【課題】従来のクロム酸のような化学薬品を使用せず、乾式法により樹脂成形品に樹脂表面粗化をすると共に導電性を付与することで、このような化学薬品による樹脂成形品の樹脂表面の薬品劣化を防止し、一方このような環境負荷が大きい化学薬品を使用せず、環境負荷物質の削減を図り、また樹脂めっき品の表層剥離を防止してその安全性は確保する。
【解決手段】樹脂成形品の表面をプラズマ処理で洗浄及び表面改質活性化する樹脂表面洗浄・活性化工程Ｓ１と、次に、樹脂成形品の表面に金属をスパッタリングにより成膜する金属薄膜成膜工程Ｓ２と、続いて、樹脂成形品に成膜した金属薄膜上にスパッタリングによりニッケル又は銅等の導電化膜を成膜する導電化膜成膜工程Ｓ４と、最後にこの樹脂成形品を電気めっきする電気めっき工程とから成る。 （もっと読む）

本発明は金属積層板の製造方法に関し、より詳しくは絶縁体からなる基材フィルムの片面または両面に特殊な構造を有する銀錯体化合物を利用して導電性層を形成してこの導電性層の外側に金属を電解メッキして金属積層板を製造する方法に関するものである。また、本発明は大量生産が可能であり、工程が簡単で不良率が少なくて製造単価が低廉な金属積層板を製造する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】複数層のめっきパターンを、作業の煩雑さを伴うことなく、階層間で十分に均質化された組成となるように形成することのできるめっき方法を提供する。
【解決手段】レジストパターン１３の合計面積と、レジストパターン１７の合計面積と、レジストパターン１８の合計面積とを全て等しくしたので、各めっきパターンＡ〜Ｃのめっき処理を行う際のめっき領域Ｒ１３，Ｒ１７，Ｒ１８の面積を常に一定とすることができる。したがって、電流値を変更することなく容易にめっき電流密度を一定に保つことができ、その結果、ほぼ同等の組成を互いに有するめっきパターンＡ〜Ｃを極めて効率的に形成することができる。 （もっと読む）

アノードケーシング及びアノードケーシングを収容する電気化学電池、並びにアノードケーシング及びアノードケーシングを収容する電気化学電池を調製する方法を提供する。本発明は、少なくともケーシングの内面上、好ましくは、アノードケーシングの表面全体上に光沢スズ又は光沢スズ合金表面層を有するアノードケーシング、及びアノードケーシングを収容する電気化学電池に関する。アノードケーシング及びアノードケーシングを収容する電気化学電池を調製する方法を開示する。好ましい実施形態では、アノードケーシングは、アノードケーシングの表面全体がメッキされるように装置のクランプアセンブリの一部分が可変的又は交互にアノードケーシングの異なる部分に接触する可変接触ラックメッキ工程を用いて高電流密度でメッキされる。光沢スズメッキ表面は、ケーシングを用いる電池におけるガス発生を低減する高水素−過電圧金属である。 （もっと読む）

【課題】導電性接着材で接合するパッド、半田で接合するパッドの何れでも接合強度を高くできる電子部品収納用セラミックパッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】導電性金属と接着樹脂の混合体からなる導電性接着材２０を介して電子部品１９を接合するための接続端子パッド１４と、半田２４を介して外部に接合するための外部接続端子パッド１５を有し、これらの表面に電解めっき法で形成されるＮｉめっき被膜１７及びＡｕめっき被膜１８を有する電子部品収納用セラミックパッケージ１０において、Ａｕめっき被膜１８をＴＯＦ−ＳＩＭＳで測定するＡｕめっき被膜１８の表面に付着するＡｕめっき浴液を構成する成分の残さの内のＡｕを１とした時のＣＮの定量値が２以下、ＡｕＣ_２Ｎ_２の定量値が０．５以下、アミン類の定量値が０．２以下である。 （もっと読む）

【課題】孔開き金属箔について、特にエッチングやめっきしにくい金属でも製造できる孔開き金属箔の製造方法とこれにより製造された孔開き金属箔を提供する。
【解決手段】作製すべき孔開き金属箔の面形状と同じ表面形状を持ち、且つ一定の厚みを有する型枠層をキャリア基材表面に形成し、前記型枠層の上面に乾式薄膜形成法により金属箔を形成した後、前記キャリア基材ならびに型枠層を金属箔から剥離する孔開き金属箔の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】 既存のＣＶＤタングステン・プラグ金属化技術と比べて減少したプラグ抵抗を示し得る構造体を提供すること。
【解決手段】 基板上に配置されたキャビティを有するパターン形成された誘電体層と、キャビティの底部に配置された、コバルト及び／又はニッケルのようなシリサイド又はゲルニウム化物層と、誘電体層の上部及びキャビティの内部に配置され、前記底部においてシリサイド又はゲルニウム化物層に接触する、Ｔｉ又はＴｉ／ＴｉＮを含むコンタクト層と、コンタクト層の上部及びキャビティの内部に配置された拡散バリア層と、バリア層の上部に配置された、めっきのための随意的なシード層と、ビア内の金属充填層とを含むコンタクト金属（メタラジ）構造体が、その製造方法と共に提供される。金属充填層は、銅、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、モリブデン、金、銀、ニッケル、コバルト、カドミウム、亜鉛、及びこれらの合金から成る群から選択される少なくとも１つの部材を用いて電着される。金属充填層がロジウム、ルテニウム、又はイリジウムである場合、金属充填物と誘電体との間に有効な拡散バリア層を必要としない。バリア層が、ルテニウム、ロジウム、又はイリジウムのようにめっき可能である場合、シード層を必要としない。 （もっと読む）

