【課題】従来のもの比較して、耐酸化性がより優れるＰｔおよびＡｌ拡散Ｎｉ基基材の製造方法の提供。
【解決手段】Ｎｉ基基材の表面にＰｔ被膜を形成し、Ｐｔ被膜付き基材を得る工程と、前記Ｐｔ被膜に含まれるＰｔが前記Ｎｉ基基材の少なくとも表面に拡散する処理条件において前記Ｐｔ被膜付き基材を熱処理して、Ｐｔ拡散基材を得る工程と、前記Ｐｔ拡散基材の表面にＡｌ被膜を形成して、Ａｌ被膜付き基材を得る工程と、前記Ａｌ被膜に含まれるＡｌが前記Ｐｔ拡散基材の少なくとも表面部に拡散する処理条件において前記Ａｌ被膜付き基材を熱処理して、ＰｔおよびＡｌが拡散してなる拡散層を有するＰｔ含有γ−Ｎｉ＋γ’−Ｎｉ₃Ａｌ皮膜付き基材を得る工程とを備える、Ｐｔ含有γ−Ｎｉ＋γ’−Ｎｉ₃Ａｌ皮膜付き基材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】低挿抜性、低ウィスカ性及び高耐久性を有する電子部品用金属材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材１１と、基材１１の最表層を構成し、Ｓｎ，Ｉｎ，またはそれらの合金で形成されたＡ層１４と、基材１１とＡ層１４との間に設けられて中層を構成し、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒ，またはそれらの合金で形成されたＢ層１３と、を備え、最表層（Ａ層）１４の厚みが０．２μｍよりも厚く、中層（Ｂ層）１３の厚みが０．００１μｍ以上である電子部品用金属材料１０。 （もっと読む）

【課題】低挿抜性、低ウィスカ性及び高耐久性を有する電子部品用金属材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材１１と、基材１１の最表層を構成し、Ｓｎ，Ｉｎ，またはそれらの合金で形成されたＡ層１４と、基材１１とＡ層１４との間に設けられて中層を構成し、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒ，またはそれらの合金で形成されたＢ層１３と、を備え、最表層（Ａ層）１４の厚みが０．００２〜０．２μｍであり、中層（Ｂ層）１３の厚みが０．００１〜０．３μｍである電子部品用金属材料１０。 （もっと読む）

【課題】ＣｕまたはＣｕ合金からなる通電部材（電極端子）に、Ｃｕ成分を含有しないはんだを使用しても、通電部材側とはんだとが十分な接合強度を発現するはんだ接続用通電部材、配線用基板及びめっき皮膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ＣｕあるいはＣｕ合金を含む通電部材１上に、ピンホール７を有する置換Ｓｎめっき皮膜５と、電解Ｎｉめっき皮膜４と、電解Ｐｄめっき皮膜３と、電解Ａｕめっき皮膜２と、がこの順に積層されているはんだ接続用通電部材である。 （もっと読む）

【課題】めっき膜を形成するめっき方法を提供する。
【解決手段】基板上にレジストパターンを形成する工程、レジストパターン形成面に、下記一般式（１）で表わされる構造単位及び下記一般式（２）で表わされる構造単位を有する重合体を含有する表面改質層を形成する工程、レジストパターンの開口部にめっき膜を形成する工程を有するするめっき方法。


〔式中、Ｒ¹は水素原子又はメチル基、Ｒ²は単結合又は２価の連結基、Ｒ³は水素原子、水酸基又はアルコキシ基、Ｒ⁴は水素原子又はメチル基、Ｒ⁵は極性基を示す。〕 （もっと読む）

【課題】電荷移動機構を使用して、小構造物に対して材料を局所的に付着させまたは材料を局所的に除去する。
【解決手段】加工物全体を浴に浸す必要なしに局所的な電気化学電池が形成される。この電荷移動機構を、荷電粒子ビーム２３１またはレーザ・システムとともに使用して、集積回路、マイクロエレクトロメカニカル・システムなどの小構造物２２０を改変することができる。この電荷移動プロセスは、空気中で、または実施形態によっては真空チャンバ２０４内で実行することができる。 （もっと読む）

