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Fターム[4K024BA01]の内容

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Fターム[4K024BA01]に分類される特許

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【課題】電流が集中するシリンダボアの開口端部における花咲きを抑制するとともに、均一なめっき層を形成可能なシリンダブロックのめっき処理装置およびシリンダブロックのめっき処理方法を提案する。
【解決手段】めっき処理装置1は、シリンダボア102を形成する円筒形状のシリンダ内周面103を有するシリンダブロック101を載置自在な載置台3と、シリンダボア102内に配置されシリンダ内周面103との間に環状の処理液流路4を形成する筒状電極6と、シリンダボア102の一方側の開口縁に当接されシリンダ内周面103に比べて小径な開口を有し処理液流路4の断面積を絞る環状のシール部材21と、シリンダボア102の他方側にめっき処理液11を送給し処理液流路4の他方側から一方側に向けてめっき処理液11を流動させる処理液循環装置12と、を備える。 (もっと読む)


【課題】銅箔に更に電気抵抗膜を形成することにより、電気抵抗材の基板内蔵化を可能とし、且つその接着性を向上させ、抵抗値のばらつきが小さい金属箔及びプリント回路用基板を提供する。
【解決手段】光学的方法で測定した十点平均粗さRzで4.0〜6.0μmに調整した金属箔表面に形成した銅−亜鉛合金膜、この銅−亜鉛合金層の上に形成した酸化亜鉛、酸化クロム、酸化ニッケルから選択した少なくとも1成分からなる安定化膜、さらにこの安定化層の上に形成したニッケルクロム合金からなる電気抵抗膜を備え、さらにこの電気抵抗膜上にテトラエトキシシランを吸着・乾燥させた金属箔であって、前記電気抵抗膜の抵抗値のばらつきを±10%以内にする。 (もっと読む)


本発明は、金属またはプラスチックから成る外側容器を備え、該外側容器が内面および外面をニッケルまたは亜鉛またはコバルト或いはニッケルまたはコバルトを含む合金で特にガルヴァニック被覆されている、機器バッテリーとしてのガルヴァニック素子のためのハウジングに関わる。外側被覆部は前記容器の両端部領域のみに配置され、該両端部領域の間にある中間領域(11)は被覆されていない。さらに本発明は、ガルヴァニック素子用ハウジングの製造方法に関わる。
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電流パルスのような電力パルスは、非水性電解質で電着する金属および合金の化学構造を制御するために使用される。異なる種類のパルスを含む波形を使用し、陰極、オフタイム、陽極と、粒子サイズなどの内部微細構造と、位相成分組成、位相領域サイズ、位相配置あるいは位相分布と、堆積合金の表面形態と、を調整することができる。さらに、これらの合金は強度、硬度、延性、密度において、優れた巨視的機械特性を有する。波形成形の方法によって、鋼鉄と同等の硬度を有するが、同時にアルミニウムとほぼ同等の軽さを有するアルミニウム合金、もしくは言い方を変えれば、同等の延性において、アルミニウム合金よりも硬いが鋼鉄よりも軽いアルミニウム合金を製造することができる。Al-Mn系合金はこれまでこのような強度対重量比で製造されてきた。追加される特性は、電流波形の成形を用いることにより制御可能である。 (もっと読む)


【課題】容易に作成可能なパターニングされたゲル状態のめっき用組成物を提供する。
【解決手段】ゲル化剤と、電気化学反応を行うための導電性イオンと、溶媒と、を有し、ゾル状態で開口13を介して基板20の上に吐出されゲル状態の所定のパターン形状。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、簡便に、金属加工品、微細部品を製造するための金属膜(金型)のパターンおよびその形成方法を提供することにある。
【解決手段】シード膜2が成膜された基板3上に塗布された硬化性樹脂組成物4と、所定パターンを有するモールド5とを相対移動させて、硬化性樹脂組成物4に所定パターンを転写した状態で、硬化性樹脂組成物4を硬化させることで転写されたパターン形状を有する硬化樹脂4´を得る。硬化樹脂4´よりモールド5を取り外し、金属膜を形成する領域の残渣の硬化樹脂4´´を除去後、電鋳処理を経て金属膜11を形成し、その後不要となった硬化樹脂4´を除去する工程を経て形成される。この際、プラスチックモールドと特定の重量平均分子量以下である重合性化合物を配合した可視光硬化性樹脂を使用することにより、より簡便な金属膜のパターンの製造プロセスが提供される。 (もっと読む)


