【課題】電気的接続部位等に設けられるＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ被膜を形成する際に好適に用いることができ、被膜特性の向上及びコスト削減を図ることのできる電解パラジウム−リン合金めっき液、めっき被膜及びめっき製品を提供する。
【解決手段】被めっき物１００の表面に、電解めっきにより電解パラジウム−リン合金めっき被膜１２を形成する際に用いる電解パラジウム−リン合金めっき液であって、パラジウム化合物と、次亜リン酸ナトリウム又は亜リン酸と、エチレンジアミン又はジエチレントリアミンとを含むことを特徴とする電解パラジウム−リン合金めっき液、該めっき液によるめっき被膜及びめっき製品。 （もっと読む）

【課題】安価でありながら、安定した接触抵抗を長期間に亘って維持して電気的信頼性および耐久性に優れると共に、端子挿入時の挿入力が充分に小さいコネクタ用電気接点材料を製造する技術を提供する。
【解決手段】基材上に、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｉｎまたはこれらの合金からなる金属層を形成する金属層形成工程と、金属層形成工程後に形成された酸化物層を除去する酸化物層除去工程と、酸化物層が除去された金属層の表面を酸化処理（または水酸化処理）して導電性酸化物層（または導電性水酸化物層）を形成する導電性酸化物層（または導電性水酸化物層）形成工程とを有しているコネクタ用電気接点材料の製造方法。基材上に、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｉｎまたはこれらの合金からなる金属層が形成されており、金属層の上に導電性酸化物層または導電性水酸化物層が形成されているコネクタ用電気接点材料。 （もっと読む）

【課題】前面電流トラックを形成したドープ半導体ウェハの銅めっきに関する改善された銅めっき方法を提供する。
【解決手段】前面、裏面およびＰＮ接合を含む半導体を提供し、下層を含む導電トラックのパターンを前記前面が含み、かつ前記裏面が金属接点を含んでおり；前記半導体を一価銅めっき組成物と接触させ；並びに導電トラックの下層上に銅をめっきする。 （もっと読む）

【課題】ウィスカ抑制能を飛躍的に高めた電子部品を提供する。
【解決手段】電子部品としての積層セラミックコンデンサ１０は、たとえば直方体状の電子部品素子１２を含む。電子部品素子１２の一端面および他端面には、端子電極１８ａ、１８ｂの外部電極２０ａ、２０ｂが形成される。外部電極２０ａ、２０ｂの表面には、Ｎｉめっきからなる第１のめっき皮膜２２ａ、２２ｂが形成される。第１のめっき皮膜２２ａ、２２ｂの表面には、最外層となるＳｎめっき皮膜としてＳｎを含む第２のめっき皮膜２４ａ、２４ｂが形成される。第２のめっき皮膜２４ａ、２４ｂは、多結晶構造を有し、Ｓｎ結晶粒界およびＳｎ結晶粒内にフレーク状のＳｎ−Ｎｉ合金粒子がそれぞれ形成されている。 （もっと読む）

【課題】ウィスカ抑制能を有するとともに、はんだ濡れ性が劣化しない電極を有する電子部品を得る。
【解決手段】電子部品としての積層セラミックコンデンサ１０は、たとえば直方体状の電子部品素子１２を含む。電子部品素子１２の一端面および他端面には、端子電極１８ａ、１８ｂの外部電極２０ａ、２０ｂが形成される。外部電極２０ａ、２０ｂの表面には、Ｎｉからなる第１のめっき皮膜２２ａ、２２ｂが形成される。第１のめっき皮膜２２ａ、２２ｂを覆うようにして、最外層としてＳｎからなる第２のめっき皮膜２４ａ、２４ｂが形成される。第２のめっき皮膜２４ａ、２４ｂは、多結晶構造を有し、Ｓｎ結晶粒界にフレーク状のＳｎ−Ｎｉ合金層がそれぞれ形成されている。第１のめっき皮膜２２ａ、２２ｂと第２のめっき皮膜２４ａ、２４ｂとの界面には、Ｎｉ₃Ｓｎ₄からなる金属間化合物層２６ａ、２６ｂが形成される。 （もっと読む）

