【課題】選択的な部分めっき処理が可能で、コネクターなどの電子部品に好適な硬質金系めっき液を提供する。
【解決手段】可溶性金塩または金錯体、伝導塩、キレート化剤を含む硬質金系めっき液において、１つ以上のニトロ基を有する芳香族化合物、例えば、ニトロ安息香酸、ジニトロ安息香酸、ニトロベンゼンスルホン酸の一群から選ばれる芳香族化合物を含有することを特徴とする。また、コバルト塩、ニッケル塩、銀塩の少なくとも１種の金属塩、或いはポリエチレンイミンの有機添加剤をさらに含むことを特徴する。 （もっと読む）

特に、ブラインドマイクロビア（ＢＭＶ）およびトレンチにおいて非常に均一な銅析出を生成させるために、銅を電解析出するための水性酸浴が提供され、前記浴は、少なくとも１種の銅イオン源、少なくとも１種の酸イオン源、少なくとも１種の光沢剤化合物および少なくとも１種のレベラー化合物を含み、少なくとも１種のレベラー化合物は、合成によって製造される非官能基化ペプチドおよび合成によって製造される官能基化ペプチドおよび合成によって製造される官能基化アミノ酸を含む群から選択される。
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【解決課題】集積回路用のサブミクロン相互接続構造を製作する方法を提供する。
【解決手段】添加剤を含み、平坦で光沢があり延性があり低応力のＣｕ金属を付着させるのに通常用いられる浴からＣｕを電気めっきすることによって、ボイドのないシームレスな導体が得られる。ボイドまたはシームを残すことなくフィーチャを超充填できるこの方法の能力は独特であり、他の付着方法より優れている。この方法で電気めっきされたＣｕを利用する構造のエレクトロマイグレーションの抵抗は、ＡｌＣｕ構造または電気めっき以外の方法で付着されたＣｕを用いて製作された構造のエレクトロマイグレーションの抵抗より優れている。 （もっと読む）

半導体集積回路デバイス基板のシリコン貫通ビアフィーチャー（through silicon via feature）を金属被膜する方法であって、ここで前記半導体集積回路デバイス基板を銅イオン源、有機スルホン酸あるいは無機酸、あるいは分極剤および／あるいは減極剤から選ばれる１つあるいはそれ以上の有機化合物、および塩素イオンからなる電解銅堆積組成物に浸漬することからなる。 （もっと読む）

【課題】非貫通孔を金属で充填するのに好適な新規な電解めっき方法の提供。
【解決手段】界面活性剤、光沢剤、平滑化剤などの添加剤を含むめっき液を用いた電解めっき方法において、被めっき部材の表面および非貫通孔内における添加剤の吸着および離脱を制御するパルスめっき工程と、これに引続いて非貫通孔内を充填する直流めっき工程とからなる、非貫通孔を金属で充填する電解めっき方法。 （もっと読む）

【課題】安価で高い生産性を維持し、線幅の増大を低減し、経時後の色味変化が少なく、めっき密着性の良好な、高速めっき処理を可能にするめっき処理方法を提示すること。さらにその方法を用いて優れた導電特性を有する導電性膜および優れた電磁波遮蔽効果を有する透光性電磁波シールド膜をを提供すること。
【解決手段】表面抵抗が１〜１０００Ω/□のフィルム表面に連続して電解めっき処理を施すめっき処理方法であって、該めっき処理がめっき反応抑制性有機化合物、めっき促進性有機化合物及びめっき平坦化性有機化合物の少なくとも一つを含有する銅めっき液を用いる第１段階と、該第１段階の銅めっき液中の前記少なくとも一つの化合物を第１段階のめっき液中の濃度の０〜７０％の濃度で含む液による第２段階のめっき処理から構成されることを特徴とするめっき処理方法。 （もっと読む）

