【課題】ドラム治具で長尺の金属部材を連続送りし、スポットめっきを行う部分めっき装置において、金属部材とドラム治具の密着性の劣化を抑制し、めっき膜厚分布のばらつきを低減できるめっき装置を提供する。
【解決手段】外周部に複数の位置決めピン６が配置され、金属部材１１が位置決めピン６に係合して外周部に沿って搬送されるドラム治具１と、ドラム治具１を回転可能に支持する回転軸２と、めっき液を金属部材１１に供給する噴流部８と、回転軸２に装着され、ドラム治具１の周速度を減速させるブレーキユニット１５と、を備えた部分めっき装置を提供する。またドラム治具１の搬入側の第１の領域では金属部材１１にめっき処理を行わず、搬出側の第２の領域において金属部材１１にめっき処理を施すめっき装置。 （もっと読む）

【課題】高温環境下に曝されても基板との優れた密着性を示す金属層を有する積層体の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に下地層を形成する下地層形成工程と、下地層上に、重合性基、および、めっき触媒またはその前駆体と相互作用を形成する官能基を有するポリマーと、反応性基を有するシランカップリング剤とを含む被めっき層形成用組成物を用いて、被めっき層を形成する被めっき層形成工程と、被めっき層に、めっき触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、めっき触媒またはその前駆体が付与された被めっき層に対してめっきを行い、被めっき層上に金属層を形成するめっき工程と、を備え、下地層形成用組成物および／または被めっき層形成用組成物が、Ｐ＝Ｏ基含有重合性化合物を含み、被めっき層のヤング率が１２００ＭＰａ以下である、金属層を有する積層体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】低挿抜性、低ウィスカ性及び高耐久性を有する電子部品用金属材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材１１と、基材１１の最表層を構成し、Ｓｎ，Ｉｎ，またはそれらの合金で形成されたＡ層１４と、基材１１とＡ層１４との間に設けられて中層を構成し、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒ，またはそれらの合金で形成されたＢ層１３と、を備え、最表層（Ａ層）１４の厚みが０．２μｍよりも厚く、中層（Ｂ層）１３の厚みが０．００１μｍ以上である電子部品用金属材料１０。 （もっと読む）

【課題】表面電極にめっき層を形成する際に、裏面電極に不必要なめっき層が形成されることによる裏面電極の電気抵抗の影響を抑制しつつ、表面電極にめっき層を欠陥無く形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】表面１ａに半導体素子の表面電極２が形成され、裏面１ｂに半導体素子の裏面電極が形成された半導体ウェハ１を用意する工程と、半導体ウェハ１の表面電極２にめっき層３を形成するめっき工程とを有する半導体装置の製造方法において、めっき工程では、表面電極２と半導体ウェハ１の側面１ｃとを露出した状態とし、かつ、半導体ウェハの裏面１ｂの全域を被覆した状態として、半導体ウェハ１をめっき液に浸してめっき層を形成する。 （もっと読む）

【課題】低挿抜性、低ウィスカ性及び高耐久性を有する電子部品用金属材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材１１と、基材１１の最表層を構成し、Ｓｎ，Ｉｎ，またはそれらの合金で形成されたＡ層１４と、基材１１とＡ層１４との間に設けられて中層を構成し、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒ，またはそれらの合金で形成されたＢ層１３と、を備え、最表層（Ａ層）１４の厚みが０．００２〜０．２μｍであり、中層（Ｂ層）１３の厚みが０．００１〜０．３μｍである電子部品用金属材料１０。 （もっと読む）

【課題】ＣｕまたはＣｕ合金からなる通電部材（電極端子）に、Ｃｕ成分を含有しないはんだを使用しても、通電部材側とはんだとが十分な接合強度を発現するはんだ接続用通電部材、配線用基板及びめっき皮膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ＣｕあるいはＣｕ合金を含む通電部材１上に、ピンホール７を有する置換Ｓｎめっき皮膜５と、電解Ｎｉめっき皮膜４と、電解Ｐｄめっき皮膜３と、電解Ａｕめっき皮膜２と、がこの順に積層されているはんだ接続用通電部材である。 （もっと読む）

【課題】めっき膜を形成するめっき方法を提供する。
【解決手段】基板上にレジストパターンを形成する工程、レジストパターン形成面に、下記一般式（１）で表わされる構造単位及び下記一般式（２）で表わされる構造単位を有する重合体を含有する表面改質層を形成する工程、レジストパターンの開口部にめっき膜を形成する工程を有するするめっき方法。


〔式中、Ｒ¹は水素原子又はメチル基、Ｒ²は単結合又は２価の連結基、Ｒ³は水素原子、水酸基又はアルコキシ基、Ｒ⁴は水素原子又はメチル基、Ｒ⁵は極性基を示す。〕 （もっと読む）

