【課題】電解銅めっき浴およびそのめっき方法を提供する。
【解決手段】１種以上の特定のピリジン化合物と１種以上のエポキシド含有化合物との反応生成物である平滑化剤を含む銅めっき浴。この浴は導電層の表面上に銅を堆積させる。このめっき浴は広範囲の電解質濃度にわたって基体表面上に実質的に平坦な銅層を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】メタンスルホン酸を含有するめっき浴を用い、低電流密度条件で優れためっき均一性の得られる錫めっき鋼帯の製造方法を提供する。
【解決手段】搬送される鋼帯に電気錫めっきを施す錫めっき鋼帯の製造方法において、10〜80 g/l(リットル)の錫イオン、15〜70 g/lの遊離メタンスルホン酸、0.1〜10 g/lの光沢剤および0.1〜5 g/lの酸化防止剤を含有するめっき浴を使用し、かつ下記の式(1)を満足する電流密度C A/dm²にて電気錫めっきを施す錫めっき鋼帯の製造方法；50≧C≧2.9×[Fe]-14.3・・・(1)、ただし、[Fe]はめっき浴中のFeイオン濃度(g/l)を表す。 （もっと読む）

【課題】コストに与える影響を抑制しつつ、得られためっきにおける「ヨリ」の発生を抑制することが可能な、スズ系めっき用酸性水系組成物を提供する。
【解決手段】水溶性第一スズ含有物質と、非イオン性界面活性剤およびポリオキシアルキレン基を有するイオン性界面活性剤からなる群から選ばれる一種または二種以上の界面活性剤と、芳香族カルボニル化合物からなる光沢成分と、２位および４位の少なくとも一つが電子求引性基により置換されたピリジン誘導体からなる光沢補助剤とを含有するスズ系めっき用酸性水系組成物が提供される。 （もっと読む）

【課題】銅堆積物において内部応力を軽減する銅電気めっき方法を提供する。
【解決手段】１種以上の銅イオン源、１種以上の抑制剤、および艶消し外観の銅堆積物を提供するのに充分な量の１種以上の促進剤を含む組成物と基体とを接触させめっきを行う。促進剤には３−メルカプトプロパン−１−スルホン酸、エチレンジチオジプロピルスルホン酸、ビス−（ω−スルホブチル）−ジスルフィド、メチル−（ω−スルホプロピル）−ジスルフィド、Ｎ，Ｎ−ジメチルジチオカルバミン酸（３−スルホプロピル）エステル、（Ｏ−エチルジチオカルボナト）−Ｓ−（３−スルホプロピル）−エステル、３−［（アミノ−イミノメチル）−チオール］−１−プロパンスルホン酸、３−（２−ベンジルチアゾリルチオ）−１−プロパンスルホン酸、ビス−（スルホプロピル）−ジスルフィドおよびこれらのアルカリ金属塩が挙げられる。 （もっと読む）

【課題】銅または銅合金下層上での接着促進を可能にするシアン化物非含有スズ／銅浴からホワイトブロンズめっき方法を提供する。
【解決手段】銅下層を被覆する空隙抑制層上に、シアン化物非含有スズ／銅浴からホワイトブロンズが電気めっきされる。この空隙抑制金属層は１種以上の空隙抑制金属を含む。 （もっと読む）

【課題】微細な構造であっても溝や穴に電解銅メッキによって銅を良好に埋め込むことができる銅メッキ光沢剤と銅メッキ抑制剤を必須の有効成分として含有する半導体用電解銅メッキ浴、及び該電解銅メッキ浴を用いた半導体用電解銅メッキ方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（２）で表わされる銅メッキ光沢剤を０．１〜１００質量ＰＰＭと、ポリエチレングリコールなどの抑制剤を含有してなることを特徴とする半導体用電解銅メッキ浴および該めっき浴を用いる半導体の電解銅めっき方法。


（式中、Ｒ^１及びＲ^２は、水素原子又はメチル基を示し、Ｒ^１及びＲ^２がともに水素原子となるものは除く。Ｍは、リチウム、ナトリウム及びカリウムから選ばれる原子又はアンモニウムもしくは１価の有機アンモニウム基を示す。） （もっと読む）

