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Fターム[4K024BB10]の内容

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Fターム[4K024BB10]に分類される特許

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【解決手段】水溶性錫塩と、無機酸及び有機酸並びにその水溶性塩から選ばれる1種又は2種以上と、水溶性タングステン塩、水溶性モリブデン塩及び水溶性マンガン塩から選ばれる1種又は2種以上とを含有する錫電気めっき浴。
【効果】チップ部品、水晶発振子、バンプ、コネクタ、リードフレーム、フープ材、半導体パッケージ、プリント基板等の電子機器を構成する部品などに、錫−鉛合金めっき材料の代替としてウィスカ抑制効果の高い錫めっき皮膜を形成できる。 (もっと読む)


【課題】酸に弱い素材の部品にも適用することができ、Sn及びSn合金に耐酸化性を付与し、はんだ濡れ性を改善する表面処理剤を提供する。更に、Sn及びSn合金のウィスカーの発生を抑制する表面処理剤を提供する。
【解決手段】タンニン酸を0.01g/L以上含むことを特徴とするSn及びSn合金に対する表面処理剤。溶媒として水系溶媒を用いた場合は、溶液のpHを3〜5に調整することが好ましい。また、更に酸化防止剤を含むことによりタンニン酸を安定化することができる。 (もっと読む)


【課題】接続端子の摺動部などに好適なめっき材料、および前記めっき材料を用いて挿抜性を改善した、嵌合型多極コネクタなどの電気電子部品を提供する。
【解決手段】導電性基体1上にNiなどの下地層2が設けられ、その上にCuまたはCu合金の銅系層3、Cu−Sn金属間化合物からなる中間層4、SnまたはSn合金からなる錫系層5がこの順に設けられ、さらにその上にCu−Sn金属間化合物からなる最外層6が設けられためっき材料7。このめっき材料7を、端子などの摺動面に用いたとき、最外層6が硬質のCu−Sn金属間化合物からなるため、端子間の接触圧力を小さくしても、フレッティング現象が起き難いので端子の挿抜性改善に有利である。 (もっと読む)


【課題】Cu−Ni−Sn−P系銅合金において、表面平滑性および耐熱剥離性に優れたリフローSnめっき銅合金材料を提供する。
【解決手段】質量%で、Ni:0.1〜2.5%、Sn:0.1〜2.0%、P:0.002〜0.2%であり、さらに必要に応じてFe:0.8%以下およびZn:5%以下の1種以上を含み、残部実質的にCuの組成をもつ銅合金の表面に、下から順に、厚さ0〜0.3μmのCu層、Cu−Sn拡散層、Sn層の構造を有する被覆層が形成されており、圧延方向の表面粗さがRa:0.08μm以下、Ry:0.6μm以下であるSnめっき銅合金材料。板表面に対して垂直方向から見たCu−Sn拡散層の平均粒径が0.5〜10μmであり、最表面の酸化膜厚が30nm以下であるものが特に好適な対象となる。 (もっと読む)


【課題】薄膜化しても、はんだぬれ性、ワイヤーボンディング強度等に優れためっき皮膜を与える電解用パラジウムめっき液を提供すること、及び、上記性能に優れたリードフレームを提供すること。
【解決手段】水溶性パラジウム塩、及び、置換基を有していてもよいナフタレンモノスルホン酸若しくはナフタレンジスルホン酸又はそれらの塩を含有することを特徴とする電解用パラジウムめっき液、それを用いて形成された電解パラジウムめっき皮膜、並びに、電解ニッケルめっき皮膜、上記電解パラジウムめっき皮膜、電解金めっき皮膜を順次形成させたリードフレーム。 (もっと読む)


【課題】めっき皮膜中の炭素粒子の含有量が多く、摩擦係数が低く且つ優れた耐摩耗性の複合めっき材を提供する。
【解決手段】湿式酸化処理を行った後にシランカップリング処理を施した炭素粒子を、硝酸銀と硝酸アンモニウムを含む銀めっき液に添加して複合めっき液を用意し、この複合めっき液を使用して電気めっきを行うことにより、銀層中に炭素粒子を含む複合材からなる皮膜を素材上に形成する。シランカップリング処理は、炭素粒子を有機溶媒中に分散させて懸濁させた後にシランカップリング剤を添加する処理であり、シランカップリング剤として、ビニル基、エポキシ基、アミノ基およびメルカプト基からなる群から選ばれる少なくとも一種の有機官能基と、メトキシ基、エトキシ基およびイソプロポキシ基からなる群から選ばれる少なくとも一種の加水分解基とを有するシランカップリング剤を使用することができる。 (もっと読む)


