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Fターム[4K024BB10]の内容

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Fターム[4K024BB10]に分類される特許

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【課題】基板等の回路にかかる力を緩和する能力を有する導電性微粒子、及び、基板間の距離を一定に維持する方法を提供する。
【解決手段】樹脂からなる基材微粒子の表面が1層以上の金属層に覆われてなる導電性微粒子であって、前記金属層の全ての層の熱膨張率がそれぞれ1×10−5〜3×10−5(1/K)であり、かつ、各金属層と前記基材微粒子との熱膨張率の比(基材微粒子の熱膨張率/金属層の熱膨張率)がそれぞれ0.1〜10である導電性微粒子。 (もっと読む)


【課題】高い導電率及び強度を有し、応力緩和特性及び曲げ加工性に優れ、Snめっきの耐熱剥離性にも優れた電気・電子部品用銅合金を提供する。
【解決手段】Fe:0.01〜0.2質量%、P:0.02〜0.15質量%、Mg:0.05〜0.2質量%、Sn:0.001〜0.2質量%、及びZn:0.05〜1.0質量%を含み、残部がCu及び不可避的不純物からなり、S:0.005質量%以下であり、Fe,Mg及びP含有量が下記式(1)、(2)を満たす。2.5≦([Fe]+[Mg])/[P]≦8.0・・・・(1)[Mg]/[Fe]≧0.85・・・・(2)[Fe]、[Mg]、[P]は、それぞれFe,Mg,P含有量を表す。 (もっと読む)


【課題】ステンレス鋼薄板表面に形成するAuめっき層の厚みが薄くても耐食性に優れ、生産性も高い端子又はコネクタ用めっき材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ステンレス鋼薄板からなる基材の表面に、原子間力顕微鏡により測定した算術表面粗さ(Ra)が3.0nm以下であるAuめっき層を形成してなる端子又はコネクタ用めっき材である。 (もっと読む)


【課題】銀めっき皮膜の厚さが薄く且つ銀めっき皮膜の表面を有機皮膜で覆わなくても、耐食性に優れた銀めっき材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】80〜250g/Lのシアン化銀カリウムと40〜200g/Lのシアン化カリウムと3〜35mg/Lのセレノシアン酸カリウムとからなる銀めっき液を使用して、液温15〜30℃、電流密度3〜10A/dmで電気めっきを行うことにより、反射濃度が1.0以上であり且つ(111)面、(200)面、(220)面および(311)面のX線回折ピークの積分強度の合計に対する(111)面のX線回折ピークの積分強度の割合が40%以上である銀めっき皮膜を素材上に形成する。 (もっと読む)


【課題】表面めっき皮膜に潤滑性を付与することにより摺動性を高め、耐磨耗性が良好で、かつ接触信頼性が良好であるめっき材料を提供する。
【解決手段】40℃における動粘度が100mm/s以下の潤滑油を内包し、樹脂または無機材料の外壁からなるカプセルであって、該カプセルの平均粒径が1μm以下であるとともに、該カプセルの直径をdおよび外壁の厚さをtとしたとき、直径に対する壁の厚さt/dが1/100以上1/2未満であるカプセルを含有する。 (もっと読む)


【課題】経時や昇温により硫化され表面がダメージを受けることのないメッキ構造を提供する。さらには、硫化により変色しにくく、接触抵抗が小さい電気部品用被覆材を得る電気部品用被覆方法を提供する。
【解決手段】メッキ用基体102の表面に銀メッキ層104を形成し、さらに該銀メッキ層の表面にSn−Co合金のメッキ層106を形成してなる銀メッキ構造体を熱処理して得られるメッキ構造である。また、基材の面上に形成された銀層の表面に、粒子堆積工程により点析されてなるSn−Co合金の点析粒子が前記表面と垂直方向に重なることなく上面視で隙間があるように配置され、前記点析粒子の平均径が20〜80nmであり、該銀層の表面の錫合金の点析粒子の単位面積当たり重量が2×10−6〜8×10−6g/cmである粒子堆積物を、非酸化雰囲気で加熱して前記点析粒子を溶融させて被膜化することを特徴とする被覆方法である。 (もっと読む)


【課題】Cu合金の代わりに使用でき、軽量化が図れると共に、原材料費の低減も図れる電子部品材を提供する。
【解決手段】引張強度を90〜700MPaかつビッカース硬度Hvを30〜230にしたAl合金の基材10の表面に、Ni、Ni合金、Cu、Cu合金、Ag、Ag合金、Sn、Sn合金、Pd、Pd合金、Au、又はAu合金のいずれか1種又は2種以上で構成される第1のめっき層13を形成した。Al合金の基材10は、例えば、Si:13.0質量%以下、Fe:1.5質量%以下、Cu:6.8質量%以下、Mn:1.5質量%以下、Mg:5.6質量%以下、Cr:0.5質量%以下、Zn:8.4質量%以下、及びTi:0.2質量%以下を含有し、その他不可避的不純物を含む。 (もっと読む)


