【課題】耐火物の表面にコーティングされた酸化防止剤が、加熱によって膨れ、凝集、剥がれ、または流出することがなく、熱伝導率を向上させることができる黒鉛含有耐火物を提供する。
【解決手段】本発明の黒鉛含有耐火物１は、耐火物の表面に金属コーティング層２を形成した黒鉛含有耐火物である。耐火物の表面に金属コーティング層２が形成されていることにより、酸化防止剤が、加熱によって膨れ、凝集、剥がれ、または流出することがなく、熱伝導率が高くなり溶融時間の短縮等の効果を奏する。 （もっと読む）

【課題】 従来の遮蔽格子の透過部よりもＸ線の透過率が高い透過部を備える遮蔽格子として用いることができる構造体と、その製造方法とを提供することを目的とする。
【解決手段】 構造体の製造方法は、基板の第１の面２８に複数の凸部３０を形成する工程と、複数の凸部の間に金属を充填して金属構造体１を形成する工程と、複数の凸部の頂面３１と、基板の第１の面と対向する基板の第２の面２９のうち複数の凸部の頂面３１に対向する部分３２と、にはさまれた領域の少なくとも一部をエッチングする工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】導電性長繊維の繊維束を芯線とする被覆電線において、軽量で導電性に優れ、柔軟性に優れかつ繊維束の収束性が良好で端部のストリッピングされた部分でケバ立ちを生じにくい被覆電線を提供しようとする。
【課題を解決するための手段】導電性長繊維の繊維束を芯線とする被覆電線であって、前記導電性長繊維が、非金属線の表面に無電解メッキ層が形成されさらに該無電解メッキ層の表面に電解メッキ層が形成されてなり、前記芯線中で互いに隣接の導電性長繊維同士が前記電解メッキ層を形成する金属を介して部分的に結合された連接部を有し、前記繊維束の断面で観察される前記連接部で結合された導電性長繊維の平均本数が、前記繊維束を構成する導電性長繊維の総本数の１０〜８０％である被覆電線である。 （もっと読む）

【課題】焼結などのようなエネルギー効率が低く煩雑な操作を必要とせずに、簡単な操作で多孔質アルミニウム材料を効率よく製造することができる多孔質アルミニウム材料の製造方法を提供すること。
【解決手段】多孔質構造を有するアルミニウム材料を製造する方法であって、有機溶媒に対して不溶の水溶性物質の粒状物および当該有機溶媒の存在下でアルミニウムを電析させた後、当該アルミニウムの電析によって得られた電析物に含まれている水溶性物質の粒状物を水に溶解させ、当該水溶性物質の粒状物を電析物から除去することを特徴とする多孔質アルミニウム材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】電解めっき法によるＣｕ膜の確実に析出させる。
【解決手段】抑制剤と促進剤を添加しためっき液とシリコン基板の相対速度が１００ｍ／分以上になる速度でシリコン基板を回転させながら、シリコン基板をめっき槽に浸漬させる。抑制剤の分子がシード層の表面に吸着し、シード溶解が抑制される。導電膜を成長させるときは、シリコン基板とめっき液の相対速度が３０ｍ／分以下になる速度でシリコン基板を回転させながら、シリコン基板とアノード電極の間に通電する。ボトムアップ成長が促進され、配線溝内での空孔の形成が防止される。 （もっと読む）

【課題】酸又は酸性めっき液への溶解性が極めて高く、大気中における保存安定性に優れた酸化第一錫粉末及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｎ合金めっき液へのＳｎ成分補給用酸化第一錫粉末であって、酸化防止剤が粉末中に質量比で１００〜５０００ｐｐｍ含まれ、温度２５℃の１００ｇ／Ｌアルキルスルホン酸水溶液１００ｍｌに酸化第一錫粉末０．１ｇを添加して攪拌したとき、１８０秒以内で溶解する溶解速度を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】高分子繊維材料の強度（強力）を低下させずに密着性を向上させ、これにより、めっき皮膜の導電性の低下を防止するともに、導電性のバラツキを減少させることができる高分子繊維材料のめっき方法等を提供すること。
【解決手段】本発明に係るめっき方法は、（１）高分子繊維材料をラジカル処理するラジカル処理工程と、（２）ラジカル処理工程を経た高分子繊維材料Ａをカチオン系界面活性剤溶液に浸漬するカチオン処理工程と、（３）カチオン処理工程を経た高分子繊維材料ＢをＰｄとＳｎのコロイド溶液に浸漬するＳｎ−Ｐｄ触媒浸漬工程と、（４）Ｓｎ−Ｐｄ触媒浸漬工程を経た高分子繊維材料Ｃを酸溶液に浸漬するアクセレーター処理工程とを備える。更に、Ｓｎ−Ｐｄ処理工程を経た高分子繊維材料Ｄを無電解めっき又は電気めっきするめっき工程を備えるとよい。 （もっと読む）