【課題】アスペクト比の高い開口部内に空隙を形成することなく銅層を埋め込むことの可能な電気めっき方法を提供すること。
【解決手段】ウェハ上に銅層を形成する方法は、制御システムを有する電気めっきチャンバ内にウェハを配置する段階と、第1期間302の間にウェハに対する第1電力を正にパルス化する段階と、第1期間302に続く第2期間304の間にウェハに対する第2電力を負にパルス化する段階と、第2期間304に続く第3期間306の間にウェハに対する第3電力を正にパルス化する段階とを備える。 (もっと読む)


【課題】少量のパラジウム使用量によっても水素気体に対する選択性が優秀であるとともに、耐久性の優れた分離膜を製造することができ、また、支持体の種類に係りなく水素気体分離膜の特性を改善することのできる水素気体分離用パラジウム合金複合膜の製造方法を提供する。
【解決手段】(a)乾式スパッタリング蒸着法を用いて多孔性支持体の上部にパラジウムコーティング層を形成する段階;(b)乾式スパッタリング蒸着法を用いて前記パラジウムコーティング層の上部に金属コーティング層を形成する段階;(c)前記金属コーティング層を水素雰囲気下でリフローして合金層を形成する段階とを包含する。 (もっと読む)


銅層での亜鉛ダイカストの電気メッキにおいて、電解液が、亜鉛ダイカストの孔中に浸透する。温度が後に上昇される場合に、これは、孔における電解液の気化及び銅層のブリスター又は剥離を導く。2つの工程において実施されるメッキを目的とする。第一の工程において、1μm未満の薄い銅層のみが適用され、そしてメッキした部品は、電解液の気化を導く温度で処理される。前記薄い銅層は、まだ、避けることができる気化のために十分に多孔性である。電解液の固体の構成成分のみが残る。そして銅層は、約20〜30μmの最終の厚さまで薄くされる。このメッキ工程において、電解液は、もはや、亜鉛ダイカストの孔中に浸透しない。この方法で被覆される部品は、150℃の温度での保管後に、銅層のブリスター又は剥離を示さない。 (もっと読む)


【課題】置換めっき層を剥離する際に、電解めっき層も同時に剥離する従来の置換めっき層の剥離方法の課題を解決できる方法を提供する。
【解決手段】ステム12の表面を形成する金属と電気的に絶縁されてリード線18,18が装着された半導体装置用部材10に、リード線18,18のみに給電する電解めっきによって、リード線18,18の露出面に電解めっき層を形成した後、前記電解めっきの際に、非通電状態のステム12の表面に析出した置換めっき層を除去すべく、半導体装置用部材10を、前記電解めっき層を形成するめっき金属を剥離する剥離性能を有し、且つ電解質が添加された剥離液40に浸漬して、リード線18,18に給電しつつ、前記置換めっき層を剥離液40によって選択的に剥離する。 (もっと読む)


本開示は一般に、磁性電気メッキまたは電着のための技術に関する。例示の方法は、基板へのメッキ材料の析出反応速度を変更するために電着中に磁石を使用することを含むことができる。
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【課題】良好な配向性を維持したまま高い強度を有する膜形成用配向基板および超電導線材を提供する。
【解決手段】膜形成用配向基板5Aは、無配向で非磁性の第1の金属層1と、その第1の金属層1に貼り合わされ、かつ少なくとも表層が配向した集合組織を有する第2の金属層2とを備えている。第1の金属層1は第2の金属層2より高い強度を有している。 (もっと読む)


【課題】 ナノパターンの電着を提供する。
【解決手段】 本開示は、一般に、ナノパターンを電着するための技術に関する。より具体的には、周期構造を複雑なナノパターンで製作するためのシステムと方法について説明する。基板の表面の周囲に位置する1つまたは複数の電極に電気信号を印加することができる。印加電気信号に関連する1つまたは複数のパラメータ(周波数、振幅、周期、デューティサイクル等のうちの1つまたは複数を含む)により蒸着パターンの周期に影響を与えることができる。上述のパラメータは基板に蒸着される各線の重量に影響を与えることができ、電極の数、形状および位置はパターンの形状に影響を与えることができる。 (もっと読む)


