【課題】 金属体に含まれるグラファイトの定着性を向上することができる電気接点材料製造方法及び電気接点材料を提供する。
【解決手段】 電気接点材料１０の母材の表面に、電気メッキによって銀メッキ８を形成する。電気メッキによって銀メッキ８を形成する際、メッキ液中にグラファイト９の粉末を混入することで、銀メッキ８にはグラファイト９が分散されている。グラファイト９にはそれ自体に潤滑作用があるため、銀メッキ８にグラファイト９が含有された材料を電気接点材料１０として用いた場合には、グリースやオイル等の潤滑剤を塗布しなくて済むことから、この電気接点材料１０はグリースレス摺動接点として使用される。銀メッキ形成後、電気接点材料１０に高温化処理を施すことで銀メッキ８の表面８ａを溶融し、表面８ａ上のグラファイト９を銀メッキ８に定着させる。 （もっと読む）

【課題】 メッキに含有されたグラファイトの定着性を向上することができる電気接点材料製造方法及び電気接点材料を提供する。
【解決手段】 電気接点材料１０の母材の表面に、電気メッキによって銀メッキ８を形成する。電気メッキによって銀メッキ８を形成する際、メッキ液中にグラファイト９の粉末を混入することで、銀メッキ８にはグラファイト９が分散されている。グラファイト９にはそれ自体に潤滑作用があるため、銀メッキ８にグラファイト９が含有された材料を電気接点材料１０として用いた場合には、グリースやオイル等の潤滑剤を塗布しなくて済むことから、この電気接点材料１０はグリースレス摺動接点として使用される。銀メッキ形成後、電気接点材料１０に加圧処理を施すことで銀メッキ８の表面８ａを塑性変形させ、表面８ａ上のグラファイト９を銀メッキ８に定着させる。 （もっと読む）

【課題】 配線基板や実装部品との接合部を形成する際に、半導体製造技術においてはリフロー等の熱処理又は加熱されるため、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）等の耐熱性の低い実装部品の場合には、上手く接合出来ない。
【解決手段】 本発明は、配線基板１と実装部品３の配線導体５，１１間を電気的に接続するための接合部２がメッキ処理により析出された金属により形成される接合構造体である。この接合部２は、配線導体５及び／又は配線導体１１に形成されたバンプの先端部を近接又は当接させて保持し、電解メッキ液１７内で通電させることにより、電解メッキ金属を析出させて形成される。 （もっと読む）

本発明は、入射光を拡散する粗い上面（１５００）と断面とを有するポストと、自動画像認識に適したらか滑な反射面を有し、かつポストの断面よりも小さい断面を有する、ポストの粗い上面にリソグラフィーでメッキされた先端部とを備える微細加工された先端部（６８０）及びポスト構造（６７０）に関する。
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【課題】 分散剤などの添加物を使用することなく且つ炭素粒子の表面をコーティングすることなく、銀めっき液中に炭素粒子を良好に分散させて、炭素粒子の含有量および表面の炭素粒子の量が多く、耐摩耗性に優れた複合めっき材の製造方法を提供する。
【解決手段】 電解処理により炭素粒子の表面の親油性有機物を除去し、この親油性有機物を除去した炭素粒子を銀めっき液に添加することにより炭素粒子を銀めっき液中に均一に分散させ、この銀めっき液を使用して電気めっきを行うことにより、銀層中に炭素粒子が均一に分散した複合材からなる皮膜を素材上に形成する。 （もっと読む）

【課題】銀層中に炭素粒子を含有する複合材からなる皮膜が素材上に形成され、炭素粒子の含有量および表面の炭素粒子の量が多く、摩擦係数が低く且つ耐摩耗性に優れた複合めっき材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 酸化処理を行った炭素粒子と銀マトリックス配向調整剤とを添加した銀めっき液を使用して電気めっきを行うことにより、銀マトリックスの配向を調整して、銀層中に炭素粒子を含有する複合材からなる皮膜を素材上に形成する。 （もっと読む）

【課題】層中に炭素粒子を含有する複合材からなる複合めっき層が最外層として形成され、摩擦係数が低く且つ接触抵抗値の経時劣化が少ない複合めっき材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 複合めっき材の導体素材の上に下地めっき層として厚さ０．５〜２．０μｍの錫めっき層が形成され、この錫めっき層上に、錫層中に炭素粒子を含有する複合材からなる厚さ０．５〜２．０μｍの複合めっき層が最外層として形成されている。 （もっと読む）