【課題】銅合金条又はステンレス鋼条等の金属材料(被めっき材)に施されたリフローSnめっきにおいて、耐ウィスカー性を有することを特徴とするリフローSnめっき材を提供することであり、その材料を用いた電子部品を提供する。
【解決手段】金属材料表面にリフローSnを施しためっき材において、下地めっきとしてNiまたはNi合金めっきを有し、下地めっきの上の表面めっきに存在する純Sn層の平均厚みが0.05μm〜0.6μmであり、かつ表面めっきの断面に存在するNiとSnの合金層の割合が50%95%であることを特徴とする低ウィスカー性リフローSnめっき材。 (もっと読む)


【課題】摩擦係数が低く(低い挿入力)、電気的接続の信頼性(低い接触抵抗)を維持でき、同時にはんだ付け性を付与できる接続部品用導電材料を得る。
【解決手段】Cu板条からなる母材3の粗面化した表面に、平均の厚さが0.1〜3.0μmのNi被覆層4と、平均の厚さが1.0μm以下のCu被覆層5と、平均の厚さが0.2〜3.0μmのCu−Sn合金被覆層6と、Sn被覆層7がこの順に形成された接続部品用導電材料1。材料1の表面1bに対する垂直断面1aにおいて、Sn被覆層7の最小内接円の直径[D1]が0.2μm以下、最大内接円の直径[D2]が1.2〜20μm、材料1の最表点1AとCu−Sn合金被覆層6の最表点6Bとの高度差[y]が0.2μm以下である。 (もっと読む)


【課題】外部応力に伴うウィスカの成長を効果的に抑制することができるめっき膜及びその形成方法を提供する。
【解決手段】リードフレーム10を構成する基材11の表面及び裏面には、錫又は錫合金からなる錫めっき膜13が形成されている。錫合金としては、例えば錫−銅合金(銅の含有量:2質量%)、錫−ビスマス合金(ビスマスの含有量:2質量%)等が挙げられる。基材11は、例えばCu合金等から構成されている。錫めっき膜13内には、複数の結晶粒12が不規則に配列している。更に、錫めっき膜13中に、複数の空隙部14が存在する。その後に曲げ加工等が行われても、錫めっき膜13中に空隙部14が存在しているため、外部応力が緩和される。このため、外部応力に伴うウィスカの成長が抑制される。 (もっと読む)


【課題】銀層中に炭素粒子を含有する複合材からなる複合めっき皮膜が素材上に形成され、炭素粒子の含有量および表面の炭素粒子の量が多く、摩擦係数が低く且つ耐摩耗性に優れ、表面の炭素粒子が脱落し難い、複合めっき材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化処理を行った炭素粒子を添加した銀めっき液を使用して電気めっきを行うことにより、銀層中に炭素粒子を含有する複合材からなる複合めっき皮膜を素材上に形成した後、銀めっき液を使用して電気めっきを行うことにより、複合めっき皮膜の表面に露出した炭素粒子を部分的に取り囲むように銀めっき皮膜を複合めっき皮膜上に形成する。 (もっと読む)


【課題】接続端子の摺動部などに好適なめっき材料、および前記めっき材料を用いて挿抜性を改善した、嵌合型多極コネクタなどの電気電子部品を提供する。
【解決手段】導電性基体1上にNiなどの下地層2が設けられ、その上に銅または銅合金の中間層3が設けられ、その上にCu−Sn金属間化合物からなる最外層4が設けられためっき材料5。めっき材料5を、端子などの摺動面に用いたとき、最外層4が硬質のCu−Sn金属間化合物層からなるため、端子間の接触圧力を小さくしても、フレッティング現象が起き難い。従ってめっき材料5を摺動面に用いた端子はめっき層を薄くするなどして挿抜性を高めることができる。めっき材料5は、製造中または使用中の基体成分の熱拡散が前記下地層2により防止され、下地層成分の熱拡散が中間層3に阻止されるので、最外層4のCu−Sn金属間化合物層が汚染されず、その機能が良好に保持される。 (もっと読む)


【課題】はんだと導体の界面に脆性の高い金属間化合物層が成長するのを抑制し、高温保持環境下においてもはんだ接続部の接合強度が低下することのないはんだめっき導体及びその製造方法を提供するものである。
【解決手段】本発明に係るはんだめっき導体は、導体1の周りにはんだめっき層4を設けたものであり、導体1とはんだめっき層4の間に、内層側のNi層2と、外層側のNiとSn(又はNiとSnとCu)の金属間化合物層3とで構成される0.4〜3.0μmの中間層を備えたものである。 (もっと読む)


【課題】 ウィスカの発生を抑制するとともに、良好なはんだ濡れ性を有するめっき被膜部材を提供する。
【解決手段】 めっき被膜部材は、銅を主成分とする基材(10)と、前記基材を被覆する錫を主成分とするめっき皮膜(13)と、前記基材と、めっき皮膜の界面に位置する錫と銅の化合物バリア層(12)とを備え、前記化合物バリア層の密度は、銅の密度よりも大きい。 (もっと読む)


