量％含有されることが好適である。ポリフェノール類としては、ポリヒドロキシベンゼン類を用いることが好適である。あるいはカテキン等の植物由来のポリフェノール類を用いることも好適である。水酸化クロムスラリーはそのｐＨが６〜１１であることが好適である。 （もっと読む）

【課題】電気めっき方法で形成される鉄−ニッケル合金めっき皮膜について、熱処理後においても皮膜硬度の低下が生じ難い新規な鉄−ニッケル合金めっき皮膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ニッケル塩、第一鉄塩、錯化剤及び緩衝剤を含む水溶液中に平均粒径３μｍ以下の微粒子を分散させた鉄−ニッケル合金めっき液中で、電気めっき法によって該微粒子が共析した鉄−ニッケル合金めっき皮膜を形成した後、形成されためっき皮膜を４００℃以上の温度で熱処理することを特徴とする、低膨張特性及び高硬度を有する鉄−ニッケル合金めっき皮膜の製造方法。 （もっと読む）

本発明は、成分Ａとして少なくとも１種の溶媒、成分Ｂとして少なくとも１種の電解質、および成分Ｃとして、電解質溶液全体に対して０．１〜２０質量％の一般式（Ｉ）の少なくとも１種の複素環式芳香族化合物を含む電解質溶液、電解質溶液中でのそのような化合物の使用法、電気化学的セルにおけるまたは金属メッキのためのそのような電解質溶液の使用法、ならびに、対応する電解質溶液を含む電気化学的セルに関する。 （もっと読む）

【課題】
金皮膜の膜厚を０．１μｍ未満にしても金皮膜にピンホールを生じさせないめっき液を提供する。
【解決手段】
シアン化金及び／又はシアン化金塩と、水溶性コバルト塩又は水溶性ニッケル塩と、有機酸伝導塩と、芳香族スルホン酸化合物と、カルボン酸、オキシカルボン酸、及びこれらの塩から成る群から選択される１又は２種以上の組合わせと、窒素を含む五員複素環式化合物複素芳香族化合物と、を含有する電解硬質金めっき液を用いて部分めっき処理を行うと金皮膜の膜厚が０．１μｍ未満であっても金皮膜にピンホールを生じさせない。 （もっと読む）

【課題】被めっき物の量の多少に関わらず、めっき未着やフクレや剥離などの密着不良が発生しにくく、めっき皮膜にこげや光沢不良のない均一なめっき被膜を得ることができるバレル電気めっき方法を提供する。
【解決手段】本発明は、アルミニウム又はアルミニウム合金めっき浴を用いてバレル電気めっきを施す方法であって、被めっき物を収容したバレル(4)の内部に配置された陽極(6)を回転、揺動又は振動させると共に、陽極とバレルの内壁面に設けられた陰極との間に電圧を印加し、バレルを回転、揺動又は振動させることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】ゲル状態のめっき用組成物２Ａを用いたパターニングされた金属膜３の容易な作製方法を提供する。
【解決手段】 ゲル化剤と、電気化学反応を行うための導電性イオンと、溶媒と、を有し、ゾル状態で基板２０の上に吐出されゲル状態の所定のパターン形状となっためっき用組成物２Ａを用いてゲル化剤と、電気めっき反応を行うための金属イオンと、溶媒としての水と、を有するめっき組成物２をゾル状態とするゾル化工程と、ゾル状態のめっき組成物２を基板２０上で所定のパターン形状とするパターン形成工程と、所定のパターン形状のめっき組成物２Ａをゲル状態とするゲル化工程と、ゲル状態のめっき組成物２Ａを用いて電気めっき反応を行う電気めっき工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】プレス打抜き等により所望の複雑な形状に加工された後の、めっき焼けがなく、大量のスラッジ及び泡が発生せず、めっき付着性の良好な高電流密度Ｓｎめっき用硫酸浴を提供する。
【解決手段】主成分として硫酸：３０〜１２０ｇ／ｌ、硫酸錫：３０〜１５０ｇ／ｌを含有するとともに、光沢剤として親水性ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックポリマー：０．５〜５ｇ／ｌ、エチレンジアミンＥＯ−ＰＯ付加物：０．０２５〜２．５ｇ／ｌ、クミルフェノールＥＯ付加物：０．０２５〜２．５ｇ／ｌ、酸化防止剤としてピロガロール或いはハイドロキノン：０．３〜１０ｇ／ｌ、消泡剤として疎水性ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックポリマー：０．０５〜１ｇ／ｌを含有する。 （もっと読む）

