【課題】基材上に中間層を介して添加元素を含むＢｉ又はＢｉ合金から形成されるオーバレイ層を被着した摺動部材において、オーバレイ層中の添加元素の拡散を低減し、なじみ性を良好に維持することができる摺動部材を提供する。
【解決手段】基材２に中間層３を介してオーバレイ層４を被着した摺動部材において、オーバレイ層４を、Ｂｉ又はＢｉ合金に低融点の金属からなる添加元素を添加して形成し、中間層３を、Ａｇ又はＡｇ合金に添加元素を添加して形成する。中間層３に添加する添加元素の量を、オーバレイ層４中に含まれる量の５倍以上にする。 （もっと読む）

【課題】 基板への装填に際してリードフレームの曲げ加工が必須の半導体ＩＣにおいて、基板に対する接合強度を高める。
【解決手段】 半導体ＩＣのリードフレームにスズ皮膜をメッキで形成し、リードフレームを曲げ加工し、当該スズ皮膜を介してＩＣを回路基板に装着するＩＣの装填方法において、リードフレームにアニール処理を施さず、且つ、スズ皮膜に代えて、スズと、ビスマス、銀、インジウムよりなる成長抑制金属とのスズ合金皮膜をリードフレームにメッキ形成するＩＣの装填方法である。アニールの省略でＣｕ₃Ｓｎ層の形成を回避して曲げ加工時のクラックの発生を防止し、また、所定の添加金属の作用でアニールなしでも室温放置でメッキ皮膜への銅の拡散によるボイドを発生させず、接合強度を高く保持できる。 （もっと読む）

銅イオン源と、式Ｉの化合物から選ばれる少なくとも一種の抑制剤とを含む、空隙サイズが３０ナノメーター以下であるサブミクロンサイズの窪みを充填するための組成物。
【化１】


［式中、
−Ｒ¹基は、それぞれ独立して、エチレンオキシドと少なくとも一種の他のＣ３〜Ｃ４アルキレンオキシドのコポリマーであって、ランダムコポリマーであるものから選ばれ、−Ｒ²基は、それぞれ独立して、Ｒ¹またはアルキルから選ばれ、−ＸとＹは独立して、また各繰返単位のＸが独立して、Ｃ１〜Ｃ６アルキレン及びＺ−（Ｏ−Ｚ）_m（但し、Ｚ基はそれぞれ独立してＣ２〜Ｃ６アルキレンから選ばれる。）から選ばれるスペーサー基であり、−ｎは０以上の整数であり、−ｍは１以上の整数である。］ （もっと読む）

【課題】基材にＡｇ又はＡｇ合金から形成したオーバレイ層を被着した摺動部材において、優れたなじみ性を得ることができる摺動部材を提供する。
【解決手段】基材２にＡｇ又はＡｇ合金から形成したオーバレイ層３を被着する。オーバレイ層のＸ線回折の強度が、１％≦（２００）／｛（２００）＋（１１１）＋（２２０）＋（３１１）＋（２２２）｝≦２０％、且つ、１％≦（２００）／（１１１）≦３０％を満たすように形成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、めっき表面に生じる凹凸をなくし平滑な表面を有する電子部品用複合ボールの製造方法を提供することである。
【解決手段】 本発明は、球体からなるコアボールを用意し、次いで前記コアボールを包囲するようにはんだめっき層を形成して複合体とし、次いで前記はんだめっき層の表面を平滑化加工する電子部品用複合ボールの製造方法であり、前記平滑化加工は、前記はんだめっき層の表面にメディアを接触させて行なうことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】めっき液の管理が容易であって、かつＳｎ合金のめっき液へのＳｎ成分の補給を簡便な方法により低コストで行う。
【解決手段】めっき槽１内に貯留したＳｎ合金のめっき液に被処理基板Ｓを接触させた状態とし、被処理基板Ｓと電極１４との間に通電して被処理基板ＳにＳｎ合金のめっき膜を形成するめっき装置において、めっき槽１との間で循環されるめっき液を貯留するタンク２３と、タンク２３内のめっき液をポンプ２５で圧送しながらめっき槽１に供給するめっき液供給手段４とを有するとともに、めっき液供給手段４のポンプ２５よりも下流位置に、流通するめっき液内に酸化第一錫の粉末を供給する補給手段６を設けた。 （もっと読む）