【課題】
めっき表面に凹凸欠陥が少ない両面に導電層を有するタイプのめっき法２層回路基材の製造方法を提供する。
【解決手段】
長尺プラスチックフィルム基材の両面に設けられた導電性金属層が相互に電気的に導通しており、前記給電手段が長尺プラスチックフィルム基材の片面のみから給電することにより、長尺プラスチックフィルム基材の両面に電解めっきを施すめっき法２層回路基材の製造方法。
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【課題】 めっきにより磁性膜を形成して磁極とする場合に、めっき膜の析出レートを安定化させ、磁極の形成精度のばらつきを抑え、軟磁気特性にすぐれた磁極を形成し、高密度記録が可能な磁気ヘッドとして提供する。
【解決手段】 Ruからなるめっきシード層２２をめっき給電層として電解めっきにより磁性膜２６を形成することにより、ライトヘッドの磁極を形成する磁気ヘッドの製造方法において、前記Ruからなるめっきシード層２２を形成した後、めっきシード層２２の表面に、めっき膜の析出レートを安定化させるキャップ層３０を形成する工程と、前記めっきシード層２２とキャップ層３０をめっき給電層として前記磁性膜を形成する工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基材上に均一にＡｕメッキ層を形成したり、ナノメータレベルの連続した金メッキ細線を形成したりする。
【解決手段】Ｓｉ基材１上にＡｕメッキ層２を形成するＡｕメッキ方法であって、Ｓｉ基材１上に、Ｃ、Ｓ及びＡｕを含み半導電性を有するＣ−Ｓ−Ａｕ膜よりなる下地層３を形成する下地層形成工程と、電気メッキによるＡｕメッキを施して下地層３上にＡｕメッキ層２を形成するＡｕメッキ工程とを備えている。Ｓｉ基材１の表面に下地層３を形成してから、レジスト膜を部分的に形成して、レジスト膜以外の部分に下地層３のＣ−Ｓ−Ａｕ膜が表出したＣ−Ｓ−Ａｕ膜表出部を所定パターンで形成し、レジストの加工パターンをマスクとして、Ｃ−Ｓ−Ａｕ膜表出部上にＡｕメッキ層２を形成すれば、ナノメータレベルの連続したＡｕメッキ細線を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜の光透過率を低下させることなく、且つ製造コストを低減し量産に向いた透光性導電膜基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基材上（１０）に形成した透明導電膜（１）の表面に互いに分離したパターンを有する透明絶縁材料（２）を形成し、該透明絶縁材料が付着していない透明導電膜の露出部分に電気めっき法により選択的に金属膜（３）を形成することを特徴とする。透明導電膜の透過率の向上のために、透明絶縁材料のパターンを、透明絶縁材料を含む液状物質の粒径の異なる少なくとも２種類のミストの噴霧により形成してもよい。 （もっと読む）

【課題】長寿命の可動接点が高歩留まりで得られる銀被覆ステンレス条を提供する。
【解決手段】ステンレス鋼基材表面の少なくとも一部に厚さ０．０１〜０．１μｍのニッケル下地層が形成され、前記ニッケル下地層は４０〜９０℃の温度で３秒以上保持する活性化処理が施されており、前記活性化処理後のニッケル下地層上にニッケル、ニッケル合金、銅、銅合金の少なくとも１種からなる厚さ０．０５〜０．２μｍの中間層が形成され、前記中間層上に銀または銀合金の最表層が形成された可動接点用銀被覆ステンレス条。前記銀被覆ステンレス条は前記ニッケル層に４０〜９０℃の温度で３秒以上保持する活性化処理を施す以外は常法により製造できるので生産性に優れる。しかも前記活性化処理温度は前記ニッケル層の形成を含むめっき前処理で使用される電流とステンレス鋼材の電気抵抗による発熱により付与できるので低コストである。 （もっと読む）

【課題】 膜強度を悪化させず、膜がウエット状態のときでも耐傷性に優れ、高速めっき処理を可能にして高い生産性を実現するめっき処理方法を提供すること。該方法により得られる導電性膜、透光性電磁波シールド膜および光学フィルターを提供すること。
【解決手段】 フィルム表面を電解銅めっきするめっき処理方法であって、めっき液のｐＨが１以上４以下であることを特徴とするめっき処理方法、該方法により得られる導電性膜、透光性電磁波シールド膜および光学フィルター。 （もっと読む）

