【課題】純錫めっき或いは錫合金めっきが施された銅又は銅合金の平角導体を熱処理しても、耐食性並びに挿抜耐久性に優れると共に、コネクタ嵌合した後もウイスカーの発生を抑制したＦＦＣ用のめっきＣｕ平角導体を提供することにある。具体的には、発生するウイスカーの最大長を５０μｍ以下とすることにある。
【解決手段】少なくとも端子部が形成されるＣｕ平角導体上には、パラジウムの含有率が３〜２５質量％のＳｎＰｄ合金めっき層、その上に純Ｓｎめっき層或いはＳｎ系合金めっき層が形成され、前記めっき層の合計厚さが０．５〜２．０μｍで且つ純Ｓｎめっき層或いはＳｎ系合金めっき層の厚さが０．３〜１．０μｍであるめっきＣｕ平角導体とすることによって、解決される。 （もっと読む）

【課題】被めっき体に形成されためっきの厚さをその場で瞬時に判定することができる。
【解決手段】この被めっき構造体は、めっきが形成される被めっき体１１と、被めっき体１１にスリット部１２を介して対向し、被めっき体１１から電気的に分離された島状の導電性を有するめっき膜厚判定用部材１６を備えている。めっき２１が、被めっき体１１の表面からスリット部１２を介してめっき膜厚判定用部材１６まで成長したか否かを判定することによって、被めっき体１１に形成されためっき２１が、スリット部１２の幅Ｗより厚く形成されたか否かをその場で瞬時に判定することができる。 （もっと読む）

【課題】半田接合時に生じる熱応力を均一に吸収し、セルの反りの発生を防止することが可能な太陽電池用インターコネクタ材及び太陽電池用インターコネクタ材の製造方法、並びに、この太陽電池用インターコネクタ材によって構成された太陽電池用インターコネクタを提供する。
【解決手段】太陽電池モジュール３０においてセル３１間同士を接続する太陽電池用インターコネクタ３２として使用される太陽電池用インターコネクタ材であって、質量百万分率で、Ｚｒ及びＭｇのうち少なくとも１種を３〜２０ｐｐｍ、Ｏを５ｐｐｍ以下、を含み、残部がＣｕ及び不可避不純物からなり、平均結晶粒径が３００μｍ以上とされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板表面へのめっき液の供給を増加できて高電流密度に対応でき、短時間で厚く均一なめっき膜厚が得られる電解めっき装置及び電解めっき方法を提供すること。
【解決手段】吸着プレート１０及びめっき槽本体５０からなるめっき槽と、めっき液中に浸漬されるアノード３０と、めっき液中に浸漬されアノード３０の面に対向した位置に設置される半導体基板Ｗと、半導体基板Ｗとアノード３０間に電流を供給する電源装置８０と、めっき槽にめっき液を供給するめっき配管６１−１，２，７３−１〜６とを具備する。半導体基板Ｗとアノード３０との間に半導体基板Ｗ側のめっき液とアノード３０側のめっき液とを分離する隔壁７０を設ける。めっき配管７３−１〜６によって隔壁７０と半導体基板Ｗとの間に半導体基板Ｗの表面と略平行方向のめっき液を通過させる。隔壁７０の半導体基板Ｗに対向する面に凹凸形状（Ｖ溝７１）を形成する。 （もっと読む）

【課題】加熱処理後の表面性状が良好で、かつ後工程におけるはんだ付け性が良好な接続部品用金属材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】銅または銅合金の角線材を母材とし、その最表面に実質的に銅およびスズで構成される銅スズ合金層が形成されている接続部品用金属材料において、前記最表面の銅スズ合金層は、さらに亜鉛、インジウム、アンチモン、ガリウム、鉛、ビスマス、カドミウム、マグネシウム、銀、金、アルミニウムの群から選ばれる少なくとも１種を、総量で前記スズの含有量に対する質量比で０．０１％以上１％以下含有することを特徴とする接続部品用金属材料。耐熱性を向上させるために、母材からの金属拡散を防止するバリア性を持つニッケル等の下地めっきを母材表面に施してもよい。 （もっと読む）

【課題】簡単な手法の追加でウィスカの発生を抑制できるめっき基材の製造方法を得る。
【解決手段】母材１の表面にＰｂフリーのＳｎめっき層２を有するめっき基材３を製造するに際し、母材１の表面にＰｂフリーのＳｎめっき層２を形成した後、形成しためっき層２に冷間圧延処理を施す。冷間圧延によりめっき面での配向指数の偏りが平準化され、ウィスカの発生が抑制される。 （もっと読む）