【課題】銅合金板に高電流密度でSnめっきを施すに際し、泡立ちが少なくてスラッジの発生量も少なくめっき焼けも発生しない高電流密度Snめっき用硫酸浴及びその硫酸浴を用いた銅合金板へのSnめっき方法を提供する。
【解決手段】主成分として硫酸:30〜120g/l、硫酸錫:20〜150g/lを含有するとともに、光沢剤としてポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテル:0.3〜5g/l、エチレンジアミンEO−PO付加物:0.05〜3g/l、ポリオキシエチレンナフチルエーテル:0.05〜5g/l、脱酸素剤としてピロガロール:0.1〜10g/lを含有する高電流密度Snめっき用硫酸浴。 (もっと読む)


【課題】繰り返すせん断応力に対してもめっきの密着性に優れ、接触抵抗値が長期に渡って低く安定し、スイッチの寿命が改善された可動接点部品用銀被覆複合材料および可動接点部品を提供する。
【解決手段】ステンレス鋼基材の表面の少なくとも一部にニッケル、コバルト、ニッケル合金、コバルト合金のいずれかからなる下地層が形成され、その上層に銅または銅合金からなる中間層が形成され、さらにその上層に銀または銀合金層が最表層として形成されている可動接点部品用銀被覆複合材料であって、前記中間層の厚さが0.05〜0.3μmであり、かつ前記最表層に形成された銀または銀合金の内部応力が、2.45〜49.0N/mmである。 (もっと読む)


【課題】錫または錫合金からなる錫めっき層を含むめっき皮膜において、ウィスカの発生及び成長を極力抑制することができるようにする。
【解決手段】Sn(錫)またはSn合金からなるSnめっき層2を形成し、Snめっき層2の表面にSnより高い融点の金属からなる中間層3を形成し、中間層3の表面に、めっき皮膜の最表面に配置され、Snめっき層2よりも膜厚の小さいSnまたはSn合金からなるSnめっき層4を形成する。めっき皮膜の最表面に配置されるSnめっき層4は薄膜化されるため、ウィスカの発生が抑制され、中間層3はSnめっき層2からのSnめっき層4へのSn原子の供給を断つのでウィスカの成長を抑制する。 (もっと読む)


【課題】めっき液を安定させ、めっき層の組成のバラツキを抑制し、容易かつ確実にSn−Ag合金層を形成する。
【解決手段】Cu又はCu合金からなる基材の上に、Ni又はNi合金からなる拡散防止層を形成した後、この拡散防止層の上にCu又はCu合金からなる中間めっき層を形成し、この中間めっき層の上に、粒径が5〜100nmのAg粒子を0.1〜5g/l含有したSnめっき浴を用いた電気めっきにてSu−Agめっきを施した後、リフロー処理する。 (もっと読む)


【課題】高温環境下での長時間の使用や硫黄成分の銀めっき層中への拡散による接触抵抗の上昇と表面の変色が有利に防止され得る銀めっき物とその有利な製造方法とを提供する。
【解決手段】金属素材12の表面に、錫−ニッケルめっき層16を0.1〜0.5μmの厚さで形成した後、錫−ニッケルめっき層16に対して、銀めっき層18を0.1〜0.2μmの厚さで積層形成し、その後、260〜400℃の温度で10〜30分間の加熱処理を行って、錫−ニッケルめっき層16と銀めっき層18とを合金化して、目的とする銀めっき物10を得るようにした。 (もっと読む)


【課題】はんだ濡れ性及び導電性が確保され、Snめっき層に対して外力が作用する場合であってもウィスカの発生を抑制することができる電子部品を提供する。
【解決手段】電子部品1は、金属材料で形成された本体部11と、本体部11の表面に被覆された下地めっき層12に対してSn又はSn合金が被覆されることで形成されるSnめっき層13と、を備えている。本体部の表面11において、複数の凹凸部14が繰り返し形成され、複数の凹凸部14は、本体部の表面11の面方向における凹凸部14の最大寸法の平均値がSnめっき層13の平均厚み寸法よりも大きくなるように形成される。また、複数の凹凸部14は、凹凸部14の深さ寸法の平均値が前記Snめっき層13の平均厚み寸法よりも大きくなるように形成される。 (もっと読む)


