【課題】安定した接触抵抗を有するとともに、剥離し難く、また、コネクタとして用いる場合に挿抜力を小さくかつ安定させ、しかもヒューズとして用いた場合にも良好な溶断特性を有する。
【解決手段】Ｃｕ系基材１の上に形成したＮｉ系下地層３と、表面を形成するＳｎ系表面層５との間に、Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物層４が形成されるとともに、Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物層４は、さらに、Ｎｉ系下地層３の上に配置されるＣｕ_３Ｓｎ層６と、Ｃｕ_３Ｓｎ層６の上に配置されるＣｕ_６Ｓｎ_５層７とからなり、Ｃｕ_３Ｓｎ層６及びＣｕ_６Ｓｎ_５層７を合わせたＣｕ−Ｓｎ金属間化合物層４のＳｎ系表面層５と接する面の表面粗さが、算術平均粗さＲａで０．０５〜０．２５μｍであり、かつ、粗さ曲線の最大谷深さＲｖで０．０５〜１．００μｍであり、また、Ｃｕ_３Ｓｎ層はＮｉ系下地層を覆っており、その面積被覆率が６０〜１００％である。 （もっと読む）

【課題】導電部材としての使用時に良好な特性を有する多層にめっきが施された銅合金条材を連続的に効率良く得る。
【解決手段】銅条材を連続的に走行させながら複数のめっき浴に挿通して、Ｎｉ又はＮｉ合金、Ｃｕ又はＣｕ合金、Ｓｎ又はＳｎ合金を順にめっきしてリフロー処理することにより、Ｎｉ系下地層、Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物層、Ｓｎ系表面層を順に形成する方法であって、各めっき層を、無機酸を主成分とするめっき浴中にて不溶性アノードを使用した電解めっきにて形成するとともに、Ｎｉ又はＮｉ合金によるめっきは浴温４５〜５５℃、電流密度２０〜５０Ａ／ｄｍ^２、Ｃｕ又はＣｕ合金によるめっきは浴温３５〜５５℃、電流密度２０〜６０Ａ／ｄｍ^２、Ｓｎ又はＳｎ合金によるめっきは浴温１５〜３５℃、電流密度１０〜３０Ａ／ｄｍ^２とし、それぞれレイノルズ数１×１０^４〜５×１０^５とする。 （もっと読む）

【課題】挿入抵抗および接触電気抵抗を小さくすることができるめっき材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＣｕまたはＣｕ合金からなる基材上に、少なくともＣｕ−Ｓｎ合金中間層と、Ｓｎ表面層とをこの順序で有することを特徴とするめっき材料において、前記Ｃｕ−Ｓｎ合金中間層の表面粗さを表すパラメータである十点平均粗さＲｚμｍと最大高さＲｙμｍとの関係が、Ｒｙ／Ｒｚ＜１．３を満たし、かつ、前記十点平均粗さＲｚと、前記Ｓｎ表面層の平均厚さｔμｍが、Ｒｚ（６−π）／６≦ｔ≦Ｒｚ（６−π）／６＋０．３を満たす関係にある。 （もっと読む）

【課題】１５０℃から１８０℃の高温環境下で長時間晒されても、接触抵抗値の増加を抑え、めっき剥離を防止できるＳｎめっき付き銅又は銅合金を提供する。
【解決手段】Ｎｉ層２の平均厚さが０．１μｍ以上１．０μｍ以下、Ｃｕ−Ｓｎ合金層の平均厚さが０．５５μｍを超え１．０μｍ以下、Ｓｎ層５の平均厚さが０．２μｍ以上１．０μｍ以下である。Ｃｕ−Ｓｎ合金層が組成の異なる２つの層からなり、Ｎｉ層に接する層３がε相からなり、平均厚さが０．５μｍを超え０．９５μｍ以下であり、Ｓｎ層と接する層４がη相からなり、平均厚さが０．０５μｍ以上０．２μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】特に、残留応力を低減しためっき層を形成することにより、応力腐食を防ぎ、耐食性に優れ、安定した電気接点を提供する。
【解決手段】引張り応力めっき層３ａと、圧縮応力めっき層３ｂの積層めっき膜によりめっき層を形成して、下地層３あるいは貴金属めっき層４とする。さらに、引張り応力めっき層３ａと、圧縮応力めっき層３ｂを複数積層しためっき構造とする。これにより、めっき内部に残留応力を低減しためっき層を得ることができ、さらに熱処理を行うことにより、残留応力をさらに除去することができる。めっきに用いるめっき浴の種類、またはめっき浴に添加する光沢剤の種類、めっき中の電流密度を変えることにより、引張り応力めっき層、および圧縮応力めっき層を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】プレス加工性だけでなく、強度、導電率、及び曲げ加工性にも優れたＣｕ−Ｚｎ−Ｓｎ系合金板及びＣｕ−Ｚｎ−Ｓｎ系合金Ｓｎめっき条を提供する。
【解決手段】２〜１２質量％のＺｎ及び０．１〜１．０質量％のＳｎを含有し、残部がＣｕ及び不可避不純物からなり、Ｘ線回折法により板表面から５μｍの深さまでの結晶方位を測定したとき、｛１１１｝正極点図上のα＝０±１０°（但し、α：シュルツ法に規定する回折用ゴニオメータの回転軸に垂直な軸）の領域に相当するせん断集合組織の極密度が２〜８であるＣｕ−Ｚｎ−Ｓｎ系合金板である。 （もっと読む）