【課題】ＦＦＣとして用いる錫系めっき銅または銅合金の平角導体に関するもので、熱処理を行ったＳｎ系めっきＣｕ平角導体は、コネクタと長期間嵌合して使用してもウイスカーの発生が、銅配線間等での短絡等が生じることがない程度に抑制されるようにすることにある。
【解決手段】Ｃｕ平角導体の端子部が熱処理されることによって、前記Ｃｕ平角導体の表面から順次、Ｃｕ_３Ｓｎ金属間化合物相（以下、Ｂ相）、Ｃｕ_６Ｓｎ_５金属間化合物相（以下、Ａ相）および純Ｓｎ或いはＳｎ合金層が形成されたＳｎ系めっきＣｕ平角導体であって、前記純Ｓｎ或いはＳｎ合金層の最大厚さが１．０μｍで、かつ平均厚さが０．３〜１．０μｍであると共に、前記Ｂ相とＡ相の生成割合の比がＡ相／Ｂ相として１．５以上であるＦＦＣ用のＳｎ系めっきＣｕ平角導体とすることによって、解決される。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ合金からなる基台にＳｎ合金層からなる摺動面を備えた軸受において、Ｃｕ−Ｓｎからなる金属間化合物が形成されるのを抑制してＳｎ合金層が基台に充分な剥離強度を以って保持される軸受を提供すること。
【解決手段】Ｃｕ合金からなる基台１１にホワイトメタル層１３からなる摺動面１０を有する軸受１であって、前記基台１１は前記摺動面１０側に微細凹凸部１５が形成されるとともに強磁性金属又はその合金からなるめっき層１２が被覆され、前記めっき層１２を介してホワイトメタル層１３が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微細な電極間の導電接続に用いられ、長期間保管しても低融点金属層の融点が高くならない導電性微粒子、該導電性微粒子を用いてなる異方性導電材料、及び、接続構造体を提供する。
【解決手段】基材微粒子の表面に、銅層、バリア層、低融点金属層が順次形成された導電層を有する導電性微粒子であって、前記バリア層は、第６族元素を含有する金属層である導電性微粒子。 （もっと読む）

【課題】銅を主成分とする部材の被覆表面の組成を工夫してウィスカの発生を防止できるようにすると共に、高信頼度のフレキシブル配線接続用の端子部品等を構成できるようにする。
【解決手段】銅を主成分とする端子母材１と、端子母材１に電解めっきされたＡｇ組成濃度３乃至７ｗｔ％、Ｃｕ組成濃度０．３乃至０．７ｗｔ％及び残Ｓｎ組成のＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金のめっき皮膜３とを備え、めっき皮膜３は、所定の熱処理によって当該めっき皮膜３の表面に析出されたＡｇ又は当該Ａｇを主成分とする化合物を有するものである。この構成によって、ＦＰＣコネクタ端子１０の表面に析出されるＡｇ又はＡｇを主成分とする化合物が、例えば、当該ＦＰＣコネクタ端子１０の全面積の２％以上を占有するものである。従って、Ａｇ又は当該Ａｇを主成分とする化合物がバリアとなってウィスカの発生を防止できるようになる。 （もっと読む）

【課題】めっき槽内でのめっき液の対流攪拌を阻害することなく、スラッジを除去する。
【解決手段】めっき液が貯留されるめっき槽１と、該めっき槽１の上部開口位置で被処理基板Ｓをめっき液に接触させつつカソード電極６に接続状態に支持する基板支持部３と、めっき槽１内に配置されたアノード電極９と、めっき槽１内にめっき液を供給する液供給手段４と、めっき槽１の上部からめっき液を外部に排出する液排出手段５とを具備するめっき装置であって、液供給手段４はめっき槽１の底部からめっき液を上方に向かって噴出する噴出口１１ａを有しており、該噴出口１１ａよりも半径方向外方位置に、めっき槽１中のスラッジＧを排出するスラッジ排出口２２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】第２相成分を含む銅合金層に対するオーバレイ層の接合力を大幅に向上させて、特に非焼き付き性および耐疲労性に優れた摺動部材を提供する。
【解決手段】銅合金層２上にオーバレイ層３が形成されている摺動部材において、銅合金層２中に含まれるＢｉあるいはＰｂによる第２相成分が、銅合金層２とオーバレイ層３との界面に存在しないものとする。 （もっと読む）

【課題】はんだ性及び接触信頼性を損なうことなく、ウイスカの生成及び成長を抑制する熱処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】めっき層形成時の電着組織内に生じた、ウイスカの発生起因である組織の歪や欠陥を熱処理によって取り除くことでウイスカの抑制を図る。これら歪や欠陥は結晶組織の平面的或いは空間的秩序の乱れであり、原子を秩序正しく再配列することで取り除くことができる。本発明の熱処理は、めっき材の融点付近の温度をピークに持つことで、リフロー処理同等のウイスカ抑制効果を奏すると共に、融点と同じ温度に保持される時間が、めっき材の融解開始時間よりも短い時間であるので、めっき層の溶融を伴わず表面平滑性を保持することができる。更に熱源に遠赤外線を使用することで、内部からの加熱を伴うので本発明の目的が一層効果的に達成される。 （もっと読む）

