電気接点のための接点表面を形成する方法が紹介され，その場合に銅ベースの基板上に金属が電気化学的方法で析出される。上記金属は，上記金属から容易に溶かし出すことのできるスペースホルダ材料と共に上記基板上に析出され，次に，上記スペースホルダ材料が上記金属層から溶かし出されて，残った多孔質の金属泡に潤滑剤が含浸される。
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【課題】 製造コストを増加させること無く、Ｃｕ-Ｎｉ-Ｓｉ-Ｚｎ系合金Ｓｎめっき条の耐熱性を改善する。
【解決手段】 １．０〜４．５質量％のＮｉ、Ｎｉの質量％に対し１／６〜１／４のＳｉ、０．１〜２．０質量％のＺｎを含有し、さらに必要に応じ０．１〜２．０質量％のＳｎを含有する銅基合金を母材とし、表面から母材にかけて、Ｓｎ相、Ｓｎ−Ｃｕ合金相、Ｃｕ相の各層でめっき皮膜が構成されるＳｎめっき条において、Ｓｎ相の厚みを０．１〜１．５μｍ、Ｓｎ-Ｃｕ合金相の厚みを０．１〜１．５μｍ、Ｃｕ相の厚みを０．８μｍ以下とし、Ｓｎ相表面のＳｉおよびＺｎ濃度をそれぞれ１．０質量％以下および３．０質量％以下とする。さらに必要に応じ、めっき層と母材との境界面におけるＣ濃度を０．１質量％以下、Ｏ濃度を１質量％以下とする。 （もっと読む）

【課題】プリント配線板等におけるはんだぬれ性を阻害する金属および金属合金上での表面酸化物形成を抑制するための改善された組成物および方法を提供すること。
【解決手段】無機リン酸または有機リン酸、またはこれらの塩と水からなる組成物を金属または金属合金を堆積させたプリント配線板、リードフレーム、接点などの基体に浸漬するなどによって接触させ、これらの基体のリフロー処理後における金属および金属合金上での酸化物形成を抑制する。 （もっと読む）

【課題】Ｐｂフリーでありながらウイスカーの成長を抑制することのできる無鉛Ｓｎベースめっき膜及びその製造方法を提供し、該無鉛Ｓｎベースめっき膜を有する接続部品の接点構造を提供する。
【解決手段】金属が析出してなるめっき層が積層されてなり、該めっき層の積層界面が前記金属の結晶成長の不連続面Ｉとなっている無鉛Ｓｎベースめっき膜であって、前記めっき層として膜厚が０．５μｍ以下のめっき層Ａを複数含み、全膜厚が１〜１０μｍである。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、ウィスカの発生防止と良好なはんだ付性（低融点）を両立させたＳｎ合金薄膜を形成する方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明の方法は、基材をめっき浴に浸漬し、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ三元合金薄膜を基材上の全面または部分に電気めっきにより形成するものであり、Ｓｎ化合物と、Ａｇ化合物と、Ｃｕ化合物と、無機系キレート剤と、有機系キレート剤とを含むめっき浴を用い、無機系キレート剤は、化学式（Ｉ）で表される金属フルオロ錯体系キレート剤であり、Ａｇ化合物１質量部に対して１質量部以上３００質量部以下の比率で配合され、有機系キレート剤は、ポルフィリン類であり、Ｃｕ化合物１質量部に対して１質量部以上２００質量部以下の比率で配合される。
ＭＦ_X^(X-Y)-・・・（Ｉ）
（化学式（Ｉ）中、Ｍは任意の金属を示し、Ｘは任意の自然数を示し、ＹはＭの酸化数を示す。） （もっと読む）

【課題】 比較的短時間で形成することができ、環境への負荷が小さく耐食性に優れためっき皮膜およびそのめっき皮膜を形成するためのめっき液を提供する。
【解決手段】 めっき皮膜が、スズと鉄との二元合金、または、スズと、鉄と、亜鉛、コバルト、ニッケル、タングステン、モリブデン、銅、銀、金、ビスマス、インジウム、パラジウム、ロジウム、白金、リンおよびホウ素からなる群から選択される少なくとも１種との多元合金からなる。このめっき皮膜は電気めっき法を用いて基材上に形成される。 （もっと読む）

【課題】 スズとスズより貴な金属（銀、ビスマス、銅など）との合金の電気メッキに際して、電析中にスズ（合金）陽極での貴な金属の置換析出を円滑に防止する。
【解決手段】 スズ合金電気メッキ浴に、グルタミン酸−Ｎ,Ｎ−二酢酸、メチルグリシン−Ｎ,Ｎ−二酢酸、アスパラギン酸及びこれらの塩よりなる群から選ばれた溶解電流抑制剤の少なくとも一種を添加して、陽極の溶解電流を抑制し、電析中に貴な金属の陽極への置換析出を防止可能にしたスズ合金電気メッキ方法である。当該抑制剤の添加で溶解電流を抑制するため、陽極電流密度を従来より低くしても、陽極の電位を貴な金属の自然電極電位より貴に変移させ、もって貴な金属の陽極への置換析出を有効に防止できる。 （もっと読む）