【課題】Ｘ線位相コントラストイメージング用の高アスペクト比グリッドの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板３０６に高アスペクト比の凹部３０２を形成すると共に、凹部底表面にメッキ金属の初期成長サイトの生成を凹部側表面よりも促進するための表面プロファイル特徴部を形成する。その後、メッキにより金属を凹部に充填する。金属が充填された高アスペクト比の凹部を、Ｘ線位相コントラストイメージング装置においてＸ線格子として用いることができる。 （もっと読む）

【課題】処理液の流れ方向を自在に切替えることができ、かつ処理液の流れ方向を切替える際に、処理液の全体的な流量の変化や流れの不均一を生じさせることのないようにする。
【解決手段】処理槽２０に接続され、該処理槽２０内に方向が異なる処理液の流れが形成されるように切替えて使用される複数の入口配管２６ａ，２６ｂ及び出口配管２８ａ，２８ｂと、入口配管２６ａ，２６ｂ及び出口配管２８ａ．２８ｂを通して処理槽２０内に処理液を供給し循環させるポンプ３０を備え、入口配管２６ａ、２６ｂ及び出口配管２８ａ，２／８ｂには、切替えて使用される時に、内部を流れる処理液の流量が時間ととも変化するように制御部４８で制御される流量制御装置４４ａ，４４ｂ、４６ａ，４６ｂがそれぞれ設けられている。 （もっと読む）

【課題】 従来の遮蔽格子の透過部よりもＸ線の透過率が高い透過部を備える遮蔽格子として用いることができる構造体と、その製造方法とを提供することを目的とする。
【解決手段】 構造体の製造方法は、基板の第１の面２８に複数の凸部３０を形成する工程と、複数の凸部の間に金属を充填して金属構造体１を形成する工程と、複数の凸部の頂面３１と、基板の第１の面と対向する基板の第２の面２９のうち複数の凸部の頂面３１に対向する部分３２と、にはさまれた領域の少なくとも一部をエッチングする工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アルカリ水溶液に対して十分な耐性を有する被めっき層形成用組成物、および、めっきの均一性に優れた金属層を有する積層体の製造方法、を提供することを目的とする。
【解決手段】熱、酸または輻射線により疎水性から親水性に変化する官能基と、カルボキシル基、ヒドロキシル基、イソシアネート基、アルコキシシリル基、アセトキシシリル基、クロロシリル基、１級アミノ基、２級アミノ基、３級アミノ基、エポキシ基、オキセタニル基、（メタ）アクリルアミド基、アリル基、スチリル基、マレイミド基、およびシンナモイル基からなる群より選択される少なくとも一種の架橋性基とを有するポリマーを含む被めっき層形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】マスキングを行わないで、部分的な電解メッキが行え、生産効率の向上が図れる塗布具の提供。
【解決手段】装飾のために、電気的な導通性を有する導電性インクによって軸筒20の表面の上に形成された導電性インク層31と、所定の金属で導電性インク層31の上に形成された金属層32とを備えた装飾パターン30を軸筒20の表面に形成する。シルクスクリーン印刷で導電性インクを印刷することで形成した導電性インク層31の上に、電解メッキで金属層32を形成するので、軸筒20の表面に対してマスキングを行わなくとも、メッキによる金属層32を有する装飾パターン30を軸筒20の表面に部分的に形成できる。よって、メッキを行わない部分をマスキングする作業と、マスキングをはがす作業とが不要となるので、生産効率の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】燃料電池用セパレータの製造方法において、耐食性をより向上させることである。
【解決手段】隣設する燃料電池用セル１０を分離する燃料電池用セパレータ２２の製造方法であって、金属材料で構成されたセパレータ基体２４に金ストライクめっきを施し、これによって厚み１０ｎｍ〜２００ｎｍの第１金めっき層を形成する。また、金ストライクめっきによる第１金めっき層上に、さらに金めっきを施し、第２金めっき層を形成することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】アノードにおける反応で発生した酸素によって白金触媒が酸化されて触媒能が低下することを抑制し、それにより固体高分子電解質膜・触媒金属複合電極の寿命を延ばすことができる製造方法を提供する。
【解決手段】固体高分子電解質膜１の両面に、白金イオンの還元により析出した白金を含む触媒層２が形成され、且つアノードとなる触媒層の表面上の少なくとも給電体接触部に金層３が形成されている固体高分子電解質膜・触媒金属複合電極とする。アノードとなる触媒層の表面上の少なくとも給電体接触部に、酸化還元電位の高い金層が形成されているので、触媒層に含まれる白金の酸化を効果的に抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】各種部材の電気的な接続面に形成されて、接触面圧が低い場合にも部材間の接触抵抗を低減することができる導電性凹凸層と、このような導電性凹凸層を備えた導電性接続構造を提供する。
【解決手段】先端が鋭角をなす無数の針状又は錐状突起１ａが配列されて成る導電性凹凸層１を導電性部材２の導電性多孔質部材３との接触面に形成する。 （もっと読む）