【課題】めっき物を優れた生産性と十分な耐食性とをもって低コストに製造可能なめっき物の製造方法を提供する。
【解決手段】めっき槽２２の内部に、隔膜２４にて陽極室２６とめっき室２８とを画成して、陽極室２６内に、クエン酸三ナトリウム溶液からなる陽極液３６と不溶性陽極３０とを収容する一方、めっき室２８内に、クエン酸三ナトリウムが添加されたスルファミン酸ニッケル溶液からなるめっき浴３８と被めっき物たる金属素材からなる陰極３２とを収容する。そして、それら不溶性陽極３０と陰極３２との間に電流を流して、電気めっきを行うことにより、該陰極３２の表面に、ニッケルめっき層を形成するようにした。 （もっと読む）

【課題】内部応力に起因するウイスカの発生を抑制するとともに、外部応力を起因とするウイスカの発生をも抑制するめっき層及びその形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】めっき層に厚みが必要なリード部には、融点の高いめっき材料を厚めに形成し、厚みはそれほど必要でなく、むしろ外部応力に起因するウイスカの抑制効果をねらう必要のある接点部のめっき層は、融点の低いめっき材料を薄めに形成する。めっき層形成後の高温処理は、接点部のめっき層は溶融するがリード部のめっき層は溶融しない温度を最高温度とする条件でおこなう。リード部は、はんだ性の確保を第一義とし、ウイスカ対策は熱処理でおこない、接点部は溶融しためっき材料の表面張力による形状変化は、むしろ利点として作用するので、めっき層が溶融するリフロー処理をおこなう。 （もっと読む）

【課題】はんだ性及び接触信頼性を損なうことなく、内部応力に起因するウイスカの発生を抑制するとともに、外部応力に起因するウイスカの発生をも抑制するめっき層及びその形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】めっき層に厚みが必要なリード部には、めっきを厚めに皮膜し、めっき層の厚みがリード部ほど必要でなく、むしろ外部応力に起因するウイスカの抑制効果を重視する必要のある接点部のめっき層は薄くする。めっき液浸漬処理後に高温処理をおこなうが、このときめっき層に供給する熱量は、リード部ははんだ性を確保するのを第一義にし、ウイスカ対策は内部応力の除去が達成できる溶融状態未満の熱処理をおこない、接点部は、溶融しためっき材料の表面張力による形状変化はむしろ利点として作用するので、一旦めっき層を溶融させて内部応力の除去を完璧にできるリフロー処理をおこなう。 （もっと読む）

【課題】密着性がよく、錆が発生し難いめっきパターン部材及び電磁波シールド材を提供する。
【解決手段】基材１と、基材１上に設けられた樹脂層２と、樹脂層２上に所定のパターンで設けられた被めっき層３と、被めっき層３上に設けられためっき層４と、めっき層４を隙間無く覆うように設けられた後処理層５とを有し、被めっき層３の下にある樹脂層２は、被めっき層３が設けられていない部分Ｂの厚さＴ_Ｂよりも厚い山形状又は丘形状からなり、被めっき層３は、樹脂層２の中腹より上に形成されているように構成される。 （もっと読む）

【課題】良好なめっき条材を安定して得ることのできるめっき条材の製造方法を提供すること。また、他の課題は、良好なめっき条材を安定して得ることのできるめっき条材のリフロー処理装置を提供すること。
【解決手段】リフロー処理装置１０は、予熱槽１２の下方にバーナ１４が設けられ、バーナ１４の周辺部に、遮風部材１６が設けられている。バーナ１４の下方には、冷却液１８を冷媒に用いた冷却槽２０が設けられている。また、遮風部材１６の一端は、冷却液１８の液面下に配置されている。予熱槽１２で予熱された金属条材２２は、バーナ１４により加熱溶融され、バーナ１４と冷却槽２０との間に設けられた遮風部材１６を通過して、冷却槽２０に搬送され冷却される。 （もっと読む）

【課題】基体上のスズ及びスズ合金の高速電気スズめっきに有用な、析出用電解質組成物を提供する。
【解決手段】基体上のスズ及びスズ合金の析出用電解質組成物が、スズハライド、硫酸スズ等から選択される１以上のスズ化合物、アルカリスルホン酸、硫酸等から選択される１以上の酸性電解質及び、カルボキシメチル化ポリアチレンイミン等から選択される１以上のカルボキシアルキル化ポリアルキレンイミン化合物を含む電解質組成物である。 （もっと読む）

【課題】Ｎｉ層、Ｃｕ−Ｓｎ合金層及びＳｎ層を有する３層構造のＳｎめっき材において挿入力の低減及び耐熱性の改善を図る。
【解決手段】銅又は銅合金の表面に、厚さ０．２〜１．５μｍのＮｉ又はＮｉ合金からなる下地めっき層と、厚さ０．１〜１．５μｍのＣｕ−Ｓｎ合金からなる中間めっき層と、厚さ０．１〜１．５μｍのＳｎ又はＳｎ合金からなる表面めっき層がこの順に形成されており、前記中間めっき層を形成するＣｕ−Ｓｎ合金の平均結晶粒径が、該めっき層の断面を観察したときに、０．０５μｍ以上、０．５μｍ未満であるＳｎめっき材。 （もっと読む）