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Fターム[4K024BB10]の内容

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Fターム[4K024BB10]に分類される特許

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【課題】 とりわけコネクタ、端子、スイッチ及びリードフレーム等の電子部品として使用可能な銅又は銅合金の、簡便かつ比較的安価に実施可能なウィスカー抑制のための表面処理方法を提供する。
【解決手段】 銅又は銅合金の表面の一部又は全体に錫めっきを施すめっき工程と、前記錫めっきを加熱溶融するリフロー工程と、これにより得られたリフロー錫めっき材を冷却する冷却工程と、冷却されたリフロー錫めっき材のリフロー錫めっき表面を1種又は2種以上のシランカップリング剤と下記一般式(ア)で示されるベンゾトリアゾール系化合物及び下記一般式(イ)で示されるベンゾチアゾール系化合物から選択される1種又は2種以上の含窒素化合物とで任意の順(同時を含む)に被覆する被覆工程とを含む銅又は銅合金の表面処理方法。
【化1】


(式中、R1は水素原子、アルキル基又は置換アルキル基を表し、R2はアルカリ金属、水素原子、アルキル基又は置換アルキル基を表す。R3はアルカリ金属又は水素原子を表す。) (もっと読む)


【課題】潤滑性を有し摩擦係数が小さく、半田付着及び転移し難く、安定した接触抵抗を得られ、相手物が電気接点上を摺動するような構造の電気接点を提供する。
【解決手段】少なくとも表面が錫を含有する半田である物体と接触する電気接点10において、該電気接点10の表面に、PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)の微粒子を含有する金属マトリックスのメッキ層からなる潤滑メッキ層28と、潤滑メッキ層28上に形成されるAuメッキ層からなる厚さが微粒子の直径を超えない貴金属メッキ層32とを施し、電気接点10の周囲に略U字形状のスリット20を設ける。 (もっと読む)


【課題】広幅、厚板の金属条であっても、1回の通板で、金属条の両面を無理なく部分めっきすることが可能で、疵、折れの発生を防止した、コンパクトで安価な、部分めっきラインを提供する。
【解決手段】回転ドラム101を備えた第1めっき装置10aと第2めっき装置10bを備え、第1めっき装置10aの導出案内ロール3aから導出された第1面が部分めっきされた金属条1aを、水平方向に隣接して配置した第2めっき装置10bの導入案内ロール2bへと搬送案内するために、第1めっき装置10aの導出案内ロール3aから導出された金属条1aを、案内ロール4によりそのパスラインを転向して搬送案内する。 (もっと読む)


【課題】 銅合金組成の調整を行なってプレス加工性を改善すると、最終用途特性が損われる。析出硬化型銅合金の硬化元素を低減すると金型へのダメージは少なくなるが、強度は低下する。結晶方位を調整して塑性変形能を低下させるとプレス加工性は向上するが、曲げ加工性が劣化する。このように素材の性質を損なわずに、金型磨耗を抑制し、プレス打抜き性に優れる素材を提供する。
【解決手段】 酸化物の標準生成自由エネルギーが、25℃で−42kJ/mol以下である元素を0.1〜5.0mass%含有する銅基合金基材に、S以外の成分合計≦500ppm, 0.5≦S≦50ppm、純度Cu≧99.90%、厚さ:0.05〜2.0μmのCu層を被着した電子部品用素材。 (もっと読む)


【課題】 銅合金組成の調整を行なってプレス加工性を改善すると、最終用途特性が損われる。析出硬化型銅合金の硬化元素を低減すると金型へのダメージは少なくなるが、強度は低下する。結晶方位を調整して塑性変形能を低下させるとプレス加工性は向上するが、曲げ加工性が劣化する。このように素材の性質を損なわずに、プレス打抜き性に優れる銅基合金を提供する。
【解決手段】 炭化物の標準生成自由エネルギーが、25℃で−42kJ/mol以下である元素を0.1〜5.0mass%含有する銅基合金基材に、S以外の成分合計≦500ppm, 0.5≦S≦50ppm、純度Cu≧99.90%、厚さ:0.05〜2.0μmのCu層を被着した電子部品用素材。 (もっと読む)


