半導体ウエハ等の製造過程のミクロ電子加工物における凹設された微細構造体を金属化により充填する電気鍍金組成物及び方法を開示する。電気鍍金組成物は銅及び硫酸の混合物を含むことができ、銅濃度と硫酸濃度の比が約０.３〜約０.８である。また、開示された電気鍍金組成物は、硫酸濃度が約６５〜約１５０ｇ/L（溶液１リットル当たりのグラム数）であるとき、銅濃度がその溶解度の限界近くにある銅及び硫酸の混合物を含むことができる。かかる電気鍍金組成物は、また、促進剤、抑制剤、ハライド及び／又は平滑剤等の慣用の添加剤を含むことができる。製造過程の半導体加工物に形成された溝及び／又はコンタクトホール等の要点内に、導電性材料を電気化学的に析出させる方法が開示され、開示された電気鍍金溶液を使用する複数の陽極反応器の利用に適した方法を含む。 （もっと読む）

電気メッキツールは、電気メッキツールのマルチアノード構造の個々の電流を自動的に決定するコントローラと協働して動作する。アノード電流の算出は、処理変動に対する素早い応答を、複数のプロセスチェンバを含むメッキツールに対しても実現することができるように、感度データ及び測定データの他に所望のターゲットプロファイルに基づいている。
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基板に金属をメッキする方法及び装置。本装置は、メッキ液を含有するように構成された液体ベースンと、液体ベースンの下の部分に配置された陽極液体容積と、液体ベースンの上の部分に配置された陰極液体容積と、陽極液体容積を陰極液体容積から分けるために配置されたイオン膜と、陽極液体容積の中央に配置されたメッキ電極と、陽極液体容積においてメッキ電極に隣接して配置された非メッキ電極とを含んでいる。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、基板表面に、通常はバリヤ層に銅シード層を堆積させる方法を教示している。その方法は、基板表面を銅溶液に入れるステップであって、該銅溶液が錯体形成銅イオンを含んでいる、前記ステップを含んでいる。電流又はバイアスを基板表面に印加し、錯体形成銅イオンを還元してバリヤ層に銅シード層を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】ウェーハの表面に金属層を堆積させる電気メッキ装置が提供される。一例においては、陽極として帯電可能な近接ヘッドを、ウェーハの表面に極めて近接して配置する。メッキ流体を、前記ウェーハと前記近接ヘッドとの間に提供し、局所金属メッキを形成する。 （もっと読む）

【解決手段】湿式化学処理チャンバは、被固定ユニットと、被固定ユニットに着脱可能に結合される着脱ユニットと、被固定ユニット及び着脱ユニットに接触するシールと、被固定ユニット及び／又は着脱ユニットに設けられる処理要素とから構成される。被固定ユニットは、被固定ユニットを介して処理流体を導くように構成されてなる第１の流路系統と、統合処理ツールにおけるプラットホームないしデッキに被固定ユニットをしっかりと取り付けるための取付固定具とを備える。着脱ユニットは、被固定ユニットにおける第１の流路系統へと及び／又は同流路系統から処理流体を導くように構成されてなる第２の流路系統を備える。シールに設けられたオリフィスを通って、処理流体は第１の流路系統と第２の流路系統との間を流れ、処理要素は、サブ・ミクロンの微細構造をもった微細構造ワークピースの表面を処理すべく処理流体に性質を与える。 （もっと読む）

【課題】流れ攪拌器及び／又は複数電極を用いる微小特徴加工物を処理する方法及びシステムを提供する。
【解決手段】位置合せシステムを備えた装着モジュールを有するツール。装着モジュールは、反応装置と加工物を反応装置まで及び反応装置のために移動する加工物搬送装置とを正確に配置するための位置決め要素を含む。反応装置の位置決め要素間の相対位置は、反応装置が取り外されて別の反応装置と交換される時に加工物搬送装置を再較正する必要がないように固定されている。反応装置は、加工物の処理表面での処理流体を攪拌するための攪拌器を含む。攪拌器と、反応装置と、反応装置内の電極とは、攪拌器及び／又は加工物が互いに対して往復する時に加工物の表面で攪拌器によって生じる電気遮断の可能性を軽減し、電界に対する三次元の影響に対処するように構成されている。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、一般に、電気化学的メッキシステムを提供する。このメッキシステムは、メインフレーム処理プラットホームに連通して位置された基板ロードステーションと、メインフレームに位置された少なくとも１つの基板メッキセルと、メインフレームに位置された少なくとも１つの基板ベベル洗浄セルと、メインフレーム及びロードステーションの少なくとも一方に連通して位置されたスタック型基板アニールステーションとを備え、このスタック型基板アニールステーション内の各チャンバーは、加熱プレートと、冷却プレートと、基板移送ロボットとを有している。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスを簡略化することが可能な伝送線路構造を含む配線構造を提供する。
【解決手段】この配線構造は、半導体基板１０上の絶縁膜１２に形成された溝１３ａと、溝１３ａの内面の少なくとも一部に沿って溝１３ａの延びる方向に形成された外側配線１４と、外側配線１４とともに信号を伝送するための伝送線路を構成し、絶縁膜１５を介して外側配線１４と対向するように形成された内側配線１６と、半導体基板１０上の絶縁膜１２に形成され、溝１３ａと所定の間隔を隔てて形成された溝１３ｂと、溝１３ｂを充填するように形成された単一配線１８とを備え、外側配線１４、絶縁膜１５および内側配線１６は、溝１３ａ内に埋め込まれている。 （もっと読む）

【課題】 電気銅めっきを行う際に、めっき液中のアノード側で発生するスラッジ等のパーティクルの発生を抑え、半導体ウエハへのパーティクルの付着を防止する半導体ウエハの電気銅めっき方法、電気銅めっき用純銅アノード及びこれらを用いてめっきされたパーティクル付着の少ない半導体ウエハを提供することを課題とする。
【解決手段】 電気銅めっきを行うに際し、アノードとして純銅を使用し、前記純銅アノードの結晶粒径を１０μｍ以下若しくは６０μｍ以上又は未再結晶であるアノードを用いて電気銅めっきを行うことを特徴とする電気銅めっき方法。 （もっと読む）

【課題】 導体層の研磨中に導体層の剥がれを防止できる配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板１０の一方の面１０ａに少なくとも孔１０ｂを形成する工程と、基板１０の一方の面１０ａ上、他方の面１０ｅ上及び側面１０ｆ上と、孔１０ｂの内面上とに、めっき給電層１４を形成する工程と、電解めっきにより、めっき給電層１４を介して、基板１０の一方の面１０ａ上、他方の面１０ｅ上及び側面１０ｆ上に形成され、かつ孔１０ｂを埋め込む金属層１８を形成する工程と、金属層１８を研磨することにより、孔１０ｂに金属層１８が埋め込まれた金属層のパターン１７ａ，１７ｂを形成する工程とを有する。 （もっと読む）