【課題】 高耐熱性及び好適なへたり性を備えたプリント基板端子用の銅合金すずめっき材。
【解決手段】Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｎの順で電気めっきを施した後リフローめっきされた銅又は銅合金条であり、Ｎｉ相０．１〜０．８μｍ、Ｃｕ−Ｓｎ合金相０．１〜１．５μｍ、Ｓｎ相０．１〜１．５μｍであり；Ｃｕ−Ｓｎ合金相はＮｉを０．０５〜３．０ｗｔ％を含み、Ｓｎ相との界面において面積が３μｍ²未満の微細な結晶粒と３μｍ²以上の粗大な結晶粒が混在し、３μｍ²未満の各結晶粒の総面積をＳ_X、３μｍ²以上の各結晶粒の総面積をＳ_Yとしたとき、２０≦Ｓ_X／（Ｓ_X＋Ｓ_Y）×１００≦６０が成り立つプリント基板端子用に好適なへたり性をもつ銅合金すずめっき材であり、２〜２２重量％のＺｎを含有してもよく、更に必要に応じてＮｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ａｇ及びＭｎの群から選ばれた１種以上を合計で２．０重量％以下含有してもよい。 （もっと読む）

【課題】シアン系の銀めっき液を使用しないで製造しても密着性が良好であり、高硬度で且つ高温環境下において変色し難い銀めっき材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】硝酸銀を含む硝酸系銀めっき液を使用して電気めっきを行うことによって、銅、鉄、アルミニウムなどやこれらの合金からなる素材上に銀めっき皮膜を形成する際に、電流密度を０．１Ａ／ｄｍ^２・ｓ以下、好ましくは０．００５〜０．１Ａ／ｄｍ^２・ｓの電流密度上昇速度で上昇させた後に、２Ａ／ｄｍ^２以上、好ましくは２〜１０Ａ／ｄｍ^２の一定の電流密度に維持する。 （もっと読む）

【課題】高温環境に放置された後の接触抵抗値上昇抑制及び変色抑制といった耐熱性に優れ、かつ表面の摩擦係数の小さいＳｎ被覆銅又は銅合金、及び通常使用されているリフロー処理前の表面処理設備をそのまま使用でき、また工場内で通常使用されている水を使用して、液きり及び乾燥の工程を必要としないため、新たな設備投資、試薬購入、及び液管理のコストがかからない効率のよいＳｎ被覆銅又は銅合金の製造方法の提供。
【解決手段】最表面に存在する酸素原子（Ｏ）の存在形態をＥＳＣＡ（Ｘ線光電子分光装置）で分析した際に、酸素原子（Ｏ）の１ｓ軌道の結合エネルギーのピークのトップが５３１ｅＶ以上５３２ｅＶ以下にあり、Ｓｎ層の厚みが０．０５μｍ以上０．４μｍ未満であるＳｎ被覆銅又は銅合金とする。 （もっと読む）

