【解決課題】集積回路用のサブミクロン相互接続構造を製作する方法を提供する。
【解決手段】添加剤を含み、平坦で光沢があり延性があり低応力のＣｕ金属を付着させるのに通常用いられる浴からＣｕを電気めっきすることによって、ボイドのないシームレスな導体が得られる。ボイドまたはシームを残すことなくフィーチャを超充填できるこの方法の能力は独特であり、他の付着方法より優れている。この方法で電気めっきされたＣｕを利用する構造のエレクトロマイグレーションの抵抗は、ＡｌＣｕ構造または電気めっき以外の方法で付着されたＣｕを用いて製作された構造のエレクトロマイグレーションの抵抗より優れている。 （もっと読む）

【課題】錫めっき又は金めっきが施された基板電極との接合に適したバンプ硬度と形状を有する金バンプが得られるバンプ形成用非シアン系電解金めっき浴を提供する。
【解決手段】金源としての亜硫酸金アルカリ塩または亜硫酸金アンモニウムと、めっき浴の安定化剤としての水溶性アミンと、結晶調整剤と、亜硫酸ナトリウムからなる伝導塩５〜１５０ｇ／Ｌと、緩衝剤と、分子量２０００〜６０００のポリアルキレングリコール０．０１〜１０ｍｇ／Ｌと、を含有するバンプ形成用非シアン系電解金めっき浴。結晶調整剤としてはＴｌ化合物、Ｐｂ化合物、またはＡｓ化合物が、水溶性アミンとしては炭素数２〜６のジアミン化合物が好ましい。 （もっと読む）

【課題】Ｒｕ膜上におけるＣｕのめっき不良を抑制し、それにより半導体装置の性能を向上することを目的とする。
【解決手段】金属バリア層を表面全体に備えたウェハに、電解めっきにより第一Ｃｕめっき膜および第二Ｃｕめっき膜を形成する半導体装置の製造方法であって、
前記第一Ｃｕめっき膜の電解めっきにおける電極の第一コンタクト部は前記金属バリア層表面に設けられ、
前記第二Ｃｕめっき膜の電解めっきにおける電極の第二コンタクト部は前記第一Ｃｕめっき膜表面に設けられる半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】異方性導電接着剤を用いた熱圧着による接合に適したバンプ硬度と形状を有する金バンプが得られるバンプ形成用非シアン系電解金めっき浴及びバンプ形成方法を提供する。
【解決手段】金源としての亜硫酸金アルカリ塩または亜硫酸金アンモニウムと、結晶調整剤と、亜硫酸カリウムからなる伝導塩5〜150ｇ／Ｌと、分子量が200〜6000のポリアルキレングリコール１ｍｇ／Ｌ〜６ｇ／Ｌ及び／又は両性界面活性剤0.1ｍｇ〜1ｇ／Ｌと、水溶性アミン及び/又は緩衝材とを含有するバンプ形成用非シアン系電解金めっき浴。パターンニングされたウエハ上に本発明の金めっき浴を用いて電解金めっきを行った後、２００〜４００℃で５分以上熱処理することにより、皮膜硬度が５０〜９０Ｈｖ、表面の高低差が１．８μｍ以下のバンプが形成される。 （もっと読む）

【課題】装身具、あるいは半導体の表面に、白金族金属、金、銀から選ばれる金属との合金の薄膜をメッキするための方法を提供する。
【解決手段】二酸化ゲルマニウムをアルカリ性溶液に溶解した後、遊離酸を添加して酸性ゲルマニウム溶液を作製し、更に、白金族金属、金、銀から選択される共析金属を溶解し、電解液とする。装身具においてはゲルマニウムの含有率を５〜４５重量％、半導体素子においてはゲルマニウムの含有率を８０〜９０％となるように用途に応じて電解液中のゲルマニウムの濃度を調整して電解メッキを施す。 （もっと読む）

