【課題】被めっき部材の表面に形成されるめっき皮膜のピンホールやピットの発生を抑制する電気めっき方法及びめっき部材を提供する。
【解決手段】めっき浴槽２０内に、平均粒子径２０μｍ〜３００μｍの粒子を５体積％〜６５体積％の範囲で含むめっき液２１を満たし、めっき浴槽内のめっき液中に被めっき部材１１及び陽極１３を配置し、被めっき部材１１及び陽極１３を配置しためっき浴槽２０内を、めっき液の蒸気圧Ｐｂ〜（蒸気圧Ｐｂ＋１５ｋＰａ）の範囲の圧力に保持し、圧力を保持しためっき浴槽２０内において、陽極１３を上流側とし被めっき部材１１を下流側としてめっき液２１を流動させ、めっき液を流動させつつ、被めっき部材１１及び陽極１３間に電圧を印加し被めっき部材の表面にめっき膜を形成することを特徴とするめっき部材の製造方法。 （もっと読む）

本発明は、金属化された基体を調製するためのプロセスであって：この基体上に、少なくとも１つの金属イオンをキレート化し得る基を必要に応じて保有するポリマー型の化合物をグラフト化する工程と；少なくとも１つの金属イオンをキレート化し得るこのポリマー型の化合物を少なくとも１つの金属イオンと接触して配置する工程と、ポリマー型のこの化合物を、このキレート化された金属イオン（単数または複数）を還元するための条件に供する工程と、金属化された基体が得られるまでこのキレート化／還元工程を繰り返す工程とからなる工程を包含するプロセスに関する。本発明はまた、このプロセスにより得られる基体、およびその使用に関する。 （もっと読む）

【課題】低気孔率、高圧損、かつ装置の構成部材として十分な厚みや強度を持った多孔質構造体を備え、例えば電解めっき装置に適用した場合に、特に大面積で、表面に薄く電気抵抗が大きな導電層が形成された基板であっても、多孔質構造体の内部にめっき液を入り込ませることで、表面に、膜厚の面内均一性のより高いめっき膜を形成できるようにする。
【解決手段】陽極と陰極の一方の電極との接点を持つ被処理基板Ｗと、該被処理基板Ｗに対峙させた他方の電極との間に電解液を満たして被処理基板の電解処理を行う電解処理装置において、電解液の少なくとも一部に、1次粒子として内部に微細貫通孔を有する多孔質シリカ粒子を使用した多孔質シリカ構造体１１０を配置した。 （もっと読む）

【課題】均一なめっき膜が形成される電気めっき装置等を提供する。
【解決手段】陰極１１を装着する陰極設置部１２及び陽極１３を設ける陽極設置部１４と、めっき液２１を収容するめっき浴槽２０と、めっき液２１を流動させる流動部３０と、めっき浴槽２０内を所定の圧力に保持する圧力調整部４０とを有し、圧力調整部４０によりめっき浴槽２０内をめっき液２１の蒸気圧Ｐｂと等しい圧力に保持し、又は蒸気圧Ｐｂ以上、且つ（蒸気圧Ｐｂ＋１５ｋＰａ）以下に保持し、さらに陽極１３を上流側とし陰極１１を下流側とし、又は陽極１３と陰極１１とをめっき液２１の流れに対して平行に配置し、めっき液２１を流動させながら電気めっき処理が行われる電気めっき装置１００。 （もっと読む）

【課題】均一なめっき皮膜を有するめっき部材の製造方法を提供する。
【解決手段】一端に開放口９を有する泡沫形成槽３内に界面活性剤を含むめっき液２を供給し、フィルタ５を通してＮ_２ガスを吹き込み、発泡しためっき液泡沫８を開放口９から流出させ、連続的なめっき液気泡層１０として流下させつつ、外部に設ける被めっき部材（陰極）１１に供給し、めっき液気泡層１０内で電気めっきを行う。 （もっと読む）

【課題】プリント基板などの大きな物に対しても、従来のめっき装置を使用して、磁場を印加した状態でめっきする方法、およびその方法において好適に用いられるめっき用治具を提供する。
【解決手段】めっき液中に浸漬された治具により形成される磁気回路中に、被めっき物２を置く。例えば対向する１対のヨーク３と、それに連結された磁石１により磁気回路を形成し、被めっき物を配置することのできる間隙を有するめっき用の治具を用いる。 （もっと読む）

金属、または金属の化合物、例は、金属塩を備える液晶相から金属の化合物を電気化学的な手段により堆積するとき、イオン性界(表)面活性剤を普通に用いられる非イオン性界面活性剤の代わりに用いることによって、塩の高濃度を採用しうる。 （もっと読む）

