Fターム[4K024AB08]の内容

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Fターム[4K024AB08]に分類される特許

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【課題】ドラム治具で長尺の金属部材を連続送りし、スポットめっきを行う部分めっき装置において、金属部材とドラム治具の密着性の劣化を抑制し、めっき膜厚分布のばらつきを低減できるめっき装置を提供する。
【解決手段】外周部に複数の位置決めピン6が配置され、金属部材11が位置決めピン6に係合して外周部に沿って搬送されるドラム治具1と、ドラム治具1を回転可能に支持する回転軸2と、めっき液を金属部材11に供給する噴流部8と、回転軸2に装着され、ドラム治具1の周速度を減速させるブレーキユニット15と、を備えた部分めっき装置を提供する。またドラム治具1の搬入側の第1の領域では金属部材11にめっき処理を行わず、搬出側の第2の領域において金属部材11にめっき処理を施すめっき装置。 (もっと読む)


【課題】めっき膜を形成するめっき方法を提供する。
【解決手段】基板上にレジストパターンを形成する工程、レジストパターン形成面に、下記一般式(1)で表わされる構造単位及び下記一般式(2)で表わされる構造単位を有する重合体を含有する表面改質層を形成する工程、レジストパターンの開口部にめっき膜を形成する工程を有するするめっき方法。


〔式中、R1は水素原子又はメチル基、R2は単結合又は2価の連結基、R3は水素原子、水酸基又はアルコキシ基、R4は水素原子又はメチル基、R5は極性基を示す。〕 (もっと読む)


【課題】半導体基板の表面との間で封止を形成して、基板の外周領域に電解質が入らないようにするエラストマーリップシール、および封止および電気接続のためのコンタクト部を備える電気メッキ用クラムシェルを提供する。
【解決手段】可撓性のコンタクト部404は、エラストマーリップシール402に一体化されており、エラストマーリップシールの上面にコンフォーマルに配置されており、屈曲して、基板406と適合するコンフォーマルなコンタクト面を形成する。エラストマーリップシールの一部は、クラムシェルにおいて基板を支持、位置合わせおよび封止する。 (もっと読む)


【課題】電解めっき法により基板上の複数の領域に異なる或いは同一の膜厚のめっき膜を形成する際の、電解めっきの印加電圧やパターンめっきの為のパターンレイアウトなどに関する制約を少なくした電解めっき方法を提供する。
【解決手段】基板1上の複数の領域14、15に所定の膜厚のめっき膜5、6を形成する電解めっき方法である。基板1上の複数の領域14、15に夫々めっき電流が流れる経路の少なくとも1つに、オーミック特性を有する抵抗体4を配し、複数の領域14、15に同時に電解めっきによりめっき膜5、6を成長させる。 (もっと読む)


【課題】マスキングを行わないで、部分的な電解メッキが行え、生産効率の向上が図れる塗布具の提供。
【解決手段】装飾のために、電気的な導通性を有する導電性インクによって軸筒20の表面の上に形成された導電性インク層31と、所定の金属で導電性インク層31の上に形成された金属層32とを備えた装飾パターン30を軸筒20の表面に形成する。シルクスクリーン印刷で導電性インクを印刷することで形成した導電性インク層31の上に、電解メッキで金属層32を形成するので、軸筒20の表面に対してマスキングを行わなくとも、メッキによる金属層32を有する装飾パターン30を軸筒20の表面に部分的に形成できる。よって、メッキを行わない部分をマスキングする作業と、マスキングをはがす作業とが不要となるので、生産効率の向上を図ることができる。 (もっと読む)


【課題】シード層を必要とせず、簡素な工法で製造でき、高導電性、鏡面導体接着及び高信頼な導体接着強度のフレキシブル配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のフレキシブル配線板は、未金属化のポリイミドフイルム単体の片面又は両面に銅導体を形成する無接着剤型二層フレキシブル配線板であって、下記の工程、すなわち、ポリイミドフイルムの穴明け、ポリイミドフイルム表面の改質、金属触媒化、めっきレジスト膜形成、電気銅めっき、めっきレジスト膜剥離、金属触媒エッチングを順に行うことにより製造される。 (もっと読む)


