【課題】オゾン処理工程後にその表面処理工程を加えることで、めっき皮膜の密着性を向上させると共に、シンジオタクチックポリスチレン系樹脂（ＳＰＳ樹脂）にオゾン処理する。樹脂成形品についても触媒付与増強処理、導電化工程と電解めっき工程との間においてめっき用治具の掛け替えを不要にすることで、樹脂めっきを容易かつ迅速に実施する。
【解決手段】クロム酸エッチング等に代わるめっき前処理として、水にオゾンを溶解させてオゾン水溶液を生成し、このオゾン水溶液に、このＳＰＳ樹脂を接触させるオゾン水処理を施し、オゾン水処理の次に、このＳＰＳ樹脂の表面に残存する酸化力を取り除くためにオゾン還元処理を施し、オゾン還元処理の後に、無電解めっき処理を施し、その後電解めっき処理を施す。 （もっと読む）

【課題】単位体積当たりの表面積が極めて大きく、かつ強度に優れた３次元網目状構造を有するフィルタや電池用電極板等に適用可能な金属多孔体を提供すること。
【解決手段】３次元網目状構造を有する金属多孔体であって、３次元網目状構造を形成する骨格の少なくとも表層に、骨格によって形成されている孔よりも径の小さな微小孔が形成されていることを特徴とする３次元網目状構造を有する金属多孔体。前記微小孔は、球体状もしくは半球状であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】電解めっきにて成膜した銅膜４をエッチングして銅パターン４’を形成するに際し、生産性を大きく低下させることなく、順テーパ形状の断面形状を有する銅パターン４’を容易に形成できるようにする。
【解決手段】それぞれめっき液を収容した第一のめっき浴と第二のめっき浴を用い、銅膜４を第一の銅膜４ａと第二の銅膜４ｂに分けて成膜すると共に、以下のＡ、Ｂ、Ｃのいずれか一又は二以上の調整を行う。
Ａ：第一の銅膜４ａの成膜に用いるめっき浴中のめっき液の光沢剤濃度を、第二の銅膜４ｂの成膜に用いるめっき浴中のめっき液の光沢剤濃度より高くする。
Ｂ：第一の銅膜４ａの成膜に用いるめっき浴中のめっき液の平滑剤濃度を、第二の銅膜４ｂの成膜に用いるめっき浴中のめっき液の平滑剤濃度より低くする。
Ｃ：第一の銅膜４ａの成膜に用いるめっき浴中のめっき液の温度を、第二の銅膜４ｂの成膜に用いるめっき浴中のめっき液の温度より高くする。 （もっと読む）

【課題】従来のスポット溶接やボルト締めによる接合に比べて、接地面積を大きくし、接合箇所の抵抗値を低くして、蓄電デバイスの電圧を減少させることなく有効に供給することができるようにする。
【解決手段】Alからなる陽極電極の接続端子部１０ａ上にZn層２１又はZn合金層、Ni層２２、Sn層２３又はSn合金層がめっきで形成される。これにより、Sn層２３又はSn合金層上でAlの異種金属からなるCu陰極電極とはんだ付けできるようになり、Al陽極電極とCu陰極電極との接合強度を向上することができる。また、従来のスポット溶接やボルト締めによる接合に比べて、接地面積が大きく、接合箇所の抵抗値が低くなるので、蓄電デバイスの接続抵抗の電圧降下を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 長尺の一次金属層付樹脂フィルムを搬送しながら電気めっきにより二次金属層を形成し、得られた金属化樹脂フィルムを巻き取る際に局所的なシワの発生をなくすことができる金属化樹脂フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】 一次金属層付樹脂フィルムＦを巻出ロール１から巻取ロール７にロールツーロールで搬送しながら、電気めっき装置Ａで一次金属層付樹脂フィルムＦの一次金属層の表面に電気めっきにより銅の二次金属層を形成する。得られた金属化樹脂フィルムＳを、熱処理装置Ｂで単位断面積当たり２.４〜４.９Ｎ／ｍｍ^２の張力を加えながら１００〜１５０℃の温度で熱処理を施した後、二次金属層が表向きになるように巻取ロール７に巻き取る。 （もっと読む）

