【課題】 浴中での銀イオンの安定性が改善され、十分な錯化力が得られるとともに、生産コストを低減できる、実用性に優れたシアン化物非含有銀系メッキ浴を提供することにある。
【解決手段】 本発明のシアン化物非含有銀系メッキ浴は、銀塩を含む可溶性塩と、下記一般式（Ｉ）等でそれぞれ示される化合物からなる群より選ばれた１種以上のスルフィド
系化合物とを含有する。
一般式（Ｉ）：
【化１】


（式中、ｎは２〜４の整数を表す。Ｒ₁及びＲ₂は同一又は異なって、Ｃ₁〜₃アルキル又は水酸基が置換してもよいＣ₂〜₆アルキレン基を表す。Ｍは、水素、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アンモニウム又は有機アミンを表す。）で示される化合物。 （もっと読む）

Ｓｎ^２＋イオン源、Ａｇ^＋イオン源、チオ尿素化合物及び／或いは第４級アンモニウム塩の界面活性剤を含む電解メッキ浴にバンプ下冶金構造を曝し、Ｓｎ−Ａｇ合金をバンプ下冶金構造に沈着させるため、外部から電子を電解浴に供給することからなる、マイクロ電子デバイス製造におけるバンプ下冶金構造上にハンダ・バンプを形成するためのプロセス。 （もっと読む）

【課題】浴の均一電着性に著しい影響を及ぼさず、平坦な銅堆積物を提供する、レベリング剤の提供。
【解決手段】窒素、硫黄および窒素と硫黄の混合から選択されるヘテロ原子を含む化合物の、エーテル結合を含有するポリエポキシド化合物との反応生成物であるレベリング剤を含有する銅メッキ浴であって、電子デバイスの表面上およびかかる基体上の開口部中に銅を堆積させる銅メッキ浴が提供される。かかるメッキ浴は、電解質濃度の範囲全体にわたって実質的に平面的な基体表面上に銅層を堆積させる。このような銅メッキ浴を用いて銅層を堆積させる方法も開示される。 （もっと読む）

【課題】建浴後の経時的な劣化が殆どなく、且つより微細な構造であっても溝や穴に電解銅メッキによって銅を良好に埋め込むことを可能にする、電解銅メッキ用添加剤、該添加剤を必須の有効成分として含有する電解銅メッキ浴、及びこの銅メッキ浴を用いた電解銅メッキ方法の提供。
【解決手段】以下の一般式（１）で表される化合物からなる電解銅メッキ用添加剤：


（式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基または炭素数１〜３の置換基を有していてもよい炭素数５〜９のシクロアルキル基であり、Ｒ^１〜Ｒ^４の全てが同時に水素原子であることは無く、Ｍは、アルカリ金属、アンモニウムまたは１価の有機アンモニウムを表す） （もっと読む）

【課題】インデント加工した場合でも、錫リフロー材などの他の種類の錫めっき材との間の摩擦係数が極めて低い錫めっき材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】炭素粒子および芳香族カルボニル化合物を添加した錫めっき液を使用して電気めっきを行うことにより、錫層中に炭素粒子を含有する複合材からなる皮膜を素材上に形成する際に、錫めっき液中の炭素粒子の濃度を２０ｇ／Ｌ未満、好ましくは１０ｇ／Ｌ以下にすることにより、適度に凝集した炭素粒子が錫層中に適度に分散した複合材からなる皮膜を素材上に形成され、リフロー処理を施した錫めっき材との間の摩擦係数が０．１６以下、算出平均粗さＲａが０．１〜０．５μｍ、最大高さＲｙが８〜１６μｍ、十点平均粗さＲｚ７〜１２μｍ、光沢度が０．８以上、皮膜の厚さが０．５〜３μｍ、皮膜中の炭素の含有量が０．１〜１．２重量％以下の錫めっき材を製造する。 （もっと読む）

【課題】 半導体デバイスなどの電子部品をめっきしても、回路間の絶縁が不良となるなどの問題を生ずることのないめっき浴用添加剤、それに用いることのできるスルホカルボン酸剤、さらには、より高純度のスルホカルボン酸エステル剤、およびこれを用いたより高品質の界面活性剤を提供する。
【解決手段】 スルホカルボン酸を主成分とし、該スルホカルボン酸に対してアルカリ金属の含有量が０．０５質量％未満であるスルホカルボン酸剤、および、スルホカルボン酸エステルを主成分とし、該スルホカルボン酸エステルに対してアルカリ金属の含有量が０．０５質量％未満であるスルホカルボン酸エステル剤である。スルホカルボン酸は、チオール基を有するカルボン酸を、過酸化水素で酸化することにより好適に得ることができ、スルホカルボン酸エステルは、さらに、これをエステル化することにより好適に得ることができる。 （もっと読む）

