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Fターム[4K024AA09]の内容

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Fターム[4K024AA09]に分類される特許

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【課題】 微細配線への加工性を高めた銅めっき被膜を形成する銅電気めっき法の提供とこの銅電気めっき方法を銅めっき被膜の成膜に用いた金属化樹脂フィルムの提供を目的とする。
【解決手段】 銅めっき液に通電して銅めっき被膜を形成する銅電気めっき方法において、銅めっき液への通電時の電流密度を、銅めっき被膜の厚みが2.5μmになるまでは、0.5A/dm以下として銅めっきを行うと共に、銅めっき液は構成原子に硫黄原子を有する有機化合物を8重量ppm〜30重量ppm含むことを特徴とするものである。 (もっと読む)


【課題】大面積のグラフェンを低コストで生産可能なグラフェン製造用銅箔及びそれを用いたグラフェンの製造方法を提供する。
【解決手段】銅箔基材の表面に、厚み5μm未満の銅めっき層を設けてなり、水素を20体積%以上含有し残部アルゴンの雰囲気中で、1000℃で1時間加熱後の前記銅めっき層表面の圧延平行方向及び圧延直角方向の60度光沢度が共に300%以上である。 (もっと読む)


【課題】 キャリア箔上での極薄銅箔の密着保持が確実であるとともに、熱圧着処理後のキャリア箔の剥離が容易であるキャリア箔付き極薄銅箔と、これを製造するための製造方法を提供する。
【解決手段】 キャリア箔付き極薄銅箔を、銅のキャリア箔上に、ニッケル層またはニッケル合金層、および、剥離層を介して極薄銅箔を備えたものとし、剥離層はオキシ水酸化ニッケルを含有するとともに、厚みが20〜60nmの範囲内であり、厚みのバラツキが20%以下であるように構成する。 (もっと読む)


【課題】シード層を必要とせず、簡素な工法で製造でき、高導電性、鏡面導体接着及び高信頼な導体接着強度のフレキシブル配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のフレキシブル配線板は、未金属化のポリイミドフイルム単体の片面又は両面に銅導体を形成する無接着剤型二層フレキシブル配線板であって、下記の工程、すなわち、ポリイミドフイルムの穴明け、ポリイミドフイルム表面の改質、金属触媒化、めっきレジスト膜形成、電気銅めっき、めっきレジスト膜剥離、金属触媒エッチングを順に行うことにより製造される。 (もっと読む)


【課題】低接触抵抗、高はんだ濡れ性及び低挿入力を有するSn系めっき材を提供する。
【解決手段】Sn系めっき材10は、金属基材11、金属基材11上に形成された下地めっき12、下地めっき12上に形成されたAgを含むSn系めっき13を備える。Sn系めっき材10は、XPS(X線光電子分光装置)でDepth分析を行ったとき、Snの原子濃度(at%)の最高値を示す位置(DSn)及びAgの原子濃度(at%)の最高値を示す位置(DAg)がSn系めっき13表面からDSn、DAgの順で存在し、Sn系めっき13に含まれるAgが1〜200μg/cm2であり、Sn系めっき13に含まれるSnが2〜220μg/cm2である。 (もっと読む)


【課題】比較的薄い銅めっき皮膜を形成した場合でも、均一かつ平滑な、良好な鏡面光沢を有する銅めっき皮膜を析出する銅めっき方法を提供する。
【解決手段】銅めっき方法において、被めっき物と臭化物イオンを含有する前処理液とを接触させ、銅めっき液を用いて電気めっきにより銅を析出する。 (もっと読む)


【課題】銅−コバルト−ニッケル合金めっきからなる粗化処理を施した銅箔と液晶ポリマーを貼り合わせた銅張積層板において、銅箔回路エッチング後に液晶ポリマー樹脂表面上の粗化粒子残渣のない、銅張積層板を提供する。
【解決手段】銅箔と液晶ポリマーを貼り合わせた銅張積層板であって、当該銅箔は液晶ポリマーとの接着面に、銅の一次粒子層と、該一次粒子層の上に、銅、コバルト及びニッケルからなる3元系合金からなる二次粒子層とが形成されており、該一次粒子層の平均粒子径が0.25−0.45μmであり、該二次粒子層の平均粒子径が0.05−0.25μmである銅張積層板。 (もっと読む)