【課題】 各種のメッキ浴において、水への溶解性と消泡性を両立できるとともに、メッキ液の管理を容易にする。
【解決手段】 Ｃ₂〜Ｃ₄アルキレンより選ばれたオキシアルキレン鎖を有し、当該オキシアルキレン鎖に３位の窒素原子を介してイミダゾール環が結合するとともに、イミダゾール環が末端に位置する新規のイミダゾール環結合型オキシアルキレン化合物を各種メッキ浴に使用すると、従来のノニオン性界面活性剤に比べて、末端へのイミダゾール環基の導入によって水溶性を良好に保持しながら、発泡性を顕著に低減できる。ノニオン界面活性剤の分子中にイミダゾール環基が存在する当該化合物を例えば銅メッキ浴に用いると、界面活性剤の作用とレベリング作用を兼備でき、メッキ液を簡便に管理できる。 （もっと読む）

【課題】 低電流密度部から高電流密度部まで均一なめっき被膜を形成させて良好な光沢性を付与し、また不使用時においても消耗しない電気銅めっき用添加剤及びその添加剤を含有した電気銅めっき浴を提供する。
【解決手段】 電気銅めっき浴に、下記一般式（１）で示されるブロックポリマー化合物からなる電気銅めっき用添加剤を添加させる。
【化１】


（但し、式中、Ｒは直鎖又は分岐鎖の炭素数１〜１５のアルキル基又はアルケニル基を表し、ｍは１〜３０、ｎは１〜４０の整数である。） （もっと読む）

【課題】高縦横比のビアホールを埋め込むのに好適な銅めっき溶液および銅めっき方法を提供する。
【解決手段】シード層を有する基板を浸漬し、水、銅供給源、電解物質、塩素イオン、第１添加剤、第２添加剤、および第３添加剤を含み、前記第１添加剤は、化学式１に示す化合物である銅めっき溶液を用いて銅めっきを行う。


（式中、Ｒは、水素原子または炭素原子数１〜６のアルキル基であり、ｍは、平均重合度であり６〜１４の実数である。） （もっと読む）

【課題】ボイドを形成せず、盛り上がりをはじめとするオーバープレーティングの減少を示し、種々のフィーチャーサイズの上の滑らかで平坦な堆積物を提供し、および種々の電解質濃度を使用する、半導体製造において使用するためのレベリング剤を提供する。
【解決手段】特定のアミン類とポリエポキシドと化合物の反応生成物を電解銅メッキ浴のレベリング剤として使用する。 （もっと読む）

【課題】長時間保管後も高強度を維持し、加熱後も高強度で、かつ電気伝導性に優れた電解銅箔を提供する。
【解決手段】（Ａ）ジチオカルバミン酸誘導体又はその塩、（Ｂ）チオ尿素、（Ｃ）メルカプト基を有する水溶性イオウ化合物又はその誘導体又はそれらの塩、（Ｄ）ポリアルキレングリコール及び（Ｅ）塩素イオンを添加剤として含有する硫酸酸性銅めっき液を電気分解することにより電解銅箔を製造する。 （もっと読む）

【課題】特に半導体集積回路（ＩＣ）デバイス製造の分野において、約１００ｎｍより小さい、好適には約７０ｎｍより小さい、更に好適には約５０ｎｍより小さい、より好適には約３５ｎｍより小さい幅を有するトレンチ、バイアなどの開口部を充填する電着方法を提供する。
【解決手段】０．５ｍｍｏｌ・ｌ^−１と５０ｍｍｏｌ・ｌ^−１との間に含まれる銅イオン濃度と、電着浴の体積あたり０．０５％と１０％との間に含まれる酸濃度とを有する電着浴中に基板を浸責し、銅の堆積物を電着する。 （もっと読む）

【課題】銅合金板に高電流密度でＳｎめっきを施すに際し、泡立ちが少なくてスラッジの発生量も少なくめっき焼けも発生しない高電流密度Ｓｎめっき用硫酸浴及びその硫酸浴を用いた銅合金板へのＳｎめっき方法を提供する。
【解決手段】主成分として硫酸：３０〜１２０ｇ／ｌ、硫酸錫：２０〜１５０ｇ／ｌを含有するとともに、光沢剤としてポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテル：０．３〜５ｇ／ｌ、エチレンジアミンＥＯ−ＰＯ付加物：０．０５〜３ｇ／ｌ、ポリオキシエチレンナフチルエーテル：０．０５〜５ｇ／ｌ、脱酸素剤としてピロガロール：０．１〜１０ｇ／ｌを含有する高電流密度Ｓｎめっき用硫酸浴。 （もっと読む）