【課題】めっき後に細線乃至小ドットの金属パターンを高解像度で形成できる金属パターン材料及び金属パターン材料の製造方法の提供。
【解決手段】特定のめっき形成用光感応材料を６μｍ未満のピッチで露光する際に、６μｍピッチ露光時の最適パワーに対し、１００％未満であり、かつ〔（ピッチ（μｍ）×７５／６＋２５）−３０〕〜〔（ピッチ（μｍ）×７５／６＋２５）＋１５〕％のレーザーパワーで露光する露光工程と、露光後のめっき形成用光感応材料を現像液で現像する現像工程と、現像後のパターンが形成されためっき形成用光感応材料を、めっき浴比が１０未満でめっきを行うめっき工程とを含む金属パターン材料の製造方法である。 （もっと読む）

【目的】高分子繊維材料の強度（強力）を低下させずに密着性を向上させ、これにより、めっき皮膜の導電性の低下を防止するともに、導電性のバラツキを減少させることができる高分子繊維材料のめっき方法等を提供すること。
【解決手段】本発明に係るめっき方法は、（１）高分子繊維材料をラジカル処理するラジカル処理工程と、（２）ラジカル処理工程を経た高分子繊維材料Ａをカチオン系界面活性剤溶液に浸漬するカチオン処理工程と、（３）カチオン処理工程を経た高分子繊維材料ＢをＰｄとＳｎのコロイド溶液に浸漬するＳｎ−Ｐｄ触媒浸漬工程と、（４）Ｓｎ−Ｐｄ触媒浸漬工程を経た高分子繊維材料Ｃを酸溶液に浸漬するアクセレーター処理工程とを備える。更に、Ｓｎ−Ｐｄ処理工程を経た高分子繊維材料Ｄを無電解めっき又は電気めっきするめっき工程を備えるとよい。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れ、かつ素材が複雑な形状であっても、装飾めっき品を容易に製造できるめっき方法を提供する。
【解決手段】素材に装飾用の電気めっきを施すめっき方法であって、素材にデザイン色（第１色）の第１めっき層を形成する第１めっき工程Ｐ２と、第１めっき工程Ｐ１で形成された第１めっき層にデザインが施されたマスキングシートを被せるマスキング工程Ｐ３と、マスキングシートの上から背景色（第２色）の第２めっき層を形成する第２めっき工程Ｐ４と、マスキングシートを取り除くマスキング除去工程Ｐ５とを備えている。 （もっと読む）

【解決課題】エピタキシャル薄膜成長用の配向基板において、基板表面の配向度及び平滑性が従来のものよりも改善されたものを提供する。
【解決手段】本発明は、配向化された銅からなる配向化金属層に補強材である金属基材をクラッドしてなるエピタキシャル膜形成用配向基板において、前記配向化金属層は、配向度Δφ、Δωがいずれも５〜９°である配向性を有する金属であり、前記配向化金属層の表面上に、ニッケルめっき膜からなり１００〜５０００ｎｍの厚さの配向性改善層を備え、前記配向化金属層表面における配向度（Δφ及びΔω）と、前記配向性改善層表面における配向度（Δφ及びΔω）との差が、いずれも０．１〜３．０°であることを特徴とするエピタキシャル膜形成用配向基板である。 （もっと読む）

【課題】２種類以上のめっきを同一の感光性材料を用いて選択的に成膜する場合、クラックの発生を抑制する。
【解決手段】この製造装置は、表面に絶縁膜３３０が形成された半導体ウェハ２００表面
を第１のめっき液を用いてめっき処理する第１のめっき処理槽と、半導体ウェハ２００表
面を第２のめっき液を用いてめっき処理する第２のめっき処理槽と、を備える。第１のめ
っき処理槽には、半導体ウェハ２００の表面と重なる部分の長さがｄ_１であり、かつ絶縁
膜３３０との接触幅がｗ_１の第１のシール３２０が設けられ、第２のめっき処理槽には半
導体ウェハ２００の表面と重なる部分の長さがｄ_２であり、かつ絶縁膜３３０との接触幅
がｗ_２の第２のシール３４０が設けられ、第１のシール３２０と第２のシール３４０の間
には、ｄ_２＜ｄ_１−ｗ_１の関係が成り立っている。 （もっと読む）

