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Fターム[4K023DA03]の内容

電気メッキ、そのためのメッキ浴 (5,589) | メッキ条件 (1,250) | 水素イオン濃度 (391) | ほぼ中性 (63)

Fターム[4K023DA03]に分類される特許

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【課題】高い耐久性と高い水素発生触媒能を有するアルカリ水電解用電極の製造方法を提供する。
【解決手段】硫酸ニッケル・六水和物を25〜50g/L、タングステン酸ナトリウム・二水和物を30〜100g/L、チオ尿素を15〜80g/L、クエン酸・無水物又はクエン酸ナトリウム・二水和物を60〜120g/L、及び応力緩和剤を添加剤として含み、pH3〜6のニッケル−タングステン−硫黄合金めっき液を用いて、基材1上にアモルファス状又は微結晶状のNi−W−S合金膜2を形成する方法によって上記課題を解決する。このとき、応力緩和剤がスルホサリチル酸であり、Ni−W−S合金膜が、W:3質量%以上15質量%以下、S:15質量%以上30質量%以下、N:残部、及び不可避不純物を含有することが好ましい。 (もっと読む)


【課題】銅または銅合金下層上での接着促進を可能にするシアン化物非含有スズ/銅浴からホワイトブロンズめっき方法を提供する。
【解決手段】銅下層を被覆する空隙抑制層上に、シアン化物非含有スズ/銅浴からホワイトブロンズが電気めっきされる。この空隙抑制金属層は1種以上の空隙抑制金属を含む。 (もっと読む)


【課題】 各種のメッキ浴において、水への溶解性と消泡性を両立できるとともに、メッキ液の管理を容易にする。
【解決手段】 C2〜C4アルキレンより選ばれたオキシアルキレン鎖を有し、当該オキシアルキレン鎖に3位の窒素原子を介してイミダゾール環が結合するとともに、イミダゾール環が末端に位置する新規のイミダゾール環結合型オキシアルキレン化合物を各種メッキ浴に使用すると、従来のノニオン性界面活性剤に比べて、末端へのイミダゾール環基の導入によって水溶性を良好に保持しながら、発泡性を顕著に低減できる。ノニオン界面活性剤の分子中にイミダゾール環基が存在する当該化合物を例えば銅メッキ浴に用いると、界面活性剤の作用とレベリング作用を兼備でき、メッキ液を簡便に管理できる。 (もっと読む)


【課題】前面電流トラックを形成したドープ半導体ウェハの銅めっきに関する改善された銅めっき方法を提供する。
【解決手段】前面、裏面およびPN接合を含む半導体を提供し、下層を含む導電トラックのパターンを前記前面が含み、かつ前記裏面が金属接点を含んでおり;前記半導体を一価銅めっき組成物と接触させ;並びに導電トラックの下層上に銅をめっきする。 (もっと読む)


【課題】抗酸化特性およびエッチング特性が良好であり、さらに、高温高圧環境でも剥離性に優れた極く薄い銅箔と、厚さが均一であり、ピンホールがほとんどない担体とを備える、担体としてベリーロープロファイル銅箔付きの極く薄い銅箔を提供すること。
【解決手段】ベリーロープロファイル銅箔を担体とした極く薄い銅箔の製造方法が、担体の両面が平坦で,粗さが1.5μm以下,厚さが18〜35μmのベリーロープロファイル銅箔を;リブテン,ニッケル,クロムとカリウム金属イオンからなるめっき液でめっきして剥離層とし;剥離層の上に、Cu2P2O73H2O;10〜60g/L,K4P2O7:100〜400 g/L,PH=6〜10,浴温10〜600 Cからなるめっき液を電流密度1〜5A/dm2でめっきして剥離層の保護膜を形成し、;更に銅濃度50〜100g/L,硫酸濃度90〜125g/L,浴温40〜700 C,のめっき液を電流密度10〜50A/dm2でめっきして、厚さ1〜6μm以下の極く薄い銅箔とからなること。 (もっと読む)


【課題】めっきヤケを生じず、均一な銅−亜鉛合金めっき層の生産性を向上させることができる銅−亜鉛合金めっき方法およびそれに用いる銅−亜鉛合金めっき浴を提供する。
【解決手段】銅塩と、亜鉛塩と、ピロリン酸アルカリ金属塩と、アミノ酸またはその塩から選ばれた少なくとも一種と、を含有し、pHが8.5〜14である銅−亜鉛合金めっき浴を用いた銅−亜鉛合金めっき方法である。めっき処理の際に、10A/dmを超える陰極電流密度で銅−亜鉛合金めっき処理を行う。銅−亜鉛合金めっき浴は、下記式、
P比=Pの質量/(Cuの質量+Znの質量)
で表わされるP比が3.0〜7.0を満足することが好ましい。 (もっと読む)