【課題】簡便な金属膜形成方法、特には金属パターン形成方法を提供する。
【解決手段】固体電解質及び金属イオンを含有する固体電解質膜を挟んで配置された陰極基材と陽極基材間に電圧を与えることにより金属イオンを還元して陰極基材上に金属を析出させる工程ａ）を含む金属膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】電気的接続の信頼性を損なうことなく電気抵抗率を従来よりも低減できる埋め込み配線を有する半導体装置用基板および半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明は、上記目的を達成するため、埋め込み配線を有する半導体装置用基板であって、前記埋め込み配線は、金属多結晶体からなり、平均結晶粒径が異なる少なくとも２層の領域を前記基板の厚さ方向に有し、前記埋め込み配線の開口面を含む層の平均結晶粒径が、前記埋め込み配線の他の層の平均結晶粒径よりも小さいことを特徴とする半導体装置用基板を提供する。また、本発明は、上記半導体装置用基板を用いたことを特徴とする半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板等の回路にかかる力を緩和する能力を有する導電性微粒子、及び、基板間の距離を一定に維持する方法を提供する。
【解決手段】樹脂からなる基材微粒子の表面が１層以上の金属層に覆われてなる導電性微粒子であって、前記金属層の全ての層の熱膨張率がそれぞれ１×１０^−５〜３×１０^−５（１／Ｋ）であり、かつ、各金属層と前記基材微粒子との熱膨張率の比（基材微粒子の熱膨張率／金属層の熱膨張率）がそれぞれ０．１〜１０である導電性微粒子。 （もっと読む）

【課題】従来よりも大きな径を有するとともに、大きな比表面積を有することにより、大きな分子に対しても適用可能な高活性の触媒として使用できる白金系のメソポーラス金属膜を与える。
【解決手段】ブロックコポリマー界面活性剤及び白金を含む金属塩の希薄な水溶液を電気分解することにより、電極上に上記メソポーラス金属膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】たとえ銅シード層に比べて誘電率の低いＲｕ等からなる補助金属層に覆われたビアホールや、Ｒｕ等からなる補助金属層が一部に露出したビアホールであっても、ビアホールの内部に、内部にボイド等の欠陥を生じさせることなく、銅等のめっき金属を確実に埋込むことができるようにする。
【解決手段】表面にビアホールが形成された基板を前処理液に浸漬させて前処理を行い、基板とアノードとの間に電圧を印加することなく、基板をめっき液に浸漬させてビアホール内の前処理液をめっき液に置換し、基板とアノードとの間に印加される電圧を、ビアホール内にめっき金属を埋込むのに適した電流が基板とアノードとの間を安定して流れるのに必要な電圧または該電圧より高い電圧に制御して第１段電気めっきを行い、基板とアノードとの間を流れる電流を、ビアホール内にめっき金属を埋込むのに適した電流に制御して第２段電気めっきを行う。 （もっと読む）

【課題】
高い熱伝導率と半導体素子に近い熱膨張率を兼ね備え、さらには、半導体素子のヒートシンク等として使用するのに好適なように、表面の面粗さ、平面度を改善したアルミニウム−ダイヤモンド系複合体を提供する。
【解決手段】
ダイヤモンド粒子を４０体積％〜７０体積％含有し、残部がアルミニウムを含有する金属で構成され、厚みが０．４〜６ｍｍの板状又は凹凸部を有する板状のアルミニウム−ダイヤモンド系複合材料であって、両主面が厚み０．０５〜０．５ｍｍのアルミニウム−セラミックス系複合体で被覆され、且つ側面部及び穴部がアルミニウム−ダイヤモンド系複合体が露出してなる構造であることを特徴とするアルミニウム−ダイヤモンド系複合体を提供する。 （もっと読む）

