【課題】基板の所定位置に高い位置精度で処理液を供給し、当該基板を適切に処理する。
【解決手段】ウェハＷのアライメント領域１３上に純水Ｐを供給する（図９（ａ））。テンプレート２０をウェハＷの上方に配置する（図９（ｂ））。純水ＰによってウェハＷの処理領域１２の上方にテンプレート２０のめっき液流通路３０が位置するように、テンプレート２０とウェハＷを位置調整する（図９（ｃ））。テンプレート２０を下方に移動させる（図９（ｄ））。めっき液流通路３０にめっき液Ｍを供給する（図９（ｅ））。テンプレート２０の第１の親水領域４１と処理領域１２との間にめっき液Ｍを充填する（図９（ｆ））。めっき処理を行い、ウェハＷの貫通電極１０上にバンプ１１０を形成する（図９（ｇ））。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、金属層表面の微小な凹みの少ない銅被覆ポリイミドフィルム基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 ポリイミドフィルムの表面に乾式めっき法により形成した１次金属層上に湿式めっき法で銅層を積層した銅被覆ポリイミドフィルム基板の製造方法において、湿式めっき法を用いて銅層を積層する前に、ポリイミドフィルム或いは乾式めっき法により形成された１次金属層を有するポリイミドフィルムを、グリコール酸および硫酸を含有する水溶液中に浸漬する浸漬処理を施すことを特徴とする銅被覆ポリイミドフィルムの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】電解めっき法により基板上の複数の領域に異なる或いは同一の膜厚のめっき膜を形成する際の、電解めっきの印加電圧やパターンめっきの為のパターンレイアウトなどに関する制約を少なくした電解めっき方法を提供する。
【解決手段】基板１上の複数の領域１４、１５に所定の膜厚のめっき膜５、６を形成する電解めっき方法である。基板１上の複数の領域１４、１５に夫々めっき電流が流れる経路の少なくとも１つに、オーミック特性を有する抵抗体４を配し、複数の領域１４、１５に同時に電解めっきによりめっき膜５、６を成長させる。 （もっと読む）

【課題】 微細配線への加工性を高めた銅めっき被膜を形成する銅電気めっき法の提供とこの銅電気めっき方法を銅めっき被膜の成膜に用いた金属化樹脂フィルムの提供を目的とする。
【解決手段】 銅めっき液に通電して銅めっき被膜を形成する銅電気めっき方法において、銅めっき液への通電時の電流密度を、銅めっき被膜の厚みが２．５μｍになるまでは、０．５Ａ／ｄｍ^２以下として銅めっきを行うと共に、銅めっき液は構成原子に硫黄原子を有する有機化合物を８重量ｐｐｍ〜３０重量ｐｐｍ含むことを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】 キャリア箔上での極薄銅箔の密着保持が確実であるとともに、熱圧着処理後のキャリア箔の剥離が容易であるキャリア箔付き極薄銅箔と、これを製造するための製造方法を提供する。
【解決手段】 キャリア箔付き極薄銅箔を、銅のキャリア箔上に、ニッケル層またはニッケル合金層、および、剥離層を介して極薄銅箔を備えたものとし、剥離層はオキシ水酸化ニッケルを含有するとともに、厚みが２０〜６０ｎｍの範囲内であり、厚みのバラツキが２０％以下であるように構成する。 （もっと読む）

【課題】樹脂成形体とりわけ三次元網目構造を有する多孔質樹脂成形体の表面にアルミニウムをめっきするに際し、電流値を高くして効率よくアルミニウムめっき膜を形成する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】表面に導電層２を形成することにより導電化された樹脂成形体１にアルミニウムを溶融塩浴中で電気めっきしてアルミニウムめっき層３を形成するアルミニウム多孔体の製造方法であって、陽極がアルミニウムエキスパンドメタルからなり、該陽極の表面積が樹脂成形体の表面積の１．３倍以上であることを特徴とするアルミニウム多孔体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 三次元網目構造を有する金属多孔体であって、電極材料を作製する際のプレス工程や圧縮工程における性能低下が少なく、良好な電気特性が得られる電極材料として使用可能な金属多孔体及びその製造方法、並びに前記金属多孔体を用いた電極材料、電池を提供すること。
【解決手段】金属層からなる骨格構造が三次元網目構造をなしており、前記骨格構造の端部に略球状部を有することを特徴とする、金属多孔体。金属はアルミニウムであることが好ましく、さらに前記略球状部の径が、前記骨格構造の外径よりも大きいと好ましい。 （もっと読む）