【課題】ホウ酸やカルボン酸を使用せず、弱酸性から中性領域の溶液pHを備え、従来通りの生産性が得られるニッケルめっき液、及び、そのニッケルめっき液を用いたニッケルめっき方法を提供する。
【解決手段】上記課題を解決するために、ニッケルイオンの供給源である1種以上のニッケル塩とpH緩衝剤とを含む電気めっき用のニッケルめっき液であって、pH緩衝剤がアミノアルカンスルホン酸又はその誘導体であり、且つ溶液pHが4.0〜6.5であることを特徴とするニッケルめっき液を採用する。 (もっと読む)


【課題】各種製品基材の表面に耐摩耗性・高摺動性を有する電気めっき皮膜を形成できる電気めっき浴および電気めっき皮膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】元素組成(エネルギー分散型X線分光法;以下同じ。)がW:2〜70%、Mn:0.05〜1.0%、S:0.1〜8%、Fe:残部、であるFe−W系合金の電気めっき皮膜を形成可能な電気めっき浴。1)水溶性Fe(II、III)塩、2)水溶性W(VI)酸塩、及び3)水溶性Mn(II)塩とともに、水溶性S含有化合物を含有する。そして、下地めっき13を施した基材11上、電気めっき皮膜15を形成後、200〜1000℃の温度で加熱処理(後処理)を行って電気めっき皮膜15Aとする。 (もっと読む)


【課題】 めっき中のセラミック素体の腐食を低減することができるNiめっき液を提供すること。
【解決手段】 好適な実施形態のNiめっき液は、セラミック電子部品の端子電極を形成するためのNiめっき液であって、pHが5.5以上であり、Sr、Ba、Ca及びMgからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素を含む。 (もっと読む)


【課題】めっきによるのセラミック電子部品の素体の腐食を抑制し、安定しためっきが可能な電気スズめっき液及び当該電気スズめっき液を用いたセラミック電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係るめっき液は、セラミック電子部品用の電気スズめっき液であって、スズイオン及びキレート剤を含み、pHが6以上9以下であり、キレート剤のモル濃度/スズイオンのモル濃度の値が2.4より大きく、4.5以下である。 (もっと読む)


【課題】Cu又はCu合金からなる下地基材に対するバリア性を高め、Cuの拡散をより確実に防止して耐熱性を向上させ、高温環境下でも安定した接触抵抗を維持する。
【解決手段】Cu又はCu合金からなる基材の上に、Ni−W合金層、Cu層又はCu−Sn合金層からなる中間層、Sn又はSn合金からなる表面層がこの順で形成され、Ni−W合金層の厚さが0.1〜1.0μm、Ni−W合金層中のW含有量が10〜35at%であり、かつ中間層の厚さが0.2〜1.0μm、表面層の厚さが0.5〜2.0μmである。 (もっと読む)


【課題】
金皮膜の膜厚を0.1μm未満にしても金皮膜にピンホールを生じさせないめっき液を提供する。
【解決手段】
シアン化金及び/又はシアン化金塩と、水溶性コバルト塩又は水溶性ニッケル塩と、有機酸伝導塩と、芳香族スルホン酸化合物と、カルボン酸、オキシカルボン酸、及びこれらの塩から成る群から選択される1又は2種以上の組合わせと、窒素を含む五員複素環式化合物複素芳香族化合物と、を含有する電解硬質金めっき液を用いて部分めっき処理を行うと金皮膜の膜厚が0.1μm未満であっても金皮膜にピンホールを生じさせない。 (もっと読む)


【課題】 表面に析出した微細粒子が表面から脱落し難い処理銅箔を得る。
【解決手段】 未処理銅箔と該未処理銅箔表面に析出し粗化処理層とを備えた処理銅箔において、粗化処理層に銅と、コバルト及びニッケルから選択される少なくとも一種と、硫黄、ゲルマニウム、リン及びすずから選択される少なくとも一種とを含有させることで、JISG4401-2006に規定されるSK2で作成された刃先角度22°±2°、厚み0.38mmの刃を備えたカッターナイフで粗化処理層を貫通する引き傷を1mm間隔で直交するように縦横11本並べることによって1mm×1mmの升目100個からなる碁盤目を形成し、碁盤目を覆うように配置したJISZ1522に規定される粘着力が3.88N/cmの粘着テープを圧力192kpaで30秒間圧着した後、粘着テープを180°方向に引っ張って引き剥がした際に未処理銅箔から剥がれ落ちる升目の数が30以下とする粗化処理層を形成する。 (もっと読む)