【課題】導電層の表面上に銅を堆積させる銅めっき浴を提供する。
【解決手段】めっき浴は、特定のベンゾイミダゾールと特定のエポキシド含有化合物との反応生成物である平滑化剤を含み、ある範囲の電解質濃度にわたって、基体表面上に実質的に平坦な銅層を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】圧延銅箔において粗化箔の表面粗度を低下させても、ピール強度の低下を抑えた粗化箔を提供する。
【解決手段】圧延銅箔と粗化銅めっき層との間に、表面が平坦になるように０．１μｍ以上０．４μｍ以下の下地銅めっき層を形成し非常に効率良く圧延銅箔の凹部を埋めることで、粗化箔の表面粗度を低下させても粗化粒子を均一に析出させ、ピール強度の低下を抑えた粗化箔を形成する。 （もっと読む）

【課題】プレス打抜き等により所望の複雑な形状に加工された後の、めっき焼けがなく、大量のスラッジ及び泡が発生せず、めっき付着性の良好な高電流密度Ｓｎめっき用硫酸浴を提供する。
【解決手段】主成分として硫酸：３０〜１２０ｇ／ｌ、硫酸錫：３０〜１５０ｇ／ｌを含有するとともに、光沢剤として親水性ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックポリマー：０．５〜５ｇ／ｌ、エチレンジアミンＥＯ−ＰＯ付加物：０．０２５〜２．５ｇ／ｌ、クミルフェノールＥＯ付加物：０．０２５〜２．５ｇ／ｌ、酸化防止剤としてピロガロール或いはハイドロキノン：０．３〜１０ｇ／ｌ、消泡剤として疎水性ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックポリマー：０．０５〜１ｇ／ｌを含有する。 （もっと読む）

【課題】 電解金属めっきにおいて、金属めっき後の防錆性が良好であり、かつ容易に除去できる金属めっき液添加剤を含有する金属めっき液を提供することを目的とする。
【解決手段】 脂肪族ジカルボン酸またはその塩（Ａ）、または脂肪族ジカルボン酸のハーフアミド（Ｂ）を必須成分として含有することを特徴とする金属めっき液添加剤に金属塩、無機酸、界面活性剤に添加した電解金属めっき液である。 （もっと読む）

【課題】銅合金板に高電流密度でＳｎめっきするに際し、泡立ちが少なくめっき焼けも生じない硫酸浴及びこの硫酸浴を用いたＳｎめっき方法を提供する。
【解決手段】主成分として硫酸：３０〜１２０ｇ／ｌ、硫酸錫：３０〜１５０ｇ／ｌを含有するとともに、光沢剤として親水性ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックポリマー：０．５〜５ｇ／ｌ、エチレンジアミンＥＯ−ＰＯ付加物：０．０２５〜２．５ｇ／ｌ、アルキルアミン化合物ＥＯ付加物：０．０２５〜２．５ｇ／ｌ、酸化防止剤としてピロガロール或いはハイドロキノン：０．３〜１０ｇ／ｌ、消泡剤として疎水性ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックポリマー：０．０５〜１ｇ／ｌを含有する。 （もっと読む）

キャリア銅箔層と、キャリア銅箔層の一表面に形成されたバリヤー層と、バリヤー層の表面に形成されたシード層と、からなり、バリヤー層は、ニッケルまたはニッケル合金層であり、シード層は、銅層であり、シード層の表面の平均粗度は、Ｒｚ：１．５μｍ未満、Ｒｍａｘ：２．５μｍ未満であるエンベデッドパターン用銅箔を提供する。 （もっと読む）

本発明に従えば、少なくとも１種の金属イオンの供給源、及び少なくとも１種の添加剤を含む組成物であって、
前記少なくとも１種の添加剤は、
ａ）縮合により、式（Ｉ）
Ｘ（ＯＨ）_ｎ （Ｉ）
の少なくとも１種のポリアルコールから誘導される多価アルコール縮合化合物と、
ｂ）少なくとも１種のアルキレンオキシドと、
を反応させ、ポリオキシアルキレン側鎖を含む多価アルコール縮合物を形成することによって得ることができ、ここで、
ｎは、３〜６の整数であり、及びＸは、ｎ−価の直鎖状、又は枝分かれした、２〜１０個の炭素原子を有し、及び置換されていても良く、又は置換されていなくても良い脂肪族、又は脂環式の基であることを特徴とする組成物が提供される。 （もっと読む）