【課題】 従来の遮蔽格子の透過部よりもＸ線の透過率が高い透過部を備える遮蔽格子として用いることができる構造体と、その製造方法とを提供することを目的とする。
【解決手段】 構造体の製造方法は、基板の第１の面２８に複数の凸部３０を形成する工程と、複数の凸部の間に金属を充填して金属構造体１を形成する工程と、複数の凸部の頂面３１と、基板の第１の面と対向する基板の第２の面２９のうち複数の凸部の頂面３１に対向する部分３２と、にはさまれた領域の少なくとも一部をエッチングする工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】アノードにおける反応で発生した酸素によって白金触媒が酸化されて触媒能が低下することを抑制し、それにより固体高分子電解質膜・触媒金属複合電極の寿命を延ばすことができる製造方法を提供する。
【解決手段】固体高分子電解質膜１の両面に、白金イオンの還元により析出した白金を含む触媒層２が形成され、且つアノードとなる触媒層の表面上の少なくとも給電体接触部に金層３が形成されている固体高分子電解質膜・触媒金属複合電極とする。アノードとなる触媒層の表面上の少なくとも給電体接触部に、酸化還元電位の高い金層が形成されているので、触媒層に含まれる白金の酸化を効果的に抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】各種部材の電気的な接続面に形成されて、接触面圧が低い場合にも部材間の接触抵抗を低減することができる導電性凹凸層と、このような導電性凹凸層を備えた導電性接続構造を提供する。
【解決手段】先端が鋭角をなす無数の針状又は錐状突起１ａが配列されて成る導電性凹凸層１を導電性部材２の導電性多孔質部材３との接触面に形成する。 （もっと読む）

【課題】電極の構成およびその製造方法が従来よりも、低コストで導電性能が低下せず、多数の製造工程を必要としない電極形成基板およびその製造方法および同電極形成基板を提供する。
【解決手段】ガラス基板２と、ガラス基板２上全体に成膜されたＩＴＯ３膜と、電極形状に形成された金属めっき膜５と、を有する電極形成基板１であって、ＩＴＯ膜３上には、パターニングされたストライクめっき膜４を備え、ストライクめっき膜４を介して、ＩＴＯ膜３と金属めっき膜５とは、密着し、ストライクめっき膜４上にのみ金属めっき膜５を形成し、金属めっき膜５は、電解めっきを用いて形成されている。 （もっと読む）

【課題】前面電流トラックを形成したドープ半導体ウェハの銅めっきに関する改善された銅めっき方法を提供する。
【解決手段】前面、裏面およびＰＮ接合を含む半導体を提供し、下層を含む導電トラックのパターンを前記前面が含み、かつ前記裏面が金属接点を含んでおり；前記半導体を一価銅めっき組成物と接触させ；並びに導電トラックの下層上に銅をめっきする。 （もっと読む）

【解決課題】エピタキシャル薄膜成長用の配向基板において、基板表面の配向度及び平滑性が従来のものよりも改善されたものを提供する。
【解決手段】本発明は、配向化された銅からなる配向化金属層に補強材である金属基材をクラッドしてなるエピタキシャル膜形成用配向基板において、前記配向化金属層は、配向度Δφ、Δωがいずれも５〜９°である配向性を有する金属であり、前記配向化金属層の表面上に、ニッケルめっき膜からなり１００〜５０００ｎｍの厚さの配向性改善層を備え、前記配向化金属層表面における配向度（Δφ及びΔω）と、前記配向性改善層表面における配向度（Δφ及びΔω）との差が、いずれも０．１〜３．０°であることを特徴とするエピタキシャル膜形成用配向基板である。 （もっと読む）

【課題】水素よりもイオン化傾向の大きい金属をシード層として使用し、硫酸銅めっき液等の酸性のめっき液を使用した電気めっきを行っても、ビアホールの内部に銅等のめっき金属をより確実に埋込むことができるようにする。
【解決手段】表面に水素よりもイオン化傾向の大きな第１金属によって覆われたビアホールが形成された基板を用意し、基板を前記第１金属より貴な第２金属またはその塩を溶解させた前処理液に浸漬させて基板の前処理を行い、しかる後、基板の表面に電気めっきを行って前記ビアホール内に前記第２金属または第３金属を埋込む。 （もっと読む）