【課題】めっき性能を劣化させずに、無排水の回収型電気亜鉛めっきを行う方法及び装置を提供する。
【解決手段】陽イオン交換膜６により隔離された不溶性陽極４と可溶性陽極３を備えためっき浴内で電気亜鉛めっきを行い、めっき後の被めっき物５を水洗槽８〜１０で順に水洗して、めっき浴から持ち出された付着めっき液を回収する。不溶性陽極の隔離により不溶性陽極上での塩や有機物の分解が防止される。水洗槽内の水洗水は順次前段の水洗槽に送る。最前段の水洗槽８内の水洗水および／またはめっき液１の一部は、濃縮器７で濃縮して、めっき浴に戻す。光沢剤としてベンジリデンアセトンを使用することにより、濃縮中にその陰極分解物を蒸発させて除去することができるので、めっき液の回収を繰り返しても、この分解物がめっき液中に蓄積するのが防止される。 （もっと読む）

【課題】 錫及び錫合金半田めっきにおいて、ウィスカーの発生を抑制することのできる、めっき液、めっき膜及びその作製方法を提供する。
【解決手段】 錫めっき膜又は錫合金めっき膜を作製するためのめっき液に、サッカリンナトリウムを含有させる。好ましくは、サッカリンナトリウムを１５ｇ／ｌ以上含有させる。このめっき液を用いて作製されためっき膜は、錫の平均結晶粒径が１．５μｍ以下であり、ウィスカーの発生が抑制されている。めっき時の電流密度を１５ｍＡ／ｃｍ²以上、カソード電位を飽和カロメル電極（ＳＣＥ）に対して９００ｍＶ以上とすることにより、より確実にウィスカーの発生を抑制することができる。
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【課題】 安定してアスペクト比が１以上の平面コイルを製造可能な製造方法を提供すること。
【解決手段】 この製造方法は、渦巻状にパターン形成されている下地導体層を少なくとも一方の面に有する絶縁基板を準備する準備工程（Ｓ０１〜Ｓ０７）と、絶縁基板をめっき液に浸漬させ、下地導体層に電解めっきを施してコイル導体を形成する形成工程（Ｓ０８）と、を備え、めっき液は、ポリマー及びブライトナーを含む硫酸銅系めっき液であり、形成工程において、めっき液におけるブライトナーの濃度が４〜２５ｍｌ／ｌとなるように管理する。 （もっと読む）

被覆される基板を少なくともスズおよび銅のイオン、アルキルスルホン酸と湿潤剤を含む酸性電解質中でめっきするブロンズの電着の方法、ならびに該電解質の調製方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、ウィスカの発生防止と良好なはんだ付性（低融点）を両立させたＳｎ合金薄膜を形成する方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明の方法は、基材をめっき浴に浸漬し、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ三元合金薄膜を基材上の全面または部分に電気めっきにより形成するものであり、Ｓｎ化合物と、Ａｇ化合物と、Ｃｕ化合物と、無機系キレート剤と、有機系キレート剤とを含むめっき浴を用い、無機系キレート剤は、化学式（Ｉ）で表される金属フルオロ錯体系キレート剤であり、Ａｇ化合物１質量部に対して１質量部以上３００質量部以下の比率で配合され、有機系キレート剤は、ポルフィリン類であり、Ｃｕ化合物１質量部に対して１質量部以上２００質量部以下の比率で配合される。
ＭＦ_X^(X-Y)-・・・（Ｉ）
（化学式（Ｉ）中、Ｍは任意の金属を示し、Ｘは任意の自然数を示し、ＹはＭの酸化数を示す。） （もっと読む）

【課題】スズ−ビスマス合金層沈着（析出）のための電解質及び方法
【解決手段】本発明は、一種以上のアルキルスルホン酸及び／又はアルカノールスルホン酸、一種以上の可溶性スズ（ＩＩ）塩、一種以上の可溶性ビスマス（ＩＩＩ）塩、一種以上の非イオン性界面活性剤及び一種以上のチアゾール及び／又はチアヂアゾール化合物を含む、スズ−ビスアス合金の沈着のための酸性電解質を記述する。加えて、前記電解質を用いた方法、該方法を用いて得られたコーティング、並びに電子部品コーティングのための前記電解質の使用も可能にする。 （もっと読む）

【課題】 比較的短時間で形成することができ、環境への負荷が小さく耐食性に優れためっき皮膜およびそのめっき皮膜を形成するためのめっき液を提供する。
【解決手段】 めっき皮膜が、スズと鉄との二元合金、または、スズと、鉄と、亜鉛、コバルト、ニッケル、タングステン、モリブデン、銅、銀、金、ビスマス、インジウム、パラジウム、ロジウム、白金、リンおよびホウ素からなる群から選択される少なくとも１種との多元合金からなる。このめっき皮膜は電気めっき法を用いて基材上に形成される。 （もっと読む）

【課題】 摩擦係数が極めて低い錫めっき材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 炭素粒子と、芳香族アルデヒドまたは芳香族ケトンなどの芳香族カルボニル化合物とを添加した錫めっき液を使用して電気めっきを行うことにより、錫層中に炭素粒子を含有する複合材からなる皮膜を素材上に形成し、同種の錫めっき材同士の摩擦係数が０．１８以下、好ましくは０．１３以下、光沢度が０．２９以上、皮膜の厚さが０．５〜１０μｍ、皮膜中の炭素の含有量が０．１〜１．５重量％、接触抵抗が１．０ｍΩ以下である錫めっき材を製造する。この錫めっき材では、皮膜の表面に互いに離間した複数の突起部が形成され、これらの突起部が炭素粒子を含有し、錫マトリックスが１０１面に配向している。 （もっと読む）

