【課題】電気的に接続する部分に施される金めっきにおいて、硬度および電気伝導性共に優れた金めっき膜を得る金めっき方法を提供する。
【解決手段】カチオン系添加剤を添加された非シアン系の金めっき浴を用い、陰極となる被めっき体と陽極の間にパルス周期５ｍｓｅｃ以上３００ｍｓｅｃ以内で、デューティ比０．００１以上０．５以内のパルス電流を供給することにより、単一金属元素からなり、平均粒径が１７ｎｍ以上２５ｎｍ以下の範囲である結晶子から構成され、ビッカース硬度が１６０Ｈｖ以上である金めっき膜を形成する。 （もっと読む）

基板に電気化学エッチングまたは電気めっきを施すことにより多層構造を形成する方法。基板上にシード層を形成し、その上に主電極を形成する。主電極は、基板から複数の電気化学セルを形成するためのパターン層を有する。電圧が印加され、シード層がエッチングされて、またはシード層に材料がめっきされて形成された構造（８）の間に誘電体（９）が堆積される。誘電体層は下層構造を露出するために平坦化され、別の構造層が第１の構造層上に形成される。または、誘電体層は２層の厚さで形成され、下層構造の上端部を選択的に露出するために選択的にエッチングされる。また、複数の構造層を１工程で形成しても良い。 （もっと読む）

【課題】フレキシブルフラットケーブルにおいて、導体表面でのウイスカの発生を確実かつ大幅に抑制することを目的とする。
【解決手段】本発明のフレキシブルフラットケーブルは、Ｃｕ（銅）の基材１０上にＣｕ_３Ｓｎ_１（銅−錫系）の合金層１１が形成されているとともに、当該合金層１１上にＣｕ_６Ｓｎ_５（銅−錫系）の合金層１２が形成されている導体を有する。これにより、導体表面の硬度が高くなって当該導体表面の応力変形が軽減され、導体表面でのウイスカの発生が確実かつ大幅に抑制される。 （もっと読む）

【課題】絶縁層に形成された高アスペクト比の溝やビア孔に電気銅メッキを行うとき、メッキ層中でのボイド（空孔）発生が抑制された配線層やビアの形成を可能とする。
【解決手段】溝やビア孔の底面部に、電気メッキを促進する添加剤を含む膜を選択的に形成してから、電気銅メッキを行う。この底面部のメッキ促進添加剤含有膜は、メッキ促進添加剤を含む溶液に、メッキ形成用の開口基板を浸漬しつつ脱気して開口部内の気泡を除去した後、スピン・リンス法と乾燥処理を行って形成する。 （もっと読む）

【課題】
表面の孔密度が制御可能な、孔径がナノサイズの多孔性金属薄膜を提供する。
【解決方法】
密閉容器中でめっき液と二酸化炭素液体の混合液中、二酸化炭素の超臨界状態で電解めっきを行い、基材上に多孔性金属薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板の絶縁層の一面側に開口する複数個の微細孔の各々に、所望厚さの金属層が充填できたことを確認して、電解めっきを終了するめっき金属の充填方法を提供する。
【解決手段】基板１４の金属層２０と定電流源２６の陰極とを電気的に接続すると共に、基板１４の微細孔開口面と一面側が対向する陽極板２４と定電流源２６の陽極とを電気的に接続し、且つ基板１４と別体に形成され、一面側が陽極板２４の他面側と対向する位置の陰極板２８を、基板１４の金属層２０と並列接続となるように定電流源２６の陰極に電気的に接続した後、基板１４の金属層２０、陰極板２８及び陽極板２４に定電流源から直流電流を印加して、基板１４の微細孔１８内に電解めっきによってめっき金属を充填しつつ、基板１４側に流れる電流値を検出してモニタし、前記モニタによって得た基板１４側に流れる電流値の経時変化に基づいて、電解めっきを停止する。 （もっと読む）

【課題】 基板に対する銅箔の接着強度を高めることができ、かつ処理コストを抑えることができ、しかも銅粉落ちやエッチング後の銅残留が起こらない銅箔の表面処理方法を提供する。
【解決手段】 銅めっき液３中で銅箔４を陰極としてめっき処理を行うことによって、銅箔４の表面に銅電着物からなる粗化層を形成する銅箔の表面処理方法であって、銅めっき液３は、分子量２００〜５０００００のポリエチレングリコールを含む。 （もっと読む）

