【課題】 2層フレキシブル銅張積層板を形成する際に、高電流密度めっきを行っても応力がかからない、外観の優れた銅のめっき層を形成する。
【解決手段】 表面に導電性のシード層を有する有機高分子樹脂フィルムに銅を電解めっきすることにより、該フィルム上に銅箔を形成するフレキシブル銅張積層板を製造する方法において、導電性基体に白金族金属またはその酸化物を主成分とする電極活性物質を被覆した陽極を使用し、めっき用電解槽を陽イオン交換膜を用いて陽極室と陰極室に分離し、めっき浴温度が30 ℃以上および銅めっき電流密度が4〜12 A/dm^２でめっきを行う。 （もっと読む）

【課題】３００℃以上の厳しい熱履歴を受けてもクラックが発生し難い電気クロムめっき層が設けられたクロムめっき部材を提供する。
【解決手段】金属製部材の表面に電気クロムめっき層が設けられたクロムめっき部材であって、前記電気クロムめっき層における結晶子の平均直径が１６．０ｎｍ以上であると共に、Ｘ線回折法による｛２１１｝と｛２２２｝のピーク強度比（｛２１１｝／｛２２２｝）が０．１０以上としたクロムめっき部材である。 （もっと読む）

【課題】 安定してアスペクト比が１以上の平面コイルを製造可能な製造方法を提供すること。
【解決手段】 この製造方法は、渦巻状にパターン形成されている下地導体層を少なくとも一方の面に有する絶縁基板を準備する準備工程（Ｓ０１〜Ｓ０７）と、絶縁基板をめっき液に浸漬させ、下地導体層に電解めっきを施してコイル導体を形成する形成工程（Ｓ０８）と、を備え、めっき液は、ポリマー及びブライトナーを含む硫酸銅系めっき液であり、形成工程において、めっき液におけるブライトナーの濃度が４〜２５ｍｌ／ｌとなるように管理する。 （もっと読む）

【課題】 必要なめっき膜と隣接する厚いダミーめっき膜であっても、短時間に確実に除去可能な電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】 前記ダミーめっき用電極パターンの電極２２として低融点金属膜を用い、めっきをした後に前記低融点金属膜の融点以上に加熱した状態で、加圧した窒素を吹き付けたり、全体を振動させる等の物理的な刺激を与え、ダミーめっき用電極パターン上に形成されたダミーめっき膜４５を除去し、残留している低融点金属膜及び不要なめっき用電極パターン２０をエッチング、イオンミリング等の手法で除去する。 （もっと読む）

【課題】 レジストの開口部に酸脱脂処理を行なうことによるレジストの形状変化を防止することにより回路強度不足や接続信頼性の低下を回避できるプリント配線板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 アディティブ法による回路形成において、基材上にレジスト開口部を形成し、上記レジスト開口部に対して、界面活性剤としてノニオン系界面活性剤のみを含む酸脱脂溶液で酸脱脂処理を行なった後、上記レジスト開口部にめっきにより回路を形成するプリント配線板の製造方法。 （もっと読む）

その少なくとも片面に電解被覆されたコーティングが付けられており、深絞り及び/又はアイアニングにより特に電池ケースを製造するために用いられる冷延板であって、この電解被覆のコーティングには、２層、即ち、光沢のある固く且つ脆いニッケル層並びに、その上に塗布されたコバルト含有の層を有している。このタイプの冷延板を経済的に製造可能にするため、この冷延板から加工により作られた電池ケースには電解液に対する良好な接触抵抗並びに同じく良好な貯蔵安定性が備えている。このコバルト含有の層は電解槽から光沢剤を添加せずに析出されたつや消しのコバルト層またはつや消しのコバルト合金層であることを開示する。電池ケースと同様に、冷延板の電解被覆方法を開示する。
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【課題】 半導体基板の配線若しくはバンプ、又は、磁気ヘッド基板の磁極部等の金属膜パターンを所望のパターンどおりに得ることができる金属膜パターンの形成方法をを提供する。
【解決手段】 基板上に所定のパターンでレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、この基板の少なくともレジストパターンが形成されている面を、水に対しオゾンが１ｐｐｍ以上３０ｐｐｍ以下含有されたオゾン水に接触させるオゾン水処理工程と、この基板のレジストが形成された面側に金属をめっきするめっき工程と、この基板からレジストパターンを除去するレジストパターン除去工程とを有する金属膜パターンの形成方法により、上記課題を解決した。 （もっと読む）

