Fターム[4K024AB08]の内容

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Fターム[4K024AB08]に分類される特許

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【課題】半導体デバイスなどの冷却用ヒートシンク局部の鍍金方法を提供する。
【解決手段】 鍍金液材料をヒートシンクの鍍金を必要とする領域111に対応する容器12内に貯留し、鍍金を必要とする領域に接触させて、被鍍金領域に接触する容器壁により囲われた局部に鍍金層を形成する。
めっき液は、下地層としての亜鉛めっき、ニッケルめっきに適用することができると共に、不必要な箇所へのめっきがされないため、めっき材料の損失が無く、生産効率がよい。 (もっと読む)


【課題】孔開き金属箔について、特にエッチングやめっきしにくい金属でも製造できる孔開き金属箔の製造方法とこれにより製造された孔開き金属箔を提供する。
【解決手段】作製すべき孔開き金属箔の面形状と同じ表面形状を持ち、且つ一定の厚みを有する型枠層をキャリア基材表面に形成し、前記型枠層の上面に乾式薄膜形成法により金属箔を形成した後、前記キャリア基材ならびに型枠層を金属箔から剥離する孔開き金属箔の製造方法を採用する。 (もっと読む)


【課題】高耐食性及び低接触抵抗が要求される用途に好適な貴金属めっきを施したチタン材を提供する。
【解決手段】Au、Ru、Rh、Pd、Ir及びPtからなる群より選択される少なくとも1種以上の貴金属でチタン材の表面の一部又は全部を直接めっきしたチタン材であって、該貴金属はチタン材の表面上に粒子状に存在し、該粒子の平均粒径が10〜340nmであり、該粒子は該貴金属めっきを施したチタン材の表面上で該貴金属の面積率が少なくとも15%となるような個数だけ存在するチタン材。 (もっと読む)


【課題】電解銅めっき法(例えば、サブトラクティブ法(パネルめっき法))では不可能であった高アスペクト比の微細パターンを形成可能とする電解銅めっき方法を提供する。
【解決手段】プリント基板5−1’のスルホール用の穴22−1〜22−3と対応させた位置に穴21−1〜21−3をあけた遮蔽板9’を使用して電解めっきを行い、プリント基板表面5−1’には電解めっきの電流が流れないようにする。特に高アスペクト比となる多層プリント基板でこのめっき方法が有効である。 (もっと読む)


【課題】基板に形成された配線用の溝等の微細窪みに銅又は銅合金等の金属を隙間(空洞)なく均一にめっきすることができる基板のめっき方法及び装置を提供すること。
【解決手段】基板上の微細窪みに金属を充填する基板のめっき方法である。めっき促進剤を添加しためっき液中で第一のめっき処理(第一のめっき槽3にて)を行った後、被めっき表面に付着しためっき促進剤を除去又は低減させる除去剤を被めっき表面に接触させるめっき促進剤除去処理(めっき促進剤除去部4にて)を行ない、さらに第二のめっき処理(第二のめっき槽5にて)を定電位で行う。 (もっと読む)


【課題】シート抵抗値のばらつきが小さい薄膜抵抗層付き導電性基材を安価に提供すること、及び抵抗素子を安定に残してプリント抵抗回路基板を製造することができる抵抗層付き導電性基材を提供することである。
【解決手段】 表面に抵抗層が形成されている導電性基材であって、前記抵抗層がアモルファスと結晶質が混在するPを含有するNiからなる薄膜抵抗層である薄膜抵抗層付き導電性基材である。
また、表面に抵抗層が形成されている導電性基材であって、前記抵抗層が結晶質のPを含有するNiからなる薄膜抵抗層である薄膜抵抗層付き導電性基材である。 (もっと読む)