【課題】 表面の微細な凹凸を除去し、健全な平滑性を与えるめっき処理装置、および健全な平滑性を有するめっき基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 長尺シート状のワークを連続的にワーク供給装置からめっき槽を含む少なくとも1槽の処理槽に搬入してめっき処理した後、ワーク巻取装置により連続的に巻き取るめっき処理装置において、そのワーク巻取装置とめっき処理槽間に熱処理装置を備えることを特徴とするめっき処理装置である。 (もっと読む)


【課題】電解めっき法によるCu膜の確実に析出させる。
【解決手段】抑制剤と促進剤を添加しためっき液とシリコン基板の相対速度が100m/分以上になる速度でシリコン基板を回転させながら、シリコン基板をめっき槽に浸漬させる。抑制剤の分子がシード層の表面に吸着し、シード溶解が抑制される。導電膜を成長させるときは、シリコン基板とめっき液の相対速度が30m/分以下になる速度でシリコン基板を回転させながら、シリコン基板とアノード電極の間に通電する。ボトムアップ成長が促進され、配線溝内での空孔の形成が防止される。 (もっと読む)


【課題】 装置の敷設効率に優れ、かつ生産性向上に優れた化学処理装置を提供する。
【解決手段】 長尺シート状のワークを連続して化学処理槽に搬入して化学処理する化学処理装置において、リールに巻かれた長尺シート状のワークを連続的に供給するワーク供給装置と化学処理されたワークを連続的にリールに巻き取るワーク巻取装置を、ワークの化学処理槽搬入時にワークの上端および下端をそれぞれクランプする上下端搬送クランプ群を有する一対のエンドレスベルトの片側に配置し、めっき処理における前処理槽と後処理槽とによりワーク供給装置及びワーク巻取装置の両者を挟み込む位置で、かつ同じエンドレスベルト側の位置に配置し、化学処理槽を対向するエンドレスベルト側に設けた構造を特徴とする。 (もっと読む)


【課題】電極の構成およびその製造方法が従来よりも、低コストで導電性能が低下せず、多数の製造工程を必要としない電極形成基板およびその製造方法および同電極形成基板を提供する。
【解決手段】ガラス基板2と、ガラス基板2上全体に成膜されたITO3膜と、電極形状に形成された金属めっき膜5と、を有する電極形成基板1であって、ITO膜3上には、パターニングされたストライクめっき膜4を備え、ストライクめっき膜4を介して、ITO膜3と金属めっき膜5とは、密着し、ストライクめっき膜4上にのみ金属めっき膜5を形成し、金属めっき膜5は、電解めっきを用いて形成されている。 (もっと読む)


【課題】支持体上に薄銅層が剥離可能に形成されている支持体付極薄銅箔の薄銅層の結晶状態を定量的に評価可能とし、エッチング性が良好で微細回路の加工に適すると共に、ハンドリング時の耐傷性を改善した支持体付極薄銅箔を提供する。
【解決手段】支持体上に薄銅層が剥離可能に形成されている支持体付極薄銅箔であって、薄銅層の230℃1時間加熱処理後のビッカース硬度が180〜240Hvである支持体付極薄銅箔を、薄銅層の形成に平均分子量が5000以下のゼラチンを15〜35ppm含有する硫酸銅めっき浴を用いることにより製造する。 (もっと読む)


【課題】前面電流トラックを形成したドープ半導体ウェハの銅めっきに関する改善された銅めっき方法を提供する。
【解決手段】前面、裏面およびPN接合を含む半導体を提供し、下層を含む導電トラックのパターンを前記前面が含み、かつ前記裏面が金属接点を含んでおり;前記半導体を一価銅めっき組成物と接触させ;並びに導電トラックの下層上に銅をめっきする。 (もっと読む)


【課題】安価でありながら、安定した接触抵抗を長期間に亘って維持して電気的信頼性および耐久性に優れると共に、端子挿入時の挿入力が充分に小さいコネクタ用電気接点材料を製造する技術を提供する。
【解決手段】基材上に、Ni、Sn、Al、Zn、Cu、Inまたはこれらの合金からなる金属層を形成する金属層形成工程と、金属層形成工程後に形成された酸化物層を除去する酸化物層除去工程と、酸化物層が除去された金属層の表面を酸化処理(または水酸化処理)して導電性酸化物層(または導電性水酸化物層)を形成する導電性酸化物層(または導電性水酸化物層)形成工程とを有しているコネクタ用電気接点材料の製造方法。基材上に、Ni、Sn、Al、Zn、Cu、Inまたはこれらの合金からなる金属層が形成されており、金属層の上に導電性酸化物層または導電性水酸化物層が形成されているコネクタ用電気接点材料。 (もっと読む)