【課題】電気メッキされたＣｏＰｔＰ材料は垂直磁気特性を高め、超小型電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスの使用において有益である。
【解決手段】９４−９８重量％のＣｏ，０−１重量％のＰｔ及び２−４重量％のＰの組成を有するコバルト（Ｃｏ），プラチナ（Ｐｔ）及びリン（Ｐ）から構成される材料。材料はセ氏１００乃至５００度の温度でアニーリングされる。材料は適当な電気化学浴中で基板を電気メッキすることにより形成される。電気メッキされたＣｏＰｔＰ材料は基板に層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 フェースダウン方式の噴流めっき装置において、操作性を損なうことなく、ブラックフィルム等に起因する微小な固形異物による、めっき品質の低下を防止する。
【解決手段】 フェースダウン方式のめっき装置において、半導体ウェハ１と陽極電極５との間に、隔壁７が設けられており、陽極電極５と半導体ウェハ１とが隔壁７により隔離され、めっき処理槽１００が被めっき基板室と陽極電極室とに区分されている。 （もっと読む）

【課題】 フレームめっき法を使用して可能な限り均一な厚さとなるように複数の磁性層パターンを安定に形成することが可能な磁性層パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 フォトレジストパターンのうちのフレーム部の厚さとめっき膜の厚さとの間の相関を表す相関データに基づいて、各フレーム部１０４Ｆ１〜１０４Ｆ３の厚さに各開口部１０４Ｋ１〜１０４Ｋ３ごとに差異を設けることにより、各フレーム部１０４Ｆ１〜１０４Ｆ３の厚さが各開口部１０４Ｋ１〜１０４Ｋ３ごとに異なるようにフォトレジストパターン１０４を形成したのち、そのフォトレジストパターン１０４のうちの各開口部１０４Ｋ１〜１０４Ｋ３に選択的にめっき膜を成長させることにより複数の磁性層パターン１０５を形成する。一連の磁性層パターン１０５の形成厚さがばらつきにくくなり、すなわち一連の磁性層パターン１０５の形成厚さが均一化される。 （もっと読む）

【課題】貫通孔へのメッキ埋め込み方法及びメッキ装置において、メッキ埋め込み工程の前後に別プロセスを必要とせずに直接貫通孔に金属を埋め込み、また、埋め込み金属中にボイドの発生のない信頼性の高い貫通電極をより高速に形成することを可能とする。
【解決手段】貫通孔３を有する絶縁材料からなる基板１又は表面が絶縁された基板１にメッキを施して貫通孔３の内部に金属４を埋め込むメッキ埋め込み方法であって、第１工程では基板１の表面に金属薄膜２を形成し、第２工程では基板１の面Ａ側の電流密度と面Ｂ側の電流密度を異ならせて金属薄膜２にメッキを施し電流密度の高い側の面Ａの貫通孔３の開口部をメッキ金属４で塞ぎ、第３工程ではメッキ抑制剤及び又はメッキ促進剤を含むメッキ液を用いるとともに基板１の面Ａ側の電流密度と面Ｂ側の電流密度の高低を第２工程とは逆に設定してメッキを施し貫通孔３にメッキ金属４を埋め込む。 （もっと読む）

【課題】 加熱による変形がなく、鉛及びすずを含まない金属を用いて、ウイスカの発生もなく、かつはんだぬれ性がよく、安価に信頼性よく表面処理された電子部品の製造方法を得る。
【解決手段】 はんだ付け部にニッケル、パラジウム及び金の３層構造の表面処理がなされた電子部品の製造方法において、上記パラジウム層及び金層は、上記パラジウム層の厚さが、０．００７〜０．１μｍの範囲、上記金層の厚さが、０．００３〜０．０２μｍの範囲、かつ上記金層の厚さ＜上記パラジウム層の厚さの関係になるように電解めっき処理により形成され、この金層の形成後にプレス加工されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、水素気体分離用パラジウム合金複合膜の製造方法に関する。（ａ）多孔性支持体の上部に電解メッキ法により第1金属コーティング層を形成する段階；（ｂ）前記第1金属コーティング層の上部に乾式メッキ法でパラジウムコーティング層を形成する段階；（ｃ）パラジウムコーティング層を熱処理してパラジウムと第1金属コーティング層の合金層を形成する段階とを包含する水素気体分離用パラジウム合金複合膜の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハの貫通孔部分のメッキ加工等の加工を容易にかつ良好に行うことができ、生産効率良く良好な半導体装置を製造することができる半導体ウエハ支持板及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体ウエハ支持板１は、紫外線が透過可能なガラス若しくは樹脂から略円板状に形成され、その外径は、支持する半導体ウエハ１０の外径より大きく設定されている。半導体ウエハ支持板１には、半導体ウエハ１０に形成されている複数の貫通孔１１に対応して、複数の開口２が形成されている。これらの開口２は、貫通孔１１の開口面積よりも開口面積が広く、すなわち、開口径が大きく設定されている。 （もっと読む）