【課題】水素分離膜への一酸化炭素等の吸着を減少させ、効率的に水素ガスを分離精製することができる水素分離体、水素製造装置、水素分離体の製造方法及び水素分離体の製造装置を提供する。
【解決手段】水素分離体１００には、基体管１０１の内側表面に、超臨界ＣＯ２を用いためっきにより形成した水素透過層１０２が積層される。この基体管１０１は、触媒担持セラミックス層１０１ａと細孔セラミックス層１０１ｂとから構成される。この触媒担持セラミックス層１０１ａの多孔管内に、一酸化炭素ガスのシフト反応や部分酸化反応を行なう触媒金属を担持させる。また、細孔セラミックス層１０１ｂは、水素ガスを優先的に水素透過層１０２側へ供給する。Ｎｉ充填層１０３で生成された改質ガスに含まれる一酸化炭素ガス等は基体管１０１で低減される。 （もっと読む）

【課題】浴の均一電着性に著しい影響を及ぼさず、平坦な銅堆積物を提供する、レベリング剤の提供。
【解決手段】窒素、硫黄および窒素と硫黄の混合から選択されるヘテロ原子を含む化合物の、エーテル結合を含有するポリエポキシド化合物との反応生成物であるレベリング剤を含有する銅メッキ浴であって、電子デバイスの表面上およびかかる基体上の開口部中に銅を堆積させる銅メッキ浴が提供される。かかるメッキ浴は、電解質濃度の範囲全体にわたって実質的に平面的な基体表面上に銅層を堆積させる。このような銅メッキ浴を用いて銅層を堆積させる方法も開示される。 （もっと読む）

基材上に１つまたはそれ以上の双軸組織層を製造する方法と、該方法によって製造された物体が開示される。例示としての方法は、希土類、遷移金属、アクチニド、ランタニド、およびそれらの酸化物からなる群から選ばれた前駆体を、基材上に電着する段階を含む。例示としての物体（１５０）は、双軸組織基材（１３０）、および希土類、遷移金属、アクチニド、ランタニド、およびそれらの酸化物からなる群から選ばれた少なくとも１つの双軸組織層（１１０）を有する。少なくとも１つの双軸組織層（１１０）は、双軸組織基材（１３０）上に電着により形成される。
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【課題】銀層中に炭素粒子を含有する複合材からなる皮膜が素材上に形成され、炭素粒子の含有量および表面の炭素粒子の量が多く、摩擦係数が低く且つ耐摩耗性に優れた複合めっき材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 酸化処理を行った炭素粒子と銀マトリックス配向調整剤とを添加した銀めっき液を使用して電気めっきを行うことにより、銀マトリックスの配向を調整して、銀層中に炭素粒子を含有する複合材からなる皮膜を素材上に形成する。 （もっと読む）

ウィスカの形成又は成長を本質的に起こりにくくするスズ堆積物は、（ア）０．０５ミクロンから５ミクロンの範囲の平均粒子直径を有する微細粒子化されたスズ堆積物の堆積、(イ)熱又は湿度に曝された時でさえ表面の酸化を防止してスズ・ウィスカ形成を低減する、微量のリンをその堆積物が含むように、スズ堆積物を電気めっきするために使用される溶液中のリン化合物、あるいは、(ウ)予め電気めっきされたスズ堆積物の表面に、熱又は湿度に曝されている間中スズ堆積物の酸化物形成又は腐食を最小化し又は防止するように作用する保護塗装を施す溶液中の、リン化合物、メルカプタン化合物、又は、有機化合物、の１つ以上によって得られる。８０重量％から１００重量％のスズを含むそのようなスズ堆積物は、スズ・ウィスカ成長を最小限化し乃至なくすることを呈する。 （もっと読む）

【課題】 摺動面の面圧の変動があっても、摩擦係数が比較的安定した摺動部材を提供すること。
【解決手段】 摺動面をめっき皮膜で被覆した摺動部材において、前記めっき皮膜の表面にクラックを形成すると共に、該クラックにフッ素樹脂と金属硫化物との混合物を充填したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 曲げ加工時にクラックの発生が抑制され、更には、モールド樹脂との密着性に優れたリードフレーム及びそのめっき方法を提供する。
【解決手段】 素材金属１０の表面に下地めっき層を介して貴金属めっき層１３が形成されたリードフレーム及びそのめっき方法において、下地めっき層を、素材金属１０上に極性反転成分を有しない直流電流又はパルス電流を用いてめっきされた平滑Ｎｉめっき層１１と、平滑Ｎｉめっき層１１の上に極性反転パルスを含む電流を用いてめっきされた粗面化Ｎｉめっき層１２とによって形成した。 （もっと読む）