本発明は、基板の表面処理方法、さらにまた、該方法並びに該方法から得られるフィルム、コーティングおよび装置の、限定するものではないが、電子機器の製造、プリント回路板の製造、金属電気めっき、化学侵食に対する表面の保護、局在化導電性コーティングの製造、例えば化学および分子生物学分野における化学センサーの製造、生体医療装置の製造等のような種々の用途における使用に関する。もう１つの局面においては、本発明は、少なくとも１層の金属層、該少なくとも１層の金属層に付着した有機分子の層、および該有機分子の層上のエポキシ層を含むプリント回路板に関する。
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【課題】電解メッキ工程により基板上に均一な厚さを有する半導体素子用金属配線の形成方法を提供する。
【解決手段】導電性構造物を含む基板１００上に金属層、金属化合物層またはこれらの混合層からなる金属含有層１３０を形成する。続いて、金属含有層１３０上に金属シード層１４０を形成し、基板１００の周辺部に沿って金属シード層１４０上に、金属シード層１４０より電気抵抗が同一或いは小さな補助金属からなる接蝕層１５０を形成する。基板１００を電解メッキ設備に装着して、接触層１５０とカソード電極５４０とを接続し、金属シード層１４０に対して電解メッキを遂行し、金属含有層１３０上に金属配線層を形成する。 （もっと読む）

【解決手段】有機添加剤を含む硫酸銅めっき浴を収容しためっき槽中で、可溶性又は不溶性アノードを用い、被めっき物をカソードとし、めっき槽からめっき浴をオーバーフロー槽に流出させつつオーバーフロー槽中のめっき浴をめっき槽に返送すると共に、酸化分解槽を設け、酸化分解槽からオーバーフロー槽を介してめっき槽にめっき浴を返送してめっき槽と酸化分解槽との間でめっき浴を循環させ、酸化分解槽中のめっき浴に金属銅を浸漬して金属銅にエアバブリングを施すことにより電気銅めっきの際に生成した分解／変性有機生成物を酸化分解させる処理を施し、被めっき物に銅を連続的に電気めっきする。
【効果】硫酸銅めっき浴中の有機添加剤が分解又は変性して生成した分解／変性有機生成物を効率的に酸化分解させて、分解／変性有機生成物の問題を回避し、めっき成分を効果的に補充しながらめっき皮膜の特性を維持して連続的に硫酸銅電気めっきすることができる。 （もっと読む）

【課題】バリア層としてのルテニウム膜の表面に直接電解めっきを行って、トレンチ等の配線用凹部内に内部に欠陥のない配線材料を埋込むことができるようにする。
【解決手段】配線用凹部の表面を含む全表面にルテニウム膜を形成した基板を用意し、基板表面をめっき液に所定時間接触させてめっき液中の添加剤をルテニウム膜に吸着させ、しかる後、電解めっきによりルテニウム膜の表面に導電膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】針状ウィスカ１０の発生を抑制した鉛フリーめっき層２を持つめっき部材３を得る。
【解決手段】めっき層２のめっき材料がＳｎ系めっき材料であり、めっき層表面において、Ｓｎ結晶粒の（００１）面の占める割合が最も多くなるようにめっき層２を形成する。 （もっと読む）

半導体集積回路デバイス基板のシリコン貫通ビアフィーチャー（through silicon via feature）を金属被膜する方法であって、ここで前記半導体集積回路デバイス基板を銅イオン源、有機スルホン酸あるいは無機酸、あるいは分極剤および／あるいは減極剤から選ばれる１つあるいはそれ以上の有機化合物、および塩素イオンからなる電解銅堆積組成物に浸漬することからなる。 （もっと読む）

【課題】ダマシンプロセスに適した溝や孔への優先的なメッキ膜形成を実現する。
【解決手段】半導体基板と少なくとも前記半導体基板に形成された導電層を有する被処理基板と、メッキ液を含む第１の含浸体１１１１及び電解液を含む第２の含浸体１１１４が設けられたメッキヘッド１１１０とを用意し、第１の含浸体１１１１に陽極１１１２の電位を与えると共に、第２の含浸体１１１４に陰極１１１５の電位を与えた状態で、第１及び第２の含浸体１１１１，１１１４を導電層に対向させ、導電層の少なくとも一部にメッキ層を形成するために、メッキヘッド１１１０を導電層に対して相対的に移動させる。 （もっと読む）

【課題】鉛フリーの材料からなるめっき層を有するめっき部材において、めっき層の結晶方位面およびその配向指数を制御してウィスカが発生するのを抑制する。
【解決手段】基材１の表面に鉛フリーの材料からなるめっき層２を有するめっき部材３において、めっき層における（３２１）面の配向指数を１５以上とし、かつ（２２０）面の配向指数を０．５以下とする。または、めっき層における（２２０）面の配向指数を１０以上とし、かつ（３２１）面の配向指数を１．０以下とする。 （もっと読む）

