【課題】配線基板の電極と鉛フリーはんだの界面が応力により剥離するのを防止し、電気的接続を確実、強固に維持することが出来る長期信頼性に優れた配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】錫と銀の少なくとも２種の金属元素からなる、鉛を含まないはんだと接続されるための電極を有する配線基板の製造方法において、該電極は少なくとも（ａ）少なくともスルファミン酸ニッケル４水和物、塩化ニッケル６水和物、ホウ酸を含む水溶液をニッケルめっき液とし、液温４０〜５５℃にて、電解ニッケルめっきを行う工程、または、（ａ）少なくとも硫酸ニッケル６水和物、塩化ニッケル６水和物、ホウ酸を含む水溶液をニッケルめっき液とし、液温４０〜５５℃にて、７０ｍＡ／ｃｍ^２よりも大きいカソード電流密度で電解ニッケルめっきを行う工程、のいずれかと、（ｂ）電解金めっきを行う工程、
により形成されることを特徴とする配線基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ホウ酸を含まなくとも電子部品の電気特性を損なうことがなく、かつはんだ濡れ性の低下を招くことのないニッケルめっき浴を実現する。
【解決手段】ニッケルめっき浴が、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、及びスルファミン酸ニッケルの中から選択された少なくとも１種のニッケル化合物と、ホウ酸の代替物質としてグルコン酸等のオキシモノカルボン酸、リンゴ酸等のオキシジカルボン酸、グルコヘプトノラクトン等のラクトン化合物、及びこれらの塩の中から選択された少なくとも１種を含有し、水素イオン指数ｐＨが２〜７に調製されている。
（もっと読む）

【課題】金属性プラスチック等の基質上に、引抜（ｐｕｌｌ−ｔｈｒｏｕｇｈ）装置中で、酸性電解質からの艶のない又は半光沢の銅層を電解析出するための方法及び電解質を提供する。
【解決手段】高速引抜装置中で、少なくとも銅、スルホン酸アルキル、ハロゲン化物イオン、エトキシレート、ナフタレン縮合生成物成分からなる電解液を用い、１０から１００Ａ／dm²の間からなる電流密度で、電解温度２２から６０℃で電解することにより、基質上に艶のない又は半光沢の銅層を電解析出させる。 （もっと読む）

本発明によるサテンニッケル皮膜の析出のためのめっき浴は少なくとも１つの第４級アンモニウム化合物と少なくとも１つのポリエーテルを含み、少なくとも１つのポリエーテルは少なくとも１つの強疎水性側鎖を有する。先行技術のめっき浴と比較して、この酸めっき浴は、操業期間、または加熱および冷却サイクル、またはろ過サイクルを延ばすことができ、活性炭を用いずに浴を連続的に操業するのに必要なろ過を行なうことができ、サテン光沢仕上げを生成するのに先行技術の浴よりも低いニッケルの濃度しか必要とせず、投入されている湿潤剤に対する浴の鋭敏性を低減させることができる利点を有する。 （もっと読む）

【課題】 アルカリ性亜鉛系めっき浴を用いて鋳鉄へ亜鉛系めっきを施す。
【解決手段】 めっき浴を亜鉛イオンと水酸化アルカリを含むアルカリ性亜鉛系めっき浴とし、陽極の一部又は全部を不溶性陽極とし、陽極以外から亜鉛イオンの一部又は全部を供給し、並びに連続的又は断続的に、めっき液を流動若しくは振動させ、及び／又は被めっき物を揺動、振動若しくは回転させる鋳鉄への亜鉛系めっき方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来の錫−亜鉛合金電気めっきでは困難であった短時間での処理を可能にする電気めっき方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、めっき液温度：３０〜９０℃、めっき液の攪拌速度：５〜３００ｍ／ｍｉｎ及び陰極電流密度：５〜２００Ａ／ｄｍ²の条件下で錫−亜鉛合金電気めっきを行う方法を提供する。好ましくは、錫−亜鉛合金めっき浴中の２価の錫イオン濃度は１〜１００ｇ／Ｌであり、亜鉛イオン濃度は０．２〜８０ｇ／Ｌである。 （もっと読む）

