【課題】表面被覆層を有するリードフレーム用アルミニウム板条について、その半田付け性、表面被覆層の密着性及び耐熱剥離性を改善する。
【解決手段】アルミニウム板条を母材とし、その表面にジンケート処理層が形成され、さらに平均厚さが０．１〜１．０μｍのＮｉ被覆層、平均厚さが０．４μｍ以下のＣｕ被覆層、平均厚さが０．１〜１．０μｍのＣｕ−Ｓｎ合金被覆層、及び平均厚さが０．１〜１０．０μｍのＳｎ被覆層がこの順に形成されたリードフレーム用アルミニウム板条。Ｓｎ被覆層はリフロー処理されていることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】電気的接続部位等に設けられるＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ被膜を形成する際に好適に用いることができ、被膜特性の向上及びコスト削減を図ることのできる電解パラジウム−リン合金めっき液、めっき被膜及びめっき製品を提供する。
【解決手段】被めっき物１００の表面に、電解めっきにより電解パラジウム−リン合金めっき被膜１２を形成する際に用いる電解パラジウム−リン合金めっき液であって、パラジウム化合物と、次亜リン酸ナトリウム又は亜リン酸と、エチレンジアミン又はジエチレントリアミンとを含むことを特徴とする電解パラジウム−リン合金めっき液、該めっき液によるめっき被膜及びめっき製品。 （もっと読む）

【課題】高い導電率及び強度を有し、応力緩和特性及び曲げ加工性に優れ、Ｓｎめっきの耐熱剥離性にも優れた電気・電子部品用銅合金を提供する。
【解決手段】Ｆｅ：０．０１〜０．２質量％、Ｐ：０．０２〜０．１５質量％、Ｍｇ：０．０５〜０．２質量％、Ｓｎ：０．００１〜０．２質量％、及びＺｎ：０．０５〜１．０質量％を含み、残部がＣｕ及び不可避的不純物からなり、Ｓ：０．００５質量％以下であり、Ｆｅ，Ｍｇ及びＰ含有量が下記式（１）、（２）を満たす。２．５≦（［Ｆｅ］＋［Ｍｇ］）／［Ｐ］≦８．０・・・・（１）［Ｍｇ］／［Ｆｅ］≧０．８５・・・・（２）［Ｆｅ］、［Ｍｇ］、［Ｐ］は、それぞれＦｅ，Ｍｇ，Ｐ含有量を表す。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ合金の代わりに使用でき、軽量化が図れると共に、原材料費の低減も図れる電子部品材を提供する。
【解決手段】引張強度を９０〜７００ＭＰａかつビッカース硬度Ｈｖを３０〜２３０にしたＡｌ合金の基材１０の表面に、Ｎｉ、Ｎｉ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｇ、Ａｇ合金、Ｓｎ、Ｓｎ合金、Ｐｄ、Ｐｄ合金、Ａｕ、又はＡｕ合金のいずれか１種又は２種以上で構成される第１のめっき層１３を形成した。Ａｌ合金の基材１０は、例えば、Ｓｉ：１３．０質量％以下、Ｆｅ：１．５質量％以下、Ｃｕ：６．８質量％以下、Ｍｎ：１．５質量％以下、Ｍｇ：５．６質量％以下、Ｃｒ：０．５質量％以下、Ｚｎ：８．４質量％以下、及びＴｉ：０．２質量％以下を含有し、その他不可避的不純物を含む。 （もっと読む）

【課題】銅合金板に高電流密度でＳｎめっきを施すに際し、泡立ちが少なくてスラッジの発生量も少なくめっき焼けも発生しない高電流密度Ｓｎめっき用硫酸浴及びその硫酸浴を用いた銅合金板へのＳｎめっき方法を提供する。
【解決手段】主成分として硫酸：３０〜１２０ｇ／ｌ、硫酸錫：２０〜１５０ｇ／ｌを含有するとともに、光沢剤としてポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテル：０．３〜５ｇ／ｌ、エチレンジアミンＥＯ−ＰＯ付加物：０．０５〜３ｇ／ｌ、ポリオキシエチレンナフチルエーテル：０．０５〜５ｇ／ｌ、脱酸素剤としてピロガロール：０．１〜１０ｇ／ｌを含有する高電流密度Ｓｎめっき用硫酸浴。 （もっと読む）

