【課題】安価、軽量で耐食性及び放熱性に優れ、且つ低ノイズで絶縁破壊が生じにくい高周波通電用導体を提供する。
【解決手段】アルミニウム導体１０は、アルミニウム材１の外面に、アルミニウムよりも電気抵抗が高い金属で構成された被膜２を被覆したものである。この被膜２は２層構造を有し、その最外層４は錫メッキ層であり、最外層４とアルミニウム材１との間に配された内層５は、ニッケルメッキ層である。そして、この被膜２（最外層４）の表面粗さＲａは、０．５μｍ超過とされている。 （もっと読む）

【課題】必要な箇所にのみＡｇ合金層を形成して、Ａｇの硫化による変色を防止し、高温下でも安定した接触抵抗、低い動摩擦係数を維持でき、挿抜性を向上させたコネクタ用接続端子を低コストで製造する。
【解決手段】Ｃｕ又はＣｕ合金からなる基材４の上に、Ｓｎめっき層６を形成した後、リフロー処理してＳｎめっき付き導電材を形成する工程と、Ｓｎめっき付き導電材をプレス加工してコネクタ材を形成する工程と、コネクタ材のうち相手コネクタと挿抜される端子部２となる部分のＳｎめっき層６の表面にＡｇ被覆部８を形成する工程と、Ａｇ被覆部８をレーザ照射により加熱して、Ｓｎめっき層６のＳｎとＡｇ被覆部８のＡｇとを合金化してＡｇ−Ｓｎ合金被覆部７を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】繊維めっき装置の小型化を図るとともに、繊維めっきに必要な時間を短縮し、効率的に繊維めっきを実施することができる繊維めっき治具、及び、これを用いた繊維めっき方法を提供する。
【解決手段】繊維めっき治具１０は、回転軸１４を中心に回転するものであって、漸次狭幅となる部分等を備えた開口スリット１２ａが形成され、被めっき繊維が掛架される掛架凹部１２ｂが列設された被めっき繊維の掛架板１２を備え、掛架凹部１２ｂが回転軸１４を中心とする円周上に配置され、且つ、開口スリット１２ａが回転軸１４に対して外向きに形成される。掛架板１２は、回転軸１４を中心とし、これを取り囲んで複数設けられ、回転軸１４と平行に配置される支持骨格１６ｃに取り付けられ、支持骨格１６ｃにより支持される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、めっき触媒などの金属に対して十分な吸着性を有し、吸水性が低く、加水分解耐性に優れ、その表面上に形成される金属パターンの絶縁信頼性に優れた被めっき層（絶縁性樹脂層）を形成しうる被めっき層形成層組成物を提供することを課題とする。
【解決手段】重合性基を有するユニット（Ａ）、ＣｌｏｇＰが０以下であるアクリルアミドモノマー由来のユニットであり、めっき触媒またはその前駆体と相互作用を形成する非解離性官能基を有するアクリルアミドユニット（Ｂ）、および疎水性基を有し、重合性基を有しないユニット（Ｃ）を含むポリマー、を含有する被めっき層形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体装置用リードフレームとその製造方法において、複数のめっき層を積層する場合におけるめっき層同士の密着性を向上させ、半導体装置の製造工程におけるワイヤーボンド性の低下や実装の際の半田付け性の悪化を抑制するとともに、製造コストの効果的な削減を図る。
【解決手段】 導体基材２０上に下地めっき層２１を形成し、当該下地めっき層２１の上に金属結合性を有する有機被膜２２を介して最表めっき層２３を積層することで、リードフレーム２ａ、２ｂを構成する。有機被膜２２は、主鎖部Ｂ１の両末端に金属結合性の官能基Ａ１、Ａ１を持つ機能性有機分子１１を自己組織化させた単分子膜として構成する。 （もっと読む）

【課題】粗化処理層から微細粒子が脱落しない処理銅箔を提供する。
【解決手段】未処理銅箔２と該未処理銅箔２表面に析出させた銅又は銅とコバルト及びニッケルから選択される少なくとも一種とを含有する微細粒子からなる粗化処理層３と該粗化処理層３表面に析出させたニッケル又はニッケルとリンとを含有する微細粒子脱落防止層４を備えた処理銅箔１であって、該処理銅箔の表面色が色差系L*a*b*のL*が20〜40であり、かつ、JISZ1522に規定される粘着力が3.88N/cmの粘着テーフ゜を圧力192kpaで30秒間圧着した後、粘着テーフ゜を180°方向に引っ張って引き剥がした際に処理銅箔から剥がれ落ちる升目の数が30以下であることを特徴とする処理銅箔。 （もっと読む）

