【課題】表面が黒色であり、エッチング性も良好である粗化処理銅箔を提供を提供する。
【解決手段】銅箔の少なくとも一方の表面に、黒色ではない粗化処理層と、ニッケル−タングステン合金めっき層とがこの順に形成されており、当該ニッケル−タングステン合金めっき層のニッケル量が２０００μｇ／ｄｍ²以上である印刷回路用銅箔。 （もっと読む）

【課題】低挿抜性、低ウィスカ性及び高耐久性を有する電子部品用金属材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材１１と、基材１１の最表層を構成し、Ｓｎ，Ｉｎ，またはそれらの合金で形成されたＡ層１４と、基材１１とＡ層１４との間に設けられて中層を構成し、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒ，またはそれらの合金で形成されたＢ層１３と、を備え、最表層（Ａ層）１４の厚みが０．２μｍよりも厚く、中層（Ｂ層）１３の厚みが０．００１μｍ以上である電子部品用金属材料１０。 （もっと読む）

【課題】キャリア付き薄銅箔であって、ビルドアップ配線板のビア形成でレーザー穴あけ加工を行う際に、レーザー吸収層及び薄銅の飛散、銅の盛り上がりが生成することがない、薄銅箔、および該薄銅箔を用いたプリント配線板、多層プリント配線板を提供する。
【解決手段】キャリア箔１、剥離層２、レーザー吸収層５、薄銅箔４がこの順に形成されているレーザー吸収層付き銅箔であって、前記キャリア箔と銅箔とを剥離した時の前記レーザー吸収層表面の表面粗さＲｚ＝２．０μｍ以下、明度Ｌ＝３０、色度ａ＝７、色度ｂ＝３に対し、色差ΔＥ＝６以下であるレーザー吸収層付き銅箔である。前記レーザー吸収層は、波長９〜１２μｍの光に対して、消光係数ｋ＝２５以上である２種以上の元素で構成され、かつ前記２種以上の金属元素の内の１種は少なくとも原子量５０〜７０の中の金属元素であり、該金属元素と他の元素との単位面積あたりの原子数比＝１〜５である。 （もっと読む）

【課題】負極活物質層に対して高い密着性を維持しつつ粗化粒子の脱落を抑制し、また、タブリードとの溶接強度を向上させる。
【解決手段】銅又は銅合金からなる圧延銅箔と、圧延銅箔の少なくとも順に設けられた第１Ｃｕめっき層と、粗化粒子と、第２Ｃｕめっき層と、を有し、さらに、ニッケル−コバルト合金めっき層、ニッケルめっき層、又はコバルトめっき層のいずれかと、を備え、負極活物質層のバインダ割合Ｃｂ（ｗｔ％）をＣｂとすると、表面粗さＲａが、Ｃｂ≧３８×Ｒａ×Ｒａ−１．２×Ｒａ（ただし、０．１０≦Ｒａ≦０．７２、かつ、２≦Ｃｂ≦２０）を満たす。 （もっと読む）

【課題】伸線加工性及びゴム組成物との接着性に優れたゴム補強用金属線を提供する。
【解決手段】金属芯線と、芯線を覆うＣｕ，Ｚｎ，Ｃｏを含む被覆層とを有し、被覆層の表面から半径方向の内部に深さ１５ｎｍまでの表層の組成が、Ｃｕ：６０ａｔ％以上６９ａｔ％未満、Ｃｏ：０．５ａｔ％以上５．０ａｔ％以下であることを特徴とするゴム補強用金属線により上記課題が解決される。 （もっと読む）

【課題】銅または銅合金下層上での接着促進を可能にするシアン化物非含有スズ／銅浴からホワイトブロンズめっき方法を提供する。
【解決手段】銅下層を被覆する空隙抑制層上に、シアン化物非含有スズ／銅浴からホワイトブロンズが電気めっきされる。この空隙抑制金属層は１種以上の空隙抑制金属を含む。 （もっと読む）

【課題】繰り返しせん断応力に対してめっきの密着性に優れ、接触抵抗値が長期に渡って低く安定し、スイッチの寿命が改善された可動接点部品用銀被覆複合材および可動接点部品の提供する。
【解決手段】ステンレス鋼基材の表面の少なくとも一部にニッケル、コバルト、ニッケル合金、コバルト合金のいずれかからなる下地層が形成され、その上層に銅または銅合金からなる中間層が形成され、さらに上層に銀または銀合金層が最表層として形成されている可動接点部品用銀被覆複合材であって、前記中間層の厚さが０．０５〜０．３μｍであり、かつ前記最表層に形成された銀または銀合金の平均結晶粒径が０．５〜５．０μｍである。 （もっと読む）