【課題】シリカ、酸化鉄その他の微粒子を含む気体を取り扱う回転機械において、気体中に含まれる微粒子の付着を効果的に抑制すること。
【解決手段】この動翼２３は、蒸気タービンに用いられる。動翼２３は、その表面に設けられる金属の中間めっき皮膜１１と、この中間めっき皮膜１１の表面に設けられるフッ素樹脂含有めっき皮膜１２とを含む。フッ素樹脂含有めっき皮膜１２は、フッ素樹脂粒子１３ＰがＮｉ基の金属からなるめっきマトリックス１３Ｍに含有され、かつフッ素樹脂粒子１３Ｐの一部は、めっきマトリックス１３Ｍの表面から露出している。 （もっと読む）

【課題】 めっき法にてバンプ電極（突起電極）を形成する際に、バンプ電極の表面に望ましくない凸部が形成されてしまうことを防ぐ。
【解決手段】 めっき処理開始時からの所定時間は、所定電流値の交流電流を印加することにより、下地の金属膜を所定量エッチングし、下地の金属膜の表面の凸部を除去する。続いて、その交流電流の電流波形のうち、バンプ電極となる金属膜を成長させる極性成分のみが所定量上昇した波形を有する交流電流を所定時間印加することによって金属膜を成長させ、バンプ電極を形成する。 （もっと読む）

基材上に１つまたはそれ以上の双軸組織層を製造する方法と、該方法によって製造された物体が開示される。例示としての方法は、希土類、遷移金属、アクチニド、ランタニド、およびそれらの酸化物からなる群から選ばれた前駆体を、基材上に電着する段階を含む。例示としての物体（１５０）は、双軸組織基材（１３０）、および希土類、遷移金属、アクチニド、ランタニド、およびそれらの酸化物からなる群から選ばれた少なくとも１つの双軸組織層（１１０）を有する。少なくとも１つの双軸組織層（１１０）は、双軸組織基材（１３０）上に電着により形成される。
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【課題】Ｃｕ配線形成時のボイドの発生を抑制し、バリアメタル層とＣｕ層の密着性低下を抑制できる半導体装置の製造方法とこの方法で製造された半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１０に配線を形成する半導体装置の製造方法であって、まず、基板１０にＴａ系バリアメタル材料とＣｕ及び／またはＡｇとの合金からなるバリアメタル層１６を形成する。次に、バリアメタル層１６の上層にバリアメタル層１６を電極とする電解メッキによりＣｕを含む金属層１７を形成し、バリアメタル層１６及び金属層１７を配線パターンに加工する。 （もっと読む）

硫酸銅又は塩化銅を主成分とし、ホルムアルデヒド、２価のコバルトイオン及びグリオキシル酸のうちから選ばれる１種以上の還元剤を含有するとともに、分子量６０以上１０００以下の例えば下記一般式（１）又は一般式（２）で表されるイオウ系有機化合物及び分子量２００以上２００００以下のオキシアルキレングリコールを含むことを特徴とする無電解銅めっき液である。アスペクト比の高い微細な溝及び孔の中に空隙を生じることなくめっき膜を堆積させることができる。Ｘ^１−Ｌ^１−（Ｓ）ｎ−Ｌ^２−Ｘ^２ （１）Ｘ^１−Ｌ^１−（Ｓ）ｎ−Ｈ （２）［式中、ｎは整数、Ｘ^１及びＸ^２はそれぞれ独立に水素原子、ＳＯ_３Ｍ基またはＰＯ_３Ｍ基（Ｍは水素原子、アルカリ金属原子またはアミノ基を示す）、Ｌ^１及びＬ^２はそれぞれ独立に低級アルキル基又は低級アルコキシ基を示す。］
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【課題】 絶縁基板上への金属薄膜形成の際に生じるピンホールを効果的に穴埋めできる硫酸銅メッキ浴及びそれを使用したメッキ方法を提供する。
【解決手段】 硫酸銅メッキ浴における組成物の内、硫酸／硫酸銅5水和物の重量比率が０．１以下で、そのメッキ液のＰＨが４．５以下であることを特徴としており、また、その硫酸銅メッキ浴を使用して、絶縁基板上に形成された厚さ１μｍ以下の金属薄膜上又はその金属薄膜上に、感光性樹脂により形成されたパターン状に銅メッキを行うことで前記金属薄膜上に生じるピンホールを効果的に潰す、つまり、穴埋めすることができるメッキ方法である。 （もっと読む）

【課題】 銅箔部分とフレキシブル基材層とが接着剤層を介することなく直接張り合わされた所謂2層フレキシブル銅張積層板を形成する際に、めっき浴中の添加剤が分解しない比較的低い温度において高電流密度めっきを行っても応力がかからない銅のめっき方法を提供する。
【解決手段】 めっき浴温度を15〜25℃として銅を電解めっきすることにより、該フィルム上に銅箔を形成するフレキシブル銅張積層板を製造する方法において、第1の電流密度で銅箔の厚さの70〜90％を形成した後、次に第1の電流密度より低い第2の電流密度で銅箔の厚さの30〜10％を形成する。 （もっと読む）