【課題】箔物メタルマスクであっても硬さがあり伸びの発生が少なく、破損しにくく、しかも表面からカーボンナノチューブの先端が殆ど突出していない、カーボンナノチューブを含む金属複合めっき皮膜からなるメタルマスクを得る。
【解決手段】カーボンナノチューブを含まないＮｉめっき皮膜からなる支持体としての第１皮膜１ａと、第１皮膜の上に設けられ、カーボンナノチューブを含むＮｉめっき皮膜からなる引張り強度を持たせた第２皮膜１ｂと、第２皮膜の上に設けられ、カーボンナノチューブを含まないＮｉめっき皮膜からなる支持体としての第３皮膜１ｃとからなる三層構造であり、第２皮膜に取り込まれたカーボンナノチューブの先端２は、薄いＮｉめっき皮膜が施されて第３皮膜の表面から僅かに突出している。 （もっと読む）

【課題】高価な材料を含まず、且つ製造が労働集約的でないスリップリングの製造方法を提供する。
【解決手段】スリップリング部品（１０６）の製造方法、スリップリング部品及びスリップリング組立体を開示する。スリップリング部品の製造方法は、第１ショット（４０４）を形成する工程と、第２ショット（４０２）を形成する工程と、第１ショット（４０４）及び第２ショット（４０２）を浸漬する工程とを具備する。浸漬工程においては、第２ショット（４０２）の露出面に導電めっきを付ける。 （もっと読む）

【課題】簡便な金属膜形成方法、特には金属パターン形成方法を提供する。
【解決手段】固体電解質及び金属イオンを含有する固体電解質膜を挟んで配置された陰極基材と陽極基材間に電圧を与えることにより金属イオンを還元して陰極基材上に金属を析出させる工程ａ）を含む金属膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】塗膜の形成によらずに耐熱性の良い絶縁皮膜を形成したステンレス鋼材であって、特に絶縁性に優れ、かつ工業的に比較的低コストにて製造可能なものを提供する。
【解決手段】質量％で、Ｃ：０.０００１〜０.１５％、Ｓｉ：０.００１〜１.２％、Ｍｎ：０.００１〜２.０％、Ｐ：０.００１〜０.０５％、Ｓ：０.０００５〜０.０３％、Ｎｉ：０〜２.０％，Ｃｕ：０〜１.０％、Ｃｒ：１１.０〜３２.０％、Ｍｏ：０〜３.０％、Ａｌ：１.０〜６.０％、Ｎｂ：０〜１.０％、Ｔｉ：０〜１.０％、Ｎ：０〜０.０２５％、Ｂ：０〜０.０１％，Ｖ：０〜０.５％、Ｗ：０〜０.３％、Ｃａ、Ｍｇ、Ｙ、ＲＥＭ（希土類元素）の合計：０〜０.１％、残部Ｆｅおよび不可避的不純物からなるステンレス鋼を基材として、その基材表面上に、Ａｌ酸化物層を介して、厚さ１.０μｍ以上のＮｉＯとＮｉＦｅ₂Ｏ₄の混合層が形成されているステンレス鋼材。 （もっと読む）

【課題】銅又は銅合金条表面のリフローＳｎめっき層にＣｕ−Ｓｎ合金層を部分的に露出させることで、Ｓｎ粉の発生を抑制することができるＳｎめっき材を提供する。
【解決手段】銅又は銅合金条２の表面にリフロー処理を施したＳｎめっき層６を有するＳｎめっき材１０であって、最表面に露出したＣｕ−Ｓｎ合金層４ａの面積率が０．５〜４％であり、最表面から見て、前記Ｃｕ−Ｓｎ合金層の個数が０．０３３ｍｍ^２当たり１００〜９００個である。 （もっと読む）

【課題】ファインパターンの回路形成性、高周波域における伝送特性に優れ、かつ樹脂基材との密着性や耐薬品性に優れる表面処理銅箔を提供する。
【解決手段】表面粗さＲａが０．２μｍ以下、又はＲｚが１．５μｍ以下である母材銅箔の少なくとも片面表面に、付着量が０．０５〜１．０ｍｇ／ｄｍ^２のＮｉまたＮｉ−Ｐの一次処理層が設けられ、該一次処理層の上に付着量が０．０１〜０．１０ｍｇ／ｄｍ^２のＺｎまたはＺｎ−Ｖの二次処理層が設けられ、該二次処理層の上に接触角θ（親水性）が１５°から３５°を有するクロメート処理層が形成され、該クロメート処理層の上に付着量０．００２〜０．０２ｍｇ／ｄｍ^２のシランカップリング処理層が施されている表面処理銅箔である。また、前記表面処理銅箔と熱硬化性樹脂基板とを積層する銅張積層板の製造方法は、前記表面処理銅箔と熱硬化性樹脂基板とを式１に示すＬＭＰ値が１０６６０以下の条件で加熱積層し、前記表面処理銅箔の最表面シランカップリング処理層の官能基を、熱硬化性樹脂の官能基と反応させる銅張り積層板の製造方法である。
式１：ＬＭＰ＝（Ｔ＋２７３）＊（２０＋Ｌｏｇｔ）
ここで、２０は銅の材料定数、Ｔは温度（℃）、ｔは時間（hr）、Ｌｏｇは常用対数である。 （もっと読む）