【課題】電気めっき法によらずに、均一組織で薄膜のＳｎ−Ａｇ合金層を容易かつ確実に形成する。
【解決手段】Ｃｕ又はＣｕ合金からなる基材の上に、Ｓｎ又はＳｎ合金からなるＳｎめっき層を形成するＳｎめっき層形成工程と、Ｓｎめっき層の上に、保護剤が化学修飾したＡｇ又はＡｇ合金からなるＡｇナノ粒子を含む水とアルコールと有機バインダー又は有機溶剤との混合液を塗布することにより、Ａｇナノ粒子を分散させたＡｇナノ粒子膜を形成するＡｇナノ粒子膜形成工程と、次いで、リフロー処理することにより、Ｓｎめっき層の表面に、Ｓｎめっき層のＳｎ又はＳｎ合金とＡｇナノ粒子膜のＡｇ又はＡｇ合金とを合金化してなるＡｇ−Ｓｎ合金層を形成するＡｇ−Ｓｎ合金層形成工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】封止樹脂との密着性を維持し、且つエポキシ樹脂成分の滲み出しのない、めっき表面形態をなしたニッケルめっきと金めっきを施したリードフレームを提供する。
【解決手段】リードフレームの少なくとも半導体素子を搭載するパッド部上に、塩化物浴による結晶核となる山型状突起群が形成されるようにニッケルめっき１１を施した後、その上に延展性の良いニッケルめっき層１２を施して半球状の凹凸表面を形成し、更にその上にパラジウムめっき層と金めっき層を形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ又はＣｕ合金からなる下地基材に対するバリア性を高め、Ｃｕの拡散をより確実に防止して耐熱性を向上させ、高温環境下でも安定した接触抵抗を維持する。
【解決手段】Ｃｕ又はＣｕ合金からなる基材の上に、Ｎｉ−Ｗ合金層、Ｃｕ層又はＣｕ−Ｓｎ合金層からなる中間層、Ｓｎ又はＳｎ合金からなる表面層がこの順で形成され、Ｎｉ−Ｗ合金層の厚さが０．１〜１．０μｍ、Ｎｉ−Ｗ合金層中のＷ含有量が１０〜３５ａｔ％であり、かつ中間層の厚さが０．２〜１．０μｍ、表面層の厚さが０．５〜２．０μｍである。 （もっと読む）

【課題】半導体装置用リードフレームとその製造方法において、複数のめっき層を積層する場合におけるめっき層同士の密着性を向上させ、半導体装置の製造工程におけるワイヤーボンド性の低下や実装の際の半田付け性の悪化を抑制するとともに、製造コストの効果的な削減を図る。
【解決手段】 導体基材２０上に下地めっき層２１を形成し、当該下地めっき層２１の上に金属結合性を有する有機被膜２２を介して最表めっき層２３を積層することで、リードフレーム２ａ、２ｂを構成する。有機被膜２２は、主鎖部Ｂ１の両末端に金属結合性の官能基Ａ１、Ａ１を持つ機能性有機分子１１を自己組織化させた単分子膜として構成する。 （もっと読む）

