【課題】ウィスカの発生を抑制可能で、錫めっき浴の管理の容易化並びにめっきコストの低価格化を図る。
【解決手段】リード基材２２を被覆する錫めっき膜２６には、非イオン性の高分子微粒子２８が含有されている。高分子微粒子２８は、錫めっき膜２６の加わる応力によって変形して、該応力を緩和する。これによって、ウィスカの生成を抑制することができ、錫めっき膜２６で被覆した外部リードを備える電子部品においては、ウィスカに起因する短絡の発生を防止し得る。 （もっと読む）

【課題】めっき槽内でのめっき液の対流攪拌を阻害することなく、スラッジを除去する。
【解決手段】めっき液が貯留されるめっき槽１と、該めっき槽１の上部開口位置で被処理基板Ｓをめっき液に接触させつつカソード電極６に接続状態に支持する基板支持部３と、めっき槽１内に配置されたアノード電極９と、めっき槽１内にめっき液を供給する液供給手段４と、めっき槽１の上部からめっき液を外部に排出する液排出手段５とを具備するめっき装置であって、液供給手段４はめっき槽１の底部からめっき液を上方に向かって噴出する噴出口１１ａを有しており、該噴出口１１ａよりも半径方向外方位置に、めっき槽１中のスラッジＧを排出するスラッジ排出口２２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】めっき膜の成膜が進んでも、被めっき面の表面電位と所望する表面電位との誤差が生じることを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、半導体基板１に形成されたシード膜２０を、めっき液３２に接触させる工程と、シード膜２０にカソード電極５４を接続し、シード膜２０とめっき液３２中のアノード電極４０との間で電流を流すことにより、シード膜２０上にめっき膜２２を形成する工程と、を備え、めっき膜２２を形成する工程において、めっき液２０中に挿入された参照電極３４とカソード電極５４との間の電位差、またはカソード電極５４とアノード電極４０の電位差を、時間の経過と共に徐々に下げる工程を有する。 （もっと読む）

【課題】めっき処理した半導体基板のめっき膜の形成ばらつきを抑えることができる半導体装置の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】めっき処理槽１内に設置されたアノード電極設置槽２に設けられたフィルタ（Ｃ）８の表面に滞在する気泡を、フィルタ（Ｃ）８を振動させることによって離脱させ、電界めっき膜の形成に大きく影響を及ぼす電界の変化を抑制する。 （もっと読む）

【課題】疎水性めっき触媒受容領域を形成した基板の所望領域のみに選択的にめっき触媒を吸着させることができる触媒吸着方法、及び、それを用いた金属層付き基板の製造方法を提供する。
【解決手段】重合性基と相互作用性基とを有する化合物を含有し、硬化物が疎水性表面である感光性樹脂組成物を基板上に塗布する工程、パターン状に露光し、該組成物を硬化させる工程、未硬化物を現像除去する工程、及び、該基板に、めっき触媒と有機溶剤とを含有する水性めっき触媒液を接触させる工程、を含み、パラジウムをめっき触媒として含むめっき触媒液を接触させたときの、めっき触媒受容領域における吸着量をＡｍｇ／ｍ^２、未形成領域における吸着量をＢｍｇ／ｍ^２としたとき、下記式（Ａ）、（Ｂ）を満たす。
式（Ａ）：１０ｍｇ／ｍ^２≦Ａ≦１５０ｍｇ／ｍ^２
式（Ｂ）：０ｍｇ／ｍ^２≦Ｂ≦５ｍｇ／ｍ^２ （もっと読む）