【課題】電極の構成およびその製造方法が従来よりも、低コストで導電性能が低下せず、多数の製造工程を必要としない電極形成基板およびその製造方法および同電極形成基板を提供する。
【解決手段】ガラス基板２と、ガラス基板２上全体に成膜されたＩＴＯ３膜と、電極形状に形成された金属めっき膜５と、を有する電極形成基板１であって、ＩＴＯ膜３上には、パターニングされたストライクめっき膜４を備え、ストライクめっき膜４を介して、ＩＴＯ膜３と金属めっき膜５とは、密着し、ストライクめっき膜４上にのみ金属めっき膜５を形成し、金属めっき膜５は、電解めっきを用いて形成されている。 （もっと読む）

【課題】水素よりもイオン化傾向の大きい金属をシード層として使用し、硫酸銅めっき液等の酸性のめっき液を使用した電気めっきを行っても、ビアホールの内部に銅等のめっき金属をより確実に埋込むことができるようにする。
【解決手段】表面に水素よりもイオン化傾向の大きな第１金属によって覆われたビアホールが形成された基板を用意し、基板を前記第１金属より貴な第２金属またはその塩を溶解させた前処理液に浸漬させて基板の前処理を行い、しかる後、基板の表面に電気めっきを行って前記ビアホール内に前記第２金属または第３金属を埋込む。 （もっと読む）

【課題】めっき膜の成膜が進んでも、被めっき面の表面電位と所望する表面電位との誤差が生じることを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、半導体基板１に形成されたシード膜２０を、めっき液３２に接触させる工程と、シード膜２０にカソード電極５４を接続し、シード膜２０とめっき液３２中のアノード電極４０との間で電流を流すことにより、シード膜２０上にめっき膜２２を形成する工程と、を備え、めっき膜２２を形成する工程において、めっき液２０中に挿入された参照電極３４とカソード電極５４との間の電位差、またはカソード電極５４とアノード電極４０の電位差を、時間の経過と共に徐々に下げる工程を有する。 （もっと読む）

【課題】樹脂フィルムに形成した密着性が良好でかつ配線パターンの精細化に対応できるフレキシブル基板とその製造方法並びにフレキシブル回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂フィルム基板１の少なくとも片面に、接着剤を介さずに乾式メッキ法による直接形成した下地金属層２を具備し、その下地金属層上に所望の厚さの銅被膜層６を有するフレキシブル基板であって、前記下地金属層は、第１層が厚さ２〜１５ｎｍの絶縁性のＳｉ酸化物層またはＴｉ酸化物層３、第２層が厚さ１〜５ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、もしくはニッケル−クロム合金（Ｎｉ−Ｃｒ）から選ばれる１種の金属層４、さらに第３層が厚さ５０〜３００ｎｍの銅金属層５からなる。フレキシブル基板の銅被覆層をエッチング処理してフレキシブル回路基板とする。 （もっと読む）

【課題】高縦横比のビアホールを埋め込むのに好適な銅めっき溶液および銅めっき方法を提供する。
【解決手段】シード層を有する基板を浸漬し、水、銅供給源、電解物質、塩素イオン、第１添加剤、第２添加剤、および第３添加剤を含み、前記第１添加剤は、化学式１に示す化合物である銅めっき溶液を用いて銅めっきを行う。


（式中、Ｒは、水素原子または炭素原子数１〜６のアルキル基であり、ｍは、平均重合度であり６〜１４の実数である。） （もっと読む）

【課題】リチウムイオン電池、キャパシタ、燃料電池等の二次電池の集電体や、各種フィルタ、触媒担持体等に適し、その切断面においても高耐食性を有する金属多孔体とその製造方法の提供。
【解決手段】少なくともＮiとＣrとを含む合金からなる３次元網目状構造を有する金属多孔体であって、該金属多孔体の骨格が中空の芯部と外殻とからなり、該外殻の断面を厚み方向に均等に外側、中央部、内側に３分割して、外側部分、中央部部分、内側部分におけるＣrの重量パーセント濃度をそれぞれａ、ｂ、ｃとしたとき、該ａ、ｂ、ｃが式（１）の関係を満たすことを特徴とする金属多孔体。
｜（ａ＋ｃ）／２−ｂ｜÷（ａ＋ｂ＋ｃ）／３ ＜ ０．２０ （１） （もっと読む）

