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Fターム[4K024AA04]の内容

電気メッキ方法、物品 (25,708) | メッキ析出金属 (5,114) | 単金属 (4,227) | Fe (106)

Fターム[4K024AA04]に分類される特許

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【課題】低挿抜性、低ウィスカ性及び高耐久性を有する電子部品用金属材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材11と、基材11の最表層を構成し、Sn,In,またはそれらの合金で形成されたA層14と、基材11とA層14との間に設けられて中層を構成し、Ag,Au,Pt,Pd,Ru,Rh,Os,Ir,またはそれらの合金で形成されたB層13と、を備え、最表層(A層)14の厚みが0.2μmよりも厚く、中層(B層)13の厚みが0.001μm以上である電子部品用金属材料10。 (もっと読む)


【課題】キャリア付き薄銅箔であって、ビルドアップ配線板のビア形成でレーザー穴あけ加工を行う際に、レーザー吸収層及び薄銅の飛散、銅の盛り上がりが生成することがない、薄銅箔、および該薄銅箔を用いたプリント配線板、多層プリント配線板を提供する。
【解決手段】キャリア箔1、剥離層2、レーザー吸収層5、薄銅箔4がこの順に形成されているレーザー吸収層付き銅箔であって、前記キャリア箔と銅箔とを剥離した時の前記レーザー吸収層表面の表面粗さRz=2.0μm以下、明度L=30、色度a=7、色度b=3に対し、色差ΔE=6以下であるレーザー吸収層付き銅箔である。前記レーザー吸収層は、波長9〜12μmの光に対して、消光係数k=25以上である2種以上の元素で構成され、かつ前記2種以上の金属元素の内の1種は少なくとも原子量50〜70の中の金属元素であり、該金属元素と他の元素との単位面積あたりの原子数比=1〜5である。 (もっと読む)


【課題】負極活物質層に対して高い密着性を維持しつつ粗化粒子の脱落を抑制し、また、タブリードとの溶接強度を向上させる。
【解決手段】銅又は銅合金からなる圧延銅箔と、圧延銅箔の少なくとも順に設けられた第1Cuめっき層と、粗化粒子と、第2Cuめっき層と、を有し、さらに、ニッケル−コバルト合金めっき層、ニッケルめっき層、又はコバルトめっき層のいずれかと、を備え、負極活物質層のバインダ割合Cb(wt%)をCbとすると、表面粗さRaが、Cb≧38×Ra×Ra−1.2×Ra(ただし、0.10≦Ra≦0.72、かつ、2≦Cb≦20)を満たす。 (もっと読む)


【課題】電荷移動機構を使用して、小構造物に対して材料を局所的に付着させまたは材料を局所的に除去する。
【解決手段】加工物全体を浴に浸す必要なしに局所的な電気化学電池が形成される。この電荷移動機構を、荷電粒子ビーム231またはレーザ・システムとともに使用して、集積回路、マイクロエレクトロメカニカル・システムなどの小構造物220を改変することができる。この電荷移動プロセスは、空気中で、または実施形態によっては真空チャンバ204内で実行することができる。 (もっと読む)


【課題】低接触抵抗、高はんだ濡れ性及び低挿入力を有するSn系めっき材を提供する。
【解決手段】Sn系めっき材10は、金属基材11、金属基材11上に形成された下地めっき12、下地めっき12上に形成されたAgを含むSn系めっき13を備える。Sn系めっき材10は、XPS(X線光電子分光装置)でDepth分析を行ったとき、Snの原子濃度(at%)の最高値を示す位置(DSn)及びAgの原子濃度(at%)の最高値を示す位置(DAg)がSn系めっき13表面からDSn、DAgの順で存在し、Sn系めっき13に含まれるAgが1〜200μg/cm2であり、Sn系めっき13に含まれるSnが2〜220μg/cm2である。 (もっと読む)


【課題】基板等の回路にかかる力を緩和する能力を有する導電性微粒子、及び、基板間の距離を一定に維持する方法を提供する。
【解決手段】樹脂からなる基材微粒子の表面が1層以上の金属層に覆われてなる導電性微粒子であって、前記金属層の全ての層の熱膨張率がそれぞれ1×10−5〜3×10−5(1/K)であり、かつ、各金属層と前記基材微粒子との熱膨張率の比(基材微粒子の熱膨張率/金属層の熱膨張率)がそれぞれ0.1〜10である導電性微粒子。 (もっと読む)