【課題】 電流効率の変動を抑制でき、環境への負荷が小さくて、効率的な銅ストライクめっきを可能にする銅ストライクめっき浴を提供すること。
【解決手段】 本発明の銅ストライクめっき浴は、シアン化銅化合物と、無機酸の塩及び有機酸の塩の１種又は２種以上とを含む。好ましくは、シアン化銅化合物はシアン化銅ナトリウム、シアン化銅カリウム、又はそれらの混合物である。無機酸の塩は、リン酸塩、ピロリン酸塩、水酸化アルカリ化合物、ホウ酸塩又は炭酸塩でよく、有機酸の塩は、ギ酸、酢酸、酒石酸、クエン酸、グルコン酸又はＬ−グルタミン酸の塩でよい。リン酸、ピロリン酸、ホウ酸又は炭酸等の無機酸、あるいはギ酸、酢酸、酒石酸、クエン酸、グルコン酸又はＬ−グルタミン酸等の有機酸を更に含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】 小型又は低比重部品をバレルメッキするに際して、ニッケル皮膜を均一に形成できるメッキ浴を開発する。
【解決手段】 脂肪族アルコール類又はエーテル類であって、エチレンオキシド又はプロピレンオキシド単位を１〜４個繰り返し、両端に水素又はＣ₁〜Ｃ₄アルキル基かＣ₁〜Ｃ₂アルキル基を有する、２−メトキシエタノール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコール、１,２−ジメトキシエタンなどのようなオリゴ分子的な特定の化合物をニッケルメッキ浴に添加してバレルメッキを行うと、メッキ浴に浮遊するような小型又は低比重部品が多い電子部品に対しても濡れ性が改善されて、均一にニッケルメッキ皮膜を形成できる。 （もっと読む）

本発明は、電気的接続のための部材上にＳｎリッチ堆積層を有する電子部品であって、Ｓｎリッチ堆積層が、堆積表面に対して平行な方向におけるサイズよりも堆積表面に対して垂直な方向におけるサイズの方が小さい粒子からなる微細粒Ｓｎリッチ堆積層である電子部品に関する。本発明はまた、電気的接続のための部材上にＳｎリッチ堆積層を形成するために電子部品をメッキするプロセスであって、開始添加物及び光輝性添加物が含まれているスズメッキ溶液の組成を調整するステップと、前記スズメッキ溶液中を通して前記電子部品を動かして、電気的接続のための前記部材上に前記Ｓｎリッチ堆積層を形成するステップと、を含むプロセスに関する。従来の技術と比較すると、本発明は、低コストで且つ信頼できる特性をもってウィスカ成長を有効に抑制することができる。
（もっと読む）

【課題】 微細化、狭ピッチ化が進んでいるコンタクトプローブとして使用可能なニッケルバンプを、湿式めっきプロセスを用いて形成する方法を提供すること。
【解決手段】 微小開口部を有するフォトレジストで被めっき基板を被覆し、次いで当該被めっき基板を、添加剤として次の式（Ｉ）、
【化１】


（式中、Ｒ_１は水素原子または水酸基を示し、Ｒ_２は水素原子またはビニル基を示す）
で表されるピリジニウムプロピルスルホネートまたはその誘導体を含有するニッケルめっき浴により電気めっきし、前記微小開口部部分にニッケルめっき皮膜を析出させることを特徴とするマイクロバンプの形成方法。 （もっと読む）

本発明は、電気めっき可能な基板上への金-スズ合金の沈着に関連して使用される電解質に関する。この溶液は、一般的に水、第一スズ及び/又は第二スズイオン、該第一スズ及び/又は第二スズイオンに可溶性を与える錯化剤、錯化金イオン、及びホスフェートエステル官能基を有するエトキシ化化合物を含む合金安定化剤、エトキシ化ホスフェートエステルに基づく光沢性添加剤及びアルカリ金属脂肪酸ジプロピオネートを含む。光沢剤は、単独か、又は有益な相乗効果を達成するために互いに組み合わせて用いられ得る。合金安定化剤は、使用可能な電流密度範囲で金-スズ沈着物の組成を安定化させるのに十分な量で存在する。該溶液は約2〜10のpHを有し、及び該金イオン及び該スズイオンは、約90質量%よりも少ない金含有量及び約10質量%よりも多いスズ含有量を有する沈着物を提供するのに十分な相対量で存在する。 （もっと読む）

本発明は構造化硬質クロム層の生成方法に関し、該方法において、クロムは電解質から被加工物上に析出され、該電解質は、ａ）５０ｇ／Ｌ〜３００ｇ／Ｌの無水クロム酸に相当する量のＣｒ（ＶＩ）化合物と、ｂ）０．５ｇ／Ｌ〜１０ｇ／Ｌの硫酸と、ｃ）５ｇ／Ｌ〜１５ｇ／Ｌの、１〜６個の炭素原子を有する脂肪族スルホン酸とを含む。電解質は、モリブデン酸アンモニウム、モリブデン酸のアルカリ金属塩、モリブデン酸のアルカリ土類金属塩、バナジウム酸アンモニウム、バナジウム酸のアルカリ金属塩、バナジウム酸のアルカリ土類金属塩、ジルコン酸アンモニウム、ジルコン酸のアルカリ金属塩およびジルコン酸のアルカリ土類金属塩より選択される化合物のいずれも実質的に含まず、１２％以下のカソード電流効率で処理される。本発明は、コーティングの生成方法、構造化硬質クロム層、コーティングおよび電解質にも関する。
（もっと読む）