【課題】鉛及びすずを含まない金属を用い、かつはんだぬれ性がよく、安価で信頼性のよいコネクタ用接続端子の表面処理方法を得る。
【解決手段】はんだ付け部にニッケル、パラジウム及び金の3層構造の表面処理がなされたコネクタ用接続端子の表面処理方法において、パラジウム層を電流密度1乃至10A/dmの条件によりニッケル層上に電解めっきした後、金層を電流密度0.05乃至0.1A/dmの条件により電解めっきを行い、パラジウム層の厚さが0.007μm以上0.1μm未満の範囲、金層の厚さが、0.003μm以上0.01μm未満の範囲、かつ金層の厚さ<パラジウム層の厚さの関係を有すると共に、金層がパラジウム層を形成するパラジウムストライク表面を部分的にラップするようにした。 (もっと読む)


【課題】線材メーカー等から入手できる、鉛フリーのスズメッキが施されたリード線を、そのままタブ端子に使用した場合であっても、溶接部分からのスズウィスカが発生しない、電解コンデンサ用タブ端子を製造する方法を提供する。
【解決手段】芯材表面にスズからなる金属層が形成されてなるリード線端部に、圧扁部を有するアルミ芯線が溶接されてなるタブ端子を製造する方法であって、芯材表面にスズからなる金属層が形成されてなるリード線端部に、アルミ芯線を溶接し、該アルミ芯線の端部を圧扁してタブ端子を準備する工程、および前記タブ端子を、リン系溶剤で洗浄する工程、を含んでなることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】良好な耐熱性と挿抜性を併有するめっき材料を提供する。
【解決手段】導電性基材1の表面に、周期律表4族、5族、6族、7族、8族、9族、もしくは10族に含まれるいずれか1種の金属またはそれを主成分とする合金から成る下地めっき層2と、CuまたはCu合金から成る中間めっき層3と、SnまたはSn合金から成る表面めっき層4とがこの順序で形成されており、かつ、表面めっき層4の厚みが中間めっき層3の厚みの1.9倍以上の厚みであるめっき材料。 (もっと読む)


【課題】良好な耐熱性と挿抜性を併有するめっき材料を提供する。
【解決手段】導電性基材1の表面に、周期律表4族、5族、6族、7族、8族、9族、もしくは10族に含まれるいずれか1種の金属またはそれを主成分とする合金から成る下地めっき層2と、CuまたはCu合金から成る中間めっき層3と、SnまたはSn合金から成る表面めっき層4とがこの順序で形成されており、かつ、表面めっき層4の厚みが中間めっき層3の厚みの1.9倍以上の厚みであるめっき材料。 (もっと読む)


【課題】良好な耐熱性と挿抜性を併有するめっき材料を提供する。
【解決手段】導電性基材1の表面に、周期律表4族、5族、6族、7族、8族、9族、もしくは10族に含まれるいずれか1種の金属またはそれを主成分とする合金から成る下地めっき層2と、CuまたはCu合金から成る中間めっき層3と、SnまたはSn合金から成る表面めっき層4とがこの順序で形成されており、かつ、表面めっき層4の厚みが中間めっき層3の厚みの1.9倍以上の厚みであるめっき材料。 (もっと読む)


【解決手段】シアン化金塩を金基準で0.01〜0.1モル/dm3、水溶性ニッケル塩をニッケル基準で0.017〜0.67モル/dm3、及びクエン酸又はその塩を含有し、金とニッケル濃度の比(Au/Ni)がモル比として0.15〜0.6、クエン酸又はその塩とニッケル濃度の比(Cit/Ni)がモル比として1〜3であり、pHが3〜11であることを特徴とするAu:Niの比率が原子比として31:69〜60:40であるアモルファス金−ニッケル系合金めっき皮膜を形成する電気めっき液。
【効果】本発明によれば、高硬度で接触抵抗の低いアモルファス金−ニッケル系合金めっき皮膜を形成することができ、リレー等の電気・電子部品の接点材料として有用である。 (もっと読む)


【課題】微細な金メッキ剥離加工を効率よくかつ高精度に行う。
【解決手段】出射ユニット16は、YAGレーザ発振器より光ファイバ18を介して受け取ったYAG第2高調波のレーザ光SHGをユニット内の光学レンズに通して先端の出射口より出射し、各コンタクトWに設定された剥離領域HE内に扁平度の高い楕円状ビームスポットSPSHGで集光照射する。剥離領域HEにおいては、楕円状ビームスポットSPSHG付近で金メッキ層12がレーザエネルギーにより一瞬に蒸発して除去される。剥離領域HE内の金メッキ層12をほぼ隈なく除去するために、YAG第2高調波レーザ光SHGと加工対象のコンタクトWとの間で楕円状ビームスポットSPSHGの長軸方向に対して所望の角度をなす方向に相対移動(走査)が行われる。 (もっと読む)


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