【課題】電極の構成およびその製造方法が従来よりも、低コストで導電性能が低下せず、多数の製造工程を必要としない電極形成基板およびその製造方法および同電極形成基板を提供する。
【解決手段】ガラス基板２と、ガラス基板２上全体に成膜されたＩＴＯ３膜と、電極形状に形成された金属めっき膜５と、を有する電極形成基板１であって、ＩＴＯ膜３上には、パターニングされたストライクめっき膜４を備え、ストライクめっき膜４を介して、ＩＴＯ膜３と金属めっき膜５とは、密着し、ストライクめっき膜４上にのみ金属めっき膜５を形成し、金属めっき膜５は、電解めっきを用いて形成されている。 （もっと読む）

【課題】電気的接続部位等に設けられるＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ被膜を形成する際に好適に用いることができ、被膜特性の向上及びコスト削減を図ることのできる電解パラジウム−リン合金めっき液、めっき被膜及びめっき製品を提供する。
【解決手段】被めっき物１００の表面に、電解めっきにより電解パラジウム−リン合金めっき被膜１２を形成する際に用いる電解パラジウム−リン合金めっき液であって、パラジウム化合物と、次亜リン酸ナトリウム又は亜リン酸と、エチレンジアミン又はジエチレントリアミンとを含むことを特徴とする電解パラジウム−リン合金めっき液、該めっき液によるめっき被膜及びめっき製品。 （もっと読む）

【課題】めっき後に細線乃至小ドットの金属パターンを高解像度で形成できる金属パターン材料及び金属パターン材料の製造方法の提供。
【解決手段】特定のめっき形成用光感応材料を６μｍ未満のピッチで露光する際に、６μｍピッチ露光時の最適パワーに対し、１００％未満であり、かつ〔（ピッチ（μｍ）×７５／６＋２５）−３０〕〜〔（ピッチ（μｍ）×７５／６＋２５）＋１５〕％のレーザーパワーで露光する露光工程と、露光後のめっき形成用光感応材料を現像液で現像する現像工程と、現像後のパターンが形成されためっき形成用光感応材料を、めっき浴比が１０未満でめっきを行うめっき工程とを含む金属パターン材料の製造方法である。 （もっと読む）

【目的】高分子繊維材料の強度（強力）を低下させずに密着性を向上させ、これにより、めっき皮膜の導電性の低下を防止するともに、導電性のバラツキを減少させることができる高分子繊維材料のめっき方法等を提供すること。
【解決手段】本発明に係るめっき方法は、（１）高分子繊維材料をラジカル処理するラジカル処理工程と、（２）ラジカル処理工程を経た高分子繊維材料Ａをカチオン系界面活性剤溶液に浸漬するカチオン処理工程と、（３）カチオン処理工程を経た高分子繊維材料ＢをＰｄとＳｎのコロイド溶液に浸漬するＳｎ−Ｐｄ触媒浸漬工程と、（４）Ｓｎ−Ｐｄ触媒浸漬工程を経た高分子繊維材料Ｃを酸溶液に浸漬するアクセレーター処理工程とを備える。更に、Ｓｎ−Ｐｄ処理工程を経た高分子繊維材料Ｄを無電解めっき又は電気めっきするめっき工程を備えるとよい。 （もっと読む）

【課題】２種類以上のめっきを同一の感光性材料を用いて選択的に成膜する場合、クラックの発生を抑制する。
【解決手段】この製造装置は、表面に絶縁膜３３０が形成された半導体ウェハ２００表面
を第１のめっき液を用いてめっき処理する第１のめっき処理槽と、半導体ウェハ２００表
面を第２のめっき液を用いてめっき処理する第２のめっき処理槽と、を備える。第１のめ
っき処理槽には、半導体ウェハ２００の表面と重なる部分の長さがｄ_１であり、かつ絶縁
膜３３０との接触幅がｗ_１の第１のシール３２０が設けられ、第２のめっき処理槽には半
導体ウェハ２００の表面と重なる部分の長さがｄ_２であり、かつ絶縁膜３３０との接触幅
がｗ_２の第２のシール３４０が設けられ、第１のシール３２０と第２のシール３４０の間
には、ｄ_２＜ｄ_１−ｗ_１の関係が成り立っている。 （もっと読む）