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Fターム[4K024AA09]の内容

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Fターム[4K024AA09]に分類される特許

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【課題】水素よりもイオン化傾向の大きい金属をシード層として使用し、硫酸銅めっき液等の酸性のめっき液を使用した電気めっきを行っても、ビアホールの内部に銅等のめっき金属をより確実に埋込むことができるようにする。
【解決手段】表面に水素よりもイオン化傾向の大きな第1金属によって覆われたビアホールが形成された基板を用意し、基板を前記第1金属より貴な第2金属またはその塩を溶解させた前処理液に浸漬させて基板の前処理を行い、しかる後、基板の表面に電気めっきを行って前記ビアホール内に前記第2金属または第3金属を埋込む。 (もっと読む)


【課題】簡便な金属膜形成方法、特には金属パターン形成方法を提供する。
【解決手段】固体電解質及び金属イオンを含有する固体電解質膜を挟んで配置された陰極基材と陽極基材間に電圧を与えることにより金属イオンを還元して陰極基材上に金属を析出させる工程a)を含む金属膜形成方法。 (もっと読む)


【課題】抗酸化特性およびエッチング特性が良好であり、さらに、高温高圧環境でも剥離性に優れた極く薄い銅箔と、厚さが均一であり、ピンホールがほとんどない担体とを備える、担体としてベリーロープロファイル銅箔付きの極く薄い銅箔を提供すること。
【解決手段】ベリーロープロファイル銅箔を担体とした極く薄い銅箔の製造方法が、担体の両面が平坦で,粗さが1.5μm以下,厚さが18〜35μmのベリーロープロファイル銅箔を;リブテン,ニッケル,クロムとカリウム金属イオンからなるめっき液でめっきして剥離層とし;剥離層の上に、Cu2P2O73H2O;10〜60g/L,K4P2O7:100〜400 g/L,PH=6〜10,浴温10〜600 Cからなるめっき液を電流密度1〜5A/dm2でめっきして剥離層の保護膜を形成し、;更に銅濃度50〜100g/L,硫酸濃度90〜125g/L,浴温40〜700 C,のめっき液を電流密度10〜50A/dm2でめっきして、厚さ1〜6μm以下の極く薄い銅箔とからなること。 (もっと読む)


【課題】銅又は銅合金条表面のリフローSnめっき層にCu−Sn合金層を部分的に露出させることで、Sn粉の発生を抑制することができるSnめっき材を提供する。
【解決手段】銅又は銅合金条2の表面にリフロー処理を施したSnめっき層6を有するSnめっき材10であって、最表面に露出したCu−Sn合金層4aの面積率が0.5〜4%であり、最表面から見て、前記Cu−Sn合金層の個数が0.033mm当たり100〜900個である。 (もっと読む)


【課題】めっき膜の成膜が進んでも、被めっき面の表面電位と所望する表面電位との誤差が生じることを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、半導体基板1に形成されたシード膜20を、めっき液32に接触させる工程と、シード膜20にカソード電極54を接続し、シード膜20とめっき液32中のアノード電極40との間で電流を流すことにより、シード膜20上にめっき膜22を形成する工程と、を備え、めっき膜22を形成する工程において、めっき液20中に挿入された参照電極34とカソード電極54との間の電位差、またはカソード電極54とアノード電極40の電位差を、時間の経過と共に徐々に下げる工程を有する。 (もっと読む)


【課題】 被めっき面が略鉛直面となる縦型懸垂めっき法により金属被覆樹脂基板を製造するに際して、めっき電圧の上昇を伴わずにめっき厚分布をほぼ均一化できるめっき装置の提供。
【解決手段】 被めっき面としての下地金属層を表面に備える樹脂基板を、前記被めっき面が略鉛直面となるように配置し、かつ前記被めっき面に対向する側に設置される電極と前記被めっき面との間に遮蔽板を配置する金属被覆樹脂基板のめっき装置において、前記遮蔽板として、当該板状部材の上辺及び下辺が先端側から後端側へ向けて、前記樹脂基板の上辺及び下辺に対して一定の傾斜角度でテーパー状に縮幅する形状を有する板状部材を用いることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ステンレス基材の表面にエッチングでヘアライン溝を形成した後に、めっき及び硫化燻しを施しても埋没することがない溝幅及び溝深さを有したヘアライン溝が形成されたステンレス鋼板を製造できる。
【解決手段】ステンレス基材2の表面2aに塗布されたレジスト11を、透光性を有したマスクフィルム12越しに露光することでヘアラインHL状に除去し、レジスト11を除去して露出したステンレス基材2の表面2aにエッチングしてヘアライン溝3を形成する溝形成工程Aと、ステンレス基材2の表面2aにニッケルめっき層4を形成するニッケルめっき工程Bと、ニッケルめっき層4の表面4aに銅めっき層5を形成する銅めっき工程Cと、銅めっき層5の表面5aに硫化燻しを施して硫化膜6を形成する燻し工程Dとを有している。 (もっと読む)