【課題】インデント加工した場合でも、錫リフロー材などの他の種類の錫めっき材との間の摩擦係数が極めて低い錫めっき材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】炭素粒子および芳香族カルボニル化合物を添加した錫めっき液を使用して電気めっきを行うことにより、錫層中に炭素粒子を含有する複合材からなる皮膜を素材上に形成する際に、錫めっき液中の炭素粒子の濃度を２０ｇ／Ｌ未満、好ましくは１０ｇ／Ｌ以下にすることにより、適度に凝集した炭素粒子が錫層中に適度に分散した複合材からなる皮膜を素材上に形成され、リフロー処理を施した錫めっき材との間の摩擦係数が０．１６以下、算出平均粗さＲａが０．１〜０．５μｍ、最大高さＲｙが８〜１６μｍ、十点平均粗さＲｚ７〜１２μｍ、光沢度が０．８以上、皮膜の厚さが０．５〜３μｍ、皮膜中の炭素の含有量が０．１〜１．２重量％以下の錫めっき材を製造する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ又はＣｕ合金からなる母材表面に表面多層めっき層を形成した材料について、高温雰囲気下で長時間経過後も低接触抵抗を維持することができる接続部品用導電材料を得る。
【解決手段】 Ｃｕ又はＣｕ合金からなる母材表面に、Ｎｉ層、Ｃｕ−Ｓｎ合金層及びＳｎ層からなる表面めっき層がこの順に形成され、かつ前記Ｎｉ層の厚さが０．１〜１．０μｍ、前記Ｃｕ−Ｓｎ合金層の厚さが０．１〜１．０μｍ、そのＣｕ濃度が３５〜７５ａｔ％、前記Ｓｎ層の厚さが２．０μｍ以下で、かつ０．００１〜０．１質量％のカーボンを含有する。Ｓｎ層の厚さが０．５μｍ以下の場合、多極の嵌合型端子用として用いたときに挿入力が低く、Ｓｎ層の厚さが０．５μｍを越える場合、リフローソルダリング等の加熱処理を受けた後でもはんだ濡れ性が確保されＪＢのような非嵌合型接続部品用として適する。 （もっと読む）

【課題】連続した条材や条板に複合めっき皮膜を均一に形成して、連続的なプレスなどの加工に適した複合めっき材を製造することができる、複合めっき材の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】 素材１０を水平方向に搬送する間に、前処理工程と、固体粒子を含むめっき液を用いて固体粒子を含有する複合材からなる皮膜を素材上に形成する複合めっき工程と、後処理工程とを連続的に行う複合めっき材の製造装置において、処理工程を行う前処理槽と、この前処理槽の出口側に配置されて複合めっき工程を行う複合めっき槽２０と、この複合めっき槽の出口側に配置されて後処理工程を行う後処理槽とを備え、複合めっき槽の出口に液切り用パッキング３４を設け、この弾性部材に複合めっき槽から搬出される素材が当接して、後処理槽に導入されるめっき液の量を低減する。 （もっと読む）

本発明は、特に整流器に使用するための圧入ダイオードであって、ダイオードチップ（７）と、支持体にダイオード（１）を圧入するための、圧入ダイオード（１）の第１の端子を形成するソケットコンタクト（３）と、圧入ダイオード（１）の第２の端子を形成する線材コンタクト（２）とを有している形式のものに関する。良好にはんだ付け可能で耐腐食性の圧入ダイオード（１）は、線材コンタクト（２）に少なくとも部分的に銀層（１０）を設け、ソケットコンタクト（３）には有利には銀層（１０）を設けないことによって製作され得る。
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電気接点のための接点表面を形成する方法が紹介され，その場合に銅ベースの基板上に金属が電気化学的方法で析出される。上記金属は，上記金属から容易に溶かし出すことのできるスペースホルダ材料と共に上記基板上に析出され，次に，上記スペースホルダ材料が上記金属層から溶かし出されて，残った多孔質の金属泡に潤滑剤が含浸される。
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【課題】 製造コストを増加させること無く、Ｃｕ-Ｎｉ-Ｓｉ-Ｚｎ系合金Ｓｎめっき条の耐熱性を改善する。
【解決手段】 １．０〜４．５質量％のＮｉ、Ｎｉの質量％に対し１／６〜１／４のＳｉ、０．１〜２．０質量％のＺｎを含有し、さらに必要に応じ０．１〜２．０質量％のＳｎを含有する銅基合金を母材とし、表面から母材にかけて、Ｓｎ相、Ｓｎ−Ｃｕ合金相、Ｃｕ相の各層でめっき皮膜が構成されるＳｎめっき条において、Ｓｎ相の厚みを０．１〜１．５μｍ、Ｓｎ-Ｃｕ合金相の厚みを０．１〜１．５μｍ、Ｃｕ相の厚みを０．８μｍ以下とし、Ｓｎ相表面のＳｉおよびＺｎ濃度をそれぞれ１．０質量％以下および３．０質量％以下とする。さらに必要に応じ、めっき層と母材との境界面におけるＣ濃度を０．１質量％以下、Ｏ濃度を１質量％以下とする。 （もっと読む）

【課題】プリント配線板等におけるはんだぬれ性を阻害する金属および金属合金上での表面酸化物形成を抑制するための改善された組成物および方法を提供すること。
【解決手段】無機リン酸または有機リン酸、またはこれらの塩と水からなる組成物を金属または金属合金を堆積させたプリント配線板、リードフレーム、接点などの基体に浸漬するなどによって接触させ、これらの基体のリフロー処理後における金属および金属合金上での酸化物形成を抑制する。 （もっと読む）