【課題】基体上に良好な物理−機械的特性を有する均一で光沢性の高い金属層を提供する。
【解決手段】以下の式を有する添加剤消費抑制有機化合物をめっき液に添加する：


式中、Ｒ、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は独立して、水素；ハロゲン；（Ｃ１−Ｃ２０）直鎖、分枝、または環状アルキル；（Ｃ２−Ｃ２０）直鎖、分枝、または環状アルケニル；（Ｃ２−Ｃ２０）直鎖、または分枝アルキニル；−ＣＮ；ＳＣＮ；−Ｃ＝ＮＳ；−ＳＨ；−ＮＯ２；ＳＯ２Ｈ；−ＳＯ３Ｍ；−ＰＯ３Ｍ；（Ｃ１−Ｃ２０）アルキル−Ｏ（Ｃ２−Ｃ３Ｏ）ｘＲ６，（Ｃ１−Ｃ１２）アルキルフェニル−Ｏ（Ｃ２−Ｃ３Ｏ）ｘＲ６，−フェニル−Ｏ（Ｃ２−Ｃ３Ｏ）ｘＲ６，式中ｘは１から５００の整数であり、Ｒ６は水素、（Ｃ１−Ｃ４）アルキルまたはフェニルである。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ等の被めっき体（基板）にめっきを行う場合に、高電流密度の条件であっても平坦な先端形状のバンプを形成したり、良好な面内均一性を有する金属膜を形成したりする方法を提供する。
【解決手段】めっき液Ｑを保持するめっき槽１０と、めっき槽内のめっき液に浸漬させて配置されるアノード２６と、被めっき体Wを保持しアノードと対向する位置に配置するホルダ２４と、アノードとホルダで保持した被めっき体との間に配置され、該被めっき体と平行に往復移動してめっき液を攪拌するパドル３２と、パドルを駆動するパドル駆動部を制御する制御部を有し、制御部は、パドルの移動速度の絶対値の平均が７０〜１００ｃｍ／ｓｅｃとなるようにパドル駆動部を制御する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ等の被めっき体（基板）にめっきを行う場合に、高電流密度の条件であっても平坦な先端形状のバンプを形成したり、良好な面内均一性を有する金属膜を形成したりすることができるめっき装置及びめっき方法を提供する。
【解決手段】めっき液Ｑを保持するめっき槽１０と、めっき槽１０内のめっき液Ｑに浸漬させて配置されるアノードと、被めっき体Ｗを保持しアノードと対向する位置に配置するホルダと、格子部３２ｂを有する板状部材からなり、アノードとホルダで保持した被めっき体との間に配置され該被めっき体と平行に往復移動してめっき液を攪拌するパドル３２と、パドル３２を駆動するパドル駆動部４２を制御する制御部４６を有する。 （もっと読む）

【課題】めっきによる金属膜の成膜をビアホール内に選択的に行って、ビアホール内を欠陥なくめっき膜で充填するとともに、ビアホール以外に形成される余分な金属膜を極めて薄くできるようにしためっき装置及びめっき方法を提供する。
【解決手段】めっき液を保持するめっき槽１８６と、めっき槽１８６内のめっき液に浸漬させて配置されるアノード２１２と、被めっき材を保持して該被めっき材に通電し、被めっき材をアノードと対向する位置にめっき液に浸漬させて配置するホルダ１６０と、アノードとホルダで保持した被めっき材との間に配置され、めっき槽内のめっき液を攪拌するめっき液攪拌部２２０と、ホルダで保持してめっき液中に浸漬させて配置した被めっき材の被めっき面に面するめっき液中にバブルを供給するバブル供給部２２２と、被めっき材とアノードとの間に電圧を印加するめっき電源２３０を有する。 （もっと読む）

【課題】結晶破壊やめっき剥離を起こし難い金属めっきを形成することができるめっき方法及びそのような金属めっきを備える電子装置を提供すること。
【解決手段】開口１６ａが形成されるとともに、前記開口１６ａの内周面が裏面側から表面側に向かうほど前記開口側に大きく迫り出すレジストパターン１６を形成する工程と、前記レジストパターンに形成される前記開口を充填する金属めっき１８を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】孔又は溝を備えた基板を被めっき体として銅を電気めっきすることによって得られる新たな銅めっき体及びその製造方法の提供。
【解決手段】１価の銅イオンと錯体を形成し、１価の銅イオンとの錯化定数が１×１０³より高い値を示し、且つ使用環境下において１価の銅イオンと形成する錯体の溶解度が０．５ｇ／Ｌ以上の銅錯化剤、若しくは、１価の銅イオンと錯体を形成し、１価の銅イオンとの錯化定数が１×１０³より高い値を示し、且つ２価の銅イオンとの錯化定数が１×１０²⁰以下の値を示す銅錯化剤と、水と、銅成分とを含む電解液を用いて、孔又は溝を備えた基板を被めっき体として銅を電気めっきすることによって、孔又は溝の底部に空洞部を残しつつその空洞部の上側に銅を電着させることを特徴とする銅めっき体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】めっき槽内の結晶物の発生を抑制することを目的とする。
【解決手段】半導体装置基板６をめっき液１から引き上げた後、めっき槽内に加湿された不活性ガスを導入することにより、めっき槽に付着しためっき液１が乾燥することを抑制できるため、めっき槽内の結晶物の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】アノードから遊離された金属イオンが、隣接したアノードと対向する基板に到達されることを防止することにより、均一なメッキの厚さを得ることができるので、メッキの信頼性が向上し、かつ、高品質のメッキ製品を生産することができるメッキ装置を提供する。
【解決手段】本発明によるメッキ装置は、複数の基板を一括でメッキする装置であって、複数の基板が投入されるメッキ槽１２と、複数の基板２８と各々対向して結合されるアノード１８と、隣接したアノード１８から遊離された金属イオンの到達を防止するために複数の基板２８を隔離させる分割板２０とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】均一なメッキ厚さを得ることにより、メッキの信頼性が向上し、高品質のメッキ製品を生産することができるメッキ装置を提供する。
【解決手段】複数の基板を一括でメッキする装置において、複数の基板２８が投入されるメッキ槽１２と、複数の基板２８のメッキ面それぞれと対向するように結合されるアノード１８と、複数の基板２８がそれぞれ隔離されるようにメッキ槽１８を区画する分離隔壁２０と、を含み、複数の基板２８が各々独立的に独立したメッキ領域にてメッキされるようにして、アノード１８から遊離された金属イオンが、そのアノード１８に隣接したアノード１８と対向している基板２８に到達することを防止することを特徴とするメッキ装置。 （もっと読む）

