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【課題】Ruバリア上にダイレクトにめっきするプロセスにおいて、ボイドフリーの埋め込みを実現する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置100の製造方法は、半導体基板上の絶縁膜101に凹部102を形成する工程(a)と、凹部102の側壁及び底部を覆うようにバリアメタル膜103を形成する工程(b)と、第1の電界めっき処理により、バリアメタル膜103の表面に沿ってコンフォーマルな第1の導電膜104を形成する工程(c)と、工程(c)の後、第2の電界めっき処理により、凹部内に第2の導電膜105を形成する工程(d)とを有する (もっと読む)


先端の集積回路にみられる切欠構造(206,207,208,209,211,213,264,275a,275b)において、長尺のルテニウム金属膜(214)に多段階で銅鍍金を行う方法である。長尺のルテニウム金属膜 (214)を利用すると、銅金属がトレンチ(266)及びビア(268)のような高アスペクト比の切欠構造(206,207,208,209,264,275a,275b)を充填するあいだ、不要な微細気泡が形成を防ぎ、前記ルテニウム金属膜(214)上に長尺の銅金属層(228)を含むサイズの大きい銅粒(233)が鍍金形成される。銅粒(233)は銅が充填された切欠構造(206,207,208,209,211,213,275a,275b)の電気抵抗を低下させ、集積回路の信頼性を向上させる。
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【課題】Coをメッキシードとして電解メッキによるCu膜を成膜する場合に、Coの溶出を抑制してCoシード上に均質でかつ密着性の高いCu膜を形成することができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】表面にシード層としてCo膜が形成された基板を準備し、Co膜の上に硫酸銅溶液を主体とするメッキ液を用いて、電解メッキにより基板のCo膜上にCu膜を成膜するにあたり、基板表面をメッキ液に浸漬する前に、基板に対して、Coの表面電位がCoの酸化電位より低くなるような負の電圧を印加する。 (もっと読む)


【課題】アスペクト比の高い開口部内に空隙を形成することなく銅層を埋め込むことの可能な電気めっき方法を提供すること。
【解決手段】ウェハ上に銅層を形成する方法は、制御システムを有する電気めっきチャンバ内にウェハを配置する段階と、第1期間302の間にウェハに対する第1電力を正にパルス化する段階と、第1期間302に続く第2期間304の間にウェハに対する第2電力を負にパルス化する段階と、第2期間304に続く第3期間306の間にウェハに対する第3電力を正にパルス化する段階とを備える。 (もっと読む)


【課題】半導体装置用部材のリード線に、電解めっき層と置換めっき層とが同時に析出した後、置換めっき層のみ剥離する方法を提供する。
【解決手段】半導体装置用部材10のステム12に装着された複数のリード線18の各一端部を治具30内に挿入して、前記一端部の端面が治具30内に設けられた陰極としての第1電極24に当接した後、陽極としての第2電極が浸漬された電解金めっき液に浸漬し、第1電極24と第2電極との間に電流を印加して、第1電極18aの各露出面に電解金めっき層を形成する。その際リード線18aより短いリード線18bの露出面には置換めっき層が析出する。次いで治具30に装着された半導体装置用部材10を、金めっきを剥離する剥離液に浸漬して、第1電極24を陰極とし、陽極42との間に直流電流を印加すると、置換めっき層のみが剥離する。 (もっと読む)


【課題】常温における粘着力に優れ、80〜100℃の高温水中でも高い粘着力を発揮し、かつ、使用後は容易に剥離可能なマスキングテープを提供する。
【解決手段】基材と前記基材の一方の面に形成された粘着剤層とからなり、80〜100℃の高温水中でも高い粘着力を発揮し、かつ、使用後は容易に剥離可能なマスキングテープであって、前記粘着剤層は、少なくとも、アルキル基の炭素数が5以下であるアクリル酸アルキルエステルに由来するセグメントと、単独重合体のガラス転移温度が80〜120℃であるアクリルモノマーに由来するセグメントと、側鎖にラジカル重合性の不飽和結合を有するセグメントを有し、ガラス転移温度が−5〜15℃である共重合体を含有し、前記共重合体における前記アルキル基の炭素数が5以下であるアクリル酸アルキルエステルに由来するセグメントの含有量が40重量%以上、前記側鎖にラジカル重合性の不飽和結合を有するセグメントの含有量が0.1meq/g以上であるマスキングテープ。 (もっと読む)