【課題】電気的接続の信頼性を損なうことなく電気抵抗率を従来よりも低減できる埋め込み配線を有する半導体装置用基板および半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明は、上記目的を達成するため、埋め込み配線を有する半導体装置用基板であって、前記埋め込み配線は、金属多結晶体からなり、平均結晶粒径が異なる少なくとも2層の領域を前記基板の厚さ方向に有し、前記埋め込み配線の開口面を含む層の平均結晶粒径が、前記埋め込み配線の他の層の平均結晶粒径よりも小さいことを特徴とする半導体装置用基板を提供する。また、本発明は、上記半導体装置用基板を用いたことを特徴とする半導体装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】良好な引張り強さ、導電率、繰り返し曲げ性及び溶接性をバランス良く兼ね備えた電池接続タブ材に好適な銅合金条。
【解決手段】2〜12質量%のZnを含有し、かつ0.1〜1.5質量%のSnを含有し、残部が銅及び不可避的不純物から成る銅合金条であって、板厚方向及び圧延平行方向の結晶粒のアスペクト比が0.1以上であり、リフロー後のSn層の厚みが0.10〜1.60μmであり、かつCu−Sn化合物の厚みが0.10〜1.90μmであるリフローSnめっきが施されている、充電用電池タブ用のSnめっき銅合金条。この銅合金条は好ましくは、Ni/Cu下地めっき又はCu下地めっきが施されており、導電率が31〜70%IACSであり、180°密着曲げ及び曲げ戻し試験での繰り返し曲げ回数が2.5回以上であり、引張り強さが300〜610MPaである。 (もっと読む)


【課題】高硬度かつ低抵抗のめっき膜、前記めっき膜を電気接点とする電子部品、前記めっき膜を成膜可能なめっき液、および、前記めっき膜の製造方法を提供する。
【解決手段】めっき膜10は、Au(100−x−y)−M−Cからなる。ただし、MはAu以外の金属元素であり、1≦x≦22、かつ、3≦y≦30、かつ、4≦(x+y)≦40である。めっき液50は、Auイオンと、Niイオンと、くえん酸(Cit)イオンと、CNイオンと、を含む。 (もっと読む)


【課題】本発明は、基板に対する密着性に優れる金属膜を有する積層体の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】所定のエポキシ当量の少なくとも1種のエポキシ樹脂と、トリアジン環を有する少なくとも1種のフェノール樹脂とを含むプライマー層形成用組成物を基板上に塗布して、基板上にプライマー層を形成するプライマー層形成工程と、プライマー層上に、所定の官能基を有するポリマーを含む被めっき層形成用組成物を塗布した後、プライマー層上の被めっき層形成用組成物に対してエネルギーを付与して、プライマー層上に被めっき層を形成する被めっき層形成工程と、被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、めっき処理を行い、被めっき層上に金属膜を形成するめっき工程と、を備える金属膜を有する積層体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】樹脂フィルムに形成した密着性が良好でかつ配線パターンの精細化に対応できるフレキシブル基板とその製造方法並びにフレキシブル回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂フィルム基板1の少なくとも片面に、接着剤を介さずに乾式メッキ法による直接形成した下地金属層2を具備し、その下地金属層上に所望の厚さの銅被膜層6を有するフレキシブル基板であって、前記下地金属層は、第1層が厚さ2〜15nmの絶縁性のSi酸化物層またはTi酸化物層3、第2層が厚さ1〜5nmのアルミニウム(Al)、ニッケル(Ni)、もしくはニッケル−クロム合金(Ni−Cr)から選ばれる1種の金属層4、さらに第3層が厚さ50〜300nmの銅金属層5からなる。フレキシブル基板の銅被覆層をエッチング処理してフレキシブル回路基板とする。 (もっと読む)


【課題】電気化学堆積ツール用プラットフォーム上を流れる堆積用液のより大きな流れから堆積用液のより小さな流れを迂回させるシステムを提供する。
【解決手段】より小さな流れは迂回して別のプラットフォーム154上にあってもよい投与装置262へ向かう。一実施例において投与装置は加圧されたフローラインを含む。 (もっと読む)