【課題】リチウムイオン電池等の電池やキャパシタ、燃料電池の集電体に適した耐熱性、耐電解性等の耐食性に優れた金属多孔体の製造方法を提供すること。
【解決手段】ニッケル多孔体に、少なくともニッケルとタングステンを含む合金を被覆する工程と、その後に熱処理を行ってタングステンを前記ニッケル多孔体中にまで拡散させる工程と、を有することを特徴とする、少なくともニッケルとタングステンからなる金属多孔体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】
高い熱伝導率と半導体素子に近い熱膨張率を兼ね備え、さらには、半導体素子のヒートシンク等として使用するのに好適なように、表面の面粗さ、平面度を改善したアルミニウム−ダイヤモンド系複合体を提供する。
【解決手段】
ダイヤモンド粒子を４０体積％〜７０体積％含有し、残部がアルミニウムを含有する金属で構成され、厚みが０．４〜６ｍｍの板状又は凹凸部を有する板状のアルミニウム−ダイヤモンド系複合材料であって、両主面が厚み０．０５〜０．５ｍｍのアルミニウム−セラミックス系複合体で被覆され、且つ側面部及び穴部がアルミニウム−ダイヤモンド系複合体が露出してなる構造であることを特徴とするアルミニウム−ダイヤモンド系複合体を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、多大なエネルギーを必要とせず製造が可能で、高温高湿環境下に曝されても基板との優れた密着性を示す金属膜を簡便に形成しうる金属膜形成方法を提供することにある。
【解決手段】基板上に、シアノ基を有する樹脂を含み、７．４ｍｍｏｌ／ｇ以上のシアノ基含有量を有する第１の樹脂層を形成する工程（１）と、前記第１の樹脂層上に、重合性基およびめっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有する樹脂と重合開始剤とを含む樹脂組成物層を形成する工程（２）と、前記樹脂組成物層にエネルギー付与して、硬化させ、第２の樹脂層を形成する工程（３）と、前記第２の樹脂層にめっき触媒またはその前駆体を付与する工程（４）と、めっきを行い、前記第２の樹脂層上に金属膜を形成する工程（５）と、を備える、金属膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】切断時のバリの発生、あるいは、切断面からのダスト発生を招くことなく、形状の制約なしに、基板上に、めっき加工によって高精度の回路パターンを有する回路基板を形成する。
【解決手段】本発明の回路基板の製造方法は、少なくとも表面が絶縁性を呈する、個片状の絶縁性基体を用意する工程と、絶縁性基体表面に下地層を形成する工程と、下地層のうち、回路部と、給電用のパッド領域を残して、回路部の絶縁部となる非回路部の境界領域を選択的に除去し、輪郭を形成する輪郭形成工程と、パッド領域の下地層を給電部としてめっきを行い、めっき層を形成するめっき工程と、表面に露呈する前記下地層を選択的に除去する工程とを含み、前記回路部および前記給電用のパッド領域の端面が、前記絶縁性基体の端面から所定の距離を隔てて形成され、前記回路部及び前記給電用のパッド領域において、前記下地層表面全体が前記めっき層で被覆されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 銅被覆長尺導電性基板の銅めっき層の表面精度を向上させる銅被覆長尺導電性基板の製造方法の提供。
【解決手段】 長尺導電性基板を幅方向が略水平方向になるように搬送し、シード層の表面に複数の不溶解性陽極を用いた電気めっき法による湿式めっき法で金属めっき被膜層を成膜する長尺導電性基板の電気めっき方法において、前記複数の不溶解性陽極を、搬送方向において少なくとも２つ以上に電気的に分割し、かつ前記分割された不溶解性陽極のうち、電気めっきの総膜厚が２μｍ以下の成膜を行う不溶解性陽極の電流密度を２ｍＡ／ｃｍ^２以下に制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基材表面に、耐プラズマエロージョン性に優れたサーメット皮膜を形成する方法と、この方法によって得られるサーメット皮膜被覆部材とを提案すること。
【解決手段】導電性基材の表面に形成した非導電性セラミック溶射皮膜を、電気ニッケルめっき液中に浸漬して、電気ニッケルめっき処理を行うことによって、前記セラミック溶射皮膜の気孔中にめっき析出ニッケルを充填することにより、めっき析出ニッケルを充填したサーメット皮膜を形成し、次いで、高エネルギー照射処理を施して、皮膜表面を再溶融して緻密表面層を生成させる方法と、このようにして得られる皮膜被覆部材。 （もっと読む）

【課題】高精細かつ密着性に優れた金属配線を製造できると共に、ビアの接続信頼性に優れた多層配線基板を、高歩留まりで製造する製造方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）第１の導電層１４を備える配線基板表面に、絶縁層、及び、所定の官能基を有するポリマーを含む層にエネルギー付与して得られる密着樹脂層２０をこの順で備える積層体を形成する工程と、（Ｂ）前記密着樹脂層に対してめっき触媒を付与した後、めっきを行い、第２の導電層２４を形成する工程と、（Ｃ）レーザ加工又はドリル加工により、第２の導電層、絶縁層を貫通し、前記第１の導電層に達するようにビアホール２６を形成する工程と、（Ｄ）デスミア処理を行う工程と、（Ｅ）前記ビアホール壁面に対して、カーボンブラックまたはグラファイトを付与した後、無電解めっきを行うことなく、電気めっきを行い、前記第１の導電層と前記第２の導電層とを電気的に接続する工程とを備える製造方法。 （もっと読む）