【課題】電気めっき方法で形成される鉄−ニッケル合金めっき皮膜について、熱処理後においても皮膜硬度の低下が生じ難い新規な鉄−ニッケル合金めっき皮膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ニッケル塩、第一鉄塩、錯化剤及び緩衝剤を含む水溶液中に平均粒径３μｍ以下の微粒子を分散させた鉄−ニッケル合金めっき液中で、電気めっき法によって該微粒子が共析した鉄−ニッケル合金めっき皮膜を形成した後、形成されためっき皮膜を４００℃以上の温度で熱処理することを特徴とする、低膨張特性及び高硬度を有する鉄−ニッケル合金めっき皮膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】曲げ加工時にクラックの発生が抑制され、更には、モールド樹脂との密着性に優れたリードフレームを提供する。
【解決手段】素材金属１０の表面に下地Ｎｉめっき層を介して貴金属めっき層１３が形成されたリードフレームにおいて、下地Ｎｉめっき層の表面粗さＲａが０．１〜０．８μｍの範囲にあり、下地Ｎｉめっき層の表面に、下地Ｎｉめっき層の表面の角状又は針状の凹凸プロファイルに合わせてフラッシュめっきにより貴金属めっき層１３を形成した。ここで、貴金属めっき層１３は、Ｐｄ、Ａｕ、及びＡｇめっきの少なくとも１である。 （もっと読む）

【課題】ステンレス基板への腐食を抑え、薄く欠陥のない金めっき層のパターンをステンレス基板上に形成する方法を提供する。
【解決手段】第１めっき工程にて、ステンレス基板に前処理を施した後、全面に塩酸めっき液を用いて第１金めっき層を形成し、第２めっき工程にて、この第１金めっき層上にマスクめっきにより所望のパターンで第２金めっき層を形成し、その後、剥離工程にて、第２金めっき層の存在しない領域の第１金めっき層をアルカリ系剥離液を用いて剥離除去する。 （もっと読む）

【課題】ウィスカの発生を抑制可能で、錫めっき浴の管理の容易化並びにめっきコストの低価格化を図る。
【解決手段】リード基材２２を被覆する錫めっき膜２６には、炭素微粒子２８が含有されている。炭素微粒子２８は、錫めっき膜２６の加わる応力によって変形して、該応力を緩和する。これによって、ウィスカの生成を抑制することができ、錫めっき膜２６で被覆した外部リードを備える電子部品においては、ウィスカに起因する短絡の発生を防止し得る。 （もっと読む）

【課題】導電部材としての使用時に良好な特性を有する多層にめっきが施された銅合金条材を連続的に効率良く得る。
【解決手段】銅条材を連続的に走行させながら複数のめっき浴に挿通して、Ｎｉ又はＮｉ合金、Ｃｕ又はＣｕ合金、Ｓｎ又はＳｎ合金を順にめっきしてリフロー処理することにより、Ｎｉ系下地層、Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物層、Ｓｎ系表面層を順に形成する方法であって、各めっき層を、無機酸を主成分とするめっき浴中にて不溶性アノードを使用した電解めっきにて形成するとともに、Ｎｉ又はＮｉ合金によるめっきは浴温４５〜５５℃、電流密度２０〜５０Ａ／ｄｍ^２、Ｃｕ又はＣｕ合金によるめっきは浴温３５〜５５℃、電流密度２０〜６０Ａ／ｄｍ^２、Ｓｎ又はＳｎ合金によるめっきは浴温１５〜３５℃、電流密度１０〜３０Ａ／ｄｍ^２とし、それぞれレイノルズ数１×１０^４〜５×１０^５とする。 （もっと読む）

【課題】レアメタルの使用量を抑えつつ、鉛フリーはんだに対するはんだ付け性（濡れ性）の向上はもとより、ウィスカの発生を抑制ないし防止することができるめっき被膜材を提供する。
【解決手段】導電性基材４に第１めっき層１ａを形成し、該第１めっき層１ａの表面に第２めっき層２ａを形成しためっき材からなるリードフレーム１０ａであって、前記第１めっき層１ａが、スズ、スズ−銀合金、スズ−ビスマス合金、スズ−銅合金、及びスズ−銀−銅合金の群から選ばれる少なくとも１種からなり、第２めっき層２ａがインジウムからなり、前記第１めっき層の厚さを５μｍ超１０μｍ以下とし、かつ第２めっき層の厚さを０．０５μｍ以上０．４μｍ以下としたリードフレーム１０ａ。 （もっと読む）

