説明

Fターム[4K024AB01]の内容

電気メッキ方法、物品 (25,708) | メッキ層の構造、組織 (2,947) | 単層メッキ (707)

Fターム[4K024AB01]に分類される特許

101 - 120 / 707


【課題】
潜熱回収型給湯器などの、排ガスから生じたドレン水を中和して排水するために、中和処理を行うための中和処理容器の材料を提供する。
【解決手段】
排ガスから潜熱を回収する際に生成したドレン水を中和する中和処理容器用材料であって、11〜25質量%のCrを含有する含Cr鋼を基材とし、基材の表面に5〜60g/mのZnを含有する被覆物が存在することを特徴とする中和処理容器用材料。 (もっと読む)


【課題】高電流密度で電解処理を行う場合であっても、電流効率の低下を生じることなく、良好な外観のめっき層を形成できる電気亜鉛めっき鋼板の製造方法を提供する。
【解決手段】めっき浴の、Zn濃度を1mol/L以上、温度を50℃以上、pHを−0.5〜1.0の範囲、上記めっき浴と上記被処理鋼板との相対流速を2m/s以上にすると共に、上記電解処理における1回当たりの通電時間tが、次式(I)


(ただし、i:電流密度(A/dm2)、t:通電時間(s))の関係を満足する電解処理を、複数回実施する。 (もっと読む)


【課題】プリント回路板のような基体上に平滑な表面を有する、銅イオン源、電解質および平滑化剤を含む銅電気めっき浴およびめっき方法を提供する。
【解決手段】特定のイミダゾール化合物と特定のエポキシド含有化合物との反応生成物である平滑化剤を含む、銅めっき浴である。金属電気めっき浴に使用される平滑化剤の量は、0.25〜5000ppm、である。該銅電気めっき浴中の銅と、めっきされる基体とを接触させ;並びに、基体上に銅層を堆積させるのに充分な時間にわたって電流密度を適用する:ことを含む、基体上に銅を堆積する。 (もっと読む)


【課題】白色度の高い電気亜鉛めっき鋼板の製造方法を提供する。
【解決手段】硫酸マグネシウムを0.05 〜 0.3 mol/l含有し、亜鉛濃度が1.0mol/l以上である、硫酸酸性のめっき浴を用いて、150A/dm2以下の電流密度で電気亜鉛めっき処理する。めっき浴中に硫酸マグネシウムを含有することで、亜鉛めっきの特性を変化させることなく、白色度を上昇させることが可能となる。 (もっと読む)



【課題】半導体装置用リードフレームとその製造方法において、複数のめっき層を積層する場合におけるめっき層同士の密着性を向上させ、半導体装置の製造工程におけるワイヤーボンド性の低下や実装の際の半田付け性の悪化を抑制するとともに、製造コストの効果的な削減を図る。
【解決手段】 導体基材20上に下地めっき層21を形成し、当該下地めっき層21の上に金属結合性を有する有機被膜22を介して最表めっき層23を積層することで、リードフレーム2a、2bを構成する。有機被膜22は、主鎖部B1の両末端に金属結合性の官能基A1、A1を持つ機能性有機分子11を自己組織化させた単分子膜として構成する。 (もっと読む)


【課題】配線用凹部の内部に、内部にボイドを生じさせることなく、めっき金属をより高速で埋込むことができるようにする。
【解決手段】表面に配線用凹部を有する基板を用意し、促進剤、金属イオン及び酸を含む第1前処理液に基板を浸漬させて第1前処理を行い、第1前処理液に含まれる促進剤の効果を阻害する添加剤を含み且つ促進剤を含まない第2前処理液に基板を浸漬させて第2前処理を行い、しかる後、基板の表面に、少なくとも金属イオン、酸及び抑制剤を含み、促進剤を含まないめっき液を使用した電解めっきを行って、配線用凹部内にめっき金属を埋込む。 (もっと読む)


【課題】成形性に優れた高張力冷延鋼板およびその製造方法。
【解決手段】質量%で、C:0.0010〜0.0080%を含み、Si、Mn、P、Sを調整して含み、Al:0.05%以下、N:0.0060〜0.0200%、あるいはさらにNb:0.001〜0.050%及び/又はB:0.0020%以下を含有し、N/(Al+0.3Nb+2.5B)が0.2以上の鋼素材で、固溶Nが0.0040%以上で、フェライト相を主相とし、圧延方向の引張強さ600MPa以上、全伸びが6%以上、局部伸びが6%以上の、強度−延性バランスに優れた冷延鋼板とする。1000℃以上の加熱温度で粗圧延したシートバーに、800℃以上の出側温度で仕上圧延を施し、[700−10×{(Al+0.3Nb)/N}]℃以下の温度で巻取る熱延工程と、50〜95%の圧下率による冷延工程と、300〜650℃の範囲の温度に加熱したのち冷却する熱処理工程とを施す。 (もっと読む)