【解決手段】本発明のプリント配線基板は、絶縁基板の少なくとも一方の表面に、銅箔を選択的にエッチングした配線パターンが形成されており、該配線パターンの少なくとも一部がスズを含有する金属メッキ層で被覆されている配線基板において、該配線パターンが、主として粒径3μm以上の柱状結晶銅から形成されており、該柱状結晶銅の塩素濃度が5〜50ppmの範囲内にあり、該配線パターンを被覆する金属メッキ層が、スズを含有す
る主として0.7μm以上の結晶粒径の金属から形成されており、かつ該配線パターンに、有機化合物に由来する炭素原子が実質的に含有されていないことを特徴としている。
【効果】本発明によれば、銅からなる配線の表面に形成された無電解スズメッキ層の表面からのスズウイスカーの発生を有効に抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】Si基材上に均一にAuメッキ層を形成したり、ナノメータレベルの連続した金メッキ細線を形成したりする。
【解決手段】Si基材1上にAuメッキ層2を形成するAuメッキ方法であって、Si基材1上に、C、S及びAuを含み半導電性を有するC−S−Au膜よりなる下地層3を形成する下地層形成工程と、電気メッキによるAuメッキを施して下地層3上にAuメッキ層2を形成するAuメッキ工程とを備えている。Si基材1の表面に下地層3を形成してから、レジスト膜を部分的に形成して、レジスト膜以外の部分に下地層3のC−S−Au膜が表出したC−S−Au膜表出部を所定パターンで形成し、レジストの加工パターンをマスクとして、C−S−Au膜表出部上にAuメッキ層2を形成すれば、ナノメータレベルの連続したAuメッキ細線を形成することができる。 (もっと読む)


【課題】異物埋収性の向上を図ることができ、ひいては非焼付性の向上を図る。
【解決手段】基材を構成する軸受合金2の表面に被覆層6を設けたすべり軸受において、被覆層6は、摺動面側の表面から見て樹脂領域部3と軟質金属領域部4とが混在した複合化領域部5を有する構成とする。軟質金属領域部4は、軟質金属が主体の領域で、樹脂領域部3に比べて柔らかいため、異物埋収性に優れる。表面から見てこのような軟質金属領域部4と樹脂領域部3とが混在しているため、樹脂領域部3のみに比べて異物埋収性を向上でき、ひいては非焼付性の向上を図ることが可能となる。 (もっと読む)


【課題】基板(チップ)間を接合するメッキ金属が均一に析出され、生産性が良い接合構造体を提供する。
【解決手段】カソード19a,19b及びこの近傍に配置されるアノード20a,20bを有する第1のチップ4を複数備えたウエハ2と、カソード34a,34bを有し第1のチップ4と接合して接合構造体を形成する第2のチップ5を複数備えたウエハ3とを、電解メッキ液に浸漬した状態で第1のカソード19a,34aとアノード20aとの間、並びにカソード19b,34bとアノード20bとの間を通電し、析出したメッキ金属により接合部23を一括に形成し、それぞれに接合構造体を得る。 (もっと読む)


【課題】 耐屈折性の良好な配線用銅層からなるフレキシブル配線板とそのフレキシブル配線板用基板の提供。
【解決手段】 配線用銅層を形成した2層フレキシブル配線基板において、電気配線パターン部を形成する銅層の配線用銅めっき層中に適正量の硫黄と亜鉛を含有させる。前記銅層はめっき法により形成されためっき基板である。このフレキシブル配線板用基板を用いてフレキシブル配線板を作製する。 (もっと読む)


【課題】 導体回路素子内の微細配線形成方法として使用されているいわゆるダマシン法ないしデュアルダマシン法にも適用し得るナノメータオーダーの微細パターンの形成方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の微細パターンの形成方法は、基板上に設けられた絶縁膜に形成された溝及び孔の少なくとも一方を、二酸化炭素及び不活性ガスの少なくとも一方、めっき液及び界面活性剤を含む超臨界流体又は亜臨界流体を用いためっき法により所定の金属で埋めることを特徴とする。この場合、めっき液として従来から使用されている電解めっき液や無電解めっき液を使用することができ、また、本発明の微細パターンの形成方法を実施する際には、脱脂部A、酸洗部B、触媒化部C及びめっき部Dを備える表面処理装置10を使用し得る。 (もっと読む)


【課題】 基板と金属膜間の密着性を向上させることが可能であり、さらに簡単な製造方法にて前記密着性を向上させることが可能な金属膜を有する基板およびその製造方法等を提供することを目的としている。
【解決手段】 基板1上に単分子膜2が形成され、前記単分子膜2上に中間膜3が形成される。前記中間膜3に含まれるピロリル基及び単分子膜2に含まれるピロリル基の少なくとも一部は重合している。また前記中間膜3は、無電解メッキでの触媒能力のある金属、例えばパラジウムを含有する。金属膜5を構成する無電解メッキ膜6が前記中間膜3上に直接、無電解メッキ法によりメッキ形成されている。本実施形態の構成により、基板と金属膜間の密着性を従来に比べて向上させることが出来る。 (もっと読む)