【課題】 非シアン系のもので、環境への負荷を軽減でき、また、カーボンナノファイバーを好適に膜中に取り込める金めっき液を提供する。
【解決手段】 金めっき液は、塩化金酸塩を主体とする非シアン系金めっき液において、界面活性剤とカーボンナノファイバーとを含むことを特徴とする。界面活性剤は0.02〜5g/l、カーボンナノファイバーは0.1〜10g/l含むと好適であり、特に界面活性剤は、トリメチルステアリルアンモニウムクロリドが好適である。 (もっと読む)


【課題】耐摩耗性及び耐食性に優れた金属電気接点を備えるメモリカード、モバイル情報端末機器及び充電器を提供する。
【解決手段】バネ接点を有する機器に挿入して使用するメモリカードにおいて、電極基材1上に、膜厚1〜3μmのNiめっき層2、膜厚0.2〜1μmのPd−Ni合金めっき層3、膜厚0.03〜0.05μmのCo含有Auめっき層4が順次積層されてなる電気接点6と、フラッシュメモリ素子とを備え、前記機器への挿入の際に前記電気接点6がバネ接点と接触することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 複雑な形状に加工された基体に対しても、加熱による損傷などを与えることなく、所望の部分にめっきを施すことのできる表面処理方法を提供する。
【解決手段】 基体14の長手状部分7の全表面に電着塗装によってレジスト層15を形成した後、低濡れ性領域形成予定部23に形成されたレジスト層15を長手状部分7の周方向全周にわたって露光して現像することによってレジストパターン16を形成し、基体14の長手状部分7のレジスト層15で覆われていない部分22にめっきを施す。これによって、複雑な形状に加工された基体14に対しても、また基体14のピッチTが0.1mm程度と狭い場合であっても、基体14の長手状部分7の所望の部分に周方向全周にわたってめっきを施すことができるので、長手状部分7の周方向全周にわたって、はんだ接合部とコネクタ嵌合部との間に低濡れ性領域が形成されたコネクタピンなどの接点部品を容易に製造することができる。 (もっと読む)


【課題】ウイスカーが発生することの無いSnめっきまたはSn合金メッキ構造及びその製造方法を提供すること。特に、曲げ加工等の外部応力が加わってもウイスカー発生が抑制されるSnめっきまたはSn合金メッキ構造及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】SnめっきまたはSn合金めっきの結晶粒界にSnの合金相が形成されていることを特徴とするSnめっきまたはSn合金めっき。とりわけ、その結晶粒界の長さに占める割合が50%以上Snの合金相が形成されていること。 (もっと読む)


【課題】 半導体基板の配線若しくはバンプ、又は、磁気ヘッド基板の磁極部等の金属膜パターンを所望のパターンどおりに得ることができる金属膜パターンの形成方法をを提供する。
【解決手段】 基板上に所定のパターンでレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、この基板の少なくともレジストパターンが形成されている面を、水に対しオゾンが1ppm以上30ppm以下含有されたオゾン水に接触させるオゾン水処理工程と、この基板のレジストが形成された面側に金属をめっきするめっき工程と、この基板からレジストパターンを除去するレジストパターン除去工程とを有する金属膜パターンの形成方法により、上記課題を解決した。 (もっと読む)


【課題】 高温多湿の雰囲気下で長期間経時した後においても良好なハンダ濡れ性を示す表面処理Al板を提供する。
【解決手段】 Al基板表面に置換めっきによりZn層を形成し、その上にNi層とBi層、またはNi層とIn層、またはNi層とAg層、またはNi層とSn層、またはNi層とSn−Bi合金、Sn−Ni合金、Sn−Zn合金、Sn−Ag合金、Sn−Cu合金のいずれかのSn合金層を湿式めっき法により形成してめっきAl板とした後、その上に水溶性樹脂層を設けて表面処理Al板とする。 (もっと読む)