耐用年数を改善し、生産コストを低減し、プロセス性能を高めた信頼性およびコスト効率の高い電池または電気化学キャパシタ電極構造を形成するための方法および装置を提示する。一実施形態では、電池または電気化学セル用の三次元多孔質電極を形成するための方法が提供される。この方法は、拡散律速蒸着プロセスによって第１の電流密度で基板の上に柱状金属層を蒸着することと、第１の電流密度より大きな第２の電流密度で柱状金属層の上に三次元金属多孔質樹枝状構造を蒸着することとを含む。
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【課題】鉛を含まないスズ合金電気めっき組成物および方法を提供する。
【解決手段】基体上にスズ合金を堆積するための電解質組成物が開示される。電解質組成物はスズイオン、一種以上の合金形成金属のイオン、フラボン化合物およびジヒドロキシビス−スルフィドを含む。電解質組成物は鉛およびシアン化物を含まない。基体上にスズ合金を堆積する方法および半導体素子上に相互接続バンプを形成する方法も開示される。 （もっと読む）

リン化合物及び場合によりハンダ付け性を高めた化合物を含有する新しい溶液、並びに金属又は金属合金表面のハンダ付け性及び耐食性を増加するための方法におけるその使用を記載している。
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【課題】 プリント基板のスルーホールに挿入されリフロー半田付け工程を経て実装されるプリント配線基板端子の素材として好適なへたり性をもつ銅又は銅合金（以下「銅合金」）すずめっき材。
【解決手段】 平均結晶粒径が１．５〜６．０μｍである銅合金の表面にＣｕ相０〜２．０μｍ、Ｃｕ−Ｓｎ合金相０．１〜１．５μｍ及びＳｎ相０．１〜１．５μｍの各めっき相がこの順に形成されているＳｎめっき材であって、銅合金の結晶粒径Ｄ_Xと銅合金直上のめっき相の結晶粒径Ｄ_Yとの間に、（Ｄ_X−Ｄ_Y）≧１（単位：μｍ）が成り立つ、プリント基板端子用に好適なへたり性をもつ銅合金すずめっき材であり、銅合金直上のめっき相中のＣ及びＳ濃度は合計０．０２〜０．２質量％であってもよく、銅合金は２〜２２質量％のＺｎを含有してもよい。 （もっと読む）

【課題】Crを用いず、湿潤樹脂密着性に優れ、かつ樹脂被覆後の表面外観を損なうことがない、ティンフリー鋼板の代替材となり得る表面処理鋼板、その製造方法およびこの表面処理鋼板に樹脂が被覆された樹脂被覆鋼板を提供する。
【解決手段】鋼板の少なくとも片面の最表層に、TiとCoを含み、かつJIS Z8730:2002に規定されている物体色の色差を表すL*値が50以上、a*値が-2以上1.5以下、b*値が2.2以上12以下を満足する密着性皮膜を有することを特徴とする表面処理鋼板。 （もっと読む）

【課題】良好な耐熱性と挿抜性を併有するめっき材料を提供する。
【解決手段】導電性基材１の表面に、周期律表４族、５族、６族、７族、８族、９族、もしくは１０族に含まれるいずれか１種の金属またはそれを主成分とする合金から成る下地めっき層２と、ＣｕまたはＣｕ合金から成る中間めっき層３と、ＳｎまたはＳｎ合金から成る表面めっき層４とがこの順序で形成されており、かつ、表面めっき層４の厚みが中間めっき層３の厚みの１.９倍以上の厚みであるめっき材料。 （もっと読む）

【課題】外観の劣化、塗料密着性の低下および糸状錆の発生を防止でき、皮膜付着量の管理が容易で安価にりん酸系化成処理が可能な錫めっき鋼板の製造方法および錫めっき鋼板を提供する。
【解決手段】鋼板の少なくとも片面に、Snの付着量が片面あたり0.05〜20g/m²となるようにSnを含むめっき層を形成した後、りん酸とアルミニウムを含み、塩化物濃度が0.4g/L以下(0g/Lを含む)であり、鉄イオン濃度が0.1g/L以下(0g/Lを含む)である水溶液を塗布し、次いで乾燥することにより、付着量がP換算で片面あたり1.5mg/m²超え10mg/m²以下、AlとPの質量比(Al/P)が0.20〜0.87である化成処理皮膜を形成することを特徴とする錫めっき鋼板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】コネクタとの嵌合など大きな外部応力がかかる環境下においても、導体周囲のめっき膜表面やはんだからウィスカが発生するおそれの少ない、あるいはほとんど発生しないＰｂフリーのＳｎまたはＳｎ合金めっき膜を提供する。
【解決手段】基材１の表面に形成され、基材１とＳｎの金属間化合物からなる導電性を有する金属間化合物層２と、その金属間化合物層２の表面に形成され、ＳｎまたはＳｎ合金からなる網目状の構造１１とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】耐スマッジ性に優れた錫めっき鋼板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】下地鋼板の被めっき面の表面粗さ形状を、Ｒｓｋ≧０、Ｒａ≧０．２μｍを満たすように調整し、その後、その下地鋼板の上に錫めっきを形成して錫めっき鋼板を得る。
ただし、Ｒｓｋは、幅方向に測定した表面スキューネスを示し、Ｒａは算術平均粗さを示す。 （もっと読む）

