【課題】電気的接続の信頼性を損なうことなく電気抵抗率を従来よりも低減できる埋め込み配線を有する半導体装置用基板および半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明は、上記目的を達成するため、埋め込み配線を有する半導体装置用基板であって、前記埋め込み配線は、金属多結晶体からなり、平均結晶粒径が異なる少なくとも２層の領域を前記基板の厚さ方向に有し、前記埋め込み配線の開口面を含む層の平均結晶粒径が、前記埋め込み配線の他の層の平均結晶粒径よりも小さいことを特徴とする半導体装置用基板を提供する。また、本発明は、上記半導体装置用基板を用いたことを特徴とする半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】高硬度かつ低抵抗のめっき膜、前記めっき膜を電気接点とする電子部品、前記めっき膜を成膜可能なめっき液、および、前記めっき膜の製造方法を提供する。
【解決手段】めっき膜１０は、Ａｕ_{（１００−ｘ−ｙ）}−Ｍ_ｘ−Ｃ_ｙからなる。ただし、ＭはＡｕ以外の金属元素であり、１≦ｘ≦２２、かつ、３≦ｙ≦３０、かつ、４≦（ｘ＋ｙ）≦４０である。めっき液５０は、Ａｕイオンと、Ｎｉイオンと、くえん酸（Ｃｉｔ）イオンと、ＣＮイオンと、を含む。 （もっと読む）

【課題】金属製材料によって形成され、その表面を過度に粗面化することなく樹脂との接着性を向上させ、かつ接着性の向上に伴う熱性能の低下を抑制した放熱装置を提供する。
【解決手段】通電されて発熱する電子部品６に熱伝達可能に接触してその熱を放熱あるいは拡散させるとともに、電子部品６が配設される基板５上に接着剤４を介して接合される接合面３を備えた放熱装置１において、接合面３は、凹凸が形成された下層と、その下層の上に直径が０．５〜１．０μｍのニッケルの結晶粒子が形成された上層とを備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来よりも大きな径を有するとともに、大きな比表面積を有することにより、大きな分子に対しても適用可能な高活性の触媒として使用できる白金系のメソポーラス金属膜を与える。
【解決手段】ブロックコポリマー界面活性剤及び白金を含む金属塩の希薄な水溶液を電気分解することにより、電極上に上記メソポーラス金属膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】高い導電率及び強度を有し、応力緩和特性及び曲げ加工性に優れ、Ｓｎめっきの耐熱剥離性にも優れた電気・電子部品用銅合金を提供する。
【解決手段】Ｆｅ：０．０１〜０．２質量％、Ｐ：０．０２〜０．１５質量％、Ｍｇ：０．０５〜０．２質量％、Ｓｎ：０．００１〜０．２質量％、及びＺｎ：０．０５〜１．０質量％を含み、残部がＣｕ及び不可避的不純物からなり、Ｓ：０．００５質量％以下であり、Ｆｅ，Ｍｇ及びＰ含有量が下記式（１）、（２）を満たす。２．５≦（［Ｆｅ］＋［Ｍｇ］）／［Ｐ］≦８．０・・・・（１）［Ｍｇ］／［Ｆｅ］≧０．８５・・・・（２）［Ｆｅ］、［Ｍｇ］、［Ｐ］は、それぞれＦｅ，Ｍｇ，Ｐ含有量を表す。 （もっと読む）

【課題】切断時のバリの発生、あるいは、切断面からのダスト発生を招くことなく、形状の制約なしに、基板上に、めっき加工によって高精度の回路パターンを有する回路基板を形成する。
【解決手段】本発明の回路基板の製造方法は、少なくとも表面が絶縁性を呈する、個片状の絶縁性基体を用意する工程と、絶縁性基体表面に下地層を形成する工程と、下地層のうち、回路部と、給電用のパッド領域を残して、回路部の絶縁部となる非回路部の境界領域を選択的に除去し、輪郭を形成する輪郭形成工程と、パッド領域の下地層を給電部としてめっきを行い、めっき層を形成するめっき工程と、表面に露呈する前記下地層を選択的に除去する工程とを含み、前記回路部および前記給電用のパッド領域の端面が、前記絶縁性基体の端面から所定の距離を隔てて形成され、前記回路部及び前記給電用のパッド領域において、前記下地層表面全体が前記めっき層で被覆されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐熱性、耐薬品性を満足し、樹脂基板との接着強度およびエッチング後の樹脂表面の絶縁性（表面抵抗）に非常に優れる表面処理銅箔を提供すること。また、接着強度、耐熱性、耐薬品性、エッチング性を全て満足する銅張積層板を提供すること。
【解決手段】Ｎｉ−Ｚｎ合金層からなる表面処理層を有する表面処理銅箔であって、Ｎｉ−Ｚｎ合金層のＺｎ含有量が５％以上２１％以下で、かつ、合金層中のＺｎ濃度が、原銅箔側から表面処理層表面にかけて高濃度から低濃度へ濃度勾配を有し、Ｚｎ付着量が０．０７ｍｇ／ｄｍ^２以上、Ｎｉ付着量が０．４ｍｇ／ｄｍ^２以上、２．９ｍｇ／ｄｍ^２以下である表面処理銅箔である。また、前記表面処理銅箔を樹脂基板に張り付けた銅張積層板である。 （もっと読む）