【課題】クラックキングがほとんどまたは全く発生せず、アニーリング状態で付着性の消失をほとんどまたは全く示さない合金析出物を生成し得る鉄−リン電気めっき浴を開発すること。
【解決手段】１つの実施形態においては、本発明は、（Ａ）鉄が電解で析出し得る少なくとも１つの化合物と、（Ｂ）ホスフィン酸イオンと、（Ｃ）スルホアルキル化ポリエチレンイミン、スルホン化サフラニン染料、およびメルカプト脂肪族スルホン酸もしくはそのアルカリ金属塩から選択される硫黄含有化合物とを含む、水性で酸性の鉄リン浴に関する。任意で、本発明の水性で酸性の鉄リン浴は、アルミニウムイオンをさらに含む。本発明の方法によって基板上に析出される合金は、鉄、リンおよび硫黄の存在を特徴とする。 （もっと読む）

網目状の微小亀裂内に硬質粒子を含有する複合クロムめっき皮膜において、上記微小亀裂の表面占有率は１０〜２０面積％であり、上記微小亀裂の分布密度は１，２００〜２，５００本／ｃｍであり、かつ上記硬質粒子の含有量は上記皮膜全体を１００質量％として１〜１５質量％である複合クロムめっき皮膜。この複合クロムめっき皮膜は、耐摩耗性及び耐焼き付き性に優れ、かつ相手材攻撃性が小さい。 （もっと読む）

微小電子機器製造で基板上にＣｕを電気めっきするための方法と組成物であって、Ｃｕイオン源とレベリングのための置換ピリジル高分子化合物を含む。 （もっと読む）

金属又はプラスチック部品の大きな領域上に、高研磨で、装飾的な光沢があり、滑らかで且つ平坦な銅被膜を電解で析出するための酸性水溶液は、ａ）少なくとも一種の酸素含有高分子添加剤と、ｂ）少なくとも一種の水溶性硫黄化合物を含み、その中で、水溶液は、付加的に、ｃ）一般式（Ｉ）を有する少なくとも一つの芳香族ハロゲン誘導体を含み、式中で、ハロゲンとなるＲ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５及びＲ_６基の個数は１〜５の範囲であるという条件付きで、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５及びＲ_６は、それぞれ独立して、水素、アルデヒド、アセチル、ヒドロキシ、炭素数１〜４のヒドロキシアルキル、炭素数１〜４のアルキル及びハロゲンからなるグループから選ばれる基である。
【化１】

（もっと読む）

本発明は印刷回路基板に積層され，各種回路網を形成する銅箔の製造方法に関する。本発明の方法は，銅箔の被接着面の凸部１１または平滑面に銅電着物１２からなる粗面層を形成するため，酸性の電気分解槽おいて，限界電流密度で，陰極とした銅箔を電気分解することを含む。かかる場合において，電気分解槽のメッキ溶液の中に，分子量２０００以上の無機ポリアニオンがさらに添加されることによって，銅箔の被接着面の接触面積が相対的に増加され，銅箔と樹脂基板の接着強度が常に維持されて，電気的特性及び耐酸性が向上し，銅粉の落下を最小にする。 （もっと読む）

（ａ）低濃度の低原子価硫黄化合物または還元されやすい高原子価硫黄化合物を有する高純度スルホン酸と、（ｂ）０価の酸化状態に還元可能な酸化された状態にある金属または金属類と、（ｃ）金属状態に還元不可能な酸化された状態にある金属と、（ｄ）随意に、緩衝剤および／または導電性塩とを含む、高エネルギーで高性能の電気的エネルギー貯蔵装置において使用する水溶液が開示された。 （もっと読む）

【解決手段】 被めっき物を電気めっき槽内に収容した鉛フリーの電気錫合金めっき浴中に浸漬して、該被めっき物を陰極として電気めっきを行うに際し、上記めっき槽内で陽極をカチオン交換膜で形成されたアノードバック又はボックスで隔離して電気めっきを行うことを特徴とする電気錫合金めっき方法、及び、電気錫合金めっき液を収容し、該めっき液に被めっき物を浸漬する電気錫合金めっき槽と、該電気めっき槽内の一部を隔離するカチオン交換膜で形成されたアノードバック又はボックスと、上記アノードバック又はボックス内に設置された陽極とを具備してなることを特徴とする電気錫合金めっき装置を提供する。
【効果】 本発明の電気錫合金めっき方法及び装置は、めっき浴が長期に亘って安定し、効率よくめっきを行うことができる上、陽極として可溶性陽極を使用した場合であっても、金属の置換析出を防ぐことができるものである。 （もっと読む）