【課題】 板厚１ｍｍ以上の金属条にめっき加工を施す際に、先めっき方式の一般的なめっきライン（連続送り方式）で採用されているロール給電を用いると金属条に対して給電用金属ロールが片当たりを起こし、めっき材表面に擦れ痕、キズ、通電不良によるスパークなどの発生、または給電自体の破損などの問題があり、先めっきによる厚板端子は実施
されていなかった。
【解決手段】 板ばねエッジ型給電を用いて材料への接触をエッジにし、接触面積を減らすことで、ロールマークを含む傷による外観不良が発生することなくめっきする。 （もっと読む）

【課題】塗膜の形成によらずに耐熱性の良い絶縁皮膜を形成したステンレス鋼材であって、工業的に比較的低コストにて製造可能なものを提供する。
【解決手段】質量％で、Ｃ：０.０００１〜０.１５％、Ｓｉ：０.００１〜１.２％、Ｍｎ：０.００１〜２.０％、Ｐ：０.００１〜０.０５％、Ｓ：０.０００５〜０.０３％、Ｎｉ：０〜２.０％，Ｃｕ：０〜１.０％、Ｃｒ：１１.０〜３２.０％、Ｍｏ：０〜３.０％、Ａｌ：０〜０.１％未満、Ｎｂ：０〜１.０％、Ｔｉ：０〜１.０％、Ｎ：０〜０.０２５％、Ｂ：０〜０.０１％，Ｖ：０〜０.５％、Ｗ：０〜０.３％、Ｃａ、Ｍｇ、Ｙ、ＲＥＭ（希土類元素）の合計：０〜０.１％、残部Ｆｅおよび不可避的不純物からなるステンレス鋼を基材として、その基材表面上に、Ｎｉ層を介して、厚さ１.０μｍ以上好ましくは５０.０μｍ以下のＮｉＯとＮｉＦｅ₂Ｏ₄の混合層が形成されているステンレス鋼材。 （もっと読む）

【課題】節状や樹枝状のめっき金属結晶が金属帯の表面に生じ難く、しかも、めっき層と金属帯を高い密着性のもとで電気めっき処理することのできる電気めっき装置を提供すること。
【解決手段】電解槽２と、電解槽２内で金属帯Ｓを通板させる送り機構３と、電解槽２内で金属帯Ｓの通板方向（Ｘ３方向）もしくはこれと逆の方向（Ｘ４方向）にめっき液を流す流通機構５と、金属帯Ｓを挟む位置に配設された一対の電極１Ａ，１Ｂと、から構成された電気めっき装置１０であって、一対の電極１Ａ，１Ｂはともに、対応する位置でかつ通板方向に凸部１ｂと凹部１ａを交互に備え、双方の電極の凸部１ｂ、１ｂ間で電極間距離が短くなり、双方の凹部１ａ，１ａ間で電極間距離が長くなっており、金属帯Ｓが入ってくる入側の端部において、通板方向長さの最も長い凹部１ａ’、１ａ’が配されている。 （もっと読む）

【課題】ステンレス基材の表面にエッチングでヘアライン溝を形成した後に、めっき及び硫化燻しを施しても埋没することがない溝幅及び溝深さを有したヘアライン溝が形成されたステンレス鋼板を製造できる。
【解決手段】ステンレス基材２の表面２ａに塗布されたレジスト１１を、透光性を有したマスクフィルム１２越しに露光することでヘアラインＨＬ状に除去し、レジスト１１を除去して露出したステンレス基材２の表面２ａにエッチングしてヘアライン溝３を形成する溝形成工程Ａと、ステンレス基材２の表面２ａにニッケルめっき層４を形成するニッケルめっき工程Ｂと、ニッケルめっき層４の表面４ａに銅めっき層５を形成する銅めっき工程Ｃと、銅めっき層５の表面５ａに硫化燻しを施して硫化膜６を形成する燻し工程Ｄとを有している。 （もっと読む）