【課題】 フィルムの導電面にめっき処理を行う際に、現像銀が液膜に溶解し陰極ロールの銀汚れを引き起こすことを防止する。
【解決手段】 フィルム４を矢印方向に搬送しながら、めっき槽６内のめっき液７を通過させることで、フィルム４の導電面５に銅めっきを施す。めっき液７と次段の陰極ロールＢとの間には、フィルム４の導電面５の内側にエアーナイフ装置２０Ａ、２０Ｂが配設されている。エアーナイフ装置２０Ａ、２０Ｂは、めっき液７を出た後の導電面５に加温エアーを吹き付けることで、導電面５の液及び水分を除去する。これにより、導電面５が次段の陰極ロール１Ｂに接触しても現像銀は溶解せず、陰極ロール１Ｂ、１Ｃの銀汚れが発生しない。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、表面が平滑でかつ耐熱性を有する銅合金箔にＮｉ合金めっきを施したプリント配線基板用金属材料を提供することにある。
【解決手段】３００℃で１時間加熱しても軟化しない圧延銅合金箔の少なくとも一方の面を光沢面に仕上げ、その面に０．３μm以上のＮｉ合金めっきを施すことを特徴とするプリント配線基板用材料であり、耐熱性銅合金箔としてＳｎ入り銅箔やＣｒおよびＺｒ入り銅箔が好ましい。また、めっきには光沢Ｎｉ合金めっきが好ましい。 （もっと読む）

【課題】熱処理を施した銅合金から成る基材に銅ストライクめっきを施す際に、その前処理工程を可及的に短縮でき、基材との密着性及びその耐熱性についても、充分に満足し得る銅ストライクめっき層を形成できる銅ストライクめっき方法を提供する。
【解決手段】熱処理を施した銅合金から成る基材の表面に脱脂処理及び電解活性処理を施した後、前記表面に銅ストライクめっきを施す際に、該銅ストライクめっきでは、前記基材の表面に形成した銅ストライクめっき層のＸ線回折の反射強度が最大値を示す結晶面が、銅から成る金属結晶を細密充填した銅層のＸ線回折の反射強度が最大値となる結晶面である（１１１）面となるように、前記基材の表面に銅金属が析出する極側のみに電流がパルス状に出現するパルス電流を前記基材に印加することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 錫及び錫合金半田めっきにおいて、ウィスカーの発生を抑制することのできる、めっき液、めっき膜及びその作製方法を提供する。
【解決手段】 錫めっき膜又は錫合金めっき膜を作製するためのめっき液に、サッカリンナトリウムを含有させる。好ましくは、サッカリンナトリウムを１５ｇ／ｌ以上含有させる。このめっき液を用いて作製されためっき膜は、錫の平均結晶粒径が１．５μｍ以下であり、ウィスカーの発生が抑制されている。めっき時の電流密度を１５ｍＡ／ｃｍ²以上、カソード電位を飽和カロメル電極（ＳＣＥ）に対して９００ｍＶ以上とすることにより、より確実にウィスカーの発生を抑制することができる。
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【課題】３００℃以上の厳しい熱履歴を受けてもクラックが発生し難い電気クロムめっき層が設けられたクロムめっき部材を提供する。
【解決手段】金属製部材の表面に電気クロムめっき層が設けられたクロムめっき部材であって、前記電気クロムめっき層における結晶子の平均直径が１６．０ｎｍ以上であると共に、Ｘ線回折法による｛２１１｝と｛２２２｝のピーク強度比（｛２１１｝／｛２２２｝）が０．１０以上としたクロムめっき部材である。 （もっと読む）

【課題】耐型かじり性と化成処理性を高度に両立し、低コストで製造可能な鋼板を提供する。
【解決手段】鋼板表面に付着量が１０〜２０００ｍｇ／ｍ^２で、かつ次式で定義される（００・２）面の配向率Ｒ（００・２）が０．５以上である亜鉛めっき皮膜を有する。Ｒ（００・２）＝［Ｉ（００・２）／Ｉｓ（００・２）］／Σ［Ｉ（ｈｋ・ｌ）／Ｉｓ（ｈｋ・ｌ）］。ただし、Ｉ（ｈｋ・ｌ）はＸ線回折測定によって得た亜鉛めっき皮膜の各結晶面（ｈｋ・ｌ）の回折ピーク強度（ｃｐｓ）、Ｉｓ（ｈｋ・ｌ）は標準亜鉛粉末の各結晶面（ｈｋ・ｌ）の回折ピーク強度（ｃｐｓ）、Σ［Ｉ（ｈｋ・ｌ）／Ｉｓ（ｈｋ・ｌ）］は、（ｈｋ・ｌ）が、（００・２）、（１０・０）、（１０・１）、（１０・２）、（１０・３）、（１１・０）、（１１・２）、（２０・１）、（１０・４）、（２０・３）の各結晶面についてのＩ（ｈｋ・ｌ）／Ｉｓ（ｈｋ・ｌ）の値の合計。 （もっと読む）