【課題】０．０５ミクロンから１ｍｍの微小なスルーホールやビアホールを有するプリント基板の配線形成時のめっきなど、微小な凹部空間を有する材料のめっきにおいて、凹部空間内表面に金属をめっきする方法の提供。
【解決手段】凹部空間を有するべきプリント基板などの被めっき対象物２をめっき液中に浸漬させ、任意の強さの磁場１を印加し、ローレンツ力によりＭＨＤ流れ４と拡散層慮域３におけるマイクロＭＨＤ流れ５を生じさせてめっきを行う凹部空間内表面に金属をめっきする方法。 （もっと読む）

【課題】 半導体又は絶縁体層上に直接、薄膜を電気化学処理プロセスで形成する方法、及び該プロセスを実施する装置を提供すること。
【解決手段】 １２５ｍｍ又はそれより大きい半導体ウェハであって、少なくとも一部が電解質溶液と接触し、第１電極として機能する半導体ウェハを、導電性表面と電気接触する状態で準備するステップと、電解質溶液の中に第２電極を準備するステップであって、第１及び第２電極が電源装置の両端に接続されるステップと、電流が第１及び第２電極にわたって印加されるときに、光源を用いて半導体ウェハの表面を照射するステップと、を含む電気化学プロセスである。本発明はまた、光源と電気化学プロセスを実施する電気化学構成要素とを含む装置も対象とする。 （もっと読む）

【課題】 既存のＣＶＤタングステン・プラグ金属化技術と比べて減少したプラグ抵抗を示し得る構造体を提供すること。
【解決手段】 基板上に配置されたキャビティを有するパターン形成された誘電体層と、キャビティの底部に配置された、コバルト及び／又はニッケルのようなシリサイド又はゲルニウム化物層と、誘電体層の上部及びキャビティの内部に配置され、前記底部においてシリサイド又はゲルニウム化物層に接触する、Ｔｉ又はＴｉ／ＴｉＮを含むコンタクト層と、コンタクト層の上部及びキャビティの内部に配置された拡散バリア層と、バリア層の上部に配置された、めっきのための随意的なシード層と、ビア内の金属充填層とを含むコンタクト金属（メタラジ）構造体が、その製造方法と共に提供される。金属充填層は、銅、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、モリブデン、金、銀、ニッケル、コバルト、カドミウム、亜鉛、及びこれらの合金から成る群から選択される少なくとも１つの部材を用いて電着される。金属充填層がロジウム、ルテニウム、又はイリジウムである場合、金属充填物と誘電体との間に有効な拡散バリア層を必要としない。バリア層が、ルテニウム、ロジウム、又はイリジウムのようにめっき可能である場合、シード層を必要としない。 （もっと読む）

【課題】特に大面積で、表面に薄く電気抵抗が大きな導電層が形成された基板であっても、この表面に、膜厚の面内均一性の高いめっき膜を形成できるようにする。
【解決手段】基板Ｗを保持する基板保持部と、基板Ｗと接触して基板の表面に通電させる第１の電極８８と、基板保持部で保持した基板Ｗの表面に対面する位置に配置される第２の電極９８と、基板保持部で保持した基板Ｗと第２の電極９８との間に配置される圧力損失が５００ｋＰａ以上または見掛気孔率が１９％以下の多孔質構造体１１０と、基板保持部で保持した基板Ｗと第２の電極９８との間に電解液を注入する電解液注入部１０４と、第１の電極８８と第２の電極９８との間に電圧を印加する電源１１４を有する。 （もっと読む）

【課題】導電性をもつ粉体の大きさや比重に関係なく、安全かつ低コストで該導電性粉体の表面に金属を担持させることのできる金属担持導電性粉体の製造方法を提供する。
【解決手段】金属前駆体を溶媒に溶解させる金属前駆体溶液の作製工程と、導電性粉体を溶媒に分散させる導電性粉体溶液の作製工程と、前記金属前駆体溶液と前記導電性粉体分散溶液とを混合し金属前駆体を担持した導電性粉体を作製する担持工程と、前記金属前駆体を担持した導電性粉体を第１の電極に固定する電極固定工程と、前記第１の電極を電解液に浸し陰極とし、陽極となる第２の電極を前記電解液に浸し、前記第１と第２の電極に電流を流す電解還元工程と、前記電極から導電性粉体を回収する回収工程を経て金属担持導電性粉体を製造する。 （もっと読む）