【課題】 酸性電気銅メッキ浴において、先ず、均一電着性に優れ、次いで、高いビアフィリング能力を発揮させる。
【解決手段】 可溶性銅塩とベース酸を含有し、ベース酸が有機酸であり、錯化剤に特定の脂肪族チオアミノカルボン酸又はその塩（メチオニンなど）、脂肪族メルカプトカルボン酸又はその塩（メルカプトコハク酸など）、スルフィド類（３,６−ジチアオクタン−１,８−ジオールなど）、アミノカルボン酸類（ジエチレントリアミンベンタ酢酸など）、或はチオ尿素類を選択した電気銅メッキ浴である。また、ベース酸の種類を問わず、上記錯化剤に準じた種類の錯化剤を含むメッキ浴も有効である。特定の錯化剤を含む有機酸又は無機酸の銅浴であるため、従来の硫酸銅浴などに比して素地表面への均一電着性に優れる。さらには、高いビアフィリング能力も有する。 （もっと読む）

【課題】 鉛フリーのスズ−銀系合金又はスズ−銅系合金電気メッキ浴において、メッキ処理時のスズ又はスズ合金アノード表面への銀又は銅の置換析出を有効に防止する。
【解決手段】 第一スズ塩と、銀又は銅塩と、各種の酸を含有するスズ−銀系合金又はズ−銅系合金電気メッキ浴において、ＨＬＢが７.３〜１５.２のジスチレン化フェノールポリアルコキシレート、ＨＬＢが７.０〜１０.４のトリスチレン化フェノールポリアルコキシレート、ＨＬＢが８.２〜１５.０のジスチレン化クレゾールポリアルコキシレート、ＨＬＢが７.７〜１３.９のトリスチレン化クレゾールポリアルコキシレートよりなるノニオン系界面活性剤を添加した鉛フリーのスズ−銀系合金又はスズ−銅系合金電気メッキ浴である。所定のＨＬＢを有する特定化学構造種のノニオン系界面活性剤を選択添加するため、アノード表面への銀又は銅の置換析出を防止して浴中の銀又は銅の消耗を抑止し、メッキ浴組成を安定化できる。 （もっと読む）

サブミクロン径の内部配線凹凸を有する半導体集積回路基板上をＣｕを電気メッキするための組成物と電気メッキする方法が提供される。この組成物はＣｕイオンとポリエーテル基を含む抑制剤からなる。この方法は、超充填速度で迅速なボトムアップ沈積をする超充填方法に関し、これにより垂直な方向での凹凸の底から凹凸の上部開口までＣｕ沈積が側面のＣｕ沈積よりも実質的に大となる。 （もっと読む）

【課題】 鉛フリーの酸性スズ−ビスマス系合金電気メッキ浴において、メッキ処理時のスズ又はスズ合金アノード表面へのビスマスの置換析出を防止する。
【解決手段】 ジエチレントリアミンペンタ酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミントリ酢酸、トリエチレンテトラミンヘキサ酢酸、Ｎ,Ｎ−ジカルボキシメチル−Ｌ−グルタミン酸、Ｎ,Ｎ−ジカルボキシメチル−Ｌ−アスパラギン酸、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸、ニトリロトリス（メチレンホスホン酸）、ホスホノブタントリカルボン酸、ヒドロキシエチルアミノジメチレンホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸、Ｎ,Ｎ−ジカルボキシメチル−Ｌ−アラニン、ヒドロキシエチルイミノジ酢酸、１,３−ジアミノ−２−ヒドロキシプロパンテトラ酢酸、メルカプトコハク酸、これらの塩から選ばれた錯化剤を添加した鉛フリーの酸性スズ−ビスマス系合金電気メッキ浴である。特定種のアミノカルボン酸類又はホスホン酸類などを選択添加する。 （もっと読む）

銀源としてシアン化物を用いた電解銀めっき液において、Ａｓ，Ｔｌ，ＳｅおよびＴｅの化合物を光沢剤として１種以上含有し、ベンゾチアゾール骨格もしくはベンゾオキサゾール骨格を有する光沢調整剤を含有することを特徴としている。このめっき液は、光沢剤の高速性を最大限に生かしながら、電流密度に影響されずに安定な無光沢または半光沢のめっき外観が得られ、かつ、管理が容易である。 （もっと読む）

【課題】金属性プラスチック等の基質上に、引抜（ｐｕｌｌ−ｔｈｒｏｕｇｈ）装置中で、酸性電解質からの艶のない又は半光沢の銅層を電解析出するための方法及び電解質を提供する。
【解決手段】高速引抜装置中で、少なくとも銅、スルホン酸アルキル、ハロゲン化物イオン、エトキシレート、ナフタレン縮合生成物成分からなる電解液を用い、１０から１００Ａ／dm²の間からなる電流密度で、電解温度２２から６０℃で電解することにより、基質上に艶のない又は半光沢の銅層を電解析出させる。 （もっと読む）