【課題】電気めっき方法で形成される鉄−ニッケル合金めっき皮膜について、熱処理後においても皮膜硬度の低下が生じ難い新規な鉄−ニッケル合金めっき皮膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ニッケル塩、第一鉄塩、錯化剤及び緩衝剤を含む水溶液中に平均粒径３μｍ以下の微粒子を分散させた鉄−ニッケル合金めっき液中で、電気めっき法によって該微粒子が共析した鉄−ニッケル合金めっき皮膜を形成した後、形成されためっき皮膜を４００℃以上の温度で熱処理することを特徴とする、低膨張特性及び高硬度を有する鉄−ニッケル合金めっき皮膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ファインパターンの回路形成性や高周波域における伝送特性に優れ、かつ樹脂基材との密着性や耐薬品性に優れる粗化処理銅箔を提供する。
【解決手段】母材銅箔（未処理銅箔）の少なくとも片面に、前記母材銅箔の表面粗さＲｚに対してＲｚが０．０５〜０．３μｍ増加する粗化処理が施されて、粗化処理後の表面粗さＲｚが１．１μｍ以下である粗化処理面を有する粗化処理銅箔であって、前記粗化処理面は幅が０．３〜０．８μｍ、高さが０．４〜１．８μｍで、アスペクト比［高さ／幅］が１．２〜３．５で、先端が尖った凸部形状の粗化粒子で形成されている表面粗化処理銅箔である。 （もっと読む）

【課題】水平方向の熱膨張を抑制することができるとともに、垂直方向の熱伝導を良好なものとすることができる金属積層構造体および金属積層構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】タングステンを含む第１の金属層は銅を含む第２の金属層の第１の表面上に設置され、タングステンを含む第３の金属層は第２の金属層の第１の表面とは反対側の第２の表面上に設置されており、第１の金属層に含まれるタングステンの結晶粒が第２の金属層の第１の表面に対して垂直方向に伸長する柱状結晶であり、第３の金属層に含まれるタングステンの結晶粒が第２の金属層の第２の表面に対して垂直方向に伸長する柱状結晶である金属積層構造体と金属積層構造体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】点光源のＸ線源を用いても、Ｘ線吸収の効率を低下させることのない湾曲したマイクロ構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】表側に微細構造とメッキ層を有し、裏側に弯曲した面を有するモールドからなるマイクロ構造体の製造方法であって、異方性エッチングにて深さ方向にエッチングされて形成された微細構造を有し、前記微細構造の連続した隙間の底部に導電性が付与されたモールドを用意する工程と、前記微細構造の底部からメッキして前記微細構造の連続した隙間に第１のメッキ層を形成する工程と、前記第１のメッキ層の上に、応力を発生する第２のメッキ層を形成し、前記第２のメッキ層の応力によりモールドを湾曲させる工程とを少なくとも有するマイクロ構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】エッチング加工性、高耐熱密着性、マイグレーション不具合のない高周波伝送特性に優れる表面粗化銅箔を提供する。前記高周波伝送特性に優れる耐熱性銅箔をフレキシブル樹脂基板又はリジット樹脂基板と積層し、エッチング加工性、高耐熱密着性、マイグレーション不具合のない高周波伝送特性に優れる回路基板を提供する。
【解決手段】未処理銅箔の少なくとも一方の表面に金属銅によるパルス陰極電解粗化処理が施された一次粗化面、金属銅による平滑メッキ処理が施された二次処理面、金属ニッケルによる処理が施された三次処理面、金属亜鉛による処理が施された四次処理面が順に設けられている表面粗化銅箔である。前記四次処理面の上に必要により防錆層、保護層を設ける。 （もっと読む）

【課題】 基材との良好な密着性と摺動相手への低い攻撃性を満足しながら、低摩擦性を満足するアルミニウム合金製シリンダブロックの作製方法及びアルミニウム合金製シリンダブロックを提供することを目的とする。
【解決手段】 平均粒径４．５〜５．５μｍのＳｉＣを含むめっき液を用いてめっき膜を内径表面に形成してなるアルミニウム合金製シリンダブロックの作製方法であって、前記内径表面付近でのめっき液の流速が１２０ｃｍ／秒以上、電流密度が１０Ａ／ｄｍ^２以下の条件で電気めっきを行う成膜前期工程と、前記成膜前期工程の後に、めっき液の流速が８０〜１２０ｃｍ／秒、電流密度が１０Ａ／ｄｍ^２以上の条件で電気めっきを行う成膜後期工程とを含む、アルミニウム合金製シリンダブロックの作製方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】摩擦係数が小さく、接触抵抗の経時変化が小さい嵌合型端子用錫めっき付き銅合金板の提供。
【解決手段】銅合金板上にＮｉ被覆層、Ｃｕ−Ｓｎ合金被覆層及びＳｎ被覆層からなる表面めっき層がこの順に形成され、表面に黒鉛粒子が付着している。Ｎｉ被覆層は平均厚さが０．１〜１．０μｍ、Ｃｕ−Ｓｎ合金被覆層は表面露出面積率が１０〜７５％で、平均厚さが０．１〜１．０μｍ、Ｓｎ被覆層は平均厚さが０．２〜１．５μｍである。黒鉛粒子が前記表面めっき層表面を面積比率３０％以下で被い、かつ黒鉛粒子のうち粒径２μｍ以上の黒鉛粒子の平均粒径が３〜３０μｍで、表面めっき層表面を面積比率３％以上で被い、そのうち粒径１０μｍ以上の粒子の個数の割合が３％以上である。銅合金板は、表面粗さが最も大きく表れる方向の算術平均粗さＲａが０．１５〜１．０μｍである。表面めっき層の表面に黒鉛粒子を付着させた後、リフロー処理する。 （もっと読む）