【課題】 可溶性陽極のみを用いて標準電極電位が異なる合金の電解めっきが可能な合金めっき方法および装置を提供する。
【解決手段】 めっき槽１内のめっき液２中に、被めっき材を陰極３に接続し、陰極３と標準電極電位が貴の金属からなる可溶性陽極４との間に整流器ａ１を、陰極３と標準電極電位が卑の金属からなる可溶性陽極５との間に整流器ａ２を接続する。可溶性陽極４と可溶性陽極５とに交互に電流を供給する。 （もっと読む）

【課題】 複雑な形状に加工された基体に対しても、加熱による損傷などを与えることなく、所望の部分にめっきを施すことのできる表面処理方法を提供する。
【解決手段】 基体１４の長手状部分７の全表面に電着塗装によってレジスト層１５を形成した後、低濡れ性領域形成予定部２３に形成されたレジスト層１５を長手状部分７の周方向全周にわたって露光して現像することによってレジストパターン１６を形成し、基体１４の長手状部分７のレジスト層１５で覆われていない部分２２にめっきを施す。これによって、複雑な形状に加工された基体１４に対しても、また基体１４のピッチＴが０．１ｍｍ程度と狭い場合であっても、基体１４の長手状部分７の所望の部分に周方向全周にわたってめっきを施すことができるので、長手状部分７の周方向全周にわたって、はんだ接合部とコネクタ嵌合部との間に低濡れ性領域が形成されたコネクタピンなどの接点部品を容易に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 金属帯板に電気めっきする際に、めっき着量を均一化できる遮蔽板を備えたエッジオーバーコート防止装置を提案する。
【解決手段】 電気めっきラインのめっきセルにおいて被めっき材である金属帯板の両側端部と陽極との間に配設される電気絶縁材料製遮蔽板の形状を、端縁が、複数の直線で描かれる、少なくとも２つの頂を有する山型形状を呈する張り出しを有する形状とする。端縁の山型形状は、金属帯板の側端に対向する位置に描かれる投影直線となす角度αが１〜10°である複数の直線で画定される。２つの頂は、前記投影直線を基準として金属帯板の中心寄りに所定距離Ｅaの高さを有し、かつ２つの頂の間に形成される谷底部の高さＥbが、Ｅaの50〜80％とすることが好ましい。なお、所定距離Ｅaは、5〜200mmとすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ウイスカーが発生することの無いSnめっきまたはSn合金メッキ構造及びその製造方法を提供すること。特に、曲げ加工等の外部応力が加わってもウイスカー発生が抑制されるSnめっきまたはSn合金メッキ構造及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】SnめっきまたはSn合金めっきの結晶粒界にSnの合金相が形成されていることを特徴とするSnめっきまたはSn合金めっき。とりわけ、その結晶粒界の長さに占める割合が５０％以上Snの合金相が形成されていること。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、ウィスカの発生防止と良好なはんだ付性（低融点）を両立させるとともに、微摺動摩耗等の不都合を伴うことなく薄くかつ均一な厚みを有するＳｎ合金薄膜を形成する方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明は、基材上にＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ三元合金薄膜を形成する方法であって、この方法は、該基材をめっき浴に浸漬し、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ三元合金薄膜を該基材上の全面または部分に電気めっきにより形成するものであり、このめっき浴は、少なくともＳｎ化合物と、Ａｇ化合物と、Ｃｕ化合物と、無機系キレート剤と、有機系キレート剤とを含み、該無機系キレート剤は、該Ａｇ化合物１質量部に対して１質量部以上３００質量部以下の比率で配合され、該有機系キレート剤は、該Ｃｕ化合物１質量部に対して１質量部以上２００質量部以下の比率で配合されることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】 スズまたはスズ合金めっきを行った後、室温で５０００ｈｒ放置した場合であっても、確実にウィスカーの発生を防ぐことのできる簡便な手段を提供すること。
【解決手段】 （Ａ）硫酸、アルカンスルホン酸、アルカノールスルホン酸ならびにそれらの誘導体、（Ｂ）過酸化物および（Ｃ）銅よりも電位が貴である金属イオンを含有するスズまたはスズ合金めっき用ウィスカー防止剤並びに被めっき素材を、上記のスズまたはスズ合金めっき用ウィスカー防止剤に浸漬した後、スズまたはスズ合金めっきを行うことを特徴とするスズまたはスズ合金めっきのウィスカー防止方法。 （もっと読む）