【課題】汎用性に優れた電気接続部品を提供する。
【解決手段】電気接続部品１００等は、積層方向Ｘと直交する側面から露出した導電パターン部１２０の端面１２０Ａを、電極６０４、６１４に接触させることによって電極間を電気的に接続する。そして、電極６０４、６１４のピッチＰが微細な微細配線であっても、導電パターン部１２０のピッチを狭く（微細に）設定することで、微細配線間を電気的に接続可能である。また、電気接続部品１００の側面に、例えば、ＩＣ７０や受動部品８０等の電子部品を実装することができる。更に、電気接続部品１００等の内部に微細で複雑な回路を形成することができる。したがって、汎用性に優れた電気接続部品１００とされる。 （もっと読む）

【課題】表面の曇りがなく、高温環境に放置された後の接触抵抗値上昇抑制及び変色抑制が図れ、耐熱性及びはんだ濡れ性に優れたＳｎ被覆銅又は銅合金、及び効率のよいＳｎ被覆銅又は銅合金の製造方法の提供。
【解決手段】最表面に存在する酸素原子（Ｏ）の存在形態をＥＳＣＡ（Ｘ線光電子分光装置）で分析した際に、酸素原子（Ｏ）の１ｓ軌道の結合エネルギーのピークのトップが５３１ｅＶ以上５３２ｅＶ以下にあり、Ｓｎ層の厚みが０．４μｍ以上２．０μｍ以下であるＳｎ被覆銅又は銅合金とする。 （もっと読む）

【課題】
特に、Ｐ含有量が大きいＮｉ−Ｐ無電解めっき膜の上に形成される無電解めっきによる貴金属めっき膜の析出性及び密着性に優れた電気接点の製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】
無電解めっき法にてＮｉ−Ｐ無電解めっき膜をめっき形成し、次に、めっき浴中に陰極および陽極を設けて電流を流すことにより、前記Ｎｉ−Ｐ無電解めっき膜の陽極側に向く表面に、バイポーラ現象を利用してＮｉ−ＰからなりＮｉ含有量がＮｉ−Ｐ無電解めっき膜よりも大きいバイポーラめっき膜をめっき形成する。バイポーラめっき膜はＮｉ含有量が大きいため、貴金属めっき膜を無電解めっきするときの表面活性が高く貴金属めっき膜の析出性と密着性に優れた電気接点を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】安定した接触抵抗を有するとともに、剥離し難く、また、コネクタとして用いる場合に挿抜力を小さくかつ安定させることができる導電部材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃｕ系基材１の表面に、Ｆｅ系下地層２を介して、Ｎｉ系薄膜層３、Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物層４、Ｓｎ系表面層５がこの順に形成されるとともに、Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物層４はさらに、Ｎｉ系薄膜層３の上に配置されるＣｕ_３Ｓｎ層６と、Ｃｕ_３Ｓｎ層６の上に配置されるＣｕ_６Ｓｎ_５層７とからなり、これらＣｕ_３Ｓｎ層６及びＣｕ_６Ｓｎ_５合金層７を合わせたＣｕ−Ｓｎ金属間化合物層４の凹部８の厚さＸを０．０５〜１．５μｍとする。 （もっと読む）

【課題】Ｎｉ電解めっき下地膜の緻密性を向上させることができ、あるいは貴金属膜が薄くても耐食性を向上させることができる電気接点を提供する。
【解決手段】表面にＮｉ下地膜４および貴金属膜５がめっきされた電気接点１において、Ｎｉ下地膜４の下に、Ｎｉを含む微結晶めっき膜３を形成する。Ｎｉ下地膜４は、Ｎｉを含む微結晶めっき膜３の上にエピタキシャル成長することにより、微細な結晶を有する緻密膜となり、母材の拡散を抑えつつ膜厚が低減できる。電気接点のＮｉ下地膜４の上にＮｉを含む微結晶めっき膜３を形成する。この微結晶めっき膜３上にめっき形成される貴金属膜５は、微細な結晶を有する緻密膜であり、貴金属膜の膜厚を低減できる。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び機械特性に優れた微細結晶−アモルファス混在金合金めっき皮膜およびそのめっき方法を提供する。
【解決手段】結晶相の体積分率で１０〜９０％となるよう微細結晶相とアモルファス相を混在させることにより、結晶構造とアモルファス構造の利点を兼ね備えた物性を得る。微細結晶の平均粒径は３０ｎｍ以下、微細結晶の体積分率は１０〜９０％、ヌープ硬度はＨｋ１８０以上、比抵抗は２００μΩ・ｃｍ以下であることを特徴とする。金本来の良好な比抵抗値や化学的安定性を実用上問題にならない程度に維持しつつ、硬度や耐摩耗性が向上したものであり、コネクタ、リレー等の電気・電子部品の接点材料として有用である。 （もっと読む）