【課題】生産性に優れ、かつ素材が複雑な形状であっても、装飾めっき品を容易に製造できるめっき方法を提供する。
【解決手段】素材に装飾用の電気めっきを施すめっき方法であって、素材にデザイン色(第1色)の第1めっき層を形成する第1めっき工程P2と、第1めっき工程P1で形成された第1めっき層にデザインが施されたマスキングシートを被せるマスキング工程P3と、マスキングシートの上から背景色(第2色)の第2めっき層を形成する第2めっき工程P4と、マスキングシートを取り除くマスキング除去工程P5とを備えている。 (もっと読む)


【課題】めっき後に細線乃至小ドットの金属パターンを高解像度で形成できる金属パターン材料及び金属パターン材料の製造方法の提供。
【解決手段】特定のめっき形成用光感応材料を6μm未満のピッチで露光する際に、6μmピッチ露光時の最適パワーに対し、100%未満であり、かつ〔(ピッチ(μm)×75/6+25)−30〕〜〔(ピッチ(μm)×75/6+25)+15〕%のレーザーパワーで露光する露光工程と、露光後のめっき形成用光感応材料を現像液で現像する現像工程と、現像後のパターンが形成されためっき形成用光感応材料を、めっき浴比が10未満でめっきを行うめっき工程とを含む金属パターン材料の製造方法である。 (もっと読む)


【目的】高分子繊維材料の強度(強力)を低下させずに密着性を向上させ、これにより、めっき皮膜の導電性の低下を防止するともに、導電性のバラツキを減少させることができる高分子繊維材料のめっき方法等を提供すること。
【解決手段】本発明に係るめっき方法は、(1)高分子繊維材料をラジカル処理するラジカル処理工程と、(2)ラジカル処理工程を経た高分子繊維材料Aをカチオン系界面活性剤溶液に浸漬するカチオン処理工程と、(3)カチオン処理工程を経た高分子繊維材料BをPdとSnのコロイド溶液に浸漬するSn−Pd触媒浸漬工程と、(4)Sn−Pd触媒浸漬工程を経た高分子繊維材料Cを酸溶液に浸漬するアクセレーター処理工程とを備える。更に、Sn−Pd処理工程を経た高分子繊維材料Dを無電解めっき又は電気めっきするめっき工程を備えるとよい。 (もっと読む)


【課題】2種類以上のめっきを同一の感光性材料を用いて選択的に成膜する場合、クラックの発生を抑制する。
【解決手段】この製造装置は、表面に絶縁膜330が形成された半導体ウェハ200表面
を第1のめっき液を用いてめっき処理する第1のめっき処理槽と、半導体ウェハ200表
面を第2のめっき液を用いてめっき処理する第2のめっき処理槽と、を備える。第1のめ
っき処理槽には、半導体ウェハ200の表面と重なる部分の長さがdであり、かつ絶縁
膜330との接触幅がwの第1のシール320が設けられ、第2のめっき処理槽には半
導体ウェハ200の表面と重なる部分の長さがdであり、かつ絶縁膜330との接触幅
がwの第2のシール340が設けられ、第1のシール320と第2のシール340の間
には、d<d−wの関係が成り立っている。 (もっと読む)


【課題】基板に定形された形態部の内部に、表面が平坦化された導電性材料を形成する方法を提供する。
【解決手段】平坦化表面を形成する方法であって、狭小形態部と幅広形態部が形成された基板上に、第1のプロセスでは電気めっき法により狭小形態部および幅広形態部の少なくとも一部を充填し、第1の層を形成し、第2のプロセスでは無電解めっき法により幅広形態部のに対応する第1の層中の孔および第1の層上に第2の層を充填形成し、表面が平坦な上層部110を形成する。 (もっと読む)


【課題】水素よりもイオン化傾向の大きい金属をシード層として使用し、硫酸銅めっき液等の酸性のめっき液を使用した電気めっきを行っても、ビアホールの内部に銅等のめっき金属をより確実に埋込むことができるようにする。
【解決手段】表面に水素よりもイオン化傾向の大きな第1金属によって覆われたビアホールが形成された基板を用意し、基板を前記第1金属より貴な第2金属またはその塩を溶解させた前処理液に浸漬させて基板の前処理を行い、しかる後、基板の表面に電気めっきを行って前記ビアホール内に前記第2金属または第3金属を埋込む。 (もっと読む)


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