【課題】外部端子のメッキ層でのウイスカの生成を効果的に抑制でき、またコスト低減などの経済性及び量産性がある半導体チップのパッケージ装置及びその方法を提供する。
【解決手段】半導体チップパッケージ１１０の外部端子に導電性メッキ層を形成するためのメッキユニット１３０と、メッキ層を溶融させるためのものであり、メッキユニットと一列に配置されたリフローユニット１６０と、を備える半導体チップのパッケージ装置１００。 （もっと読む）

本発明は、優れた高圧縮弾性を有するプラスチックコアビーズと、厚さ０．１〜１０μｍの金属めっき層と、厚さ１〜１００μｍの有鉛または無鉛のはんだ層との順に電気めっきした、外径２．５μｍ〜１ｍｍのプラスチック導電性微粒子及びその製造方法に関する。本発明のプラスチック導電性微粒子の製造方法によれば、優れた熱的特性及び高圧縮弾性を有するプラスチックコアビーズを製造し、前記プラスチックコアビーズの表面をエッチング処理し、その後、無電解めっきして金属めっき層を形成して前記ビーズ表面及び金属めっき層間の密着力を改善した、１ｍｍ以下のプラスチック導電性微粒子を提供するために、密閉式６角バレルを電気めっき液に含浸させ、３６０°に回転するメッシュバレルを６〜１０ｒｐｍで回転させて電気めっきを行うか、または、従来の密閉式６角バレルの一面を開放し、左右２００°に回転するメッシュバレルを１〜５ｒｐｍで回転させて電気めっきを行うことによりはんだ層を形成する。本発明のプラスチック導電性微粒子は、パッケージギャップを保持できるので、ＩＣパッケージ、ＬＣＤパッケージ及びその他導電材に有用に用いられる。
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放熱特性、耐食性及びスポット溶接性に優れた電池ケース用表面処理鋼板及び電池ケースを提供することを目的とする。電池ケース用表面処理鋼板は、電池ケースの外面側に相当する面の最表層に、黒色錫−ニッケルめっき層、黒色錫−ニッケル−硫黄めっき層、あるいは黒色コバルト−錫めっき層からなる黒色層を有する。電池ケースは、これらの表面処理鋼板を、深絞り成形法、ＤＩ成形法又はＤＴＲ成形法によって成形して得られる。 （もっと読む）

【課題】嵌合型接続端子における端子の挿入時の圧力に起因する嵌合ウイスカの発生を防止できる、嵌合型接続端子に適した錫系めっき付き電子材料を製造する。
【解決手段】銅または銅合金からなる導電性基体に、下地のニッケルめっきと次に厚みが０.０５〜０.５μｍのフラッシュ銅めっきを順に施し、次いで錫もしくは錫合金めっきを行う。得られた錫系めっき付き電子材料は、経時中、または２１０℃以上の温度でのリフロー中に、フラッシュ銅めっき層が下地のニッケルめっき層と相互拡散して、銅−ニッケル合金層からなるバリア層に変化して、錫もしくは錫合金めっき皮膜中に金属間化合物による針状もしくは柱状晶が成長するのを防止する。固溶体であると考えられるこの合金層により、嵌合ウィスカの発生が効果的に抑制される。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、ウィスカーの発生が抑制されたＣｕ−Ｚｎ系合金のリフローＳｎめっき条を提供することにある。
【解決手段】 平均濃度で２０〜４０質量％のＺｎを含有する銅合金を母材とするＳｎめっき条であり、表面から母材にかけて、Ｓｎ相、Ｓｎ−Ｃｕ合金相、Ｃｕ相の各層でめっき皮膜が構成され、該Ｓｎ相の最表層のＺｎ濃度が３〜３５質量％であることを特徴とする、ウィスカー発生が抑制されたＣｕ−Ｚｎ系合金のＳｎめっき条。 （もっと読む）

【課題】近年の電子機器における鉛フリー化の動きにより、錫めっきをした端子から成長した錫ウィスカーが電子部品端子間を短絡させるといった問題が生じている。
【解決手段】金属素地に錫めっき、または錫合金めっきで被覆される電子部品の端子（５）において、めっき膜を電気めっきで被覆形成し、前記素地の表面及び電気めっき膜端子表面（５ａ）を無方向性の凹凸形状を有する粗面にすると共に、前記表面の表面粗さをＲｚ＝０．５〜５μｍとした。 （もっと読む）

本発明は、Ｈｖ値が６０以上の合金層又は単体金属層を下層とし、Ｈｖ値が４０以下の合金層又は単体金属層を上層とすることを特徴とし、鉛を実質的に含有しないめっき皮膜である。このめっき皮膜は人体及び環境に無害で、摺動特性に優れている。
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