【課題】三次元網目構造を有する多孔質樹脂成形体であっても、その表面へのアルミニウムのめっきを可能とし、厚膜を均一に形成することで純度の高いアルミニウム構造体を形成することが可能な方法、および特に大面積のアルミニウム多孔体を得ることが可能な方法を目的とする。
【解決手段】樹脂成形体の表面にアルミニウムからなる導電層を形成する導電化工程と、該導電化された樹脂成形体にアルミニウムを溶融塩浴中でめっきするめっき工程とを備えるアルミニウム構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 フレキシブル配線板として使用される２層金属化樹脂フィルム基板の生産性を向上させ、同時に寸法安定性やシミ等の変色をなくすことができる金属化樹脂フィルム基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 金属薄膜付樹脂フィルムＦをめっき液４への浸漬を繰り返して搬送させながら、複数の給電ロール６ａ〜６ｄから給電して金属薄膜表面に電気めっきする際に、各給電ロール６ａ〜６ｄとめっき液４の液面の間で、金属薄膜付樹脂フィルムＦのアノード８ａ−１〜２、８ｂ−１〜２、８ｃ−１〜２、８ｄ−１〜２に対向しない表面に、１０℃〜３２℃の温度のめっき液又は水を吹き付ける。 （もっと読む）

【課題】三次元網目構造を有する多孔質樹脂成形体であっても、その表面へのアルミニウムのめっきを可能としてアルミニウム構造体を形成することが可能な方法、および特に大面積のアルミニウム多孔体を得ることが可能な方法を目的とする。
【解決手段】樹脂成形体の表面に金、銀、白金、ロジウム、ルテニウム及びパラジウムからなる群より選択される１種以上の貴金属からなる導電層を形成する導電化工程と、導電化された樹脂成形体にアルミニウムを溶融塩浴中でめっきするめっき工程とを備えるアルミニウム構造体の製造方法とした。金属層として１μｍ〜１００μｍの厚さのアルミニウム層を有するアルミニウム構造体であって、該金属層はアルミニウムの純度が９０．０％以上、金、銀、白金、ロジウム、ルテニウム及びパラジウムの合計量が０．０１％以上１０％以下、残部不可避不純物からなるアルミニウム構造体を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 エレクトロマイグレーションの影響を低減できるＣｕ配線を備えた半導体装置
及びその製造方法を目的とする。
【解決手段】
Ｃｕ配線１０を備える半導体装置１において、
Ｃｕ配線１０の断面構造は、側部及び下部をバリアメタル２０に接し、上部を絶縁膜３
０に接し、絶縁膜３０に接するＣｕ配線１０の上部のグレインサイズが、Ｃｕ配線１０の
中央部のグレインサイズより小さ。さらに、バリアメタルに接するＣｕ配線１０の側部及
び下部のグレインサイズが、Ｃｕ配線１０の中央部のグレインサイズより小さい。 （もっと読む）

【課題】基板の所定の位置に高い位置精度で膜を形成する。
【解決手段】電極形成用テンプレート１１２の表面１１２ａには、ウェハＷの貫通孔に対応する位置に開口部１１５が複数形成されている。電極形成用テンプレート１１２は、開口部１１５に連通する膜形成用液の流通路１１６を備えている。この電極形成用テンプレート１１２とウェハＷを密着させた後、この状態のまま、めっき液供給口１１７から流通路１１６を介して開口部１１５からウェハＷの貫通孔に対してめっき液を供給することで、ウェハＷの貫通孔に電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】 高アスペクト比な金属微細構造体を高精度で容易に得ることができる微細構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】 微細構造体の製造方法は、Ｓｉ基板に第１の絶縁膜を形成する第１工程と、第１の絶縁膜の一部を除去してＳｉ表面を露出する第２工程と、露出されたＳｉ表面からＳｉ基板をエッチングして凹部を形成する第３工程と、凹部の側壁及び底部に第２の絶縁膜を形成する第４工程と、凹部の底部に形成された第２の絶縁膜の少なくとも一部を除去してＳｉの露出面を形成する第５工程と、Ｓｉの露出面より凹部に金属を電解めっきにより充填する第６工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線吸収を大きくすることが可能な高アスペクトな金メッキ物からなるマイクロ構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】柱状の金メッキ物からなるマイクロ構造体の製造方法であって、基板上に、導電性を有するシード電極と、前記シード電極の一部が露出するようにシリコンからなる格子とが設けられたモールド基板を用意する工程と、前記シリコンからなる格子の頂上部から深さ方向に対して０度より大きな入射角にて絶縁物を斜方蒸着する工程と、前記絶縁物が斜方蒸着されたモールド基板に金メッキを行い、前記シリコンからなる格子の間隙に柱状の金メッキ物を形成する工程を有するマイクロ構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】耐熱性に優れ、かつ銀の硫化による反射率低下の少ない発光素子収納用支持体及び、硫化により変色しにくく、銀本来の光沢を有し、接触抵抗が小さい電気部品用被覆方法を提供する。
【解決手段】メッキ用基体１０２の表面に銀メッキ層１０４を形成し、さらに該銀メッキ層の表面に厚さ０．００１〜０．１μｍの錫またはインジウムまたは亜鉛のメッキ層１０６を形成してなる銀メッキ構造体を熱処理して得られるメッキ構造である。また、基材の面上に形成された銀層の表面に、粒子堆積工程により点析されてなる錫またはインジウムまたは亜鉛の点析粒子が、前記表面と垂直方向に重なることなく上面視で隙間があるように配置された粒子堆積物を、非酸化雰囲気で加熱して前記点析粒子を溶融させて被膜化することを特徴とする被覆方法である。 （もっと読む）