【課題】アノードにおける反応で発生した酸素によって白金触媒が酸化されて触媒能が低下することを抑制し、それにより固体高分子電解質膜・触媒金属複合電極の寿命を延ばすことができる製造方法を提供する。
【解決手段】固体高分子電解質膜1の両面に、白金イオンの還元により析出した白金を含む触媒層2が形成され、且つアノードとなる触媒層の表面上の少なくとも給電体接触部に金層3が形成されている固体高分子電解質膜・触媒金属複合電極とする。アノードとなる触媒層の表面上の少なくとも給電体接触部に、酸化還元電位の高い金層が形成されているので、触媒層に含まれる白金の酸化を効果的に抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】電極の構成およびその製造方法が従来よりも、低コストで導電性能が低下せず、多数の製造工程を必要としない電極形成基板およびその製造方法および同電極形成基板を提供する。
【解決手段】ガラス基板2と、ガラス基板2上全体に成膜されたITO3膜と、電極形状に形成された金属めっき膜5と、を有する電極形成基板1であって、ITO膜3上には、パターニングされたストライクめっき膜4を備え、ストライクめっき膜4を介して、ITO膜3と金属めっき膜5とは、密着し、ストライクめっき膜4上にのみ金属めっき膜5を形成し、金属めっき膜5は、電解めっきを用いて形成されている。 (もっと読む)


【課題】電子製品の例えば端子或いはコネクタの形状とされる所定形状に打ち抜かれた長尺の金属条におけるスポットめっきにおいて、密着性能を保持したまま、めっき液が滞留せず、「めっき抜け」及び「にじみ」の問題を解決し、安定した高品質のスポットめっきを可能とするスポットめっき装置及びスポットめっき装置用バックアップ部材を提供する。
【解決手段】金属条3の少なくとも被めっき部30を支持体ドラム10の外周部に押圧して密着させるために、支持体ドラム10に巻回された金属条3の外周部の少なくとも一部に巻回され、金属条3と共に支持体ドラム10の回転方向に移動するバックアップ部材は、多孔質の且つ軟質性の材料で形成される。 (もっと読む)


【課題】生産性に優れ、かつ素材が複雑な形状であっても、装飾めっき品を容易に製造できるめっき方法を提供する。
【解決手段】素材に装飾用の電気めっきを施すめっき方法であって、素材にデザイン色(第1色)の第1めっき層を形成する第1めっき工程P2と、第1めっき工程P1で形成された第1めっき層にデザインが施されたマスキングシートを被せるマスキング工程P3と、マスキングシートの上から背景色(第2色)の第2めっき層を形成する第2めっき工程P4と、マスキングシートを取り除くマスキング除去工程P5とを備えている。 (もっと読む)


【課題】2種類以上のめっきを同一の感光性材料を用いて選択的に成膜する場合、クラックの発生を抑制する。
【解決手段】この製造装置は、表面に絶縁膜330が形成された半導体ウェハ200表面
を第1のめっき液を用いてめっき処理する第1のめっき処理槽と、半導体ウェハ200表
面を第2のめっき液を用いてめっき処理する第2のめっき処理槽と、を備える。第1のめ
っき処理槽には、半導体ウェハ200の表面と重なる部分の長さがdであり、かつ絶縁
膜330との接触幅がwの第1のシール320が設けられ、第2のめっき処理槽には半
導体ウェハ200の表面と重なる部分の長さがdであり、かつ絶縁膜330との接触幅
がwの第2のシール340が設けられ、第1のシール320と第2のシール340の間
には、d<d−wの関係が成り立っている。 (もっと読む)


【課題】ステンレス基材の表面にエッチングでヘアライン溝を形成した後に、めっき及び硫化燻しを施しても埋没することがない溝幅及び溝深さを有したヘアライン溝が形成されたステンレス鋼板を製造できる。
【解決手段】ステンレス基材2の表面2aに塗布されたレジスト11を、透光性を有したマスクフィルム12越しに露光することでヘアラインHL状に除去し、レジスト11を除去して露出したステンレス基材2の表面2aにエッチングしてヘアライン溝3を形成する溝形成工程Aと、ステンレス基材2の表面2aにニッケルめっき層4を形成するニッケルめっき工程Bと、ニッケルめっき層4の表面4aに銅めっき層5を形成する銅めっき工程Cと、銅めっき層5の表面5aに硫化燻しを施して硫化膜6を形成する燻し工程Dとを有している。 (もっと読む)


【課題】サイドエッチングの問題を解消したパターン付ロール及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材の表面に感光材を塗布し、露光・現像せしめてレジストパターンを形成し、該基材及びレジストパターンの表面にDLC被覆膜を形成し、該レジストパターン上に形成されたDLC被覆膜を該レジストパターンごと剥離せしめ、基材の表面にDLCパターンを形成してなるようにした。 (もっと読む)


【課題】基板電極との電極接合に適するバンプ硬度とバンプ形状とを備えた金バンプ形成用の非シアン系電解金めっき浴、及び該金めっき浴を用いた金バンプ形成方法を提供する。
【解決手段】亜硫酸金アルカリ塩又は亜硫酸金アンモニウムと、伝導塩と、結晶安定化剤と、結晶調整剤と、緩衝剤と、光沢化剤とを含有し、亜硫酸金アルカリ塩又は亜硫酸金アンモニウムの含有量は、金濃度として1〜20g/Lであり、伝導塩は亜硫酸ナトリウムであって、その含有量が5〜150g/Lであり、光沢化剤の含有量は、0.5〜100mmol/Lである、ことを特徴とする金バンプ形成用非シアン系電解金めっき浴。前記光沢化剤は、スルホキシド及び/又はスルホンから選択される1種又は2種以上の化合物が好ましい。 (もっと読む)