【課題】ＮｉあるいはＮｉ合金の下地めっき膜に形成されたピンホール内に貴金属めっき膜を析出させて適切に封孔することができる電気接点の製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）工程では、母材金属１上に電解めっき法にてＮｉあるいはＮｉ合金の下地めっき膜２をめっき形成する。（ｂ）工程では、前記下地めっき膜２の表面に、貴金属めっき膜３の初期めっき膜３ａを電流密度を高くした状態で電解めっき法にてめっき形成する。これにより初期めっき膜３を微結晶化できる。続いて、（ｃ）では、貴金属めっき膜３の残りのめっき膜３ｂを電流密度を低くした状態で電解めっき法にてめっき形成する。これにより下地めっき膜２に形成されたピンホール２ａを貴金属めっき膜３にて適切に封孔することが出来る。 （もっと読む）

【課題】
電気接点の貴金属めっき膜やその下地として用いられるＮｉめっき膜は、緻密で耐食性に優れることが要求されるが、めっき表面に析出する光沢剤量が多いと接触性能またはめっき膜の密着性が低下することが問題となっていた。
【解決手段】
電気接点のＡｕやＡｇの貴金属めっき膜や、これらの下地膜として用いられるＮｉめっき膜において、めっき膜に含まれる光沢剤量を膜内部に比べて膜表面で少なくする。これにより、めっき膜内部はめっき膜を構成する結晶粒の粒子径が小さい緻密な膜めっき膜でありながら、表面は接触性能またはめっき密着性に優れためっき膜が得られる。例えば、陽極を傾斜、または湾曲させて形状を変え、基板との距離を変化させることにより、基板表面の電流密度を制御し、めっき内で光沢剤量が異なるめっき膜が製造される。 （もっと読む）

【課題】 特に、ＮｉＸ層を有する電気接点において、膜厚方向に異なる膜特性を有する電気接点及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 電気接点１は、ＮｉＰ層２と、ＮｉＰ層２の表面に貴金属層３を備えて構成される。ＮｉＰ層２は、主層２ａと、その上面２ｃに形成された表面層２ｂとの積層メッキ構造である。前記主層２ａに含まれる元素Ｐの含有量は、前記表面層２ｂに含まれる元素Ｐの含有量に比べて多く、主層２ａはアモルファス層であり、表面層２ｂは結晶層である。これにより、耐摩耗性を良好にできるとともに、ＡｕやＡｇ等の貴金属層３をＮｉＰ層２に重ねてメッキするときの密着性を良好にできる。あるいは、図１に示すＮｉＰ層２を用いた電気接点であれば、結晶で形成された表面層２ｂの半田付け性を良好にできる。 （もっと読む）

【課題】鉛を含まないスズ合金電気めっき組成物および方法を提供する。
【解決手段】基体上にスズ合金を堆積するための電解質組成物が開示される。電解質組成物はスズイオン、一種以上の合金形成金属のイオン、フラボン化合物およびジヒドロキシビス−スルフィドを含む。電解質組成物は鉛およびシアン化物を含まない。基体上にスズ合金を堆積する方法および半導体素子上に相互接続バンプを形成する方法も開示される。 （もっと読む）

【課題】安定した接触抵抗を有するとともに、剥離し難く、また、コネクタとして用いる場合に挿抜力を小さくする。
【解決手段】Ｃｕ系基材１の表面に、Ｎｉ系下地層２を介して、Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物層３、Ｓｎ系表面層４がこの順に形成されるとともに、Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物層３はさらに、Ｎｉ系下地層２の上に配置されるＣｕ_３Ｓｎ層５と、Ｃｕ_３Ｓｎ層５の上に配置されるＣｕ_６Ｓｎ_５層６とからなり、これらＣｕ_３Ｓｎ層５及びＣｕ_６Ｓｎ_５合金層６を合わせたＣｕ−Ｓｎ金属間化合物層３の凹部７の厚さＸが０．０５〜１．５μｍとされ、かつ、Ｎｉ系下地層２に対するＣｕ_３Ｓｎ層５の面積被覆率が６０％以上である。 （もっと読む）