【課題】磁気特性に優れるFe‐Pt合金めっき膜を提供できるFe‐Pt合金めっき方法を提供する。
【解決手段】Fe‐Pt合金めっき方法は、3価のFe塩、該3価のFeの錯化剤、Pt塩、および伝導度塩を含むFe‐Pt合金めっき液を用いて被めっき物にFe‐Pt合金めっきを行う工程と、該Fe‐Pt合金めっきが施された被めっき物に熱処理を行い、Fe‐Pt合金めっき膜をL1型Fe‐Pt規則合金に相変換させる熱処理工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】
浴中に有害なシアン化合物を含まず、従来から用いられているピロリン酸浴を用いて中性〜弱アルカリ性領域の水溶液からレベリング性および平滑性に優れ、銀白色の優れた光沢外観の厚付け電気めっきを可能とする光沢厚付銅−スズ合金めっき浴を提供する。さらに、金属濃度および金属比を特定することにより光沢黒色外観を有するめっき皮膜が容易に得られる。
【解決手段】
ピロリン酸塩を主錯化剤として、これに2価の銅塩および2価のスズ塩を溶解した水溶液に、添加剤としてアルデヒド類とアミン類との反応物(以下、アルデヒドアミン系化合物)に、さらにグリシジルエーテル類を反応させて得られるアルデヒドアミン−グリシジルエーテル反応物を使用する。また、広い電流密度範囲に渡ってヤケやムラのない良好な外観の光沢めっき皮膜を得るために脂肪族ジカルボン酸またはその塩を更に含有する。 (もっと読む)


【課題】異方性導電接着剤や、相手金属と共晶を形成させる電極接合に適した硬度と形状を有する電極を形成させるために用いる電極形成用めっき浴及びそれを用いた電極形成方法を提供する。
【解決手段】(a)亜硫酸金アルカリ塩又は亜硫酸金アンモニウム塩が金濃度として1〜20g/Lと、
(b)Tl化合物、Pb化合物又はAs化合物からなる結晶調整剤が金属濃度として0.1〜100mg/Lと、
(c)亜硫酸ナトリウムが5〜150g/Lと、
(d)無機酸塩、カルボン酸塩又はヒドロキシカルボン酸塩が塩濃度として1〜60g/Lと、
(e)所定の置換芳香族化合物が0.1〜200mmol/Lと、
を含有する電極形成用金めっき浴を用いて、めっきすることにより電極を形成させる。 (もっと読む)


【課題】めっき中の素体の腐食を抑制し、セラミック電子部品の電気特性の劣化を防止することができる電気スズめっき液および当該電気スズめっき液を用いた電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係るめっき液は、セラミック電子部品用の電気スズめっき液であって、スズイオンを含み、pHが5以上8以下であり、アンモニアおよびアンモニウムイオンの濃度が0.3mol/L以下であり、キレート剤のモル濃度/スズイオンのモル濃度が2.5以下である。 (もっと読む)


【課題】素体の浸食や、絶縁不良の発生を抑制することができ、安定性および生産性の高い電気ニッケルめっき液およびセラミック電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係るめっき液は、セラミック電子部品用の電気ニッケルめっき液であって、ニッケルイオンと、0.005mol/L以上0.1mol/L以下の濃度のアルカリ金属イオンとを含み、pHが5よりも大きく7未満であり、アンモニウムまたはアンモニアを含むイオンのイオン濃度が0.2mol/L以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】各種の素材に対して適用可能であって、しかも特殊な装置を用いることなく、安価に実施可能な方法によって、均質で良好な多孔質皮膜を形成できる方法を提供する。
【解決手段】疎水性基を有する水溶性第4級アンモニウム化合物からなる多孔質めっき皮膜形成用の電気めっき浴用添加剤、及び
該添加剤を含む電気めっき浴中において、電気めっき処理を行うことを特徴とする多孔質めっき皮膜の形成方法。 (もっと読む)


【課題】耐腐食性が向上した銅‐亜鉛合金めっき層を形成することができ、かつ、目的組成を有する均一で光沢のある銅‐亜鉛合金めっき層が幅広い電流密度で得ることができる銅‐亜鉛合金電気めっき浴を提供する。
【解決手段】銅塩と、亜鉛塩と、ピロリン酸イオンとを含有する銅‐亜鉛合金めっき浴において、浴中に含まれる銅イオンおよび亜鉛イオンの総容積モル濃度M(mol/L)と添加するピロリン酸イオンの容積モル濃度P(mol/L)の比(P/M)が2.0〜3.2の範囲である。総容積モル濃度M(mol/L)は0.03〜0.50(mol/L)の範囲であることが好ましく、また、pHは5〜10の範囲であることが好ましい。 (もっと読む)


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