【課題】 ピッチズレが抑制されためっき物からなる微細構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】 導電性の基板表面に感光性樹脂の層を形成する第1工程と、前記感光性樹脂の層を露光および現像することで前記基板表面の一部を露出させ、前記感光性樹脂の構造体を形成する第2工程と、前記感光性樹脂の構造体を第1のめっき液に浸漬し、前記基板表面が露出した部分から第1のめっき層を形成する第3工程と、前記第1のめっき層を形成した後、前記感光性樹脂の構造体を硬化させる第4工程と、前記感光性樹脂の構造体を硬化させた後、前記第1のめっき層の少なくとも一部を除去する第5工程と、硬化させた前記感光性樹脂の構造体を前記第1のめっき液と異なる第2のめっき液に浸漬し、前記第1のめっき層を除去した部分から第2のめっき層を形成する第6工程とを有する微細構造体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】表面めっき皮膜に潤滑性を付与することにより摺動性を高め、耐磨耗性が良好で、かつ接触信頼性が良好であるめっき材料を提供する。
【解決手段】40℃における動粘度が100mm/s以下の潤滑油を内包し、樹脂または無機材料の外壁からなるカプセルであって、該カプセルの平均粒径が1μm以下であるとともに、該カプセルの直径をdおよび外壁の厚さをtとしたとき、直径に対する壁の厚さt/dが1/100以上1/2未満であるカプセルを含有する。 (もっと読む)


【課題】電気メッキ法を採用することにより、従来の無電解メッキ法のみにより得られる高分子電解質の表面や内部に形成した金属層(メッキ層)と比較して、表面抵抗の抑制や、高分子電解質に対する密着性の向上、短時間で金属層の膜厚(メッキ厚)の確保、工程数の簡略化、メッキ厚や電極形状を容易に調整でき、更に、異種金属を容易に積層できる高分子電解質複合体の製造方法、及び、前記製造方法により得られる高分子電解質複合体を提供する。
【解決手段】高分子電解質の少なくとも表面より内部に、電気メッキ法により、金属層を形成する工程を含むことを特徴とする高分子電解質複合体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】被めっき部材の表面に形成されるめっき皮膜のピンホールやピットの発生を抑制する電気めっき方法及びめっき部材を提供する。
【解決手段】めっき浴槽20内に、平均粒子径20μm〜300μmの粒子を5体積%〜65体積%の範囲で含むめっき液21を満たし、めっき浴槽内のめっき液中に被めっき部材11及び陽極13を配置し、被めっき部材11及び陽極13を配置しためっき浴槽20内を、めっき液の蒸気圧Pb〜(蒸気圧Pb+15kPa)の範囲の圧力に保持し、圧力を保持しためっき浴槽20内において、陽極13を上流側とし被めっき部材11を下流側としてめっき液21を流動させ、めっき液を流動させつつ、被めっき部材11及び陽極13間に電圧を印加し被めっき部材の表面にめっき膜を形成することを特徴とするめっき部材の製造方法。 (もっと読む)


【課題】金属または金属酸化物からなる微細構造体を容易に、導電性基板上に規則的に配列させて作製できる微細構造体の製造方法および該製造方法を用いて得られる複合体の提供。
【解決手段】導電性基板13上に有機膜12を形成し、該有機膜12上に、特定一般式(1)で表されるブロック共重合体(1)を溶媒に溶解した溶液を塗布して両親媒性ブロック共重合体膜11を形成する。次に、有機膜12および両親媒性ブロック共重合体膜11が形成された導電性基板13に対して熱処理を行って、該両親媒性ブロック共重合体膜11内を、親水相と疎水相とに相分離させ、相分離構造膜14とする。その後、導電性基板12に対して電解メッキ処理を行う。これにより、相分離構造膜14の親水相15の位置に金属または金属酸化物からなる微細構造体16が形成される。電解メッキ処理の後、さらに、相分離構造膜14のみを除去する工程を行ってもよい。 (もっと読む)


【課題】 半導体の上に直接電着する方法を提供する。
【解決手段】 本開示は、半導体材料の少なくとも1つの表面上に金属又は金属合金を電着する方法を提供する。本発明の方法は、半導体材料の少なくとも1つの表面上の、電着された金属膜による完全な被覆を提供する。本開示の方法は、半導体材料を準備することを含む。半導体材料の少なくとも1つの表面上に、電着プロセスによって金属膜が付けられる。用いる電着プロセスには、最初に低電流密度を加え、所定の時間後に電流密度を高電流密度に変える電流波形が用いられる。 (もっと読む)