【課題】基板等の回路にかかる力を緩和する能力を有する導電性微粒子、及び、基板間の距離を一定に維持する方法を提供する。
【解決手段】樹脂からなる基材微粒子の表面が1層以上の金属層に覆われてなる導電性微粒子であって、前記金属層の全ての層の熱膨張率がそれぞれ1×10−5〜3×10−5(1/K)であり、かつ、各金属層と前記基材微粒子との熱膨張率の比(基材微粒子の熱膨張率/金属層の熱膨張率)がそれぞれ0.1〜10である導電性微粒子。 (もっと読む)


【課題】高縦横比のビアホールを埋め込むのに好適な銅めっき溶液および銅めっき方法を提供する。
【解決手段】シード層を有する基板を浸漬し、水、銅供給源、電解物質、塩素イオン、第1添加剤、第2添加剤、および第3添加剤を含み、前記第1添加剤は、化学式1に示す化合物である銅めっき溶液を用いて銅めっきを行う。


(式中、Rは、水素原子または炭素原子数1〜6のアルキル基であり、mは、平均重合度であり6〜14の実数である。) (もっと読む)


【課題】 ピッチズレが抑制されためっき物からなる微細構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】 導電性の基板表面に感光性樹脂の層を形成する第1工程と、前記感光性樹脂の層を露光および現像することで前記基板表面の一部を露出させ、前記感光性樹脂の構造体を形成する第2工程と、前記感光性樹脂の構造体を第1のめっき液に浸漬し、前記基板表面が露出した部分から第1のめっき層を形成する第3工程と、前記第1のめっき層を形成した後、前記感光性樹脂の構造体を硬化させる第4工程と、前記感光性樹脂の構造体を硬化させた後、前記第1のめっき層の少なくとも一部を除去する第5工程と、硬化させた前記感光性樹脂の構造体を前記第1のめっき液と異なる第2のめっき液に浸漬し、前記第1のめっき層を除去した部分から第2のめっき層を形成する第6工程とを有する微細構造体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】めっき膜厚の制御を精度よく行う。
【解決手段】半導体基板上に形成された絶縁膜に設けられた複数の凹部をめっき処理により導電性材料で埋め込むめっき工程を含む半導体装置の製造方法において、めっき工程は、複数の凹部のうち所定幅以下の微細な凹部が導電性材料で埋め込まれる際に、所定の第1の基準電流密度を半導体基板全面における各複数の凹部の側壁の面積を含む第1の表面積Sと各複数の凹部の側壁の面積を含まない第2の表面積Sとの表面積比Sr=S/Sに基づき補正した第1の電流密度でめっき処理を行う工程(S104)を含む。 (もっと読む)


【課題】樹脂の表面形状によらず、簡易な手法で樹脂の表面全面を改質することができ、樹脂表面の平滑性を維持した上で、密着性の高い金属層を形成可能な無電解めっき方法、及び、金属張積層板の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】上記課題を解決するため、樹脂10の表面に無電解めっきにより金属層を形成する際に、当該樹脂10の表面に、ヒドロキシラジカルを含むラジカル水を接触させて、樹脂10の表面を改質する表面改質処理を施した上で、当該樹脂10の表面に無電解めっきにより金属層を形成することを特徴とする無電解めっき方法及び、当該無電解方法を用いた金属張積層板の製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】サイドエッチングの問題を解消したパターン付ロール及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材の表面に感光材を塗布し、露光・現像せしめてレジストパターンを形成し、該基材及びレジストパターンの表面にDLC被覆膜を形成し、該レジストパターン上に形成されたDLC被覆膜を該レジストパターンごと剥離せしめ、基材の表面にDLCパターンを形成してなるようにした。 (もっと読む)


【課題】充放電サイクルを繰り返しても容量保持率の低下が起こらず高寿命で、負極集電体が変形しないリチウムイオン二次電池を作成可能なリチウムイオン二次電池負極用電解銅箔を供給することを目的とする。
【解決手段】本発明のリチウムイオン二次電池の負極集電体を構成する電解銅箔であって、該電解銅箔は200〜400℃で加熱処理後の0.2%耐力が250N/mm2以上、伸びが2.5%以上であり、該電解銅箔の活物質層を設ける表面は防錆処理が施され、或いは粗化処理され防錆処理が施されている。また本発明は前記電解銅箔を集電体とするリチウムイオン二次電池用電極、該電極を負極としたリチウムイオン二次電池である。 (もっと読む)


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