【課題】 基板への装填に際してリードフレームの曲げ加工が必須の半導体ＩＣにおいて、基板に対する接合強度を高める。
【解決手段】 半導体ＩＣのリードフレームにスズ皮膜をメッキで形成し、リードフレームを曲げ加工し、当該スズ皮膜を介してＩＣを回路基板に装着するＩＣの装填方法において、リードフレームにアニール処理を施さず、且つ、スズ皮膜に代えて、スズと、ビスマス、銀、インジウムよりなる成長抑制金属とのスズ合金皮膜をリードフレームにメッキ形成するＩＣの装填方法である。アニールの省略でＣｕ₃Ｓｎ層の形成を回避して曲げ加工時のクラックの発生を防止し、また、所定の添加金属の作用でアニールなしでも室温放置でメッキ皮膜への銅の拡散によるボイドを発生させず、接合強度を高く保持できる。 （もっと読む）

【課題】表面の曇りがなく、高温環境に放置された後の接触抵抗値上昇抑制及び変色抑制が図れ、耐熱性及びはんだ濡れ性に優れたＳｎ被覆銅又は銅合金、及び効率のよいＳｎ被覆銅又は銅合金の製造方法の提供。
【解決手段】最表面に存在する酸素原子（Ｏ）の存在形態をＥＳＣＡ（Ｘ線光電子分光装置）で分析した際に、酸素原子（Ｏ）の１ｓ軌道の結合エネルギーのピークのトップが５３１ｅＶ以上５３２ｅＶ以下にあり、Ｓｎ層の厚みが０．４μｍ以上２．０μｍ以下であるＳｎ被覆銅又は銅合金とする。 （もっと読む）

【課題】事前メッキリードフレームにおいて高価なメッキ層の厚さを減少させることができるリードフレーム及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、リードフレーム及びその製造方法に関するものである。本発明のリードフレームは、下地金属層（１０）と、該下地金属層上に、銅層または銅を含む銅合金層で形成され、表面粗度が与えられた銅メッキ層と、該銅メッキ層上に、ニッケル、パラジウム、金、銀、ニッケル合金、パラジウム合金、金合金及び銀合金から選択された少なくとも一つの物質からなる金属薄膜を少なくとも一つ含む上部メッキ層（１００）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】取扱いが比較的容易な無機酸浴を用いて、効率良くめっき層を形成することが可能なめっき付銅条材の製造方法を提供する。
【解決手段】銅又は銅合金からなる銅条材を連続的に走行させながら、その表面に多層に金属めっき層を形成した後、リフロー処理するめっき付銅条材の製造方法であって、各金属めっき層を、無機酸を主成分とするめっき液からなるめっき浴内に、不溶性アノードと銅条材とを浸漬し、レイノルズ数が１×１０^４〜５×１０^５となるように、銅条材及びめっき浴内のめっき液を相対移動させながら通電するとともに、電流密度を５〜６０Ａ／ｄｍ^２の範囲内とした電解めっきにより形成する。 （もっと読む）

【課題】より容易な手段でもってウィスカの発生を抑制できるようにした、ＰｂフリーのＳｎめっき層を有するめっき基材の製造方法を開示すること。
【解決手段】少なくとも表面がＣｕまたはＣｕ合金からなる母材２の表面にＰｂフリーのＳｎめっき層３を有するめっき基材１を製造するに際し、母材表面にＰｂフリーのＳｎめっき層３を形成した後、めっき層３の溶融温度以下の温度で熱処理を行い、形成しためっき層３と母材２の表面との間にＳｎＣｕ化合物層を生成する。製造されためっき基材１でのめっき層３におけるウィスカの成長は大きく抑制される。 （もっと読む）