Fターム[4K024AB08]の内容

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Fターム[4K024AB08]に分類される特許

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【課題】 筒状体内面の部分電気めっき作業の能率を高める。
【解決手段】 マスキング材22は、縦に配置し、上方に電極棒25を突出する。筒状体1は、縦に配置し、下側部分をマスキング材22に嵌め込んで閉鎖すると共に、上側部分内に電極棒25を配置する。筒状体の上側部分は、マスキング材22を底とする容器状にする。筒状体1の上側部分は、めっき液7を注入し、上側部分の内面と上側部分内の電極棒25をめっき液7に浸す。筒状体1の下側部分の内面は、マスキング材22で覆ってめっき液を接触させない。電源33の陽極から電極棒25、筒状体1の上側部分内のめっき液7、筒状体1の上側部分の内面と外面を経て電源33の陰極に通電する。筒状体1は、上側部分の内面のみにめっき被膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】高い導電性を有し、表面の物理的強度も優れた液晶表示装置のタッチパネル用透光性電磁波シールドフィルムを提供すること。
【解決手段】支持体上に、現像銀を含む導電性金属からなる細線パターンを有する液晶表示装置用タッチパネル用透光性電磁波シールドフィルム。とくに細線パターンの引っ掻き強度がHB以上であるタッチパネル用透光性電磁波シールドフィルム。 (もっと読む)


【課題】配線溝への埋め込み特性が良好で、信頼性の高い半導体装置を作製することができる半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板101上に、配線溝103が設けられた絶縁膜102を形成する工程(a)と、絶縁膜102上に導電性バリア膜104およびシード膜105を順次形成する工程(b)と、シード膜105上に電解めっき法により電解めっき膜106を形成する工程(c)とを備えている。工程(c)では、半導体基板101の基板面に対して70度以上90度以下の方向から光を照射しながら、電解めっきを行う。 (もっと読む)


【課題】めっき槽内の電流密度分布を均一に調整し且つめっき液の流れを調整してめっき膜厚均一性とめっき表面の均一性を高めるめっき装置及びめっき方法を提供する。
【解決手段】めっきユニット30内に保持されるめっき液Qをアノード10側と基板W側に遮断するように設置され抵抗体Rを保持する抵抗体ホルダ60と、抵抗体Rを経由しない電気経路を遮断するシール170と、基板Wと抵抗体Rとの間の隙間S1にめっき液を噴射して流通させるめっき液噴射口183A,Bと、抵抗体R及び抵抗体ホルダ60で区画されたアノード領域A2及び基板領域A1内にそれぞれめっき液を循環させるめっき液循環系250,260とを具備する。オーバーフロー槽40に、基板領域A1とアノード領域A2からそれぞれオーバーフローするめっき液を遮断する仕切り部材を設ける。 (もっと読む)


【課題】半導体集積回路デバイス基板上にフィチャーの底面そして実質的にその上に金属をもたない側壁の部分上に金属からなる輪郭をもつフュチャー内に最初の金属堆積を形成することにより銅めっきをし、銅でフィチャーを埋め込むため最初の金属堆積上に銅を無電解的に堆積するための方法。半導体集積回路デバイス基板上にフィチャー内に銅に濡れる金属からなる堆積を形成し、頂部部分表面上に銅ベースの堆積を形成し、そして銅でフィチャーを埋め込むため銅に濡れる金属からなる堆積上に銅を堆積することによって銅をめっきするための方法。 (もっと読む)


【課題】各種電子機器、通信機器などに用いられるプリント配線板のパターンめっき方法に関するものであり、セミアディティブ法のプロセスにおいて、パターン密度の不均一なパターンにおいて、パターン密度の疎密に起因して、めっき膜厚が不均一になるという課題を有していた。
【解決手段】めっきにより配線パターンを形成する工程において、カソード電極7のアノード電極3と対向する面にめっきレジストパターンが形成された配線パターン基板4を配置し、前記アノード電極3と前記配線パターン基板4との間に前記配線パターンを疎部10に対応する箇所に絶縁シート6が形成されたメッシュ状のネット5を、前記配線パターン基板4全体を覆うように装着し、電解めっきを行なうことを特徴とするパターンめっき方法である。 (もっと読む)