【課題】物理的堆積方法での被覆が不可能である複雑な形状のＳｉベース基材に保護被覆を効果的に被覆させる。
【解決手段】
一体型ベーンリングおよびブレード一体型ロータなどの複雑な形状を有するＳｉベース基材に、溶解塗装、化学蒸着法および物理蒸着法で導電層を堆積させ、その上に電気泳動堆積法（ＥＰＤ）により保護被覆として少なくとも１層のバリヤ層を堆積させる。化学蒸着法により、絶縁層を基材と導電層との間に塗布してもよい。この絶縁層は、ケイ素ベース基材のケイ素と、導電層およびこの導電層の上に堆積されるボンディングコートなどのあらゆる層との間に起こり得る化学反応を抑制するという利点がある。バリヤ層を堆積する前に、化学蒸着法および電気泳動堆積法でボンディングコートを絶縁層に堆積させてもよい。 （もっと読む）

【課題】 高アスペスト比の微細配線であっても、シード層を確実に補強して、ボイドのない健全な配線を形成できるようにする。
【解決手段】 配線用の微細窪みを形成した基板の表面にシード層を形成し、シード層を第１のめっき液による無電解めっきによって補強し、しかる後、第２のめっき液によるパルスまたはＰＲパルスを用いた電解めっきによってシード層を更に補強し、第３のめっき液を用いて前記微細窪みの内部に電解めっきにより導電体を埋め込む。 （もっと読む）

【課題】ダマシン配線に含まれる不純物の濃度を低下させて、配線中の欠陥を低減させる事が可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ウェハＷ上の層間絶縁膜１に幅が０．３μｍ以下の細幅配線溝１ａ及び幅が０．３μｍを超える太幅配線溝１ｂを形成する。層間絶縁膜１上にバリアメタル膜２及びシード膜３を形成する。その後、細幅配線溝１ａ全体に埋め込まれ、かつ太幅配線溝１ｂの一部に埋め込まれるように膜４を電解めっき法により形成する。太幅配線溝１ｂの他の部分に埋め込まれるように膜４よりも不純物濃度が低い膜５をスパッタ法により形成する。熱処理により膜４中の不純物を膜５中に拡散して、配線膜６を形成する。最後に層間絶縁膜１上の不要なバリアメタル膜２及び配線膜６を除去し、細幅配線と太幅配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】 前処理段階で、高価なパラジウム塩や環境負荷物質であるフッ化物を使用することなく、密着性及び耐食性を確保する。
【解決手段】 マグネシウム合金からなる被めっき体の上にめっき皮膜を形成する方法において、アンモニア又はアミン基を含む水溶液中でマグネシウム合金を陽極とした電解エッチングを行う電解エッチング工程（Ｓ１）と、電解エッチング工程（Ｓ１）に続いて被めっき体を無電解めっき浴に浸漬させ、無電解めっき浴中に含有されている金属を析出させて皮膜を形成させる無電解めっき工程（Ｓ２）と、無電解めっき工程（Ｓ２）に引き続いて電気めっき浴中に含有されている金属を電解析出させる電気めっき工程（Ｓ４）と、を含むめっき方法であり、めっき皮膜中の残留応力を緩和するために熱処理（Ｓ３）を実施する。 （もっと読む）

複数の近接して配置された導線（１０）が存在し、錫ウィスカーが潜在的短絡回路を構成する、被覆された電気伝導性基体（２６）。そのような基体（２６）は、導線枠、端子ピン及び回路トレースを含む。電気伝導性基体（２６）は、錫ウィスカーが跨がることができる距離（１４）に分離された複数の導線（１６）、少なくとも一つの表面を被覆する銀又は銀基合金層（２８）、及び前記銀層を直接被覆する微粒錫又は錫基合金層（３０）を有する。別の被覆された電気伝導性基体（２６）は、コネクタ組立体の場合のように、フレッチング摩耗からの破片が酸化し、電気抵抗率を増大する場合に、特に有用である。この電気伝導性基体（２６）は、基体（２６）の上に堆積された障壁層（３２）を有する。続いて堆積される層には、障壁層（３２）の上に堆積された、錫と金属間化合物を形成するのに有効な犠牲層（３４）、低抵抗率酸化物金属層（４０）、及び錫又は錫基合金の最外層（３６）が含まれる。障壁層（３２）は、ニッケル又はニッケル基合金であるのが好ましく、低抵抗率酸化物金属層（４０）は、銀又は銀基合金であるのが好ましい。
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【課題】
【解決手段】ウェーハの表面に金属層を堆積させる電気メッキ装置が提供される。一例においては、陽極として帯電可能な近接ヘッドを、ウェーハの表面に極めて近接して配置する。メッキ流体を、前記ウェーハと前記近接ヘッドとの間に提供し、局所金属メッキを形成する。 （もっと読む）