【課題】
低挿入力と高耐熱性を両立するコネクタに必要な金属条の製造方法を提供する。
【解決手段】
金属条の製造方法であって、母材金属上にNi層、Sn-Cu合金層を順次積層させる第一工程と、前記積層された母材金属をSn-Cu共晶の融点以上に熱処理して、前記母材金属上の前記Ni層上に、Cu-Ni-Sn化合物とCu-Sn化合物とが混合した化合物層、Sn層又Sn系合金層が順次積層された構造を形成する第二工程と、を有し、前記第一工程では、前記Sn-Cu合金層としてCu含有率が５mass%以上のSn-Cu合金層を用いて製造することで、低挿入力と高耐熱性を両立する金属条を容易に製造することが可能である。 （もっと読む）

【課題】 環境に悪影響を及ぼさず、半田付け性が向上、またリフロー処理時の偏肉も小さいリードフレーム材を提供する。
【解決手段】
導電性基体の表面に、Ｓｎ単体、またはＳｎとＡｇ、Ｂｉ、Ｃｕの群から選ばれる少なくとも１種とからなる合金から成る第１めっき層と、Ｉｎから成る第２めっき層とがこの順序で積層された二層構造のめっき層を設け、第１めっき層のＳｎまたはＳｎ合金の厚さｔ_１が２〜５μｍ、第２めっき層Ｉｎの厚さｔ_２が０．０５〜１μｍで、前記第１めっき層の厚さｔ_１と前記第２めっき層の厚さｔ_２の比が、０．０２５≦ｔ_２／ｔ_１≦０．２であることを特徴とする、リードフレーム材。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電子部品に用いられる錫または錫合金めっき皮膜に対し、簡便な方法で錫または錫合金めっき皮膜表面のウィスカを低減することができ、かつ良好な錫または錫合金めっき皮膜をもたらし得る、錫または錫合金めっき皮膜表面処理水溶液を提供することを目的とする。
【解決手段】分子内にカルボン酸基を少なくとも１個有する有機化合物を含有し、ｐＨが２．５以下である、錫または錫合金めっき皮膜の表面を処理するための錫または錫合金めっき皮膜表面処理水溶液を提供する。前記分子内にカルボン酸基を少なくとも１個有する有機化合物は、分子内にカルボン酸基を２個以上有し、かつ分子内に窒素原子を有しない有機化合物であることが好ましく、該有機化合物は、リンゴ酸、マレイン酸、クエン酸であることが好ましい。また、かかる表面処理水溶液は、さらに窒素系化合物を含有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】多極化の小型端子に適し、微摺動磨耗による電気接触抵抗の上昇を抑えることができ、高い電気接続信頼性を有する端子・コネクタ用導電材料及び嵌合型接続端子を提供する。
【解決手段】導電性を有する基材２と、基材２の上に形成されたＳｎ又はＳｎ合金からなるＳｎメッキ層５とを備えた端子・コネクタ用導電材料であって、Ｓｎメッキ層５の積層方向厚さが、０．１〜１５．０μｍの範囲内とされており、Ｓｎメッキ層５の表面には、Ａｇ−Ｓｎ微粒子が凝集したＡｇ−Ｓｎ合金層６が形成されており、Ａｇ−Ｓｎ合金層６の平均厚さが０．００２〜１．０μｍの範囲内に設定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 銅管表面に形成される防食層の膜厚を最適化することにより、伝熱管および熱交換器の防食能力の最適化を図る。
【解決手段】 銅管１′の外表面に、スズまたはスズ合金からなり、膜厚ｄが３μｍ〜５００μｍの防食層３を形成して、結露水によって侵食されることがなくなるようにするとともに、防食層３の膜厚ｄの最適化を図ることができるようにする。 （もっと読む）