亜鉛または亜鉛合金層の電着のための電解質浴のための添加物が記載されている。この添加物は末端にアミノ基を持つポリマーである。これらのポリマーは少なくとも１種のジアミノ化合物（２つの３級アミノ基を持つ）を、少なくとも１種の（疑似）ハロゲン化合物と反応させることによって得ることができる。その際、ジアミノ化合物は化学量論的に過剰で用いられる。この添加物は、特に亜鉛または亜鉛合金層の電着において層厚の均一な分布のみならず気泡形成能が殆どなく且つ燃焼もまれである、作用を示す。 （もっと読む）

【課題】銅合金板に高電流密度でＳｎめっきするに際し、泡立ちが少なくめっき焼けも生じない硫酸浴及びこの硫酸浴を用いたＳｎめっき方法を提供する。
【解決手段】主成分として硫酸：３０〜１２０ｇ／ｌ、硫酸錫：３０〜１５０ｇ／ｌを含有するとともに、光沢剤として親水性ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックポリマー：０．５〜５ｇ／ｌ、エチレンジアミンＥＯ−ＰＯ付加物：０．０２５〜２．５ｇ／ｌ、アルキルアミン化合物ＥＯ付加物：０．０２５〜２．５ｇ／ｌ、酸化防止剤としてピロガロール或いはハイドロキノン：０．３〜１０ｇ／ｌ、消泡剤として疎水性ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックポリマー：０．０５〜１ｇ／ｌを含有する。 （もっと読む）

【課題】コネクター素材にＮｉバリア層を設けるための部分めっき処理において、Ｎｉバリア部に形成される金めっき皮膜を抑制することの出来る金めっき液を提供する。
【解決手段】シアン化金及び／又はその塩と、コバルト塩と、有機酸伝導塩と、ニトロ基含有化合物と、カルボン酸、オキシカルボン酸、及びそれらの塩、からなる群から選択される１又は２以上の化合物と、を含有する電解硬質金めっき液。 （もっと読む）

【課題】異方性導電接着剤や、相手金属と共晶を形成させる電極接合に適した硬度と形状を有する電極を形成させるために用いる電極形成用めっき浴及びそれを用いた電極形成方法を提供する。
【解決手段】（ａ）亜硫酸金アルカリ塩又は亜硫酸金アンモニウム塩が金濃度として１〜２０ｇ／Ｌと、
（ｂ）Ｔｌ化合物、Ｐｂ化合物又はＡｓ化合物からなる結晶調整剤が金属濃度として０．１〜１００ｍｇ／Ｌと、
（ｃ）亜硫酸ナトリウムが５〜１５０ｇ／Ｌと、
（ｄ）無機酸塩、カルボン酸塩又はヒドロキシカルボン酸塩が塩濃度として１〜６０ｇ／Ｌと、
（ｅ）所定の置換芳香族化合物が０．１〜２００ｍｍｏｌ／Ｌと、
を含有する電極形成用金めっき浴を用いて、めっきすることにより電極を形成させる。 （もっと読む）

センサー表面が金基板であり、制御された結晶面を有する金ナノ構造が基板に強く接着している水銀蒸気センサーである。このセンサー表面を用いることによって、水晶振動子微量天秤（ＱＣＭ）ベースの水銀蒸気センサーの応答規模および安定性における実質的な増加が達成される。金基板上に金ナノ構造を形成する方法は、金の作用電極上にテトラハロ金（III）酸またはテトラハロ金（III）酸アルカリ金属塩および添加剤（例えば酢酸鉛）の溶液から、２０〜４０℃の電着温度で、少なくとも１５秒間の電着時間金を電着する工程を含む。析出溶液の組成、温度、および電流密度によって成長は制御される。析出速度は析出回数と同様に様々であってよく、好ましくは約１５０秒であるが、１５分のように長くてもよい。好ましい析出溶液は、２．７１８ｇ／ｌのテトラクロロ金（III）酸水和物、および、０．１〜０．５ｇ／ｌの酢酸鉛を含む。 （もっと読む）

【課題】 広い電流密度範囲での均一性等の向上と、良好な皮膜外観やハンダ付け性を達成し、バレルメッキに際して、導電性媒体や被メッキ物同士の凝集を防止する。
【解決手段】 (Ａ)第一スズ塩と、第一スズ塩及び銀、銅、ビスマス、インジウム、亜鉛、アンチモン、ニッケル、鉛からなる群より選ばれた金属の塩の混合物とのいずれかよりなる可溶性塩と、(Ｂ)酸又はその塩と、(Ｃ)ジベンゾチアゾリルジスルフィドジスルホン酸二ナトリウムなどを具体例とするジベンゾアゾールジスルフィドスルホン酸化合物とを含有するスズ又はスズ合金メッキ浴である。化合物(Ｃ)を含有するため、広い電流密度範囲で皮膜の均一性や平滑性を向上でき、皮膜外観やハンダ付け性に優れ、当該浴をバレルメッキに適用すると、導電性媒体同士の凝集を防止できる。 （もっと読む）