【課題】比較的簡単な構成で、めっき槽内のめっき液の流れをより均一に調節して、めっき膜の膜厚の面内均一性をより高め、めっき膜の埋込み等をより短時間で確実に行うことができるようにする。
【解決手段】めっき槽の内部に該めっき槽内のめっき液に浸漬されるように配置され、ホルダで保持した被めっき材の被めっき面に向けてめっき液を噴射してめっき槽内にめっき液を供給する複数のめっき液噴射ノズル406を有するノズル配管400を備え、該ノズル配管400は、縦パイプ402と横パイプ404とを格子状に組んで構成され、ホルダで保持してめっき槽内にめっき液に浸漬させて配置される被めっき材の被めっき面と平行に横方向及び/または縦方向に移動自在に構成されている。 (もっと読む)


【課題】常温における粘着力に優れ、80〜100℃の高温水中でも高い粘着力を発揮し、かつ、使用後は容易に剥離可能なマスキングテープを提供する。
【解決手段】基材と前記基材の一方の面に形成された粘着剤層とからなり、80〜100℃の高温水中でも高い粘着力を発揮するマスキングテープであって、前記基材は、幅10mm、長さ15cmのサンプルを、80℃、チャッキング距離10cmの条件下で引張り試験機にて引張り試験を行ったときに、伸張率20%時の引張り強度が60N以下であるマスキングテープ。 (もっと読む)


【課題】配線に断線が発生することを抑制し、かつエレクトロマイグレーションに対する耐性、及び熱ストレスに起因したボイドの発生に対する耐性を配線に持たせる。
【解決手段】第2導電パターン104は端が第1導電パターン100につながっており、第1導電パターン100より幅が細い。第1導電パターン100及び第2導電パターン104は、シード層110及びメッキ層120を有する。シード層110及びメッキ層120は、それぞれ銅により形成されている。メッキ層120は、底層に、表層より結晶粒が小さい小粒層122を有している。そして第2導電パターン104を形成するメッキ層120は、小粒層122を、第1導電パターン100を形成するメッキ層120より厚く有している。 (もっと読む)


【課題】電解めっき処理法に用いられるアノード電極の乾燥を抑制する技術を提供する。
【解決手段】めっき浴槽に設けられた開口部を覆ってめっき処理対象物を配置する段階、当該めっき浴槽の前記開口部に於ける前記めっき処理対象物の表出部ならびに当該めっき浴槽内に配置されためっき電極を浸す様に当該めっき浴槽内にめっき液を導入する段階、前記めっき電極を用いて前記めっき処理対象物にめっき処理を施す段階、前記めっき浴槽内の前記めっき液を排除する段階、前記めっき浴槽の前記開口部を覆ってめっき処理非対象物を配置する段階、前記めっき浴槽内に配置された前記めっき電極を浸す様に当該めっき浴槽内にめっき液を導入する段階を備える。 (もっと読む)


【課題】厚みを薄くすることができるとともに効率的に製造することが可能な金属積層構造体および金属積層構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】第1の金属層と、第2の金属層と、第3の金属層と、を備え、第1の金属層は第2の金属層の一方の表面上に設置され、第3の金属層は第2の金属層の他方の表面上に設置されており、第1の金属層はタングステンおよびモリブデンの少なくとも一方を含み、第2の金属層は銅を含み、第3の金属層はタングステンおよびモリブデンの少なくとも一方を含む金属積層構造体とその製造方法である。 (もっと読む)


【課題】異方性導電接着剤や、相手金属と共晶を形成させる電極接合に適した硬度と形状を有する電極を形成させるために用いる電極形成用めっき浴及びそれを用いた電極形成方法を提供する。
【解決手段】(a)亜硫酸金アルカリ塩又は亜硫酸金アンモニウム塩が金濃度として1〜20g/Lと、
(b)Tl化合物、Pb化合物又はAs化合物からなる結晶調整剤が金属濃度として0.1〜100mg/Lと、
(c)亜硫酸ナトリウムが5〜150g/Lと、
(d)無機酸塩、カルボン酸塩又はヒドロキシカルボン酸塩が塩濃度として1〜60g/Lと、
(e)所定の置換芳香族化合物が0.1〜200mmol/Lと、
を含有する電極形成用金めっき浴を用いて、めっきすることにより電極を形成させる。 (もっと読む)


【課題】めっき液中のスラッジ等のパーティクルの発生を抑え、半導体ウエハへのパーティクルの付着を防止する半導体ウエハの電気銅めっき方法、電気銅めっき用含リン銅アノード及びこれらを用いてめっきされたパーティクル付着の少ない半導体ウエハを提供する。
【解決手段】アノード4として含リン銅を使用し、電解時の陽極電流密度が3A/dm以上である場合に、前記含リン銅アノードの結晶粒径を10〜1500μmとし、電解時の陽極電流密度が3A/dm未満である場合に、前記含リン銅アノードの結晶粒径を5〜1500μmとしたアノード4を用いて電気銅めっきを行うことを特徴とする電気銅めっき方法。 (もっと読む)