【課題】すずめっきの耐熱剥離性を改善したCu−Ni−Si系合金すずめっき条を提供する。
【解決手段】1.0〜4.5質量%のNi及び0.2〜1.0質量%のSiを含有し、残部がCu及び不可避的不純物より構成される銅基合金を母材とするすずめっき条において、めっき層と母材との境界面におけるS濃度及びC濃度をそれぞれ0.05質量%以下に調整する。母材は、更にSn、Zn、Mg、Fe、Mn、Co、Ti、Cr、Zr、Al及びAgの群から選ばれた少なくとも一種を合計で0.005〜3.0質量%の範囲で含有することができる。 (もっと読む)


【課題】安定した品質のAg−Bi合金皮膜層を経済的に、しかも生産性よく、目標とする厚みに形成した電子部品材を提供する。
【解決手段】電子部品材10は、素材11の表面に、Bi14の含有量が0.01〜3at%であるAg−Bi合金めっき層12が設けられているので、安定した品質のAg−Bi合金皮膜層を経済的に、しかも生産性よく、目標とする厚みに形成している。また、Ag−Bi合金めっき層12の平均厚みは、0.2〜10μmである。 (もっと読む)


【課題】液組成が中性〜酸性であっても十分に機能する封孔処理剤およびその封孔処理剤を用いた金めっき部材の封孔処理方法を提供する。
【解決手段】インヒビターがベンゾトリアゾールおよび2−カルボキシメチルチオベンゾチアゾールからなり、酸性または中性の溶液であることを特徴とする封孔処理剤。pHが3.0以上であり、ベンゾトリアゾールおよび2−カルボキシメチルチオベンゾチアゾールの含有量がそれぞれ10ppm以上1000ppm以下であることが好ましい。上記の封孔処理剤を用いて基材を陽極電解処理する。 (もっと読む)


【課題】金属部材に拡散防止や耐久性向上のためにNiもしくはNi合金下地めっきを行い、その上にAgめっきを行った電気接点部に関し、耐摩耗性などの耐久性、耐熱密着性、製造コストなどの優れた接点部を製造する方法を提供する。
【解決手段】金属部材1上にNiストライクめっきを行った後、電解めっきによってNi下地めっき層3を形成し、さらに、その上にシアン銀、シアン銅を含むめっき液を用いて電解めっきを行いAg−Cu含有合金めっき層5を形成しためっき部材10。 (もっと読む)


【課題】Cu又はCu合金からなる下地基材に対するバリア性を高め、Cuの拡散をより確実に防止して耐熱性を向上させ、高温環境下でも安定した接触抵抗を維持する。
【解決手段】Cu又はCu合金からなる基材の上に、Ni−W合金層、Cu層又はCu−Sn合金層からなる中間層、Sn又はSn合金からなる表面層がこの順で形成され、Ni−W合金層の厚さが0.1〜1.0μm、Ni−W合金層中のW含有量が10〜35at%であり、かつ中間層の厚さが0.2〜1.0μm、表面層の厚さが0.5〜2.0μmである。 (もっと読む)


【課題】安定した品質と優れた耐食性とを有するめっき物が、環境への負荷を低減させつつ、効率的且つ低コストに製造され得る方法を提供する。
【解決手段】硫酸ニッケルと、クエン酸三ナトリウムとを、それぞれ特定濃度で含み、且つpHが3以上4未満に調整された、塩化ニッケルとホウ酸と光沢剤を含まない水溶液からなるニッケルめっき液を用いて、このニッケルめっき液中に、不溶性陽極と、金属素材12からなる陰極とを浸漬して、電気めっきを行うことにより、該金属素材12の表面にニッケルめっき層14を積層形成した後、該ニッケルめっき層14に対して、錫−ニッケルめっき層20とパラジウムめっき層22のうちの少なくとも何れか一方と、金めっき層18とを積層形成した。 (もっと読む)


【課題】相手側部品との接触側最表面に、適正で制御可能な平面視形状を有するSn被覆層及びCu−Sn合金被覆層を有し、端子の小型化にも対応可能な嵌合型接続部品を提供する。
【解決手段】表面被覆層として複数の平行線として観察されるSn被覆層群Xを含み、該Sn被覆層群Xを構成する個々のSn被覆層1a〜1dの両側にCu−Sn合金被覆層2が隣接して存在する。部品挿入方向の最大高さ粗さRzが10μm以下である。銅板材の打抜き加工時にプレス加工により表面粗化処理を行い、銅板材表面に複数の平行線として観察される凹部を形成し、次いで銅板材にCuめっき及びSnめっきを行い、リフロー処理して製造する。 (もっと読む)


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