本発明は、（１）水溶性三価クロム塩；（２）三価クロムイオン用の少なくとも１つの錯化剤；（３）ｐＨを２．８〜４．２にするのに十分な水素イオン源；（４）ｐＨ緩衝化合物；及び（５）硫黄含有有機化合物を含むクロム電解めっき溶液を含むクロム電解めっき溶液からなる。前記クロム電解めっき溶液は、装飾物品に接着性金属コーティングを施す方法で使用可能であり、前記コーティングは、塩化カルシウム含有環境における耐食性が強化されている。 （もっと読む）

【課題】良好なめっき皮膜性能を実現するめっき浴及びそれを用いためっき方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るめっき浴は、実質的にシアン化合物を含有せず、
（Ａ）化学式（１）
Ｘ¹Ｘ²ＮＣ(＝Ｓ) ＮＸ³Ｘ⁴ （１）
［（１）におけるＸ¹、Ｘ²、Ｘ³及びＸ⁴は、水素、アルキル、アリル又は下記化学式（２）
−（ＣＨＺ¹−ＣＨ₂−Ｓ）_n−Ｙ （２）
のいずれかで表される基である。（２）におけるＺ¹は、水素又はメチル基であり、ｎは０〜１０の整数を表し、Ｙは、下記化学式（３）
−ＣＨＺ²−ＣＨ₂−Ｄ （３）
で表される基である。（３）におけるＺ²は、水素又はメチル基であり、Ｄは、ＳＨ、ＯＨ、ＮＸ⁵Ｘ⁶又はＣＯＯＨである。前記Ｘ⁵及びＸ⁶は、互いに同一又は異なっていてよい。また、前記Ｘ¹、Ｘ²、Ｘ³及びＸ⁴のうち、少なくとも一つは（２）で表される基である。］
で表されるチオ尿素系化合物、
（Ｂ）めっき金属として第４〜６周期の第８〜１１族、水銀を除く第１２族、第１３族、第１４族、及び、第１５族から選ばれた金属の水溶性塩又は水溶性錯体の一種又は二種以上、
を含有する。 （もっと読む）

【課題】鉛を含まないスズ合金電気めっき組成物および方法を提供する。
【解決手段】基体上にスズ合金を堆積するための電解質組成物が開示される。電解質組成物はスズイオン、一種以上の合金形成金属のイオン、フラボン化合物およびジヒドロキシビス−スルフィドを含む。電解質組成物は鉛およびシアン化物を含まない。基体上にスズ合金を堆積する方法および半導体素子上に相互接続バンプを形成する方法も開示される。 （もっと読む）

【課題】バルク実装のような被めっき物がぶつかり合う状況での錫の削れカスが少なく、チップ部品同士のくっつきが少なく、かつ他のめっき特性も良好な錫めっき皮膜を得られる錫めっき液及びチップ部品のめっき方法を提供する。
【解決手段】（１）第一錫イオン、（２）錯化剤、（３）ノニオン系界面活性剤及び（４）酸化防止剤を含有する電気錫めっき液において、ノニオン系界面活性剤として、下記一般式（Ａ）で示される化合物及び下記一般式（Ｂ）で示される化合物を含有することを特徴とする、チップ部品用電気錫めっき液。一般式（Ａ）：Ｒ−（Ｃ_６Ｈ_４）−ＲＯ（ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ）_ｎＨ一般式（Ｂ）：ＨＯ−（Ｃ_２Ｈ_４Ｏ）_ｌ−（Ｃ_３Ｈ_６Ｏ）_ｍ−（Ｃ_２Ｈ_４Ｏ）_ｎ−Ｈ （もっと読む）

【課題】電解質溶液中に第一スズイオンを補給する改良された方法を提供する。
【解決手段】酸化第一スズを含む酸性溶液を用いて、水性電解めっき浴中にスズおよび合金形成金属を補給する方法が開示される。スズまたはスズ合金の電気めっき中に第一スズイオンおよび合金形成金属イオンが枯渇する。継続的かつ効果的な電気めっきプロセスを維持するために、スズおよびその合金形成金属を含むめっき浴の所定量がベールアウトされる。ベールアウトは、次いで、酸化第一スズおよび任意の合金形成金属を含む酸性溶液の所定量と混合される。その混合物は、次いで、めっき浴に戻されて、第一スズイオンおよび合金形成金属イオンをその定常状態濃度に戻す。 （もっと読む）