【課題】開口部内のはんだボール電極上に嵩上げ導体層を直流の電解銅めっきにて形成する際、予め電解銅めっきに使用する銅めっき液に銅めっき添加剤（促進剤）を添加することにより、嵩上げ導体層の表面形状を制御するようにしたＢＧＡ型キャリア基板の製造方法及びＢＧＡ型キャリア基板を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のＢＧＡ型キャリア基板１００は、絶縁基材１１の一方の面にランド２１ａ及び半導体チップを接続するための電極パッド２１ｂと、他方の面にランド２１ａと電気的に接続されたはんだボール形成用の嵩上げ導体層３１とＮｉ／Ａｕめっき層５１とが形成されており、嵩上げ導体層３１を直流の電解銅プラグめっきで形成する際、銅めっき液に予めジスルフィド（二硫化物）系銅めっき添加剤（促進剤）を所定量添加しておく。 （もっと読む）

【解決手段】基板上に形成された未貫通穴を銅で充填するために用いる電気銅めっき浴であって、水溶性銅塩、硫酸、塩化物イオン及び添加剤としてブライトナー、キャリアー及びレベラーを含有し、上記レベラーが、溶液中でカチオン化する４級窒素、３級窒素又はそれら両方を含有する水溶性ポリマーを１種以上含む電気銅めっき浴。
【効果】基板上に形成された未貫通穴を銅めっきにより充填するための電気銅めっき浴の銅めっき充填性を、レベラーである水溶性ポリマーの４級窒素と３級窒素との比率を変更するだけで、未貫通穴のサイズに合わせて簡便に調整でき、様々なサイズの未貫通穴に合わせて電気銅めっきすることができる。 （もっと読む）

本発明はポリビニルアンモニウム化合物、前記化合物の製造方法、銅めっきを電気分解的に析出するために少なくとも前記ポリビニルアンモニウム化合物を含む酸性水溶液、並びに、前記酸性水溶液を用いて銅めっきを電気分解的に析出する方法に関しており、前記ポリビニルアンモニウム化合物は一般化学式（Ｉ）に相当し、並びに、一般化学式（Ｉ）のポリビニルアンモニウム化合物において、添え字I及びｍを有するモノマー単位の一つが、又は両方が中性の状態で存在する。
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【課題】 新規なめっき用レベリング剤、並びに該レベリング剤を含む、酸性銅めっき浴用添加剤組成物、および該添加剤組成物を含む酸性銅めっき浴を提供する。
【解決手段】 特定構造のジアリルジアルキルアンモニウムアルキルサルフェイト−二酸化イオウ共重合体からなるめっき用レベリング剤、並びに、（Ａ）前記めっき用レベリング剤、（Ｂ）ポリマー成分および（Ｃ）ブライトナー成分を含む酸性銅めっき浴用添加剤組成物、および（Ｄ）銅イオン５〜７５ｇ／Ｌ、（Ｅ）有機酸および／または無機酸２０〜３００ｇ／Ｌを含む基本浴組成に、前記酸性銅めっき浴用添加剤組成物を配合してなる酸性銅めっき浴である。 （もっと読む）

微小電子機器製造で基板上にＣｕを電気めっきするための方法と組成物であって、Ｃｕイオン源とレベリングのための置換ピリジル高分子化合物を含む。 （もっと読む）

金属又はプラスチック部品の大きな領域上に、高研磨で、装飾的な光沢があり、滑らかで且つ平坦な銅被膜を電解で析出するための酸性水溶液は、ａ）少なくとも一種の酸素含有高分子添加剤と、ｂ）少なくとも一種の水溶性硫黄化合物を含み、その中で、水溶液は、付加的に、ｃ）一般式（Ｉ）を有する少なくとも一つの芳香族ハロゲン誘導体を含み、式中で、ハロゲンとなるＲ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５及びＲ_６基の個数は１〜５の範囲であるという条件付きで、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５及びＲ_６は、それぞれ独立して、水素、アルデヒド、アセチル、ヒドロキシ、炭素数１〜４のヒドロキシアルキル、炭素数１〜４のアルキル及びハロゲンからなるグループから選ばれる基である。
【化１】

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