【課題】 本発明の目的は、ウィスカの発生防止と良好なはんだ付性(低融点)を両立させるとともに、微摺動摩耗等の不都合を伴うことなく薄くかつ均一な厚みを有するSn合金薄膜を形成する方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明は、基材上にSn−Ag−Cu三元合金薄膜を形成する方法であって、この方法は、該基材をめっき浴に浸漬し、Sn−Ag−Cu三元合金薄膜を該基材上の全面または部分に電気めっきにより形成するものであり、このめっき浴は、少なくともSn化合物と、Ag化合物と、Cu化合物と、無機系キレート剤と、有機系キレート剤とを含み、該無機系キレート剤は、該Ag化合物1質量部に対して1質量部以上300質量部以下の比率で配合され、該有機系キレート剤は、該Cu化合物1質量部に対して1質量部以上200質量部以下の比率で配合されることを特徴とするものである。 (もっと読む)


【課題】充分な耐摩耗性及び高潤滑性を持つ品質高いコンタクトを提供する。
【解決手段】酸化処理を施してから表面に凹部を形成した上で潤滑剤を塗布した実施例1の試料(基材を加熱により酸化処理して酸化物層が形成されたものを所定の水素イオン濃度に調整された酸性フッ化アンモニウム溶液に浸して表面に微小な複数の凹部の核を形成した後、基材の表面に下地用金属及び凹部,接触用金属のメッキ層を形成してから潤滑剤を塗布して各凹部内に滞留保持させたコンタクト)では、摺動回数が2万回であっても低い動摩擦係数を維持しており、安定した潤滑効果が発揮されるが、酸化処理を施さずに潤滑剤を塗布していない比較例1の試料では動摩擦係数が摺動後にすぐに急上昇し、比較例2のように潤滑剤が塗布された試料でも酸化処理を施さずに表面に凹部を持たない場合には摺動回数が7千回を超えると動摩擦係数が上昇して潤滑効果を示さなくなる。 (もっと読む)


【課題】 摩擦係数が低く(低挿入力)、高温・腐食・振動環境下においても接触抵抗を低く維持できる嵌合型端子用導電材料を得る。
【解決手段】 Cu板条からなる母材の表面に、Cu含有量が20〜70at%で平均の厚さが0.2〜3.0μmのCu−Sn合金被覆層と平均の厚さが0.2〜5.0μmのSn被覆層がこの順に形成された導電材料。その材料表面はリフロー処理されていて、少なくとも一方向における算術平均粗さRaが0.15μm以上で、全ての方向における算術平均粗さRaが3.0μm以下であり、前記Sn被覆層の表面に前記Cu−Sn合金被覆層の一部が露出し、その材料表面露出面積率が3〜75%である。この導電材料は、粗面化した母材表面に、必要に応じてNiめっき層、さらにCuめっき層及びSnめっき層を形成した後、リフロー処理を行うことにより製造する。 (もっと読む)


【課題】 めっき液中の異物混入を防止してめっき不良率を低減すると共に、機構部分の腐食対策も行え、エア溜まりによるめっき未着を防止できるめっき装置を提供する。
【解決手段】 一側壁部が開口された処理槽31を有する処理ユニット34と、保持面32aに複数の被めっき物10が着脱可能に保持されるキャリアセットユニット32と、めっき液タンク38と、めっき液タンク38からめっき液を処理槽31内に供給するポンプ40と、処理槽31内に送り込まれるめっき液を濾過するフィルター40と、処理槽31内のめっき液をめっき液タンク38に戻す排出管41と、排出管41に介装されたバルブ42とを具備し、保持面32aに複数の被めっき物10が保持されたキャリアセットユニット32を、保持面32aに保持された被めっき物10が処理槽31内に臨むようにして処理槽31の開口された部分35を覆って装着される。 (もっと読む)