【課題】優先配向面が(200)面となる皮膜物性に優れためっき皮膜を得ることのできる銅めっき方法を提供すること。
【解決手段】硫酸銅を主成分とするめっき浴液に、少なくとも、ジアリルジアルキルアンモニウムアルキルサルフェイトとアクリルアミド類と二酸化イオウとの共重合体からなる添加剤と、その他の必要な添加剤とを添加し、高電流密度による電解めっきと低電流密度による電解めっきを交互に、あるいはPRパルス(極性反転パルス)による電解めっきを交互に、あるいは電解銅めっきと置換めっきを交互に、あるいは電解銅めっきとマイクロエッチングを交互に、あるいは上記いずれかのめっき方法の2つ以上を組み合わせることにより、電解めっきを行う。 (もっと読む)


【課題】水道用器具における通水路の内周面から水への溶出量の低減を鉛及びニッケルの両者について実現可能な方法を提供する。
【解決手段】本発明の製造方法は、めっき工程S10と、第1処理工程S11と、第2処理工程S12と、第3処理工程S13と、第4処理工程S14とを備えている。第1処理工程S11では、硝酸と塩酸との混酸水溶液を第1処理液として用意し、めっき工程S10後の第1ワークW1を第1処理液に浸漬して第2ワークW2を得る。第2処理工程S12では、BTA水溶液を第2処理液として用意し、第2処理液に第2ワークW2を浸漬して第3ワークW3を得る。第3処理工程S13では、水酸化ナトリウム水溶液を第3処理液として用意し、第3処理液に第3ワークW3を浸漬して第4ワークW4を得る。第4処理工程S14では、リン酸水溶液を第4処理液として用意し、第4処理液に第4ワークW4を浸漬する。 (もっと読む)


【課題】めっき液中のスラッジ等のパーティクルの発生を抑え、半導体ウエハへのパーティクルの付着を防止する半導体ウエハの電気銅めっき方法、電気銅めっき用含リン銅アノード及びこれらを用いてめっきされたパーティクル付着の少ない半導体ウエハを提供する。
【解決手段】アノード4として含リン銅を使用し、電解時の陽極電流密度が3A/dm以上である場合に、前記含リン銅アノードの結晶粒径を10〜1500μmとし、電解時の陽極電流密度が3A/dm未満である場合に、前記含リン銅アノードの結晶粒径を5〜1500μmとしたアノード4を用いて電気銅めっきを行うことを特徴とする電気銅めっき方法。 (もっと読む)


【課題】研削加工によるだれの発生及び耐久性の低下を抑制することができる微小構造体、ドナー基板、及び微小構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】微小構造体10は、第1の硬度を有する第1の導電膜からなるNi膜パターン2A〜2Eと、第1の硬度よりも低い第2の硬度を有する第2の導電膜からなるAu薄膜パターン6aとを交互に積層してなるとともに、第2の硬度よりも低くない第3の導電膜からなるNi薄膜パターン4aをAu薄膜パターン6aの外側に配置してなる。 (もっと読む)


【課題】端子の基材と該基材上に形成された錫(すず)ビスマスから成る表面層との間に、ビスマスの偏析を抑制する偏析抑制層を形成することによって、ウィスカの発生及び成長を効果的に抑制することができ、短絡が発生することがなく、環境規制に適合することができ、地球環境に対する負荷が小さく、コストが低く、耐久性が高くなるようにする。
【解決手段】ケーブル又は基板と電気的に接続されるコネクタであって、ハウジングと、該ハウジングに装填(てん)された端子51とを有し、該端子51は、金属から成る基材52と、該基材52上に形成されたビスマスの偏析を抑制する偏析抑制層と、該偏析抑制層上に形成された錫ビスマス合金から成る表面層とを備える。 (もっと読む)


【課題】素体の腐食を抑制し、セラミック電子部品の電気特性の劣化を防止することができる電気スズめっき液および当該電気スズめっき液を用いた電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係るめっき液は、セラミック電子部品用の電気スズめっき液であって、スズイオンを含み、pHが3以上8以下であり、水に対する水酸化物の溶解度が0.5mol/L以上であるカチオンの濃度が、0.5mol/L以下である。 (もっと読む)


【課題】貫通シリコンビア形成時におけるビア内側壁の銅シード層のカバレッジが良好で均一な銅配線層を有するめっき物を提供することを目的とする。
【解決手段】基材上にバリア層として形成された、タングステン及びタングステンと合金化した際に銅に対するバリア性を有する金属(A)との合金薄膜、その上に無電解置換銅めっきにより銅シード層、さらに前記無電解置換銅めっきを実施したのと同一のめっき液を用いた電気銅めっきにより銅配線層がこの順番で形成されてなる、貫通シリコンビアを有するめっき物。 (もっと読む)


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