【課題】モリブデンを高濃度で含有する銅合金からなるめっき膜を形成できるめっき浴およびめっき方法を提供する。
【解決手段】被めっき体上にモリブデンを含有する銅合金からなるめっき膜を形成するために用いられるものであり、銅イオン供給源とモリブデンイオン供給源とを含み、めっき浴中の銅原子とモリブデン原子とのモル比が12.6:87.4〜0.5:99.5の範囲であることを特徴とするめっき浴とする。 (もっと読む)


【課題】電気めっき方法で形成される鉄−ニッケル合金めっき皮膜について、熱処理後においても皮膜硬度の低下が生じ難い新規な鉄−ニッケル合金めっき皮膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ニッケル塩、第一鉄塩、錯化剤及び緩衝剤を含む水溶液中に平均粒径3μm以下の微粒子を分散させた鉄−ニッケル合金めっき液中で、電気めっき法によって該微粒子が共析した鉄−ニッケル合金めっき皮膜を形成した後、形成されためっき皮膜を400℃以上の温度で熱処理することを特徴とする、低膨張特性及び高硬度を有する鉄−ニッケル合金めっき皮膜の製造方法。 (もっと読む)


【課題】水平方向の熱膨張を抑制することができるとともに、垂直方向の熱伝導を良好なものとすることができる金属積層構造体および金属積層構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】タングステンを含む第1の金属層は銅を含む第2の金属層の第1の表面上に設置され、タングステンを含む第3の金属層は第2の金属層の第1の表面とは反対側の第2の表面上に設置されており、第1の金属層に含まれるタングステンの結晶粒が第2の金属層の第1の表面に対して垂直方向に伸長する柱状結晶であり、第3の金属層に含まれるタングステンの結晶粒が第2の金属層の第2の表面に対して垂直方向に伸長する柱状結晶である金属積層構造体と金属積層構造体の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】簡易かつ迅速で安価に貫通穴内表面のみにめっき処理を施すことができる貫通穴めっき方法及びこれを用いて製造された基板を提供する。
【解決手段】絶縁層6を貫通した貫通穴7を有する基板中間体4と、前記貫通穴7に対応した位置に開口部を有する2枚の導電性マスク5とを用い、前記開口部の位置を前記貫通穴7に合わせて前記基板中間体4の表裏両面の全域を前記各導電性マスク5で覆い、前記基板中間体4の表裏両面の少なくとも一部に、それぞれの前記導電性マスク5を密着させて被めっき処理体2を形成し、該被めっき処理体2をめっき液3に浸漬し、前記貫通穴7の内面を含んだ前記被めっき処理体2の表面全体に金属を付着させてめっき処理し、前記基板中間体4から前記導電性マスク5を除去する。 (もっと読む)


【課題】炭素共析型電気Crめっき膜をアンダーコートとしてその上に積層される高品質DLC膜の密着性を向上させること、とくに膨れ現象を発生させることのないDLC膜被覆部材とそれの製造方法を提供する。
【解決手段】金属製基材と、その表面に被覆形成された、被熱処理炭素共析型電気クロムめっき膜と、その被熱処理炭素共析型電気クロムめっき膜表面に被覆形成されたDLC膜とからなるDLC膜被覆部材およびその部材の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 高アスペクト比な金属微細構造体を高精度で容易に得ることができる微細構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】 微細構造体の製造方法は、Si基板に第1の絶縁膜を形成する第1工程と、第1の絶縁膜の一部を除去してSi表面を露出する第2工程と、露出されたSi表面からSi基板をエッチングして凹部を形成する第3工程と、凹部の側壁及び底部に第2の絶縁膜を形成する第4工程と、凹部の底部に形成された第2の絶縁膜の少なくとも一部を除去してSiの露出面を形成する第5工程と、Siの露出面より凹部に金属を電解めっきにより充填する第6工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】電気クロムめっき膜をアンダーコートとしてその上に積層される高品質DLC膜の密着性を向上させること、とくに膨れ現象を発生させることのないDLC膜被覆部材とそれの製造方法を提案することにある。
【解決手段】金属製基材と、その表面に被覆形成された、被熱処理電気クロムめっき膜と、そのめっき膜表面に被覆形成されたDLC膜とからなるDLC膜被覆部材およびその製造方法。 (もっと読む)