【課題】銅または銅合金を含む基体への銀被膜の接着性が改良された、高温においてさえ、良好な接着性を有する銀層がコーティングされた、電気コネクタ、プリント回路板、発光ダイオードまたは電気自動車の部品またはコンポーネントとして使用されうる銅含有基体を提供する。
【解決手段】銅または銅合金を含む金属基体に隣接してニッケル層を堆積させ、前記ニッケル層に隣接して薄膜のスズ層を堆積させ、次いで前記薄膜のスズ層のすぐ上に前記薄膜のスズ層の少なくとも２倍の厚さの銀層を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】 微細配線への加工性を高めた銅めっき被膜を形成する銅電気めっき法の提供とこの銅電気めっき方法を銅めっき被膜の成膜に用いた金属化樹脂フィルムの提供を目的とする。
【解決手段】 銅めっき液に通電して銅めっき被膜を形成する銅電気めっき方法において、銅めっき液への通電時の電流密度を、銅めっき被膜の厚みが２．５μｍになるまでは、０．５Ａ／ｄｍ^２以下として銅めっきを行うと共に、銅めっき液は構成原子に硫黄原子を有する有機化合物を８重量ｐｐｍ〜３０重量ｐｐｍ含むことを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】低接触抵抗、高はんだ濡れ性及び低挿入力を有するＳｎ系めっき材を提供する。
【解決手段】Ｓｎ系めっき材１０は、金属基材１１、金属基材１１上に形成された下地めっき１２、下地めっき１２上に形成されたＡｇを含むＳｎ系めっき１３を備える。Ｓｎ系めっき材１０は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光装置）でＤｅｐｔｈ分析を行ったとき、Ｓｎの原子濃度（ａｔ％）の最高値を示す位置（Ｄ_Sn）及びＡｇの原子濃度（ａｔ％）の最高値を示す位置（Ｄ_Ag）がＳｎ系めっき１３表面からＤ_Sn、Ｄ_Agの順で存在し、Ｓｎ系めっき１３に含まれるＡｇが１〜２００μｇ／ｃｍ²であり、Ｓｎ系めっき１３に含まれるＳｎが２〜２２０μｇ／ｃｍ²である。 （もっと読む）

【課題】支持体上に薄銅層が剥離可能に形成されている支持体付極薄銅箔の薄銅層の結晶状態を定量的に評価可能とし、エッチング性が良好で微細回路の加工に適すると共に、ハンドリング時の耐傷性を改善した支持体付極薄銅箔を提供する。
【解決手段】支持体上に薄銅層が剥離可能に形成されている支持体付極薄銅箔であって、薄銅層の２３０℃１時間加熱処理後のビッカース硬度が１８０〜２４０Ｈｖである支持体付極薄銅箔を、薄銅層の形成に平均分子量が５０００以下のゼラチンを１５〜３５ｐｐｍ含有する硫酸銅めっき浴を用いることにより製造する。 （もっと読む）

【課題】電極の構成およびその製造方法が従来よりも、低コストで導電性能が低下せず、多数の製造工程を必要としない電極形成基板およびその製造方法および同電極形成基板を提供する。
【解決手段】ガラス基板２と、ガラス基板２上全体に成膜されたＩＴＯ３膜と、電極形状に形成された金属めっき膜５と、を有する電極形成基板１であって、ＩＴＯ膜３上には、パターニングされたストライクめっき膜４を備え、ストライクめっき膜４を介して、ＩＴＯ膜３と金属めっき膜５とは、密着し、ストライクめっき膜４上にのみ金属めっき膜５を形成し、金属めっき膜５は、電解めっきを用いて形成されている。 （もっと読む）

【課題】電気的接続部位等に設けられるＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ被膜を形成する際に好適に用いることができ、被膜特性の向上及びコスト削減を図ることのできる電解パラジウム−リン合金めっき液、めっき被膜及びめっき製品を提供する。
【解決手段】被めっき物１００の表面に、電解めっきにより電解パラジウム−リン合金めっき被膜１２を形成する際に用いる電解パラジウム−リン合金めっき液であって、パラジウム化合物と、次亜リン酸ナトリウム又は亜リン酸と、エチレンジアミン又はジエチレントリアミンとを含むことを特徴とする電解パラジウム−リン合金めっき液、該めっき液によるめっき被膜及びめっき製品。 （もっと読む）

