説明

Fターム[4K024AB17]の内容

電気メッキ方法、物品 (25,708) | メッキ層の構造、組織 (2,947) | 他手段メッキ層を有する (418) | 化学メッキ層を有する (264)

Fターム[4K024AB17]に分類される特許

21 - 40 / 264


【課題】本発明の目的は、多大なエネルギーを必要とせず製造が可能で、高温高湿環境下に曝されても基板との優れた密着性を示す金属膜を簡便に形成しうる金属膜形成方法を提供することにある。
【解決手段】基板上に、シアノ基を有する樹脂を含み、7.4mmol/g以上のシアノ基含有量を有する第1の樹脂層を形成する工程(1)と、前記第1の樹脂層上に、重合性基およびめっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有する樹脂と重合開始剤とを含む樹脂組成物層を形成する工程(2)と、前記樹脂組成物層にエネルギー付与して、硬化させ、第2の樹脂層を形成する工程(3)と、前記第2の樹脂層にめっき触媒またはその前駆体を付与する工程(4)と、めっきを行い、前記第2の樹脂層上に金属膜を形成する工程(5)と、を備える、金属膜形成方法。 (もっと読む)


【課題】電気メッキ法を採用することにより、従来の無電解メッキ法のみにより得られる高分子電解質の表面や内部に形成した金属層(メッキ層)と比較して、表面抵抗の抑制や、高分子電解質に対する密着性の向上、短時間で金属層の膜厚(メッキ厚)の確保、工程数の簡略化、メッキ厚や電極形状を容易に調整でき、更に、異種金属を容易に積層できる高分子電解質複合体の製造方法、及び、前記製造方法により得られる高分子電解質複合体を提供する。
【解決手段】高分子電解質の少なくとも表面より内部に、電気メッキ法により、金属層を形成する工程を含むことを特徴とする高分子電解質複合体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】切断時のバリの発生、あるいは、切断面からのダスト発生を招くことなく、形状の制約なしに、基板上に、めっき加工によって高精度の回路パターンを有する回路基板を形成する。
【解決手段】本発明の回路基板の製造方法は、少なくとも表面が絶縁性を呈する、個片状の絶縁性基体を用意する工程と、絶縁性基体表面に下地層を形成する工程と、下地層のうち、回路部と、給電用のパッド領域を残して、回路部の絶縁部となる非回路部の境界領域を選択的に除去し、輪郭を形成する輪郭形成工程と、パッド領域の下地層を給電部としてめっきを行い、めっき層を形成するめっき工程と、表面に露呈する前記下地層を選択的に除去する工程とを含み、前記回路部および前記給電用のパッド領域の端面が、前記絶縁性基体の端面から所定の距離を隔てて形成され、前記回路部及び前記給電用のパッド領域において、前記下地層表面全体が前記めっき層で被覆されたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】Cu合金の代わりに使用でき、軽量化が図れると共に、原材料費の低減も図れる電子部品材を提供する。
【解決手段】引張強度を90〜700MPaかつビッカース硬度Hvを30〜230にしたAl合金の基材10の表面に、Ni、Ni合金、Cu、Cu合金、Ag、Ag合金、Sn、Sn合金、Pd、Pd合金、Au、又はAu合金のいずれか1種又は2種以上で構成される第1のめっき層13を形成した。Al合金の基材10は、例えば、Si:13.0質量%以下、Fe:1.5質量%以下、Cu:6.8質量%以下、Mn:1.5質量%以下、Mg:5.6質量%以下、Cr:0.5質量%以下、Zn:8.4質量%以下、及びTi:0.2質量%以下を含有し、その他不可避的不純物を含む。 (もっと読む)


【課題】超硬合金をハイクロム鋳鉄と強固に接合するにはカーケンドール効果によりハイクロム鋳鉄と超硬合金の接合面に分子拡散層を形成するフラックスが必要である。また、回収超硬合金チップをハイクロム鋳鉄に鋳込む場合は銅メッキを施すために真空薄膜などのコーティングを除去しなければならない問題がある。このため超硬合金とハイクロム鋳鉄との複合ライナの製造は困難であり普及していなかった。
【解決手段】フッ化銅浴中のメッキにより真空薄膜の有無に関わらず超硬合金に強固な銅メッキを施こすとともに、銅メッキの上に液体フラックスを塗布するか、銅メッキの上にマンガンメッキもしくはカニゼンメッキもしくはマンガンメッキとカニゼンメッキを施して液体フラックスを塗布してハイクロム鋳鉄と鋳込むことによりハイクロム鋳鉄と超硬合金が完全に接合した耐摩耗ライナの製造を具現化した。 (もっと読む)