【課題】電気銅めっきを行う際に、めっき液中のアノード側で発生するスラッジ等のパーティクルの発生を抑え、半導体ウエハへのパーティクルの付着を防止する半導体ウエハの電気銅めっき方法、電気銅めっき用含リン銅アノード及びこれらを用いてめっきされたパーティクル付着の少ない半導体ウエハを提供する。
【解決手段】電気銅めっきを行うに際し、アノードとして含リン銅を使用し、電解時の陽極電流密度が3A/dm以上である場合に、前記含リン銅アノードの結晶粒径を10〜1500μmとし、電解時の陽極電流密度が3A/dm未満である場合に、前記含リン銅アノードの結晶粒径を5〜1500μmとしたアノードを用いて電気銅めっきを行うことを特徴とする電気銅めっき方法。 (もっと読む)


【課題】電解メッキ工程において、安定した給電が可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、有効チップ領域である第1の領域20と、第1の領域20の周縁を囲む第2の領域30と、を有した半導体ウエハー1を用意する工程と、第2の領域30に樹脂突起40を形成する工程と、第1の領域20及び第2の領域30に第1の導電層50を形成する工程であって、第1の導電層50は樹脂突起40の上に位置する第1の部分51を有するように、第1の導電層50を形成する工程と、第1の導電層50の上にレジスト層60を形成する工程と、少なくとも第1の導電層50の第1の部分51の上に位置するレジスト層60を除去する工程と、第1の導電層50の第1の部分51に給電して、電解メッキにより第1の導電層50の上に第2の導電層90を形成する工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】Ru含有膜の表面に形成される金属含有膜の成膜性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、以下の工程を含むものである。基板(半導体素子や層間膜が形成された半導体基板など)にRu含有膜を形成する工程(S100)、Ru含有膜の表面と接するように、Ruより酸化還元電位が低い金属を含有する膜を形成する工程(S102)、基板をめっき液に浸漬させて、当該膜にめっき液を接触させる工程(S104)、基板をめっき液に浸漬させた状態で、当該膜を電気分解により除去してRu含有膜を露出させるとともに、露出したRu含有膜の表面に金属含有膜を電解めっきにより形成する工程(S106)。 (もっと読む)


【課題】貫通シリコンビア形成時におけるビア内側壁の銅シード層のカバレッジが良好で均一な銅配線層を有するめっき物を提供することを目的とする。
【解決手段】基材上にバリア層として形成された、タングステン及びタングステンと合金化した際に銅に対するバリア性を有する金属(A)との合金薄膜、その上に無電解置換銅めっきにより銅シード層、さらに前記無電解置換銅めっきを実施したのと同一のめっき液を用いた電気銅めっきにより銅配線層がこの順番で形成されてなる、貫通シリコンビアを有するめっき物。 (もっと読む)


【課題】基板上に存在する、アスペクト比(深さ/開口径)が5以上の導電処理した非貫通穴に短時間で銅を良好に充填する方法を提供する。
【解決手段】基板上に存在する、アスペクト比(深さ/開口径)が5以上の導電処理した非貫通穴に銅を充填する方法であって、酸性銅めっき浴として、水溶性銅塩、硫酸、塩素イオン、ブライトナー及びジアリルアミン類と二酸化硫黄との共重合体を含む酸性銅めっき浴を用いて、周期的電流反転銅めっきして非貫通穴に銅を充填することを特徴とする銅充填方法。 (もっと読む)


【課題】はんだを使用せずに、より高温の環境においても、積層される上下の部材の熱応力を効果的に緩和することのできる金属基複合材料を使用した積層構造体を提供する。
【解決手段】材料A1と、材料B5と、材料A1と材料B5との間に挟まれた材料C4とからなり、材料A1および材料B5の線膨張係数が、α<αの関係を満たし(ここで、αは材料A1の線膨張係数を表し、αは材料Bの線膨張係数を表わす)、材料C4は2元素からなるマトリックス材および微粒子を含み、緻密状態2および多孔質状態3を含み、材料C4の材料A1に接する側が緻密状態2であり、材料B5に接する側が多孔質状態3であることを特徴とする積層構造体10。 (もっと読む)


【課題】貫通電極用凹部の底部からのめっき膜の成長速度を遅くすることなく、貫通電極用凹部内に銅等の金属を、内部にボイド等の欠陥を生じさせることなく完全に充填することができるめっき方法を提供する。
【解決手段】表面に貫通電極用凹部12を有する基板Wとアノードとをめっき液中に互いに対峙させて配置し、基板Wとアノードとの間に電圧を印加しながら基板Wとアノードとの間のめっき液を攪拌して貫通電極用凹部12内へ金属を充填し、貫通電極用凹部内12への金属の充填量に相関して、基板とアノードとの間のめっき液の攪拌条件を変化させる。 (もっと読む)


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