【課題】 半導体デバイス用放熱部材などの効率的な表面局部電気メッキ法。
【解決手段】多数の被メッキ処理体18を治具12により一定の位置関係を保って固定支持し、該治具によりメッキ槽19の両側壁に跨がせてセットすることにより、被メッキ処理体のメッキ処理する区域のみを該メッキ槽内のメッキ浴中に浸漬して、メッキ前処理、メッキの一連の湿式処理を行なうことにより、メッキを必要としない箇所に対する無駄な処理を行なうことなく、メッキ液などの消費を低減することができる。 (もっと読む)


【課題】深さの異なるビアに銅めっきを充填する際、浅いビアがほぼ充填した段階で表面に付着した光沢剤を薬品あるいはプラズマで除去し、再度、前処理および、めっきを行なうことにより、複雑な工程を行なうことなく、浅いビアと深いビアをフラットに埋めるめっき方法。高密度の回路を形成するには深さの異なるビアを配置し、かつ、両方の深さのビアをフラットに充填する必要がある。しかしながら、従来技術では、深い部分だけ別にめっきをする必要があったが、工程的に複雑となり、生産性、コスト、品質に悪影響を及ぼす。
【解決手段】ビアフィルめっき液の特性、表面のめっき析出を抑え、ビア内の析出を促進するという特性を利用し、浅いビアが埋まった時点で光沢剤効果をリセットすることにより、複雑な工程を追加することなく、深さの異なるビアをフラットに充填する。 (もっと読む)


【課題】電解めっき工程の生産性を向上させた配線板の製造方法を提供する。また、金属薄膜と絶縁性基板との密着性が高い配線を有する配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性基板上に金属薄膜を形成して配線基板102とし、該配線基板102の金属薄膜2上に電解めっき法によってめっき膜を形成する配線板の製造方法である。めっき膜を形成する工程は、めっき液9に浸漬させていない状態の配線基板102の金属薄膜2とめっき液9に浸漬した状態のダミーカソード6を電気的に並列接続し、金属薄膜2とダミーカソード6に電圧が印加された状態を準備する準備工程と、配線基板102をめっき液9に浸漬して、配線基板102の金属薄膜2に電解めっきを行う電解めっき工程とからなる。 (もっと読む)


電気メッキプロセスが、電圧で切替可能な誘電体(VSD)材料の結合剤中に分散、混合または溶解した光活性成分を有するVSD材料の層を含む基板を用いて行われる。導体素子のパターンが、一部は、前記VSD材料の層に光を向けることにより発せられた電圧を用いて、VSD材料を絶縁状態から導電状態に切り替えることによって、基板上に形成される。
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【課題】研磨処理等を行わなくても、均一な高さの凸部(めっき層パターン)を有する燃料電池用セパレータの製造方法を提供する。
【解決手段】金属基板1上に、めっきを行うためのアンダーコート層2を形成し、アンダーコート層2上にドライフィルムレジストを配置して成るレジスト層3に対して、露光、現像を行うことにより、レジスト層パターン、およびアンダーコート層2が露出する凹部パターン6を形成するパターン形成工程と、凹部パターン6に沿って露出したアンダーコート層2上に、めっき層パターン7を形成するめっき層パターン形成工程と、このめっき層パターン形成工程後に、上記レジスト層パターンを除去するレジスト層パターン除去工程と、を有する燃料電池用セパレータの製造方法であって、パターン形成工程の際に、特定の露光パターンで露光を行うことを特徴とする燃料電池用セパレータの製造方法。 (もっと読む)


【課題】仕上げ工程の切削加工ないしショットブラスト等表面処理のばらつきに起因するシール性のばらつきを小さくしかつシール性をさらに向上させた油井管用特殊ねじ継手を提供する。
【解決手段】少なくともシール部4において、ピン1側の締結前の表面粗さがRa1.0〜3.0μmであり、かつ、ボックス2側の素地上に厚さ5〜20μmのゴーリング防止用めっき層10およびさらにその上に厚さ1μm以上の軟質めっき層11を有する (もっと読む)


【課題】めっき終端および電解めっきを使用する形成方法を提供する。
【解決手段】多層電子コンポーネントは、複数の内部電極と交互に配置された複数の誘電層を含む。内部アンカタブおよび/または外部アンカタブも、誘電層と選択的に交互に配置することができる。内部電極およびアンカタブの諸部分は、それぞれのグループで電子コンポーネントの周辺部に沿って露出される。各露出された部分は、所与のグループ内の他の露出された部分から所定の距離以内にあり、露出された内部導電要素のうちの選択された要素の間での薄膜めっきされた材料の堆積および制御されたブリッジングによって、終端構造を形成できるようになっている。電解めっきを、任意選択のクリーニングステップおよび焼鈍ステップと共に使用して、銅、ニッケル、または他の導電材料の直接めっきされた部分を形成することができる。 (もっと読む)