【課題】オゾン処理工程後にその表面処理工程を加えることで、めっき皮膜の密着性を向上させると共に、シンジオタクチックポリスチレン系樹脂(SPS樹脂)にオゾン処理する。樹脂成形品についても触媒付与増強処理、導電化工程と電解めっき工程との間においてめっき用治具の掛け替えを不要にすることで、樹脂めっきを容易かつ迅速に実施する。
【解決手段】クロム酸エッチング等に代わるめっき前処理として、水にオゾンを溶解させてオゾン水溶液を生成し、このオゾン水溶液に、このSPS樹脂を接触させるオゾン水処理を施し、オゾン水処理の次に、このSPS樹脂の表面に残存する酸化力を取り除くためにオゾン還元処理を施し、オゾン還元処理の後に、無電解めっき処理を施し、その後電解めっき処理を施す。 (もっと読む)


【課題】半導体集積回路素子の電極と導体柱とを半田を介して立体的に強固に接続することが可能であるとともに、両者を接続する半田の体積が小さいものであったとしても、半導体集積回路素子の下面と配線基板の上面との間隔を十分に保つことができ、両者の間に封止樹脂を良好に充填することが可能な配線基板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】絶縁基板3の上面に被着された半導体素子接続パッド10と、半導体素子接続パッド10上に形成された導体柱11と、絶縁基板3の上面に導体柱11よりも低い厚みで被着されており、半導体素子接続パッド10の外周部を覆うとともに、導体柱11の側面を露出させる開口部6aを有するソルダーレジスト層6とを備える配線基板50である。 (もっと読む)


【課題】高周波回路用の疎水性基板であるPTFE基板表面に、均質かつ緻密な銅メッキ被膜を容易に形成させること。
【解決手段】本発明のメッキ方法では、PTFE基板をヘリウムガス存在下でプラズマ処理する工程(1)と、前記基板をアミノシランカップリング剤と反応させ、前記基板の表面に自己集積化単分子膜(SAM)を形成する工程(2)と、SAMを形成した前記基板を、パラジウム塩を含有する水溶液である無電解メッキ用触媒液で活性化処理する工程(3)と、前記基板に固定化されたパラジウムイオンを金属パラジウムに還元する工程(4)と、前記基板を無電解銅メッキ液で処理することにより、前記基板上に無電解銅メッキ被膜を形成する工程(5)と、前記基板を電解銅メッキ液で処理することにより、前記無電解銅メッキ被膜の上に電解銅メッキ被膜をさらに形成する工程(6)と、を順次行う。 (もっと読む)


【課題】積層セラミックコンデンサの外部電極を、部品本体の所定の面上に直接めっきを施すことによって形成したとき、外部電極となるめっき膜の部品本体に対する固着力が低いことがある。
【解決手段】外部電極16として、各内部電極5の露出端を起点として析出しためっき析出物を部品本体2の少なくとも端面12上に成長させてなるもので、P含有率が9重量%以上のNi−Pめっき膜からなる第1のめっき層18をまず形成する。次いで、第1のめっき層18上に、Pを実質的に含まないNiめっき膜からなる第2のめっき層19を形成する。好ましくは、第1のめっき層18は無電解めっきにより形成され、第2のめっき層19は電解めっきにより形成される。 (もっと読む)


【課題】樹脂基板上に銅配線パタ―ンを強い密着力で形成する。
【解決手段】回路基板の製造方法は、無機フィラー粒子の表面に、UVオゾン処理によりOH基を形成する工程と、前記OH基が結合した無機フィラーを、ビニル基を有するシランカップリング剤により処理する工程と、前記シランカップリング剤により処理した無機フィラー粒子に、トリアジンチオールあるいはトリアジンチオール系化合物を結合する工程と、前記トリアジンチオールあるいはトリアジンチオール系化合物を結合した無機フィラー粒子を樹脂前駆体中に混合する工程と、前記樹脂前駆体を硬化させることにより樹脂基板を形成する工程と、前記樹脂基板上に銅パタ―ンをメッキにより形成する工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】単位体積当たりの表面積が極めて大きく、かつ強度に優れた3次元網目状構造を有するフィルタや電池用電極板等に適用可能な金属多孔体を提供すること。
【解決手段】3次元網目状構造を有する金属多孔体であって、3次元網目状構造を形成する骨格の少なくとも表層に、骨格によって形成されている孔よりも径の小さな微小孔が形成されていることを特徴とする3次元網目状構造を有する金属多孔体。前記微小孔は、球体状もしくは半球状であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】無電解銅めっき層とポリイミド樹脂とを接合して形成したフレキシブル銅張積層板において、ポリイミド樹脂の表面粗度を小さくして平坦性を良くしかつ初期及び加熱後の密着強度を確保したフレキシブル銅張積層板が望まれている。
【解決手段】本発明は、ポリイミドの表面粗さと、無電解銅めっきプロセスで使用するアルカリ濃度に注目し、それらの適切な組み合わせにより、表面粗度を小さくして平坦性を良くし、かつ初期及び加熱後の密着強度を確保したフレキシブル銅張積層板を考案することができた。具体的には、ウェットブラストによる表面粗度の算術平均粗さRaが0.05μm以上1.0μm以下でかつ、二乗平均粗さRMSが0.1μm以上1.5μm以下に粗化されたポリイミド表面に、アルカリ度を低くした無電解銅めっき液により無電解銅めっき層を形成したことを特徴とするフレキシブル銅張積層板を提供する。 (もっと読む)