【課題】従来より生産性が良く耐疲労性および非焼付性に優れる摺動部材を提供する。
【解決手段】摺動部材１１は、軸受合金層１３と、軸受合金層１３上に設けられたＮｉ基中間層１４と、Ｎｉ基中間層１４上に設けられたＳｎ基オーバレイ層１５とを備えている。Ｓｎ基オーバレイ層１５は、少なくとも１層から構成されている。Ｓｎ基オーバレイ層１５を構成する層のうち最も摺動面側に位置する層は、Ｓｎと３質量％以上のＣｕとを含んでいる。Ｓｎ基オーバレイ層１５を構成する層のうちＮｉ基中間層１４に接する層は、Ｓｎと８質量％以下のＣｕとを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】高フィルム密着性に優れた容器用鋼板を得ることができる容器用鋼板の製造方法を提供する。
【解決手段】鋼板上に、金属Ｚｒ量１〜１００ｍｇ／ｍ^２、Ｆ量０．１ｍｇ／ｍ^２以下である化成皮膜を有する容器用鋼板の製造方法であって、Ｚｒイオン、Ｆイオンを含む処理液中での浸漬処理または当該処理液を用いた電解処理により前記鋼板上に前記化成皮膜を形成し、次いで、前記化成皮膜が形成された前記鋼板を、温度８０℃以上の水で洗浄して乾燥を行う、容器用鋼板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】プリント基板用基材の表面に圧延銅箔を貼り合わせたＣＣＬ（copper clad laminate）である銅張積層板のはんだ耐熱性を向上させたプリント基板用圧延銅箔、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】プリント基板用圧延銅箔１は、銅箔２における基材貼り合わせ面側に、粗化銅めっき層４、ニッケル−コバルト合金めっき層５、亜鉛めっき層６、クロメート処理層７、及びシランカップリング層８を順次積層して形成されている。ニッケル−コバルト合金めっき層５のニッケルとコバルトとのめっき量の合計は、２０μｇ／ｃｍ^２以上４５μｇ／ｃｍ^２以下である。 （もっと読む）

【課題】屈曲部を有するＦＰＣに好適な銅箔を提供する。
【解決手段】柔軟性樹脂基板と銅箔から形成された配線とを備え、配線の少なくとも一箇所の屈曲部における稜線が銅箔の長さ方向と２．９〜８７．１°の角度を成すフレキシブルプリント配線板の配線部材として用いられる銅箔であって、３６０℃×６分間の熱処理を施して該銅箔を再結晶させると、厚み方向のＸ線回折で求めた（２００）面の強度（Ｉ）が微粉末銅のＸ線回折で求めた（２００）面の強度（Ｉ₀）に対してＩ／Ｉ₀≧２５である立方体集合組織が発現し、さらに銅箔の長さ方向に対し４５°方向の伸びが、銅箔の長さ方向に対し０°および９０°方向の伸びの４倍以上である伸び特性が発現するフレキシブルプリント配線板用銅箔。 （もっと読む）

【課題】基材表面に形成するＡｕめっき層の厚みが薄くても耐食性に優れ、かつコストを低減した燃料電池用セパレータ材料、それを用いた燃料電池用セパレータ及び燃料電池スタックを提供する。
【解決手段】金属薄板の一方の面に厚み０．５〜４ｎｍの均一な第１Ａｕめっき層が形成され、該金属基材の他の面に第１Ａｕめっき層より厚い均一な第２Ａｕめっき層が形成され、第１Ａｕめっき層と第２Ａｕめっき層の断面をそれぞれ透過電子顕微鏡で観察した場合の被覆率がいずれも８０％以上である燃料電池用セパレータ材料である。 （もっと読む）

【課題】はんだ濡れ性及び導電性が確保され、Ｓｎめっき層に対して外力が作用する場合であってもウィスカの発生を抑制することができる電子部品を提供する。
【解決手段】電子部品１は、金属材料で形成された本体部１１と、本体部１１の表面に被覆された下地めっき層１２に対してＳｎ又はＳｎ合金が被覆されることで形成されるＳｎめっき層１３と、を備えている。本体部の表面１１において、複数の凹凸部１４が繰り返し形成され、複数の凹凸部１４は、本体部の表面１１の面方向における凹凸部１４の最大寸法の平均値がＳｎめっき層１３の平均厚み寸法よりも大きくなるように形成される。また、複数の凹凸部１４は、凹凸部１４の深さ寸法の平均値が前記Ｓｎめっき層１３の平均厚み寸法よりも大きくなるように形成される。 （もっと読む）

【課題】封止樹脂との密着性を維持し、且つエポキシ樹脂成分の滲み出しのない、めっき表面形態をなしたニッケルめっきと金めっきを施したリードフレームを提供する。
【解決手段】リードフレームの少なくとも半導体素子を搭載するパッド部上に、塩化物浴による結晶核となる山型状突起群が形成されるようにニッケルめっき１１を施した後、その上に延展性の良いニッケルめっき層１２を施して半球状の凹凸表面を形成し、更にその上にパラジウムめっき層と金めっき層を形成する。 （もっと読む）