金属化すべきでない部域が金属化されないようにしながら、異なるプラスチックを有する対象物７上の金属化すべき表面部域の金属化中の選択性を改善する目的で、以下の方法が提案されている。すなわち、Ａ）エッチング溶液を用いて対象物７をエッチングするステップ；Ｂ）コロイドの溶液または金属化合物を用いて対象物７を処理するステップであって、金属が元素周期表のＶＩＩＩＢ族またはＩＢ族の金属であるステップ；そしてＣ）金属化溶液で対象物７を電解金属化するステップ。本発明によると、対象物７の表面上で曝露された少なくとも１つの第２のプラスチックが金属化されている間、対象物７の表面上で曝露された少なくとも１つの第１のプラスチックの金属化を回避するために、方法ステップＢ）の後でかつ方法ステップＣ）の前のさらなる方法ステップにおける処理中に対象物７は超音波処理に付される。
（もっと読む）

【課題】
複数のフィラメントからなる繊維束を連続的にメッキ処理をし、各フィラメントが均一にメッキ金属により被覆されうるメッキ処理方法とメッキ処理装置を提供する。
【解決手段】
メッキ処理槽に設けられた通過口より該繊維束を導入し、該メッキ処理槽内のメッキ液を該通過口よりオーバーフローさせた状態で該繊維束をメッキ液に浸漬し、更に該メッキ処理槽内における該繊維束の通過経路が概ねメッキ液面と平行な面内にあり、該繊維束にかかる張力を常に一定としてメッキ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】厚みを薄くすることができるとともに効率的に製造することが可能な金属積層構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の金属層と、第２の金属層と、第３の金属層と、を備え、第１の金属層は第２の金属層の一方の表面上に設置され、第３の金属層は第２の金属層の他方の表面上に設置されており、第１の金属層は、タングステンを含み、第２の金属層は、銅を含み、第３の金属層は、タングステンを含む金属積層構造体を製造する方法であって、第２の金属層の一方の表面上に第１の金属層を溶融塩浴めっきにより形成する工程と、第２の金属層の他方の表面上に第３の金属層を溶融塩浴めっきにより形成する工程と、を含み、溶融塩浴めっきに用いられる溶融塩浴は、フッ化カリウムと、酸化ホウ素と、酸化タングステンとを含む混合物を溶融して作製されたものである、金属積層構造体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】アンモニアガス等の劇物を処理する為の複雑な装置を必要とすることなく、たとえ基板表面に形成した下地金属膜の表面に自然酸化膜が形成されていても、液体中に溶解させた金属錯体に含まれる金属からなる金属膜を下地金属膜の表面に十分な密着力をもって形成できるようにする。
【解決手段】表面に下地金属膜を形成した基板を用意し、金属錯体と還元性物質とを溶媒に溶解させた液体中に前記基板を浸漬させながら、前記下地金属膜を陰極、別の金属を陽極とした電気めっきを行って、前記金属錯体に含まれる金属からなる金属膜を前記下地金属膜の表面に形成する。 （もっと読む）

【課題】摩擦係数が小さく、接触抵抗の経時変化が小さい嵌合型端子用錫めっき付き銅合金板を提供する。
【解決手段】銅又は銅合金板上に、Ｎｉ被覆層（必要に応じて）、Ｃｕ−Ｓｎ合金被覆層及びＳｎ被覆層からなる表面めっき層がこの順に形成され、Ｓｎ被覆層の上に黒鉛粒子が分散して付着している。Ｎｉ被覆層の平均厚さは０．１〜１．０μｍ、Ｃｕ−Ｓｎ合金被覆層の平均厚さは０．１〜１．０μｍ、Ｓｎ被覆層の平均厚さは０．１〜２．５μｍとされている。黒鉛粒子は前記Ｓｎ被覆層の表面を面積比率３〜３０％で被い、黒鉛粒子のうち粒径２μｍ以上の黒鉛粒子の平均粒径が３〜３０μｍで、そのうち粒径１０μｍ以上の粒子の個数の割合が３％以上である。銅又は銅合金板上にＮｉめっき（必要に応じて）、Ｃｕめっき及びＳｎめっきを行い、表面に黒鉛粒子を付着させた後、リフロー処理することで製造する。 （もっと読む）