【課題】三次元網目構造を有する多孔質樹脂成形体であっても、その表面へのアルミニウムのめっきを可能とし、厚膜を均一に形成することで純度の高いアルミニウム構造体を形成する。
【解決手段】少なくとも表面が導電化された樹脂成形体に、アルミニウムを溶融塩浴中でめっきすることによりアルミニウム構造体を形成する。三次元網目構造を有する樹脂多孔体を用いることにより、1μm〜100μmの厚さを有するアルミニウム層からなりアルミニウムの純度98.0%以上、カーボン含有量1.0%以上2%以下、残部不可避不純物からなるアルミニウム多孔体を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】 長尺の一次金属層付樹脂フィルムを搬送しながら電気めっきにより二次金属層を形成し、得られた金属化樹脂フィルムを巻き取る際に局所的なシワの発生をなくすことができる金属化樹脂フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】 一次金属層付樹脂フィルムFを巻出ロール1から巻取ロール7にロールツーロールで搬送しながら、電気めっき装置Aで一次金属層付樹脂フィルムFの一次金属層の表面に電気めっきにより銅の二次金属層を形成する。得られた金属化樹脂フィルムSを、熱処理装置Bで単位断面積当たり2.4〜4.9N/mmの張力を加えながら100〜150℃の温度で熱処理を施した後、二次金属層が表向きになるように巻取ロール7に巻き取る。 (もっと読む)


【課題】 樹脂基材上にグラフェン薄膜を形成し、グラフェン薄膜が形成された樹脂基材に電気めっきを行うことを含むグラフェン薄膜を用いた樹脂のめっき方法を提供する。
【解決手段】 樹脂基材上にグラフェン薄膜を形成し、前記グラフェン薄膜が形成された前記樹脂基材に電気めっきを行うことを含んで樹脂のめっき方法を構成する。 (もっと読む)


【課題】三次元網目構造を有する多孔質樹脂成形体であっても、その表面へのアルミニウムのめっきを可能としてアルミニウム構造体を形成することが可能な方法、および特に大面積のアルミニウム多孔体を得ることが可能な方法を目的とする。
【解決手段】樹脂成形体の表面に金、銀、白金、ロジウム、ルテニウム及びパラジウムからなる群より選択される1種以上の貴金属からなる導電層を形成する導電化工程と、導電化された樹脂成形体にアルミニウムを溶融塩浴中でめっきするめっき工程とを備えるアルミニウム構造体の製造方法とした。金属層として1μm〜100μmの厚さのアルミニウム層を有するアルミニウム構造体であって、該金属層はアルミニウムの純度が90.0%以上、金、銀、白金、ロジウム、ルテニウム及びパラジウムの合計量が0.01%以上10%以下、残部不可避不純物からなるアルミニウム構造体を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】軽量で、かつ高い強度を有するマグネシウム合金製の保持器を備えた転がり軸受を提供する。
【解決手段】複列円筒ころ軸受の保持器14は、AZ91Dなどのマグネシウム合金からなり、射出成形により成形されている。この保持器14においては、射出成形においてマグネシウム合金が合流することにより形成されたボイドを含む領域である合流領域が保持器14の外部に流出している。そして、保持器14の断面を観察した場合、保持器14を構成するマグネシウム合金における粒径20μm以上のα相の割合は15%未満である。 (もっと読む)


【課題】金属基材の耐蝕性を確実に向上させることができる防食皮膜を提供する。
【解決手段】本発明の防食皮膜1は、金属基材Mの表面に形成され、ニッケルを含有する第一膜11と、第一膜11上に形成され、鉄又はクロムを含有する第二膜12と、第二膜12上に形成され、亜鉛を含有する第三膜13と、を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、めっき触媒などの金属に対して十分な吸着性を有し、吸水性が低く、加水分解耐性に優れ、その表面上に形成される金属パターンの絶縁信頼性に優れた被めっき層(絶縁性樹脂層)を形成しうる被めっき層形成層組成物を提供することを課題とする。
【解決手段】重合性基を有するユニット(A)、ClogPが0以下であるアクリルアミドモノマー由来のユニットであり、めっき触媒またはその前駆体と相互作用を形成する非解離性官能基を有するアクリルアミドユニット(B)、および疎水性基を有し、重合性基を有しないユニット(C)を含むポリマー、を含有する被めっき層形成用組成物。 (もっと読む)


【課題】基板の所定の位置に高い位置精度で膜を形成する。
【解決手段】電極形成用テンプレート112の表面112aには、ウェハWの貫通孔に対応する位置に開口部115が複数形成されている。電極形成用テンプレート112は、開口部115に連通する膜形成用液の流通路116を備えている。この電極形成用テンプレート112とウェハWを密着させた後、この状態のまま、めっき液供給口117から流通路116を介して開口部115からウェハWの貫通孔に対してめっき液を供給することで、ウェハWの貫通孔に電極を形成する。 (もっと読む)


21 - 40 / 264