【課題】生産性および工業的な製造適性に優れ、その表面に形成されるパターン状の金属配線間の優れた絶縁信頼性およびその経時安定性に優れた金属パターン材料の製造方法を提供する。
【解決手段】所定の官能基を有するユニットを含む共重合体を含有する樹脂層12aを基板10上に形成する樹脂層形成工程と、該樹脂層12aにめっき触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、前記めっき触媒またはその前駆体に対してめっきを行うめっき工程と、前記めっき工程後に、pHが6.5以下であるエッチング液を使用してパターン状の金属膜を形成するパターン形成工程を含む、表面にパターン状の金属膜を備える金属パターン材料の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 スポットめっきの課題として、めっき滲みがある。めっき滲みを抑制するには、マスク部の厚みを厚くする、めっき液の流速を低下させるなどの方法があるが、いずれも、めっきヤケの発生、耐食性の低下などの問題があった。これらは、Auめっきの電流密度を下げることで回避可能であるが、生産性が低下するという問題があった。
【解決手段】 部分めっき装置の開口部を、曲線部を含み、曲線部の長さが開口部の全外周部の長さの4割以上となる形状とする。開口部を正方形または長方形から円または楕円に近づけることで、マスク材の厚みを厚くすることなく、生産性を維持し、めっきヤケの不具合がなく、かつめっき滲みが少ない部分めっき方法および部分めっき装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】 アウターチューブにめっきが施されるフロントフォークの改良に関し、倒立型に設定したときアウターチューブの車体側の端面にバリが発生することを防止する。
【解決手段】 アウターチューブ1の車体側開口部は、筒状に形成されると共にその端面10が水平に形成されてなり、内周がシール3を介してキャップ部材2外周と密接するシール部11と、このシール部11と上記端面10との間に形成される入口部12とを備え、この入口部12の内周が上記シール部11にかけて徐々に縮径されて端面10側の隙間形成面4及びシール部11側のシール用傾斜面5を形成し、上記アウターチューブ1の両端開口をマスキング部材6で密栓しながらめっきを施すとき、上記隙間形成面4における端面10側の端部4aと上記マスキング部材6の側面とが接触せず、上記隙間形成面4上に隙間Aを形成する。 (もっと読む)


【課題】連続搬送される帯状被処理物の必要部分のみにめっき液を噴出して連続部分めっきしながら、余剰のめっき液が付着したマスク回転体を効率的に洗浄することができる連続部分めっき装置及びそれを用いた連続部分めっき方法の提供。
【解決手段】長尺の被処理物11を搬送しつつ、めっき必要部分にのみめっき処理を施すための連続部分めっき装置であって、アノード電極となる側板に形成された多数の電極ノズル孔から放射状にめっき液を噴出する電極構造体と、該電極構造体の外側に、それ自体がカソード電極となる被処理物11を搬送しながら回転し、被処理物11のめっき不要部分にめっき液を接触させないようにするマスク回転体3を同心円状に配置し、余剰のめっき液が付着したマスク回転体3に向かって微量の純水を噴霧する洗浄ノズル1、マスク回転体3の表面から過剰な液体を落とす拭き取り部材2を付設したことを特徴とする連続部分めっき装置。 (もっと読む)


【課題】処理対象基板を良好に迅速に基板処理溶液で処理することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置100は、溶液保持容器130に収容されている基板処理溶液TLに処理対象基板PBが浸漬される。このような溶液保持容器130に溶液供給機構141が基板処理溶液TLを上方から下方に落下させて順次供給する。このように上方から下方に落下する基板処理溶液TLを溶液乱流機構142が処理対象基板PBの一面の基板処理領域TSに圧送する。このため、処理対象基板PBの一面の基板処理領域TSは基板処理溶液TLが単純に上方から下方へ落下するだけではなく、乱流となって圧送されることになる。 (もっと読む)


【課題】半導体集積回路素子の電極と導体柱とを半田を介して立体的に強固に接続することが可能であるとともに、両者を接続する半田の体積が小さいものであったとしても、半導体集積回路素子の下面と配線基板の上面との間隔を十分に保つことができ、両者の間に封止樹脂を良好に充填することが可能な配線基板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】絶縁基板3の上面に被着された半導体素子接続パッド10と、半導体素子接続パッド10上に形成された導体柱11と、絶縁基板3の上面に導体柱11よりも低い厚みで被着されており、半導体素子接続パッド10の外周部を覆うとともに、導体柱11の側面を露出させる開口部6aを有するソルダーレジスト層6とを備える配線基板50である。 (もっと読む)


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