【課題】金属基材の耐蝕性を確実に向上させることができる防食皮膜を提供する。
【解決手段】本発明の防食皮膜1は、金属基材Mの表面に形成され、ニッケルを含有する第一膜11と、第一膜11上に形成され、鉄又はクロムを含有する第二膜12と、第二膜12上に形成され、亜鉛を含有する第三膜13と、を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】絶縁性基材に設けられた微細孔への金属の充填率が高く、かつ、金属充填に伴う残留応力によって微細構造体に反りが発生することを防止することができる金属充填微細構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性基材に設けられた貫通孔101,102等の平均開孔径が10〜5000nmであり、平均深さが10〜1000μmであり、前記貫通孔の密度が1×106〜1×1010個/mm2である絶縁性基材に、前記貫通孔への金属の仮想充填率が100%よりも大きくなるように、電解めっき処理により前記貫通孔へ金属を充填する工程、絶縁性基材の表面に付着した金属を研磨処理により除去する工程を有し、前記貫通孔内部に充填される金属の結晶粒子径と、前記絶縁性基材の表面に付着する金属の結晶粒子径と、の差が20nm以下となるように前記電解めっき処理を実施することを特徴とする金属充填微細構造体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】
潜熱回収型給湯器などの、排ガスから生じたドレン水を中和して排水するために、中和処理を行うための中和処理容器の材料を提供する。
【解決手段】
排ガスから潜熱を回収する際に生成したドレン水を中和する中和処理容器用材料であって、11〜25質量%のCrを含有する含Cr鋼を基材とし、基材の表面に5〜60g/mのZnを含有する被覆物が存在することを特徴とする中和処理容器用材料。 (もっと読む)


【課題】安価、軽量で耐食性及び放熱性に優れ、且つ低ノイズで絶縁破壊が生じにくい高周波通電用導体を提供する。
【解決手段】アルミニウム導体10は、アルミニウム材1の外面に、アルミニウムよりも電気抵抗が高い金属で構成された被膜2を被覆したものである。この被膜2は2層構造を有し、その最外層4は錫メッキ層であり、最外層4とアルミニウム材1との間に配された内層5は、ニッケルメッキ層である。そして、この被膜2(最外層4)の表面粗さRaは、0.5μm超過とされている。 (もっと読む)


【課題】電気めっき方法で形成される鉄−ニッケル合金めっき皮膜について、熱処理後においても皮膜硬度の低下が生じ難い新規な鉄−ニッケル合金めっき皮膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ニッケル塩、第一鉄塩、錯化剤及び緩衝剤を含む水溶液中に平均粒径3μm以下の微粒子を分散させた鉄−ニッケル合金めっき液中で、電気めっき法によって該微粒子が共析した鉄−ニッケル合金めっき皮膜を形成した後、形成されためっき皮膜を400℃以上の温度で熱処理することを特徴とする、低膨張特性及び高硬度を有する鉄−ニッケル合金めっき皮膜の製造方法。 (もっと読む)


本発明によれば、次の要素が提供される:カソードを形成するブレード(120、130)であって、臨界ゾーン領域(21)を画定する、コーティングされる表面を有するブレード、アノード(19)、不溶解性の粒子を含む電解浴、および基準壁(14)に対する作業位置に前記ブレードが装着される装着台(12)。装着台(12)は、前記浴中に置かれ、粒子およびアノードの金属は、コーティング(20)をコーティングされる表面上に形成するために同時堆積される(19)。前記アノード(19)は、通常、臨界領域(21)に面して配置され、前記装着台(12)には、臨界ゾーン(12)に対して比較的一定の予め決められた厚さであって、前記コーティング(20)の縁部に沿ってほぼゼロの値まで徐々に低下する厚さを有するコーティング(20)を得るために電流線を監視する手段が設けられる。
(もっと読む)


【課題】鉛含有量が低いか又は鉛を含まない減摩コーティングの提供。
【解決手段】本発明は、Snに加えて、Sb及びCuのうちの少なくとも1つの他の元素と、所望によりPb及び/又はBi、また所望によりZr、Si、Zn、Ni及びAgのうちの少なくとも1つの元素を含有するスズベースの合金から作製され、Sbが最大で20重量%、Cuが最大で10重量%、Pb及びBiの合計が最大で1.5重量%、Cu及びSbの合計が少なくとも2重量%、Zr、Si、Zn、Ni及びAgの合計が最大で3重量%であって、スズが金属間相の形で結合され且つβスズ結晶粒を有するスズ相として自由に存在している減摩コーティング(4)に関する。βスズ構造のスズ結晶粒は、式K=A/(S+3*C+O)に基づいて計算されたμm単位の平均粒度を有し、スズベースの合金中のβスズ構造のスズ結晶粒はいずれの場合も少なくとも2.5μmの平均結晶粒度を有する。 (もっと読む)


【課題】反りが低減し、機械的強度が高くなり、平坦性が向上する金属充填微細構造体、および、その製造方法の提供。
【解決手段】1×106〜1×1010/mm2の密度で、孔径10〜5000nm、深さ50〜1000μmの貫通孔を有する絶縁性基材からなる貫通構造体の貫通孔内部に、貫通孔の深さの80%以上の深さまで金属が充填されている金属充填微細構造体とその製造方法。 (もっと読む)


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