【課題】
複数のフィラメントからなる繊維束を連続的にメッキ処理をし、各フィラメントが均一にメッキ金属により被覆されうるメッキ処理方法とメッキ処理装置を提供する。
【解決手段】
メッキ処理槽に設けられた通過口より該繊維束を導入し、該メッキ処理槽内のメッキ液を該通過口よりオーバーフローさせた状態で該繊維束をメッキ液に浸漬し、更に該メッキ処理槽内における該繊維束の通過経路が概ねメッキ液面と平行な面内にあり、該繊維束にかかる張力を常に一定としてメッキ処理を行う。 (もっと読む)


【課題】アンモニアガス等の劇物を処理する為の複雑な装置を必要とすることなく、たとえ基板表面に形成した下地金属膜の表面に自然酸化膜が形成されていても、液体中に溶解させた金属錯体に含まれる金属からなる金属膜を下地金属膜の表面に十分な密着力をもって形成できるようにする。
【解決手段】表面に下地金属膜を形成した基板を用意し、金属錯体と還元性物質とを溶媒に溶解させた液体中に前記基板を浸漬させながら、前記下地金属膜を陰極、別の金属を陽極とした電気めっきを行って、前記金属錯体に含まれる金属からなる金属膜を前記下地金属膜の表面に形成する。 (もっと読む)


【課題】厚みを薄くすることができるとともに効率的に製造することが可能な金属積層構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】第1の金属層と、第2の金属層と、第3の金属層と、を備え、第1の金属層は第2の金属層の一方の表面上に設置され、第3の金属層は第2の金属層の他方の表面上に設置されており、第1の金属層は、タングステンを含み、第2の金属層は、銅を含み、第3の金属層は、タングステンを含む金属積層構造体を製造する方法であって、第2の金属層の一方の表面上に第1の金属層を溶融塩浴めっきにより形成する工程と、第2の金属層の他方の表面上に第3の金属層を溶融塩浴めっきにより形成する工程と、を含み、溶融塩浴めっきに用いられる溶融塩浴は、フッ化カリウムと、酸化ホウ素と、酸化タングステンとを含む混合物を溶融して作製されたものである、金属積層構造体の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】錫めっき鋼板の製造条件の変更に伴う冷却水温度のハンチング由来のクエンチステインの発生を防止できる電気錫めっき鋼板の製造方法を提供する。
【解決手段】連続電気錫めっきラインにおけるリフロー処理後のクエンチ処理において、クエンチタンク内の冷却水の温度を、下記の(1)式および(2)式を満足する水量W(m3/hr)の補助冷却水を前記クエンチタンクに投入して制御することを特徴とする電気錫めっき鋼板の製造方法;W=K×EI/ΔT+C・・・(1)、ΔT=T-Tcw・・・(2)、ただし、Eはリフロー処理時の電圧(V)、Iはリフロー処理時の電流(kA)、Tはクエンチタンク内の冷却水の温度(℃)、Tcwは補助冷却水の温度(℃)を表し、また、Kはクエンチ処理前の鋼板から放散される熱量により決定される定数、Cはクエンチタンクから放散される熱量および鋼板に持ち出される熱量により決定される定数である。 (もっと読む)


【課題】鉛含有量が低いか又は鉛を含まない減摩コーティングを提供すること。
【解決手段】Znに加え、主要合金元素としてSbとCuの少なくとも1つと、所望によりPb及び/又はBiを含有し、製造工程中にそれらの元素により生じる不可的不純物を含有するスズベースの合金から作製され、Sbが最大20重量%、Cuが最大10重量%、PbとBiの合計が最大1.5重量%、CuとSbの合計が2重量%〜22重量%であり、スズが金属間相の形で且つβスズ結晶粒を有するスズ相として存在し、スズベースの合金中のβスズ結晶粒が少なくとも1つの優先配向を有し、少なくとも1組のネットワークレベルM{hkl}の次式


による配向指数M{hkl}が3.0以上であり、I{hkl}は減摩コーティングの{hkl}面のX線回折強度、I0{hkl}は完全無配向スズ粉末サンプルのX線回折強度を表す、多層構造摩擦軸受用の減摩コーティング。 (もっと読む)


101 - 120 / 707