【課題】メッキの際のマスキングの面倒を少なくして作業効率のアップ及びコストの削減を図る。
【解決手段】背面にベース1が一体化された金属セラミック複合部材4の金属板3の接合面側に、金属板3上のメッキ予定箇所に対応した開口21を有する枠状のマスキング部材20を被せて、開口21の周囲を金属セラミック複合部材4に密着させることでシールし、金属板3を下に向けた姿勢で、マスキング部材20を通して金属セラミック複合部材4にメッキ液110を下側から接触させることにより、金属板3上のメッキ予定箇所にメッキを施す。 (もっと読む)


【課題】コネクタ端子の接点部などに微細に硬質金めっきをすることが可能な部分めっき方法を提供すること。
【解決手段】めっき液を接触させた被めっき材34のめっきする部分に、波長が330nm以上450nm以下であるレーザ光を照射して部分めっきをする。このとき、めっき液中に被めっき材34を搬送すると良い。このめっき液中を搬送される被めっき材34の動きにレーザ光を一定時間同期させて被めっき材34のめっきする部分に照射する。被めっき材34の同一のめっきする部分を一定時間照射した後は、レーザ光を走査開始位置に復帰させるようにする。 (もっと読む)


【課題】複数層のめっきパターンを、作業の煩雑さを伴うことなく、階層間で十分に均質化された組成となるように形成することのできるめっき方法を提供する。
【解決手段】レジストパターン13の合計面積と、レジストパターン17の合計面積と、レジストパターン18の合計面積とを全て等しくしたので、各めっきパターンA〜Cのめっき処理を行う際のめっき領域R13,R17,R18の面積を常に一定とすることができる。したがって、電流値を変更することなく容易にめっき電流密度を一定に保つことができ、その結果、ほぼ同等の組成を互いに有するめっきパターンA〜Cを極めて効率的に形成することができる。 (もっと読む)


【課題】めっきシード層の抵抗が比較的高い場合であっても均一な膜厚にめっきを施すことができ、製品の形成精度を向上させ、製品の製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】基板10上にめっきを形成する方法において、抵抗体からなる基板10上に、該基板10への導通部16aを有する絶縁層60を形成し、該絶縁層60上に、前記導通部16aを介して前記基板10と電気的に導通するめっきシード層12を形成し、該めっきシード層12を給電層として該めっきシード層12上にめっき膜13を形成することを特徴とするめっき方法。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、ハロゲン化銀粒子を含む層を有する原版(電磁波遮蔽材料用原版)を用いて、高い導電性と、光透過性を有し、電子ディスプレイ機器の画像表示面からの電磁波をシールドするのに好適な透光性の電磁波遮蔽材料を得ることにある。
【解決手段】支持体上に、少なくともハロゲン化銀粒子と、架橋性バインダー樹脂、及び前記架橋性バインダー樹脂に架橋していない水溶性化合物、を含有する層を有する電磁波遮蔽材料用原版に、パターン露光、現像処理、物理現像及び/又はメッキ処理、を順次行うことを特徴とする電磁波遮蔽材料の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 導電性及び光透過性を有するようにパターニングされた電磁波遮蔽部材に有用な導体層パターン付き基材を転写法を用いて生産性よく製造するためのめっき用導電性基材を提供する。
【解決手段】 凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有し、凸部の上端から0.5〜3μm低い位置よりも低い位置の凹部表面に絶縁層が形成されており、凸部の導電性基材の露出部分の幅が1μm〜40μmであって、凹部に絶縁層を施した後の凸部の高さが、10μm以上であるめっき用導電性基材。凸部の露出部分が先端方向に進むにつれて幅が広がっておらず、全体として下部よりも上部で幅が小さくなっていることが好ましい。
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【課題】ワークのマスクしたい領域に表面処理が回り込むことを防止できるマスキング治具を提供する。
【解決手段】ワーク100に接触して電気的導通を行う第1の導通部11aと、第1の導通部11aがワーク100に接触した状態で、ワーク100の接合面100aに弾性変形して接触し、接合面100aをシールするゴムリング13とを備える。 (もっと読む)


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