【課題】２種類以上のめっきを同一の感光性材料を用いて選択的に成膜する場合、クラックの発生を抑制する。
【解決手段】この製造装置は、表面に絶縁膜３３０が形成された半導体ウェハ２００表面
を第１のめっき液を用いてめっき処理する第１のめっき処理槽と、半導体ウェハ２００表
面を第２のめっき液を用いてめっき処理する第２のめっき処理槽と、を備える。第１のめ
っき処理槽には、半導体ウェハ２００の表面と重なる部分の長さがｄ_１であり、かつ絶縁
膜３３０との接触幅がｗ_１の第１のシール３２０が設けられ、第２のめっき処理槽には半
導体ウェハ２００の表面と重なる部分の長さがｄ_２であり、かつ絶縁膜３３０との接触幅
がｗ_２の第２のシール３４０が設けられ、第１のシール３２０と第２のシール３４０の間
には、ｄ_２＜ｄ_１−ｗ_１の関係が成り立っている。 （もっと読む）

【課題】高価な材料を含まず、且つ製造が労働集約的でないスリップリングの製造方法を提供する。
【解決手段】スリップリング部品（１０６）の製造方法、スリップリング部品及びスリップリング組立体を開示する。スリップリング部品の製造方法は、第１ショット（４０４）を形成する工程と、第２ショット（４０２）を形成する工程と、第１ショット（４０４）及び第２ショット（４０２）を浸漬する工程とを具備する。浸漬工程においては、第２ショット（４０２）の露出面に導電めっきを付ける。 （もっと読む）

【課題】箔物メタルマスクであっても硬さがあり伸びの発生が少なく、破損しにくく、しかも表面からカーボンナノチューブの先端が殆ど突出していない、カーボンナノチューブを含む金属複合めっき皮膜からなるメタルマスクを得る。
【解決手段】カーボンナノチューブを含まないＮｉめっき皮膜からなる支持体としての第１皮膜１ａと、第１皮膜の上に設けられ、カーボンナノチューブを含むＮｉめっき皮膜からなる引張り強度を持たせた第２皮膜１ｂと、第２皮膜の上に設けられ、カーボンナノチューブを含まないＮｉめっき皮膜からなる支持体としての第３皮膜１ｃとからなる三層構造であり、第２皮膜に取り込まれたカーボンナノチューブの先端２は、薄いＮｉめっき皮膜が施されて第３皮膜の表面から僅かに突出している。 （もっと読む）

【課題】抗酸化特性およびエッチング特性が良好であり、さらに、高温高圧環境でも剥離性に優れた極く薄い銅箔と、厚さが均一であり、ピンホールがほとんどない担体とを備える、担体としてベリーロープロファイル銅箔付きの極く薄い銅箔を提供すること。
【解決手段】ベリーロープロファイル銅箔を担体とした極く薄い銅箔の製造方法が、担体の両面が平坦で，粗さが1.5μm以下，厚さが18〜35μmのベリーロープロファイル銅箔を；リブテン，ニッケル，クロムとカリウム金属イオンからなるめっき液でめっきして剥離層とし；剥離層の上に、Cu₂P₂O₇3H₂O；10〜60g/L，K₄P₂O₇：100〜400 g/L，PH＝6〜10，浴温10〜60⁰ Cからなるめっき液を電流密度1〜5A/dm²でめっきして剥離層の保護膜を形成し、；更に銅濃度50〜100g/L，硫酸濃度90〜125g/L，浴温40〜70⁰ C，のめっき液を電流密度10〜50A/dm²でめっきして、厚さ1〜6μm以下の極く薄い銅箔とからなること。 （もっと読む）

【課題】銅又は銅合金条表面のリフローＳｎめっき層にＣｕ−Ｓｎ合金層を部分的に露出させることで、Ｓｎ粉の発生を抑制することができるＳｎめっき材を提供する。
【解決手段】銅又は銅合金条２の表面にリフロー処理を施したＳｎめっき層６を有するＳｎめっき材１０であって、最表面に露出したＣｕ−Ｓｎ合金層４ａの面積率が０．５〜４％であり、最表面から見て、前記Ｃｕ−Ｓｎ合金層の個数が０．０３３ｍｍ^２当たり１００〜９００個である。 （もっと読む）

【課題】基板等の回路にかかる力を緩和する能力を有する導電性微粒子、及び、基板間の距離を一定に維持する方法を提供する。
【解決手段】樹脂からなる基材微粒子の表面が１層以上の金属層に覆われてなる導電性微粒子であって、前記金属層の全ての層の熱膨張率がそれぞれ１×１０^−５〜３×１０^−５（１／Ｋ）であり、かつ、各金属層と前記基材微粒子との熱膨張率の比（基材微粒子の熱膨張率／金属層の熱膨張率）がそれぞれ０．１〜１０である導電性微粒子。 （もっと読む）