【課題】Ｐｂフリーでありながらウイスカーの成長を抑制することのできる無鉛Ｓｎベースめっき膜及びその製造方法を提供し、該無鉛Ｓｎベースめっき膜を有する接続部品の接点構造を提供する。
【解決手段】金属が析出してなるめっき層が積層されてなり、該めっき層の積層界面が前記金属の結晶成長の不連続面Ｉとなっている無鉛Ｓｎベースめっき膜であって、前記めっき層として膜厚が０．５μｍ以下のめっき層Ａを複数含み、全膜厚が１〜１０μｍである。 （もっと読む）

【課題】本発明は電子部品等の端子材料等のフープめっきに係るものであり、特にめっき厚の異なる部位を同一フープ内に形成する差厚めっきの製造方法および製造装置に係るものであり、接触の信頼性と防錆等異なっためっき厚の要求に対応した低コストの差厚めっき方法とその製造装置を提供するものである。
【解決手段】本発明のめっきの製造方法は、陽電極１２と、これに対向して配置された陰電極となるフープ状薄板２０と、第１、第２の露出部２０ａ，２０ｂを残して覆うように形成したマスク２１、各露出部２０ａ，２０ｂに対応する開口２２ａを有するスパージャー２２とからなり、前記露出部２０ａ，２０ｂに当接するめっき液１０ａの流量を制御してめっき厚の異なる部位を容易に形成するものである。 （もっと読む）

【課題】 導電性，バネ性に優れたＣｕめっき鋼板を高生産性で製造する。
【解決手段】 C：0.1〜0.6質量％，Si：0.6質量％以下，Mn：0.1〜1.5質量％，P：0.05質量％以下，S：0.05質量％以下の組成で母材硬さ：300HV以下の鋼板をめっき原板に使用する。片面当りめっき厚：1.5μm以上のＣｕめっき層を鋼板の両面に設けた後、冷間圧延し、300〜500℃×1〜30時間で低温焼鈍する。冷間圧延時の断面減少率Rは、めっき厚T：1.5〜8μmでは15≦R＜2.1＋17.1T-0.92T²を満足する値，T＞8μmでは15〜80％の範囲に設定される。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、ウィスカの発生防止と良好なはんだ付性（低融点）を両立させたＳｎ合金薄膜を形成する方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明の方法は、基材をめっき浴に浸漬し、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ三元合金薄膜を基材上の全面または部分に電気めっきにより形成するものであり、Ｓｎ化合物と、Ａｇ化合物と、Ｃｕ化合物と、無機系キレート剤と、有機系キレート剤とを含むめっき浴を用い、無機系キレート剤は、化学式（Ｉ）で表される金属フルオロ錯体系キレート剤であり、Ａｇ化合物１質量部に対して１質量部以上３００質量部以下の比率で配合され、有機系キレート剤は、ポルフィリン類であり、Ｃｕ化合物１質量部に対して１質量部以上２００質量部以下の比率で配合される。
ＭＦ_X^(X-Y)-・・・（Ｉ）
（化学式（Ｉ）中、Ｍは任意の金属を示し、Ｘは任意の自然数を示し、ＹはＭの酸化数を示す。） （もっと読む）

【課題】ハンダ濡れ性及び電気伝導性が高く、酸化や変色、ウィスカの発生が抑制される表面処理アルミニウム板と、該表面処理アルミニウム板を使用した電気通電体及びヒートシンク、上記表面処理アルミニウム板の製造方法を提供することを課題としている。
【解決手段】アルミニウムからなる部材１の少なくとも一方の表面に、亜鉛、ニッケル、錫を順次メッキすることによってメッキ層２を形成させて設け、メッキ層２の表面を第三リン酸ソーダ溶液４に浸漬又は散浴させることによって、メッキ層２の表面全面に第三リン酸ソーダ溶液４を付着させる。そして乾燥後にメッキ層２の表面に、水系アクリル樹脂等からなる有機皮膜３を形成させる。そしてこの表面処理アルミニウム板によって電気端子やアンテナ等の電気通電体を形成する。 （もっと読む）

【解決手段】 表面に錫メッキの施された金属端子に対してレーザ光を照射して、錫メッキの表層だけを溶融させて、ウィスカの発生を防止するウィスカ防止方法であり、レーザ光Ｌのパワー密度が１５０Ｗ／ｍｍ^２の時に搬送速度を１．７〜５０ｍｍ／ｓｅｃとし、パワー密度が１８００Ｗ／ｍｍ^２の時に搬送速度を１３００ｍｍ／ｓｅｃとする範囲内であれば、良好にウィスカの発生を防止できる。
【効果】 効率的にウィスカの発生を防止することができる。 （もっと読む）