【課題】ＬＣＤドライバ等の半導体製品では約１５〜２０μｍの金バンプ(Bump)電極形成のためのバンプ・メッキ工程がある。このバンプ・メッキ工程は、所定のメッキ液を用いて電気めっきにより行われるが、量産工程において間歇的にバンプ電極上に突起が発生するという問題がある。
【解決手段】本願発明は金バンプ・メッキ工程の開始前に、被処理ウエハごとに、メッキカップを正立させた状態でメッキ液を循環させながら撹拌して、析出物を効率よく溶解・排出させる工程を追加することによって、金バンプ電極上に突起が異常成長することを防止するものである。 （もっと読む）

【課題】構成材料と犠牲材料の両方の着電に基づいて多層３次元構造を形成する。
【解決手段】めっきされる基板２に、マスク６および支持体８を含む第１の物品４ａを接触させ、第１の金属イオン源が存在している状態で、第１の金属（例えば犠牲金属）１２を堆積し、マスク１６および支持体１８を含む第２の物品１４を基板２に接触させ、第２の金属イオン源が存在している状態で、第２の金属（例えば構成金属）２０を堆積し、層を平坦化する。そして、異なるパターンの電気めっき物品４ａ、４ｂ、１４ａ、１４ｂを用いて上記した方法を繰り返し、多層構造２４を生成する。犠牲金属１２の全てをエッチングすることによって、エレメント２６を得る。 （もっと読む）

【課題】
複数のビアへの、めっき加工による金属の充填を、凹凸を生じさせず、かつ、並行して行うことができる技術を提供する。
【解決手段】
めっき加工で使用されるめっき浴は充填速度を抑制する抑制剤を含んでおり、
金属の充填を行う前に、抑制剤が基板表面に定着する電圧値で、基板に電圧を印加し、金属の充填を行う電圧値で、基板に電圧を印加し、複数種のビアへの金属の充填を継続中、複数のビアのうち、いずれかが予め定めた状態まで充填されたとき、金属の充填を行う電圧値より高い電圧値（ストライク電圧）を、予め決められた時間、基板に印加し、目標の数のビアが目的の状態に充填されたとき、基板への電圧の印加を終了する。 （もっと読む）

【課題】基板から離隔して空隙を介して基板に対向する離隔対向部位を、基板上の犠牲層形成領域の凹凸態様に拘らず、所定の形状で形成するのに適したマイクロ構造体製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のマイクロ構造体製造方法は、例えば、複数の金属犠牲層３３，３５からなる積層構造を有する金属犠牲部をめっき法により基板１０’上に形成する工程と、金属犠牲部上に広がって基板１０’から離隔する部位を有し且つ基板１０’に支持される構造部１４を形成する工程と、金属犠牲部を除去する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】金めっき皮膜からなるバンプと同等の硬度、表面粗さを有し、安価な材料で形成されるバンプとその形成方法を提供する。
【解決手段】下地めっき層１０と表面めっき層１２とからなる高さ15〜22μｍのバンプであって、下地めっき層が、ニッケル、パラジウム、銀、錫又はこれらの合金からなる１層または２層以上のめっき皮膜からなり、表面めっき層がバンプ高さの30％以上の膜厚の金めっき皮膜からなるバンプ。このバンプは、パターンニングされた半導体ウエハー１上に、ニッケル、パラジウム、銀、錫又はこれらの合金からなる１層又は２層以上の下地めっき層１０を電解または無電解めっきにより形成した後、電解金めっきにより表面めっき層１２を形成することにより形成する。 （もっと読む）

【課題】製造後に発生するめっき層の内部応力を緩和でき、めっき層表面からのウィスカーの発生、成長を抑制できる半導体装置を提供すること。
【解決手段】外部接続用リード１４ｂ上にめっき層１６を有する半導体装置において、めっき層１６は、低融点めっき層１６ａと、低融点めっき層１６ａ上に形成された高融点めっき層１６ｂとを有し、高融点めっき層１６ｂは、最高使用温度より固相線温度又は融点の高い金属で形成され、低融点めっき層１６ａは、最高使用温度より固相線温度又は融点の低い金属で形成される。 （もっと読む）