【課題】 遊離砥粒を取り込むための凹凸部をワイヤの表面に形成しても上記凹凸部に残留応力による変質が生じる惧れがない共に、凹凸部が精度良く形成されたソーワイヤ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 走行しているワイヤをワークに接触させると共に両者が接触している部分に遊離砥粒を吹き付けながら当該ワークをスライシング加工するためのソーワイヤAであって、前記ワイヤ1とジェットノズル3との間に電圧を印加した状態で該ワイヤ1にジェットノズル3から金属イオンを含む電解液43を噴射することにより該ワイヤ1の表面に、当該ワイヤとワークの間に遊離砥粒を取り込むための取込み用凹凸2(取込み用凹部2a及び/又は取込み用凸部2b)を形成してなる。
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【課題】耐メッキ液浸入性に優れ、メッキ後の剥離性がよく、非メッキ部分の耐汚染性、耐変色性に優れるマスキング材料とメッキ方法を提供する。
【解決手段】マスキング材料としてスチレン・ブタジエン系の重合物の溶液で、ポリスチレンとポリブタジエンの比率は10〜90:10〜90であるものを用いる。たとえば中空体の内面にこのマスキング材を塗布した披処理材料を、130℃〜200℃で熱処理した後、外面にメッキを行う。メッキ終了後、マスキング材は空気噴きつけによって容易に剥離する。 (もっと読む)


【課題】導体パターンの狭ピッチ化が可能な回路基板の製造方法及び回路基板を提供すること。
【解決手段】絶縁基板2上に通電層6を形成する通電層形成工程と、通電層6上にパターン用マスク11を形成するマスク形成工程と、通電層6上のうちパターン用マスク11の非形成領域に、電流方向を周期的に反転するPR電解メッキ処理により導体層7を形成する導体層形成工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】立体形状を有する樹脂成形体の立体表面に高精細な回路導体パターンを形成することができ、その製造コストを低減させることが可能な、回路導体パターンを有する樹脂成形部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】樹脂成形体1の表面にレジスト2をコーティングし、所定の回路導体パターンに沿ってレーザ照射によりレジスト2の一部を除去して樹脂表面を露出させ、この露出された樹脂表面3に金属蒸着により銅の下地層4を形成し、しかる後に下地層4の上に銅の電解めっきにより金属層5を形成して所定の厚みの回路導体を形成する方法とする。この場合、レーザ照射により、レジスト2の一部を除去して樹脂表面を露出させると同時にこの露出された樹脂表面3を粗面化および/または活性化させても良い。 (もっと読む)


【課題】 微細な電気配線を確実に形成すること。
【解決手段】 基板80に配線パターン状の溝81を形成する工程(a)〜(c)と、基板80の溝81の内部に光触媒層82(820)を形成する工程(d)、(e)と、金属イオン及び犠牲剤を含む溶液83に基板80を浸漬しつつ、基板80の光触媒層82に紫外線94を照射して、基板80の溝81の内部に金属84を析出させることにより、溝81の内部に電気配線を形成する工程(g)を備える。光析出する工程(g)の前に、溝81の内部に形成されている光触媒層82に紫外線94を照射して光触媒層82を親水化する工程(f)をさらに行うことが、好ましい。 (もっと読む)


【課題】表面の粗さが適度に設定された樹脂層を得ることができる樹脂層の形成方法、その樹脂層の形成方法を用いためっき方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂より成る基材2と、基材中に分散された混合物4とを含む樹脂層32を、基板上に形成する工程と、樹脂層の表層部をバイト12により切削し、基材及び混合物のうちの一方が選択的に除去された切削面を形成する工程とを有している。表面が適度な粗さに設定された樹脂層を得ることができるため、樹脂層上に良好な密着性を有するめっき膜を形成することが可能となる。このため、高い信頼性を確保しつつ、めっき膜より成る配線を狭いピッチで形成することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】 微小径化した細管内壁へのめっき方法並びに不溶性超微粒子やUDD等を分散させた複合めっき方法を提供する。
【解決手段】 細管におけるめっき液の入口開口部とめっき液の流動方向とを対向配置し、めっき液を細管の内側に強制流入させることにより細管の内側と外側とに存在するそれぞれのめっき液濃度を同等に保ち、細管内壁へのめっき皮膜を形成する。本発明によれば細管内壁への正常で均一なめっき及び複合めっき被膜の形成を行うことができる。 (もっと読む)


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