【課題】金属または金属酸化物からなる微細構造体を容易に、導電性基板上に規則的に配列させて作製できる微細構造体の製造方法および該製造方法を用いて得られる複合体の提供。
【解決手段】導電性基板１３上に有機膜１２を形成し、該有機膜１２上に、特定一般式（１）で表されるブロック共重合体（１）を溶媒に溶解した溶液を塗布して両親媒性ブロック共重合体膜１１を形成する。次に、有機膜１２および両親媒性ブロック共重合体膜１１が形成された導電性基板１３に対して熱処理を行って、該両親媒性ブロック共重合体膜１１内を、親水相と疎水相とに相分離させ、相分離構造膜１４とする。その後、導電性基板１２に対して電解メッキ処理を行う。これにより、相分離構造膜１４の親水相１５の位置に金属または金属酸化物からなる微細構造体１６が形成される。電解メッキ処理の後、さらに、相分離構造膜１４のみを除去する工程を行ってもよい。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ない化合物半導体層を種基板上にエピタキシャル成長できる化合物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】電解めっきにおいて種基板１０を膜厚方向に貫通する貫通転位１０１〜１０５をそれぞれ通して種基板１０の厚さ方向に電流を流すことにより、種基板１０の第１の主面１１上の貫通転位１０１〜１０５が存在する位置に金属膜２０１〜２０５を選択的に形成するステップと、金属膜２０１〜２０５の融点より低いエピタキシャル成長温度で、金属膜２０１〜２０５を覆うように種基板１０の第１の主面１１上に化合物半導体層３０をエピタキシャル成長させるステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】 エレクトロマイグレーションの影響を低減できるＣｕ配線を備えた半導体装置
及びその製造方法を目的とする。
【解決手段】
Ｃｕ配線１０を備える半導体装置１において、
Ｃｕ配線１０の断面構造は、側部及び下部をバリアメタル２０に接し、上部を絶縁膜３
０に接し、絶縁膜３０に接するＣｕ配線１０の上部のグレインサイズが、Ｃｕ配線１０の
中央部のグレインサイズより小さ。さらに、バリアメタルに接するＣｕ配線１０の側部及
び下部のグレインサイズが、Ｃｕ配線１０の中央部のグレインサイズより小さい。 （もっと読む）

【課題】絶縁性基材に設けられた微細孔への金属の充填率が高く、かつ、金属充填に伴う残留応力によって微細構造体に反りが発生することを防止することができる金属充填微細構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性基材に設けられた貫通孔１０１，１０２等の平均開孔径が１０〜５０００ｎｍであり、平均深さが１０〜１０００μｍであり、前記貫通孔の密度が１×１０⁶〜１×１０¹⁰個／ｍｍ²である絶縁性基材に、前記貫通孔への金属の仮想充填率が１００％よりも大きくなるように、電解めっき処理により前記貫通孔へ金属を充填する工程、絶縁性基材の表面に付着した金属を研磨処理により除去する工程を有し、前記貫通孔内部に充填される金属の結晶粒子径と、前記絶縁性基材の表面に付着する金属の結晶粒子径と、の差が２０ｎｍ以下となるように前記電解めっき処理を実施することを特徴とする金属充填微細構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ボイド、ディッシング、及びエロージョンの発生を抑制することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜に幅の異なる複数の開口部３６，３７を形成し、次いで、絶縁膜の上面、及び幅の異なる複数の開口部内にシード層３８を形成し、次いで、第１の成長速度により、シード層の表面を覆う第１のめっき膜７１を形成し、次いで、第１の成長速度よりも速く、かつボイドを生じさせない第２の成長速度により、第１のめっき膜の表面に第２のめっき膜７２を形成し、次いで、第２の成長速度よりも速い第３の成長速度により、第２のめっき膜上に第３のめっき膜７３を形成し、その後、シード層及び第１乃至第３のめっき膜のうち、絶縁膜の上面よりも上方に形成された部分を研磨により除去することで、開口部内に少なくとも第１及び第２のめっき膜よりなる導電部を形成する。 （もっと読む）

【課題】繊維めっき装置の小型化を図るとともに、繊維めっきに必要な時間を短縮し、効率的に繊維めっきを実施することができる繊維めっき治具、及び、これを用いた繊維めっき方法を提供する。
【解決手段】繊維めっき治具１０は、回転軸１４を中心に回転するものであって、漸次狭幅となる部分等を備えた開口スリット１２ａが形成され、被めっき繊維が掛架される掛架凹部１２ｂが列設された被めっき繊維の掛架板１２を備え、掛架凹部１２ｂが回転軸１４を中心とする円周上に配置され、且つ、開口スリット１２ａが回転軸１４に対して外向きに形成される。掛架板１２は、回転軸１４を中心とし、これを取り囲んで複数設けられ、回転軸１４と平行に配置される支持骨格１６ｃに取り付けられ、支持骨格１６ｃにより支持される。 （もっと読む）