【課題】より容易にかつより完全に針状ウィスカの発生を抑制できる鉛フリーのめっき層を有するめっき基材を得る。
【解決手段】母材の表面に鉛フリーのめっき層を有するめっき基材を製造するに際し、母材表面に鉛フリーのめっき層を形成した後、形成しためっき層に冷熱サイクル履歴を与えてノジュール状のウィスカを人為的に発生させる。それにより、めっき層の内部応力は開放されるので、爾後の針状ウィスカの発生が抑制される。 （もっと読む）

【課題】半導体等の被処理基板にメッキを施すメッキ装置において、被処理基板の円形被処理領域全域を簡単な機構で隈なく攪拌する装置を提供する。
【解決手段】上部に開口を有するメッキ槽１とメッキ槽内に配置されたアノード５とアノード５と被処理基板２３の間に液流を形成するポンプ２を備え、さらに直線ガイド１３、１３１とこれに沿って往復運動する直動板１２と直動板１２に固定された弾性を有する攪拌板１５と攪拌板１５の両端を、転がり軸受１６を介してガイドする円弧状ガイドによって構成された攪拌ユニットを備え、円形開口を有する被処理基板マスク部材１８の開口に配置された被処理基板２３の被処理領域を、攪拌板１５を左右に弓形に撓ませながら往復運動させることにより攪拌するようにした。 （もっと読む）

【課題】めっき処理した半導体基板をめっき液除去および洗浄する際の異物付着を抑えることができる半導体装置の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】ウェーハW（半導体基板）をめっき処理槽1内のめっき液13に浸漬して金属膜を形成する工程と、金属膜が形成されたウェーハWをめっき液13の上方のめっき処理槽1内で純水の噴射および回転を付与してウェーハ表面のめっき液を除去する工程とを含んだ半導体装置の製造方法において、ウェーハ表面のめっき液を除去する工程でさらにウェーハWを振動させる。ウェーハWを振動させることでめっき液を振り落とすので、回転のみで液切りする場合に比べて外方へ飛散するめっき液量を抑え、槽の側壁へのめっき液やそれから生じる異物（結晶）の付着、その異物のウェーハWへの再付着を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】めっき処理する際に微細孔の内側に残存する気泡に阻害されることなく、微細孔の内側にめっきを設けることができるめっき形成方法およびめっき処理装置を提供する。
【解決手段】本発明のめっき形成方法は、被処理体１０ａの微細孔の内側にめっきを形成する方法であって、前記被処理体１０ａに対する表面張力が前記めっきを施すために用いられる溶液Ａ１６よりも小さい溶液Ｂ１７に前記被処理体１０ａを浸漬する工程と、前記被処理体１０ａをめっき浴に浸漬させて前記微細孔の内側に溶液Ａ１６を充填する工程と、を順に有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】溝配線等をめっき成膜する際の配線内のボトムアップ量やめっき膜に含まれる不純物量を一定に保持するめっき成膜装置、成膜方法を提供する
【解決手段】めっき成膜装置１０は、被成膜基板の表面にＣｕ膜を成膜するためのめっき槽１２と、一定量のめっき液を滞留させるめっき液タンク１６と、めっき槽１２とめっき液タンク１６との間でめっき液を循環させるためのめっき液循環ライン１８と、めっき液循環ライン１８を流れるめっき液に水素を供給する水素供給ライン２０を備える。めっき液を循環させながらめっき液に水素を供給して、被成膜基板の表面にＣｕ膜をめっき成膜する （もっと読む）

【解決手段】基板保持搬送組立体を開示する。基板保持搬送組立体は、ベースプレートと、離間配向性を有してベースプレートに接続された一対のクランプとを含み、一対のクランプの離間配向性は、少なくとも二つの独立点による基板の支持を可能にする。基板保持搬送組立体は、更に、実質的に一対のクランプ間の位置においてベースプレートに接続された電極組立体を含む。電極組立体は、基板が存在し且つ一対のクランプにより保持される時、基板に電気接点を与えるように形成される。 （もっと読む）

処理剤を用いる製品Ｌの電解処理用装置は、板形状をした製品の処理をより均一にするために用いられる。この装置は、上記装置内で製品Ｌを保持するための機械装置４０、４２と、一つ又は複数の流量装置１０であって、各々少なくとも一つのノズル１５を有しており且つ製品Ｌに向かい合った位置に置かれる流量装置１０と、一つ又は複数の対向電極３０であって、処理剤に不活性であり且つ少なくとも一つの処理表面と平行に置かれる対向電極３０と、一方では製品Ｌと他方では流量装置１０及び／又は対向電極３０との間において処理表面に対して平行な少なくとも一方向に相対運動を発生するための手段４４とを有する。製品Ｌは処理中処理剤内に浸漬され得る。
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