【課題】簡便な金属膜形成方法、特には金属パターン形成方法を提供する。
【解決手段】固体電解質及び金属イオンを含有する固体電解質膜を挟んで配置された陰極基材と陽極基材間に電圧を与えることにより金属イオンを還元して陰極基材上に金属を析出させる工程ａ）を含む金属膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】基板等の回路にかかる力を緩和する能力を有する導電性微粒子、及び、基板間の距離を一定に維持する方法を提供する。
【解決手段】樹脂からなる基材微粒子の表面が１層以上の金属層に覆われてなる導電性微粒子であって、前記金属層の全ての層の熱膨張率がそれぞれ１×１０^−５〜３×１０^−５（１／Ｋ）であり、かつ、各金属層と前記基材微粒子との熱膨張率の比（基材微粒子の熱膨張率／金属層の熱膨張率）がそれぞれ０．１〜１０である導電性微粒子。 （もっと読む）

【課題】従来よりも大きな径を有するとともに、大きな比表面積を有することにより、大きな分子に対しても適用可能な高活性の触媒として使用できる白金系のメソポーラス金属膜を与える。
【解決手段】ブロックコポリマー界面活性剤及び白金を含む金属塩の希薄な水溶液を電気分解することにより、電極上に上記メソポーラス金属膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、多大なエネルギーを必要とせず製造が可能で、高温高湿環境下に曝されても基板との優れた密着性を示す金属膜を簡便に形成しうる金属膜形成方法を提供することにある。
【解決手段】基板上に、シアノ基を有する樹脂を含み、７．４ｍｍｏｌ／ｇ以上のシアノ基含有量を有する第１の樹脂層を形成する工程（１）と、前記第１の樹脂層上に、重合性基およびめっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有する樹脂と重合開始剤とを含む樹脂組成物層を形成する工程（２）と、前記樹脂組成物層にエネルギー付与して、硬化させ、第２の樹脂層を形成する工程（３）と、前記第２の樹脂層にめっき触媒またはその前駆体を付与する工程（４）と、めっきを行い、前記第２の樹脂層上に金属膜を形成する工程（５）と、を備える、金属膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】電気メッキ法を採用することにより、従来の無電解メッキ法のみにより得られる高分子電解質の表面や内部に形成した金属層(メッキ層)と比較して、表面抵抗の抑制や、高分子電解質に対する密着性の向上、短時間で金属層の膜厚（メッキ厚）の確保、工程数の簡略化、メッキ厚や電極形状を容易に調整でき、更に、異種金属を容易に積層できる高分子電解質複合体の製造方法、及び、前記製造方法により得られる高分子電解質複合体を提供する。
【解決手段】高分子電解質の少なくとも表面より内部に、電気メッキ法により、金属層を形成する工程を含むことを特徴とする高分子電解質複合体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】線材の表面処理に影響を与えず、高速な表面処理を行うことができ、装置の小型化を可能とする、線材の表面処理装置を提供する。
【解決手段】処理槽５の両側に、線材２の許容曲率半径以上の半径を有するガイドローラ３１ａ〜３６ｂがそれぞれ軸方向に１列以上配されているガイドローラ装置３ａ、３ｂと、２個以上のプーリからなるプーリ列４０ａ〜４６ｅ、４１’ｅ〜４６’ａをそれぞれ有しているライン変更プーリ装置４，４’とを備えており、最初のパスラインで処理槽５を通じた線材２が、第１のライン変更プーリ装置３ｂの１列目、第１のガイドローラ装置４’の１列目を介してＵターンして、次のパスラインで処理槽５を通じ、第２のライン変更プーリ装置３ａの１列目、第２のガイドローラ装置４の１列目を介してＵターンして、その次のパスラインで処理槽５を通じる方法により表面処理を行う線材の表面処理装置。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ合金の代わりに使用でき、軽量化が図れると共に、原材料費の低減も図れる電子部品材を提供する。
【解決手段】引張強度を９０〜７００ＭＰａかつビッカース硬度Ｈｖを３０〜２３０にしたＡｌ合金の基材１０の表面に、Ｎｉ、Ｎｉ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｇ、Ａｇ合金、Ｓｎ、Ｓｎ合金、Ｐｄ、Ｐｄ合金、Ａｕ、又はＡｕ合金のいずれか１種又は２種以上で構成される第１のめっき層１３を形成した。Ａｌ合金の基材１０は、例えば、Ｓｉ：１３．０質量％以下、Ｆｅ：１．５質量％以下、Ｃｕ：６．８質量％以下、Ｍｎ：１．５質量％以下、Ｍｇ：５．６質量％以下、Ｃｒ：０．５質量％以下、Ｚｎ：８．４質量％以下、及びＴｉ：０．２質量％以下を含有し、その他不可避的不純物を含む。 （もっと読む）