【課題】 特に接触子の表面にメッキ層を形成するときに、予め、接触子とともに前記接触子間を連結する連結部を形成しておかなくても、簡単な手法によって前記メッキ層をメッキ形成できる接続基板の製造方法及び電気メッキ装置を提供することを目的としている。
【解決手段】 各スパイラル接触子33を、シート部材32に取り付けるとき、従来のように各接触子を連結部によってつなげた状態で前記シート部材に取り付けず、各々分離した状態で前記シート部材に取付けている。そして、前記シート部材32の両側面に陰極導電板53,54を対向させ、各接触子間を前記導電板53,54を介して導通状態にしている。これにより上記した連結部の形成無しに前記接触子に適切にメッキ層をメッキ形成できる。よって従来のように連結部を除去する工程が不要になり製造工程の簡素化を実現できる。 (もっと読む)


【課題】嵌合型接続端子における端子の挿入時の圧力に起因する嵌合ウイスカの発生を防止できる、嵌合型接続端子に適した錫系めっき付き電子材料を製造する。
【解決手段】銅または銅合金からなる導電性基体に、下地のニッケルめっきと次に厚みが0.05〜0.5μmのフラッシュ銅めっきを順に施し、次いで錫もしくは錫合金めっきを行う。得られた錫系めっき付き電子材料は、経時中、または210℃以上の温度でのリフロー中に、フラッシュ銅めっき層が下地のニッケルめっき層と相互拡散して、銅−ニッケル合金層からなるバリア層に変化して、錫もしくは錫合金めっき皮膜中に金属間化合物による針状もしくは柱状晶が成長するのを防止する。固溶体であると考えられるこの合金層により、嵌合ウィスカの発生が効果的に抑制される。 (もっと読む)


【課題】 本発明の目的は、ウィスカーの発生が抑制されたCu−Zn系合金のリフローSnめっき条を提供することにある。
【解決手段】 平均濃度で20〜40質量%のZnを含有する銅合金を母材とするSnめっき条であり、表面から母材にかけて、Sn相、Sn−Cu合金相、Cu相の各層でめっき皮膜が構成され、該Sn相の最表層のZn濃度が3〜35質量%であることを特徴とする、ウィスカー発生が抑制されたCu−Zn系合金のSnめっき条。 (もっと読む)


【課題】半田上りを防止するために必要なバリア領域を、容易、且つ低コストで、さらに確実に形成できるメッキコンタクト及びそのメッキ方法を提供する。
【解決手段】一端側に端子部が形成され、他端側に接触部が形成される本体の外表面にニッケル系下地メッキ11を施す。つぎに、この下地メッキ11に前記一端側から、その終端12aに至る厚みが徐々に薄くなる傾斜面12bとされる金系メッキ12を施す。つぎに、この下地メッキ11上に前記他端側から、前記金系メッキより厚肉であって、その終端13aに至る厚みが徐々に薄くなる傾斜面13bとされる錫系メッキ13を施す。この際、前記金系メッキ12の終端12bに至る傾斜面12bに前記錫系メッキ13の終端13bに至る傾斜面13bが乗り上げる乗り上げ部16が形成される。そして、前記乗り上げ部16を含む前記錫系メッキ13の終端13aに至る傾斜面13bに露出状態となった、前記ニッケル系メッキ11との合金層15を形成する。 (もっと読む)


【課題】鉛フリーの錫メッキを施したフラットケーブル等の電気導体部品において、外部応力を受ける部分でのウイスカの発生が防止された電気導体部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電気接続部分に厚さ0.2μm〜1.0μm未満の錫メッキ2を施している。錫メッキ2は、熱処理により錫メッキ2の錫と電気導体1との合金層4の比率が50%以上となるようにする。また、錫メッキ2にビスマスを1.0%以上添加して、半田濡れ性を向上させ、下地金属として厚さ0.1μm〜2.0μmのニッケルメッキ5を施して電気導体1の酸化劣化を防ぎ、さらに、錫メッキ2に封孔処理剤を塗布して、電気接続に対する信頼性を高める。 (もっと読む)


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