【課題】銅箔に更に電気抵抗膜を形成することにより、電気抵抗材の基板内蔵化を可能とし、且つその接着性を向上させ、抵抗値のばらつきが小さい金属箔及びプリント回路用基板を提供する。
【解決手段】光学的方法で測定した十点平均粗さＲｚで４．０〜６．０μｍに調整した金属箔表面に形成した銅−亜鉛合金膜、この銅−亜鉛合金層の上に形成した酸化亜鉛、酸化クロム、酸化ニッケルから選択した少なくとも１成分からなる安定化膜、さらにこの安定化層の上に形成したニッケルクロム合金からなる電気抵抗膜を備え、さらにこの電気抵抗膜上にテトラエトキシシランを吸着・乾燥させた金属箔であって、前記電気抵抗膜の抵抗値のばらつきを±１０％以内にする。 （もっと読む）

【課題】Ｒｕバリア上にダイレクトにめっきするプロセスにおいて、ボイドフリーの埋め込みを実現する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１００の製造方法は、半導体基板上の絶縁膜１０１に凹部１０２を形成する工程（ａ）と、凹部１０２の側壁及び底部を覆うようにバリアメタル膜１０３を形成する工程（ｂ）と、第１の電界めっき処理により、バリアメタル膜１０３の表面に沿ってコンフォーマルな第１の導電膜１０４を形成する工程（ｃ）と、工程（ｃ）の後、第２の電界めっき処理により、凹部内に第２の導電膜１０５を形成する工程（ｄ）とを有する （もっと読む）

【課題】Ｃｏをメッキシードとして電解メッキによるＣｕ膜を成膜する場合に、Ｃｏの溶出を抑制してＣｏシード上に均質でかつ密着性の高いＣｕ膜を形成することができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】表面にシード層としてＣｏ膜が形成された基板を準備し、Ｃｏ膜の上に硫酸銅溶液を主体とするメッキ液を用いて、電解メッキにより基板のＣｏ膜上にＣｕ膜を成膜するにあたり、基板表面をメッキ液に浸漬する前に、基板に対して、Ｃｏの表面電位がＣｏの酸化電位より低くなるような負の電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】耐熱性、難燃性及び寸法安定性等において優れると共に、高密度実装が可能であり、かつ、優れた接着性及び接着力保持性を備えた銅張り積層板の製造方法を提供する。
【解決手段】銅箔上にポリイミド系樹脂からなる絶縁層を設けた銅張り積層板の製造方法であり、表面粗度Ｒｚが０．３〜１．０μｍの銅箔の表面が、少なくともニッケル、亜鉛、及びコバルトを析出させる金属析出処理と、カップリング剤による処理とが施されており、上記金属析出処理した銅箔の表面が、ニッケル５〜１５μｇ／ｃｍ²、亜鉛１〜５μｇ／ｃｍ²、及びコバルト０．１〜５μｇ／ｃｍ²を有し、かつ、ニッケルと亜鉛の含有割合を表すニッケル／（ニッケル＋亜鉛）が０．７０以上である銅箔を用意し、該銅箔のカップリング剤による処理を施した面に、ポリイミド前駆体の溶液を塗布し、乾燥後、熱処理により絶縁層を形成する。 （もっと読む）

【課題】アスペクト比の高い開口部内に空隙を形成することなく銅層を埋め込むことの可能な電気めっき方法を提供すること。
【解決手段】ウェハ上に銅層を形成する方法は、制御システムを有する電気めっきチャンバ内にウェハを配置する段階と、第１期間３０２の間にウェハに対する第１電力を正にパルス化する段階と、第１期間３０２に続く第２期間３０４の間にウェハに対する第２電力を負にパルス化する段階と、第２期間３０４に続く第３期間３０６の間にウェハに対する第３電力を正にパルス化する段階とを備える。 （もっと読む）