【課題】絶縁性基材に設けられた微細孔への金属の充填率が高く、かつ、金属充填に伴う残留応力によって微細構造体に反りが発生することを防止することができる金属充填微細構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性基材に設けられた貫通孔１０１，１０２等の平均開孔径が１０〜５０００ｎｍであり、平均深さが１０〜１０００μｍであり、前記貫通孔の密度が１×１０⁶〜１×１０¹⁰個／ｍｍ²である絶縁性基材に、前記貫通孔への金属の仮想充填率が１００％よりも大きくなるように、電解めっき処理により前記貫通孔へ金属を充填する工程、絶縁性基材の表面に付着した金属を研磨処理により除去する工程を有し、前記貫通孔内部に充填される金属の結晶粒子径と、前記絶縁性基材の表面に付着する金属の結晶粒子径と、の差が２０ｎｍ以下となるように前記電解めっき処理を実施することを特徴とする金属充填微細構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】粗化処理層から微細粒子が脱落しない処理銅箔を提供する。
【解決手段】未処理銅箔２と該未処理銅箔２表面に析出させた銅又は銅とコバルト及びニッケルから選択される少なくとも一種とを含有する微細粒子からなる粗化処理層３と該粗化処理層３表面に析出させたニッケル又はニッケルとリンとを含有する微細粒子脱落防止層４を備えた処理銅箔１であって、該処理銅箔の表面色が色差系L*a*b*のL*が20〜40であり、かつ、JISZ1522に規定される粘着力が3.88N/cmの粘着テーフ゜を圧力192kpaで30秒間圧着した後、粘着テーフ゜を180°方向に引っ張って引き剥がした際に処理銅箔から剥がれ落ちる升目の数が30以下であることを特徴とする処理銅箔。 （もっと読む）

【課題】モリブデンを高濃度で含有する銅合金からなるめっき膜を形成できるめっき浴およびめっき方法を提供する。
【解決手段】被めっき体上にモリブデンを含有する銅合金からなるめっき膜を形成するために用いられるものであり、銅イオン供給源とモリブデンイオン供給源とを含み、めっき浴中の銅原子とモリブデン原子とのモル比が１２．６：８７．４〜０．５：９９．５の範囲であることを特徴とするめっき浴とする。 （もっと読む）

【課題】水平方向の熱膨張を抑制することができるとともに、垂直方向の熱伝導を良好なものとすることができる金属積層構造体および金属積層構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】タングステンを含む第１の金属層は銅を含む第２の金属層の第１の表面上に設置され、タングステンを含む第３の金属層は第２の金属層の第１の表面とは反対側の第２の表面上に設置されており、第１の金属層に含まれるタングステンの結晶粒が第２の金属層の第１の表面に対して垂直方向に伸長する柱状結晶であり、第３の金属層に含まれるタングステンの結晶粒が第２の金属層の第２の表面に対して垂直方向に伸長する柱状結晶である金属積層構造体と金属積層構造体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ポリイミドなどの絶縁樹脂との密着性、耐熱密着性、耐薬品性、ソフトエッチング性を満足し、工業的に優れた表面処理銅箔を提供する。更に、絶縁樹脂と銅箔との接着強度が強く、回路形成にあたっては耐薬品性を有し、レーザー加工によるビア形成後にも良好なソフトエッチング性を有する表面処理銅箔の製造方法を提供する。
【解決手段】母材銅箔に対して、表面粗さＲｚが１．１μｍ以下となる粗化処理が施され、該粗化処理表面にＮｉ−Ｚｎ合金層が施され、前記粗化処理は、粗化処理面における幅が０．３〜０．８μｍ、高さが０．６〜１．８μｍで、アスペクト比が１．２〜３．５で、先端が尖った凸部形状となる粗化処理で、前記母材銅箔の表面粗さＲｚが０．０５〜０．３μｍ増加する範囲で施され、前記Ｎｉ−Ｚｎ合金層は、Ｚｎ含有率（ｗｔ％）が６〜３０％、Ｚｎ付着量が０．０８ｍｇ／ｄｍ^２以上である表面処理銅箔である。 （もっと読む）

【課題】曲げ加工時にクラックの発生が抑制され、更には、モールド樹脂との密着性に優れたリードフレームを提供する。
【解決手段】素材金属１０の表面に下地Ｎｉめっき層を介して貴金属めっき層１３が形成されたリードフレームにおいて、下地Ｎｉめっき層の表面粗さＲａが０．１〜０．８μｍの範囲にあり、下地Ｎｉめっき層の表面に、下地Ｎｉめっき層の表面の角状又は針状の凹凸プロファイルに合わせてフラッシュめっきにより貴金属めっき層１３を形成した。ここで、貴金属めっき層１３は、Ｐｄ、Ａｕ、及びＡｇめっきの少なくとも１である。 （もっと読む）